【課題】導電性、透明性、耐環境変動性において良好な特性を示す透明電極付き基板を提供すること。
【解決手段】基材上に少なくとも１層からなる酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板であって、上記透明導電性酸化物層が基材に対してｃ軸配向した結晶構造を有しており、更に上記透明導電性酸化物層中に水素がドーピングされている基板、並びに基材上に少なくとも１層からなる酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板の製造方法であって、上記透明導電性酸化物層がプラズマ放電を利用したスパッタリングにより製膜され、且つスパッタリング時のキャリアガスとして、アルゴン及び水素を必須とし、さらに酸素、二酸化炭素から選択される１種以上を添加したものを使用し、且つ全キャリアガス中に水素が２〜３０体積％、酸素及び／又は二酸化炭素が１〜３０体積％含有されている基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を結晶化させることにより透明電極の耐薬品性を高めることができると共に、透明導電膜の結晶化時に高分子材料基板を変形・劣化させることがない透明電極の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子材料基板上に、Ｓｎを含有する非晶質透明導電膜を形成する工程と、非晶質透明導電膜を１１０℃以上１３０℃未満の温度で熱処理して結晶質透明電極とする工程とを含むことを特徴とする、透明電極の製造方法である。ここで、非晶質透明導電膜のＳｎ濃度は、ＳｎＯ_２換算で１〜５質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された１以上の元素と、第１元素と、第２元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第１元素を含む第１ガスおよび前記第２元素を含む第２ガスから選択された１以上のガスを前記成膜室に供給し、前記１以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第１ガスと前記第２ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】多層膜ミラーの面内応力分布を簡単な方法で制御する。
【解決手段】成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の各層を成膜中に、回転する基板上の成膜速度が基板の走査位置によって変化することで膜の内部応力値が変わるため、水又は水素ガスの混合比を変化させると膜の内部応力が変化することを利用して応力分布を均一にする。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリアセタール樹脂等、接着性、塗装性が良好でない樹脂成形品の表面に塗料等の表面層を形成する場合の接着性、塗装性を、上記従来の表面粗化の処理方法等に比べて著しく向上させることができ、従って、塗料等の表面層の剥離防止効果が良好となる、樹脂成形品の表面処理方法、及びその表面処理後の形成される表面層を有する樹脂成形品の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】樹脂成形品の表面を、酸素を用いてプラズマ処理する酸素プラズマ処理によって前記樹脂成型品表面に水酸基を導入し、導入された水酸基、及び該水酸基と空気中の水分子との相互作用により前記樹脂成形品の表面に付与される水によって、該樹脂成形品の表面を改質することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の熱膨張における体積変化を行う通路を確保し、蒸着容器割れや破損を防止することにより、蒸着容器交換頻度を減らし、蒸着コストを低減する薄膜の製造装置および薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜の製造装置は、基板４の表面に、真空蒸着を用いて成膜を行う薄膜製造装置１００であって、蒸着原料と、前記蒸着原料を収容する容器１６と、前記容器に１６収容された前記蒸着原料を加熱する加熱手段１７と、前記加熱手段１７が前記蒸着原料を加熱して溶解時に、前記蒸着原料の溶解面より下方と前記溶解面の上方とを連通する管５０と、を有する薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】
毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。
【解決手段】
透明基板１上の酸化亜鉛試料２に電位を与えておき、前面に酸素プラズマＯＰを形成し、プラズマ空間電位を直流電源９、交流電源１０又はパルス電源１１で制御する。酸素プラズマＯＰの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料２と酸素プラズマＯＰとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ＺＶを亜鉛Ｚｎショット８を加熱して生成させ、非晶質の透明基板１付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置１４とプラズマ発光分析装置１３でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるＺｎＯ透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が０．４％以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマスクブランクの製造方法
等を提供する。
【解決手段】透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有
するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成する
ための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてス
パッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱す
る工程をと有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
高透明のインジウム複合酸化物薄膜の導電性、耐久性、またはリニアリティを向上させたタッチパネル用透明電極を提供することにある。
【解決手段】
透明基板の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜およびカーボン膜が積層された透明電極の製造方法であって、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が１０〜４０ｎｍの膜厚であり、カーボン膜が０．５〜５．０ｎｍの膜厚であるように製膜され、上記カーボン膜が水素を５０〜１００体積％含むガスを用いたスパッタリング法によって製膜され、かつ製膜後の透明電極が７０℃以上１７０℃以下の温度で熱アニール処理して透明電極を製造することにより、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】透明な樹脂基板の耐摩耗性を改善する積層膜、又は混合硬質膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】図１の符号１は、窓ガラス代替物を形成する混合硬質膜を形成する混合硬質膜形成装置であって、蒸着室１２内に、ＴｉＯから成る第一蒸着源２１とＳｉＯ₂から成る第二蒸着源２２が成膜対象物の移動方向の真下に離間して並べて配置されている。この混合硬質膜形成装置１を用いて、蒸着室１２内に酸素ガスを導入し、ＴｉＯから成る第一蒸着源２１とＳｉＯ₂から成る第二蒸着源２２を加熱して蒸発させながら、ＳｉＯ₂よりＴｉＯ₂が多い位置から、ＴｉＯ₂が徐々に少なくなり、ＳｉＯ₂が増加する位置までの領域を形成し、その領域内で透明な樹脂基板を通過させて混合硬質膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内部応力が小さい酸化スズ薄膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明基材上に蒸着プロセスを経て形成される非結晶性の酸化スズ薄膜であり、該薄膜はＣｕＫα線を用いたＸ線反射率法により該薄膜の緻密化度（ρ／ρ_０）×１００が９０〜９５％とすること。酸化スズ薄膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率が２．０３以下である特徴も持つ。当該薄膜は内部応力が小さいため、基板との密着性が向上し、膜自体の剥離や基板の反り発生を抑制するため、低放射膜の部材として有用である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐熱性とに優れたγ−アルミナベースの硬質皮膜を１０００℃以下で形成でき、その皮膜を備えた耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム酸化物を基とする硬質皮膜を基材に被覆した硬質皮膜形成部材であって、硬質皮膜は、Ａｌ_1-xＭ_x(Ｏ_1-yＮ_y)_z（０≦ｘ≦０．５、０＜ｙ≦０．４、ｚ＞０）で表される組成を有し、この組成におけるＭは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂから選択される少なくとも１種の元素であることを特微とする。このような硬質皮膜は、基材の温度を４００〜６００℃として形成できる。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】透明半導体として使用されるＩＧＺＯ膜の電気的特性の耐熱性を向上させる。
【解決手段】主としてインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）を構成元素として、インジウムとガリウムの合量に対するインジウムの原子数比［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）が２０％〜８０％、インジウムとガリウムと亜鉛の合量に対する亜鉛の原子数比［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］＋［Ｚｎ］）が１５％〜４０％である酸化物焼結体を１．１Ｗ／ｃｍ²〜６．６Ｗ／ｃｍ²のスパッタパワー密度、酸素濃度３％以下で、スパッタ成膜することで得られた酸化物薄膜を、２００〜５００℃で１０分間以上アニールすることを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃程度以下の低温成長でも、ＺｎＯ層の表面平坦性の低下が抑制されたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管にＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビーム３ａを発生させる工程と、基板１１の上方に、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管から第１のビーム３ａを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）