【課題】下地膜を酸素や水分と反応させずに、下地膜の表面に光が透過できる金属酸化物膜を形成する光透過性金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
気体分子を前記気体分子の凝縮温度以下の凝縮面に凝縮させて捕捉する第一の真空ポンプ１２₁を用いて第一の真空雰囲気を形成し、第一の真空雰囲気中に配置された成膜対象物３０の下地膜の表面に金属酸化物の粒子を付着させて第一の金属酸化物膜を形成し、気体分子を大気中に移動させる第二の真空ポンプ１２₂を用いて第二の真空雰囲気を形成し、化学構造中に酸素を有する反応性ガスの第二の真空雰囲気中の分圧を第一の真空雰囲気中の分圧より大きくし、第二の真空雰囲気中に配置された成膜対象物の第一の金属酸化物膜の表面に金属又は金属酸化物の粒子を付着させて第二の金属酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電定数のばらつきを小さくでき、耐電圧特性を向上させることができ、製造歩留りを向上させる圧電アクチュエータとその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、TiO_x密着層３’、Pt下部電極層４、PZT圧電体層５及びPt上部電極層６を積層して圧電アクチュエータを構成する。TiO_x密着層３’のTiO_xの組成比xは0<x<2であり、つまり、TiO_x密着層３’はTiを不完全に酸化させて成膜する。密着層３’による絶縁層２と下部電極層４との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層４、密着層３’及び絶縁層２の境界を明瞭にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも１つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも１つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反射防止膜の中間屈折率膜として用いられる、屈折率１．５〜２．０を示す酸窒化ケイ素膜を形成する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、スパッタリング法により、基材上に希ガス及び反応性ガスからなる混合ガス雰囲気の真空チャンバー内で酸窒化ケイ素膜を形成する方法であり、前記反応性ガスに酸素及び窒素を含む時の放電電圧Ｖ_Ｘと、前記反応性ガスに窒素を含み酸素を含まない時の放電電圧Ｖ_０とが、（Ｖ_Ｘ／Ｖ_０）＞０．９となるように、前記混合ガスに含まれる希ガスを５０〜７０体積％とし、屈折率が１．５〜２．０の酸窒化ケイ素膜を得ることを特徴とする酸窒化ケイ素膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】２桁以上高い固有抵抗値を持った酸化物絶縁膜を提供でき、適量の酸素原子を含有した酸化物半導体材料を半導体層に、酸素原子に加えて適量の炭素原子を含有した酸化物絶縁層材料をゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層に使った酸化物半導体薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化物半導体層中に、酸素原子に加えて、炭素原子を添加して酸化物絶縁膜を形成する。また、本発明に係る酸化物半導体薄膜トランジスタ素子は、酸化物材料がチャンネル半導体層に使われる酸化物半導体薄膜トランジスタ素子であって、前記酸化物絶縁膜は、前記チャンネル半導体層に使われる酸化物材料と同一材料でなり、ゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層のいずれかまたはすべてに用いる。 （もっと読む）

【課題】安定した、高い発光効率の赤色発光が得られるＥｕドープＺｎＯ膜形成方法を提供する。
【解決手段】まず、第１工程で、Ｈ₂Ｏガスを導入するスパッタ法で、基板１０１の上に、ＥｕがドープされたＺｎＯからなる薄膜１０２を形成する。次に、第２工程で、薄膜を加熱する。Ｈ₂Ｏガスを用いているので、形成される膜にはＨ原子も導入されるようになる。この結果、主に６２０ｎｍ付近で発光するＥｕを添加したＺｎＯを形成できるようになり、Ｅｕを添加したＺｎＯで、高い発光効率で安定した赤色発光が得られるようになる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】フッ素グリースを封入した転がり軸受において、内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、該膜によりフッ素と鋼との反応の抑制を図れるとともに、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、内輪２と外輪３と複数の転動体４と保持器５とを備え、フッ素グリース７が転動体４の周囲に封入される軸受であり、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａなどに硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの容量低下を抑制することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、アルミニウムを主成分とする基材１８の表面に亜鉛または亜鉛合金からなる下地層２３を形成する工程と、この下地層２３の表面に、蒸着によってアルミニウムを主成分とする微粒子２０を複数積み重ね、粗膜層１９を形成する工程と、を少なくとも備えたものとした。これにより本発明は、基材１８表面の酸化を抑制するとともに、基材１８と粗膜層１９との密着性を高め、コンデンサ６の容量低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットへの再付着を低減させて、異常放電およびダストを防止すると共に、成膜速度の低下を抑制する。
【解決手段】希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。このようにすることにより、分子量の大きいスパッタリングガスを優先的にイオン化することによりスパッタリング能力を高めることができる。これによりターゲット２への再付着を低減させると共に、成膜レートが低減することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】転がり軸受の内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、ＤＬＣ膜本来の特性を発揮することで、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、外周に内輪軌道面２ａを有する内輪２と、内周に外輪軌道面３ａを有する外輪３と、内輪軌道面２ａと外輪軌道面３ａとの間を転動する複数の転動体４とを備え、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａの表面に硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】１．５〜２．０の間で所望の屈折率を示すＳｉ系薄膜を、安定的に得ることが可能な透明誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて基材上に薄膜を形成する方法において、真空チャンバー内にＳｉターゲットを設置する工程、該真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後の該真空チャンバー内に反応性ガスとしてＮ_２及びＣＯ_２を含有するスパッタガスを導入する工程、を有し、（ＣＯ２流量／全スパッタガス流量）で表される流量比を制御することにより薄膜の屈折率を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ_６膜の結晶性を更に改善でき、剥離も少ないスパッタ形成方法を提供する。
【解決手段】タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムを主成分とするマトリクス、及び、前記マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備え、充填率が高い成形法と粒成長抑制効果のある昇温速度と温度で焼成した、酸化ビスマス粒子の平均粒径が０．２〜０．７μｍであるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空排気可能な真空容器１と、真空容器１の内部に配設され、基板８をその処理面を下方へ臨ませて保持する保持機構３０、３１を備えた基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の直下に基板８に対向させて配置され、放電用電力が供給されるカソード電極１０と、カソード電極１０の基板側に支持されたターゲット１６と、を備え、基板ホルダ４０は、基板以外の領域の表面温度を基板８上に成膜する成膜材料の分解または蒸発温度以上に加熱する加熱機構６０、６１を有する。 （もっと読む）