【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板１０上に、第一の膜１１である炭素膜を形成する工程と、第一の膜１１上に炭化チタン層１２を形成する工程と、炭化チタン層１２を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、ＧａＮ半導体層から、下地基板１０を除去して、ＧａＮ半導体基板を得る工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎあるいは組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎ（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）を満足するＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層、（ｂ）上部層として、組成式：（Ｃｒ_１−γＹ_γ）Ｏ（但し、原子比で、０．０１≦γ≦０．１）を満足するＣｒとＹの複合酸化物層、上記（ａ）、（ｂ）からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】該非晶質炭素被膜の初期摩擦係数の低減を含む初期馴染み性を向上させることができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、水素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する工程と、前記非晶質炭素被膜の表面に紫外線を照射する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】溶着性の高い被削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）下部層として、平均層厚２〜１０μｍのＡｌとＴｉとＳｉの複合窒化物層、（ｂ）上部層として、１〜３μｍの平均層厚を有し、上部層全体における平均組成を、組成式：（Ａｌ_１−ＸＳｉ_Ｘ）_２Ｏ_３で表した場合、０．０１≦Ｘ≦０．３（但し、Ｘ値は原子比）を満足し、かつ、上部層におけるＳｉ含有割合は、下部層側から上部層表面に向かって減少する傾斜組成を有し、しかも、上部層表面におけるＳｉ含有割合を示すＸsurf値が、０≦Ｘsurf≦０．０５（但し、Ｘsurf値は原子比）を満足する組成傾斜型のＡｌとＳｉの複合酸化物層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．３〜０．６（Ｘは原子比）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＭｏ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＭｏの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．３〜０．６（Ｘは原子比）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＷ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＷの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜をスパッタ時に水添加することなく製造でき、高エッチング性と低結晶化温度を有し、結晶化後には低抵抗率と高透過率の特性を高い次元で満足する透明導電膜、該透明導電膜製造用のスパッタ時に異常放電のない焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、Ｇｅ／（Ｇｅ＋Ｉｎ）の原子％で６〜１６％であり、その他の諸特性を有する焼結体ターゲット、該ターゲットを所定の条件でスパッタして得られる非晶質透明導電膜、該非晶質透明導電膜をアニールして得られる結晶質透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．４〜０．７（Ｘは原子比）を満足するＣｒとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＭｏ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＭｏの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる工具基体表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、下部層として、組成式：（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ ）Ｎで表した場合、Ｘは０．４〜０．７（Ｘは原子比）を満足するＣｒとＡｌの複合窒化物層、上部層として、組成式：（Ｃｒ_{１−Ｙ―Ｚ} Ｓｉ_ＹＷ_Ｚ） Ｎで表した場合、Ｙは０．０５〜０．３、Ｚは０．２〜０．５（Ｙ、Ｚは原子比）を満足するＣｒとＳｉとＷの複合窒化物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面抵抗値が高く、かつ、信頼性の高い透明導電積層体を製造することが可能な透明導電積層体の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明の透明導電積層体の製造方法は、透明基材フィルム１１上に透明導電層１２が形成された透明導電積層体の製造方法であって、スパッタリング用ガスおよび酸素ガスを含む混合ガス中において、Ｉｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２を含むターゲットを用いたスパッタリング法により、前記透明基材フィルム１１上に前記透明導電層１２を形成する透明導電層形成工程を含み、前記ターゲットが、さらに、第３の成分を含み、前記ターゲットにおける前記Ｉｎ_２Ｏ_３と前記ＳｎＯ_２との合計含有割合に対する前記ＳｎＯ_２の含有割合が、２０〜４５重量％の範囲であり、前記混合ガスに対する前記酸素ガスの混合比率が、１〜５体積％の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板において、配線層の酸化を防止し、接続不良を防止する。
【解決手段】 ガラス基板１１の温度を２００℃に設定し、インラインスパッタ成膜法にて、１０^−７Torrで、スパッタガスとして、水素ガスを５ｖｏｌ％添加されたＡｒガスを用いて、Ｃｒ膜を７００Å、Ｃｕ膜を６μｍ、およびＮｉ膜を７００Åの膜厚で順次成膜して、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ多層配線層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高温に耐え得るｃＢＮ膜を含む高硬度被膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る高硬度被膜は、母材１０としての超硬合金の上に形成された中間層３０と、この中間層３０の上に形成されたｃＢＮ膜５０と、を具備する。中間層３０は、その本体としてのＣｒＮ層３４と、これを挟んで形成された接着層としてのＣｒ層３２および３６と、から成る。ｃＢＮ膜５０は、その本体としてのｃＢＮ層５４と、このｃＢＮ層５４の下層側に形成された接着層としてのＢ膜と、から成る。ここで、ＣｒＮ層３４の熱膨張率は、７．５［×１０^−６／℃］であり、ｃＢＮ層５４の熱膨張率（＝６．０［×１０^−６／℃］）に近い。従って、ＣｒＮ層３４を含む中間層３０と、ｃＢＮ層５４を含むｃＢＮ膜５０と、の間における熱膨張差が抑制され、熱応力によるｃＢＮ膜５０の剥離が防止される。つまり、ｃＢＮ膜５０を含む母材１０全体の耐熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】チップやドリル、エンドミルなどの切削工具や鍛造金型や打ち抜きパンチなどの冶工具などに形成する硬度と潤滑性に優れた硬質皮膜およびその関連技術を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_1-a-d-ｅＶ_aＭｏ_dＷ_ｅ）（Ｃ_1-XＮ_X）からなる硬質皮膜であって、０．２≦ａ≦０．７５、０＜ｄ＋ｅ≦０．３、０．３≦Ｘ≦１（式中、ａ、ｄ、ｅおよびＸは互いに独立して原子比を示す：なおｄおよびｅは、一方が０であってもよいが、両方が０になることはない）である組成を特徴とする硬質皮膜を、例えば、チャンバー１、アーク式蒸発源２、支持台３、バイアス電源４、ターゲット６、アーク電源７、磁界形成手段８、排気口１１、ガス供給口１２、被処理体ＷからなるＡＩＰ装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象物の凹部中に金属をプラズマ蒸着する方法に関する。この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 （もっと読む）

【課題】下部電極や圧電体層の表面粗さを制御して表面粗さを所定範囲に規定することに
より、圧電特性に優れた圧電薄膜素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、下部電極２，３、圧電体層４、上部電極を有する圧電薄膜素子
において、圧電体層４は、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０
≦ｚ≦０.２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるペロブスカイト型酸化物を主相とする圧電体
層であり、基板１は、Ｓｉ基板であり、下部電極３の表面は、算術平均粗さＲａが０.８
６ｎｍ以下、または二乗平均粗さＲｍｓが１.１ｎｍ以下のいずれかの表面粗さである。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性・低摩擦性能、耐摩耗性、耐食性に優れた硬質炭素被膜を有する摺動部材を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム層で覆われているアルミニウム合金を基材とし、前記基材の外側に前記基材側から順に、導電層、前記基材との密着性を向上させ、前記基材の硬度を補うためのバッファー層、及びダイヤモンドライクカーボン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 可視光領域だけでなく赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する酸化物透明電極膜を提供する。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、チタンを含有し、１５０℃以上３５０℃以下に加熱された基板上に成膜されており、酸化インジウムのインジウムがチタンに、チタン／インジウムの原子数比で０．００３〜０．１２０の割合で、置換され、酸化インジウムは結晶質であり、酸化物透明電極膜の比抵抗が５．７×１０^-4Ωｃｍ以下であり、ホール測定効果によるキャリア電子濃度が５．５×１０^-3以下であり、かつホール効果測定によるキャリア電子の移動度が４０ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以上である酸化物透明電極膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｏＮの特性とＴｉＡｌＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＭｏＮ_y（ただし式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２）で表されるＭｏとＮとの固溶体、Ｍｏ₂Ｎ、ＭｏＮまたはこれらの混合体からなるＡ層と、Ｔｉ_1-xＡｌ_xＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）