半導体デバイスを生産する方法が提供され、この半導体デバイス（５０）は、基板（３０）と、半導体層（３６、３８）と、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素に隣接する少なくとも１つのメタライゼーション層（５２、７０）とを含み、この方法は、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素の近くに酸素を含む少なくとも１つのメタライゼーション層を形成するステップを含む。
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【課題】密着性の向上および厚膜化が可能であり、耐摩耗性に優れる硬質膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、炭素供給源として黒鉛ターゲットと炭化水素系ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量１００に対する炭化水素系ガスの導入量の割合が１〜５、装置内真空度が０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜１５０Ｖの条件下で、炭素供給源から生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】金属蒸着層に蒸着欠陥が発生せず、しかも複雑又は深みがある立体形状に適用した場合でも金属蒸着層にクラックが発生しない転写シートを提供すること。
【解決手段】基体シートの片面に、少なくとも、前アンカー層、酸化金属蒸着層及び金属蒸着層を有する転写層が形成されている転写シート。 （もっと読む）

ジルコニアをベースにした層を蒸着基板上に作製するために、パルススパーク電流および/またはスパーク標的に対して垂直な磁場の印加を用いる反応性スパーク蒸着を使用し、ジルコニウム元素と少なくとも1つの安定化剤とを含む混合標的を用いるか、または反応性ガスとして、酸素に加えて窒素を用いる、ジルコニウム元素を含むジルコニウム標的を用いる。代替法としてはまた、混合標的の使用と組み合わせて、反応性ガスとして、酸素に加えて窒素を用いることも可能である。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶化された多結晶薄膜を提供する。
【解決手段】インジウム元素及び酸素元素を含有した非晶質膜をスパッタリング装置で成膜し加熱することで、Ｘ線回折測定において２θが２５ｄｅｇ〜３５ｄｅｇの範囲に観測される（２２２）配向のロッキングカーブの半値全幅が０．４ｄｅｇ以下である多結晶薄膜を形成する。又、金属酸化物をスパッタリングによって成膜するに際し、プラズマの照射を２〜５秒間隔として成膜しその後結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 Ｆｅ及びＲ，Ｏ（Ｒは、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙのうち少なくとも１つ以上である）を含む薄膜原料供給源と基板との間に、プラズマを発生させ、基板上にＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜を形成する気相成膜方法であって、前記プラズマが、５４３５ｃｐｓより少ないＯ活性種の発光強度を有し、Ｆｅ活性種の発光強度に対するＯ活性種の発光強度が、Ｏ活性種の発光強度／Ｆｅ活性種の発光強度＜２
である気相成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，ＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶の集体からり、結晶性、緻密性にすぐれた高配向窒化アルミニウム多結晶膜を提供する。
【解決手段】単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。前記方法により製造される高配向窒化アルミニウム多結晶膜１は、ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶２の集合体からなり、該高配向窒化アルミニウム多結晶膜のチルト角が３０〜１，３００arcsec、ツイスト角が８０〜４，０００arcsecとなる。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】燃料電池のセパレータの表面を被覆して低い接触抵抗を長期間維持する効果を付与する耐食皮膜として、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａから選択される１種以上の金属元素を炭素の２／３倍以下の含有率（ａｔ％）で含有する炭素膜を、チタン基材の表面に形成する生産性に優れた方法を提供する。
【解決手段】−５０〜−３００Ｖのバイアス電圧を基材Ｗに印加し、希ガスおよびその１／３〜２の流量比の炭素含有ガスを主成分とする雰囲気ガス中でアーク放電を行って、前記金属元素からなる蒸発源２を蒸発させ、雰囲気ガスと金属元素のプラズマを生成し、磁界形成手段３で、蒸発源２の蒸発面にほぼ直交して発散ないし平行に進行して基材Ｗ近傍まで到達する磁力線を形成させることにより、前記プラズマを基材Ｗ表面に供給することを特徴とする。基材Ｗ近傍のプラズマ密度を高くすることで、金属の成膜速度を抑えて炭素を主体とする金属含有炭素膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材上に、ディスプレイ作製の基礎となる赤色の発色が可能なペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜を形成する。
【解決手段】耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材２と、基材２上に形成された金薄膜３と、金薄膜３上に吸着されたナノシート４と、ナノシート４上に気相成長法によって、500℃以上700℃以下の温度でペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜５を成膜したことを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体１であり、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜５は、例えば、(Sr_xCa_1-x）_1-yPr_yTiO₃：0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01であり、ナノシート４は、例えば、［Ca₂Nb₃O₁₀］⁻（CNO） ナノシートと［N(C₁₈H₃₇)₂(CH₃)₂］^＋（DOA）ナノシート からなる複合LB膜であり、基材２は、例えば、クレーストである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反射色調を調整することが可能な低放射膜を提供することを課題とする。
【解決手段】基材上に蒸着プロセスによって形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、交互に２ｎ＋１層（ｎは１以上の整数）積層されてなる積層構造を有しており、上記金属層はＡｒと酸素とを含む混合ガスを用いて形成されるものであり、該混合ガスは酸素／（Ａｒ＋酸素）×１００で表される酸素濃度が０．５〜１３体積％であること。 （もっと読む）

【課題】潤滑油中で使用され、機械摩耗および化学摩耗の両方に対して耐久性を有する摺動部品を提供することにある。
【解決手段】基材と基材上に形成された硬質皮膜とを備えた摺動部品であって、前記硬質皮膜の最表面層（表層）に窒素と金属元素とを添加した非晶質炭素被膜を設けたことにある。前記表層は、金属の炭化物，窒化物，炭窒化物よりなる結晶体と、非晶質炭素相との複合体よりなる。硬質皮膜の膜厚は０.５〜８μｍであり、表層の表面硬度はビッカース硬度で１８００以上とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＢａ酸化物及びＳｒ酸化物の少なくとも一方を含有するＣｕ合金下地層を有し、該Ｃｕ合金下地層と絶縁膜１との界面にＢａＳｉ酸化物及びＳｒＳｉ酸化物の少なくとも一方が偏析している。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金等の軟質被削材の切削加工において、すぐれた化学的安定性と潤滑性を発揮する表面被覆切削工具を提供すること。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金製工具基体表面に、 下部層として、平均層厚０．５〜３μmを有するＣｒとＡｌの複合窒化物（組成式：（Ｃｒ_１−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎで表した場合、好ましくは、０．４≦Ｘ（原子比）≦０．７）層、上部層として、平均層厚０．５〜２μmを有するＦｅとＴｉの複合酸化物（組成式：Ｆｅ_２Ｔｉ_ＹＯ_２＋２Ｙで表した場合、好ましくは、０．８≦Ｙ（原子比）≦１．２）層からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れたガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する
【解決手段】フィルム基材をロール・ツー・ロールで搬送する搬送手段と、フィルム基材へ蒸着材料を蒸着させる蒸着手段とを具備する成膜装置であって、蒸着手段が、蒸着材料を蒸発させる手段と、蒸発した蒸着材料をプラズマにより活性化させる手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】より入手しやすいＴｉを母体材料とした透明導電膜を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、ＴｉＯＮの結晶から構成されてる。この結晶は、後述するように、面心立方格子構造のＴｉＯもしくはＴｉＮの回折点（２００）と同じ位置にＸ線の回折ピークを示す結晶性を有するものである。また、透明導電膜は、金属Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成できる。このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 （もっと読む）

【課題】膜厚が薄く、低抵抗率及び高透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に設けられる、酸化インジウム錫膜からなる透明導電膜であって、膜厚が８〜２０ｎｍの範囲であり、Ｘ線回折法における（２２２）面のピーク強度Ｉ_１と（４００）面のピーク強度Ｉ_２との比Ｉ_１／Ｉ_２が０．１〜１．０の範囲であり、抵抗率が１．５×１０^−４Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ並みの潤滑特性を有し且つ高硬度、高耐熱性の硬質皮膜を被覆した多層皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材表面に組成が異なる硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、硬質皮膜１の組成は、ＳｉａＢｕＣｖＮｗＯｚで表され、該硬質皮膜１の下部層である該硬質皮膜２の組成は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、およびＭｏから選択される２種以上と、非金属成分がＮとＢ、Ｃ、Ｏ、およびＳから選択される少なくとも１種を有し、該硬質皮膜１はラマン分光分析において１３００から１６００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｘを有し、１９００から２２００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｙを有し、３．２≦Ｉｘ／Ｉｙ≦８．０であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク１は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層１３Ｐ１を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層１３Ｐは、４０％以上９０％以下の窒化性ガス及び１０％以上３５％以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 （もっと読む）