【課題】単に機械的性質が高温で低下しないというだけでなく、大気中の加熱によって塑性硬さが成膜直後よりも向上するという優れた自己硬化性を有し、成膜後のアニール処理により、成膜硬さをコントロールでき、耐酸化性にも優れる加工工具用硬質保護膜を提供する。
【解決手段】Cr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。さらに、ＢＮ含有率が８〜２８（vol％）であるCr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた密着性と潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、下部層に（Ａｌ，Ｃｒ）Ｎ層または（Ａｌ,Ｃｒ,Ｍ）Ｎ層を形成し、上部層に立方晶構造のＮｂＮと六方晶構造のＮｂＮの混合組織からなり、かつ、該混合組織についてＸ線回折による回折ピーク強度を調査したとき、立方晶構造のＮｂＮの（２００）面からの回折ピーク強度をＩｃ、また、六方晶構造のＮｂＮの（１０３）面と（１１０）面からの回折ピーク強度をＩｈとした場合、０．０５≦Ｉｃ／Ｉｈ≦１．０を満足する回折ピーク強度比を有する層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】膜厚の低下を図りつつ、エッチング工程を不要として低コスト化を図り、凹凸構造を有する薄膜層が被成膜基板表面に成膜された成膜基板、その製造方法、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜基板１は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層３が成膜されることで形成されたものとする。また、成膜基板１の製造方法は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板１を製造する方法であって、被成膜基板２表面に、酸化インジウムを含む薄膜層３を成膜し、この成膜を行うことで凹凸構造を形成する薄膜工程を有するものとする。これにより、凹凸構造を形成するためのエッチィング工程を不要とし、低コスト化を図り、酸化インジウムを含んだ透明導電膜３とすることで、膜厚を低下させる。 （もっと読む）

【課題】これまでの透明電極付き基板では、表面粗さは基板に依存しており、その上に形成される下地層や透明電極層では表面粗さを制御できず、この為、ミクロンオーダー以下の凹凸の制御ができず、光学設計にも限界があった。
【解決手段】下地層として、一部または全部が粒子状の酸化ケイ素からなる層を用いることで、ナノレベルの凹凸の制御および屈折率の制御が可能となり、結果として透明電極付き基板の光学特性を大きく向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基合金、Ｃｏ基合金などの耐熱合金の高速切削条件下で、硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ａと１〜５０ｎｍの層厚の薄層Ｂとが交互に積層された複層領域と、１００〜５００ｎｍの層厚の単一層にて構成された単層領域との交互積層構造からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、薄層Ａは、［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．０１〜０．３０）層、薄層Ｂは、［Ｔｉ_１−ＹＡｌ_Ｙ］Ｎ（Ｙは原子比で０．４０〜０．７０）層であって、単一層は、上記薄層Ｂと同一種の層で構成する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、１μｍ以上１５μｍ以下の膜厚であり、かつＡｌ_aＴｉ_bＳｉ_cＮ（ただし式中、０．３５≦ａ≦０．７、０＜ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）からなるＡ層と、Ｔｉ_dＳｉ_eＮ（ただし式中、０＜ｅ≦０．１、ｄ＋ｅ＝１）からなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、Ａ層およびＢ層はそれぞれ、２０ｎｍ以下の層厚であり、各Ａ層は、実質的に同一の層厚であり、各Ｂ層は、実質的に同一の層厚であり、Ａ層は、基材側から被覆膜の表面側にかけて連続的または段階的にＡｌの原子比が減少し、基材に最も近い側のＡ層を構成するＡｌの原子比をａ₁とし、被覆膜の表面に最も近い側のＡ層を構成するＡｌの原子比をａ₂とすると、ａ₁−ａ₂≧０．００５を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記ＴｉＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とし、断続重切削加工において優れた耐欠損性と靭性を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ｘが０．０５≦ｘ≦０．３を満たし、さらに、Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記Ｔｉ_1-ｘＳｉ_ｘＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ及びＡｌを含有するほかに、Ｎを任意成分として含むことがあるアモルファス膜を導電性バリア層として用いる。
【解決手段】基板２２の第１主面２２ａの上側に、導電性バリア層１４と、導電性バリア層の上側に形成された下部電極１６と、下部電極の上側に形成された強誘電性の金属酸化物からなるキャパシタ絶縁膜１８とを備え、及び導電性バリア層が、Ｔｉ及びＡｌを含むほかに、任意成分としてＮを含むことがあるアモルファス膜である。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性の高いハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層２として、アモルファスなＴｉＯ_２膜を用いる。紫外線吸収層２とハードコート層３との間には、アモルファスなＴｉＯ_２と、ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層４が配置されている。ＴｉＯ_２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。混合層４は、紫外線吸収層２とハードコート層３との密着性を高め、冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板との剥離および電流リークが起こりにくい非鉛の大面積圧電体薄膜を有する圧電体薄膜付き基板を作製する。
【解決手段】基板上に下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程を備え、上記圧電体薄膜を形成する工程は、ＡｒおよびＯ_２雰囲気下で行われるスパッタ法により、チャンバー内ガス圧力を０．３以上１．８Ｐａ以下、かつＯ_２／Ａｒガス混合比を０．００２以上、かつ酸素分圧を３．０×１０^−３Ｐａ以上として成膜する。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面にＴｉＳｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＳｉＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＴｉＳｉＮ結晶粒からなり、さらに、上記ＴｉＳｉＮ層の表面から０．１μｍの深さの水平断面におけるＴｉＳｉＮ結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である上記縦長平板状のＴｉＳｉＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗メモリの可変抵抗層を簡単に製造することのできる抵抗メモリの可変抵抗層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この方法は、銅ターゲットおよびシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）ターゲットを有するか、あるいは、銅およびシリコン酸化物から作られた複合ターゲットを有するスパッタリングチャンバー内に、基板を設置することを含む。その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。混合膜は、抵抗メモリの可変抵抗層として使用され、混合膜のＣｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率は、１〜１５％である。 （もっと読む）

【課題】真空容器のガスを入れ替え等の製造時間の増加によるコストの増加を防止した、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によりＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜を短時間で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２２、ならびに、金属薄膜２３を、Ａｒと窒素との混合ガスを用いることにより、同一スパッタリング装置内で形成し、ガス切り替えに要する時間を省き、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によるＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜１０を短時間で製造する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することができる絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る絶縁膜の成膜方法においては、反応性ガスとして、窒素と酸素の混合ガスが用いられる。酸素に窒素を混合することで成膜レートが上昇し、窒素の流量比が８０〜８５％のときに成膜レートの最大値が得られる。このときの成膜レートは、窒素の流量比が０％のときの約２倍である。窒素の流量比が９０％を超えると、成膜レートの低下が顕著となる。得られたシリコン酸窒化膜は、スパッタリング法で成膜されたシリコン窒化膜よりも高い絶縁耐圧特性を有する。したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に使用される電極フィルム等として使用する際、透明電極のパターニング性（エッチング性）、ペン摺動耐久性、環境安定性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材の少なくとも片面に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設け、更にその上に第１の非晶質な透明導電性薄膜層、第２の結晶質な透明導電性薄膜層をこの順で積層した透明導電性積層フィルムであって、（ａ）第１の透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ_２／（ＳｎＯ_２＋Ｉｎ_２Ｏ_３））が７〜２０質量％、膜厚が２〜２０ｎｍ、 （ｂ）第２の透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ_２／（ＳｎＯ_２＋Ｉｎ_２Ｏ_３））が１〜６質量％、膜厚が５〜２０ｎｍ、 （ｃ）第１と第２の透明導電性薄膜層の膜厚の和が１５〜３０ｎｍ、である透明導電性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＡｌＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＡｌＮからなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）