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Fターム[4K057DB01]の内容

Fターム[4K057DB01]の下位に属するFターム

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Fターム[4K057DB01]に分類される特許

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【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて短時間で効率的に残留応力の改善と疲労強度の向上を行うことのできるレーザピーニング方法を提供する。
【解決手段】被施工対象物の表面に液体を通してパルス状のレーザビームを、走査方向(x方向)に移動させながら一定の走査間隔毎に照射し、一定の走査長さを走査した後、走査方向(x方向)と直交するピッチ方向(y方向)に一定のピッチ移動させ、走査方向(x方向)に移動させながら一定の走査間隔毎に前記レーザビームを照射する工程を繰り返して、被施工対象物の表面に圧縮残留応力を付与するレーザピーニング方法であって、被施工対象物の部位にかかる負荷の方向及び大きさに応じて、走査方向(x方向)とピッチ方向(y方向)及びこれらの方向における夫々の単位面積当たりの照射密度を変更することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チャンバ構成部品のような加工片の表面にテクスチャを設ける方法及びシステムを提供する。
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、1またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、1またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも1種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。 (もっと読む)


【課題】ハロゲンガスを用いずに少なくとも白金を含む層をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハWに形成された白金マンガン層37を所定のパターン形状を有するタンタル層38を用いてエッチングする際、一酸化炭素ガス、水素ガス及びアルゴンガスを含む処理ガスを用い、該処理ガスにおける一酸化炭素ガス及び水素ガスの流量合計に対する水素ガスの流量比が50%乃至75%である。 (もっと読む)


【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第1材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部1と、上記凹部を充填する第2材料からなる充填部2とを有し、前記第1材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される1種からなり、前記第2材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される1種以上からなり、前記第1材料と前記第2材料は、摩擦係数と硬度のうちの1以上が異なり、更には、前記基部1の表面と前記充填部2の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 (もっと読む)


【課題】金属材料の表面積を大きく増加させることのできる金属材料表面へのワイヤ状突起物の形成方法、及び該ワイヤ状突起物を備える金属材料を提供する。
【解決手段】アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う(ステップS3)。これにより、金属材料の表面に円錐状突起物が形成される。さらに、アルゴンガスに加えて、水或いは水素をチャンバ内に導入しながら、引き続き、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、金属材料の表面のスパッタエッチングを行う(ステップS4)。これにより、金属材料の表面にワイヤ状突起物が形成される。ワイヤ状突起物は、円錐状突起物の先端から成長している。 (もっと読む)


【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Vdcとピーク−ピーク間電位差Vppを独立に制御可能とし、Vdcを0V以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4.1×108cm-3以上1.0×1011cm-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材(30)の比誘電率の組合せが設計される。 (もっと読む)


【課題】既存のコーティングを除去する領域の幅を場合毎に望ましい寸法に調整できるようにする方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板(4)のコーティングした面に向けられたプラズマの助けによって、コーティング、特に金属含有コーティングを備える基板(4)の一部の範囲、特に周辺ゾーン(11)で層を除去する。プラズマヘッド(10)を基板(4)に対してしかるべく位置合わせすること、及び/または対応する必要な数のプラズマヘッド(10)を動作させて、1列の互いに隣接して配置したいくつかのプラズマヘッド(10)または修正可能な断面を有する1つのプラズマヘッドから、望ましい層除去幅でプラズマを基板に向けることによって、層を除去するゾーン(11)の幅を調整すればよい。層の厚さ全体にわたるコーティングを部分的にだけ除去することも可能である。 (もっと読む)


【課題】被加工物の表面を高い平滑度で加工できる表面加工方法及び表面加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物32が収容された真空槽12中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源31を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン33を生成させ、被加工物32に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン33を照射することによりイオン加工する第3工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 (もっと読む)


【課題】プレッシャプレート6aの接着面とライニング7aとの接合強度を向上させられる接着方法を実現する。
【解決手段】前記プレッシャプレート6aを洗浄した後、このプレッシャプレート6aのうちで前記ライニング7aを接着すべき面である接着面に、スパッタエッチングにより微細な多数の円錐状突起を形成する。その後、この接着面に、リン酸塩処理を施してから接着剤を塗布した後、この接着面に前記ライニング7aを、加熱、加圧成形しつつ接着固定する。前記各円錐状突起により、大きなアンカ効果を得られるので、前記接合強度の向上を図れる。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に係わる耐久性の向上と、噴孔へのデポジット付着抑制の保証とが両立する撥水層を形成する撥水層の形成方法および撥水層を備えた燃料噴射弁を提供。
【解決手段】金属基材231の表面232に形成する撥水層23の形成方法において、前記金属素地にプラズマイオン92を照射することにより金属素地の表面232に凹凸を形成する方法であって、上記金属の原子93とプラズマイオン92により合金94を形成し、金属素地のうち、合金94によりエッチングされない部位と、合金化されていない金属素地部分がエッチングされる部位とで、凹凸を形成し、前記凹凸を形成することで撥水層23を形成する。 (もっと読む)


【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材1上に周期律表第IVa 、Va、VIa 、IIIbおよびC以外のIVb 族元素のなかから選ばれた少なくとも1つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも1つの元素の炭化物からなる中間層2が形成され、この中間層2上に非晶質炭素膜3が形成された構造とし、中間層2の厚さを0.5nm 以上10nm未満とする。 (もっと読む)


【課題】ガスクラスターイオンビーム加工において、被加工物における目的の品質を確実に得る。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム9を被加工物11に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置Mにおいて、相対走査速度と照射ドーズ量との関係f1、被加工物11の回転軸からの距離と照射ドーズ量との関係f2、表面粗さや形状精度等の品質に影響するパラメータと照射ドーズ量との関係f3,f4,f5,f6を予め測定して記憶しておき、被加工物11に要求される品質と、関係f1から関係f6とに基づいて被加工物11に対するガスクラスターイオンビーム9の相対走査速度を決定し、この相対走査速度によるガスクラスターイオンビーム9の照射によって被加工物11の加工を行うことで、被加工物11に目的の品質を実現する。 (もっと読む)


【課題】被加工物の表面を粗面化することなく、ガスクラスターイオンビームの照射による所望の照射痕を得る。
【解決手段】ソース部1およびフィラメント6で生成されたガスクラスターイオンビーム8を加速電極7で加速して被加工物9に照射するガスクラスターイオンビーム加工装置Mにおいて、加速電極7の出射口と被加工物9との間に荷電粒子レンズ11を配置し、この荷電粒子レンズ11に設けられ、ガスクラスターイオンビーム8が通過する開口部の形状、および荷電粒子レンズ11と被加工物9との距離の少なくとも一方を制御することで、荷電粒子レンズ11の開口部を通過したガスクラスターイオンビーム8を選択的に被加工物9に照射して、被加工物9を粗面化することなく、所望の形状の照射痕を形成する。 (もっと読む)


【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク24aを形成した後、撥水処理28を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 効率的で安定したイオンビームを用いた圧電振動子の周波数調整装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 周波数調整装置は、真空室1と、真空室内に設けられた斜めに配置されたイオンガン2と、水晶振動子3と、水晶振動子を搭載するパレット4と、パレット4を搬送する搬送機構と、捕捉体24を有し、真空室外部には周波数測定部6や真空ポンプ7あるいは不活性ガス供給部23等を有する構成である。イオンガンの複数のグリッド開口20aは全体として略菱形状に配置された構成で、各グリッド開口20aはその平面形状が楕円形状となっている。 (もっと読む)


【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜(特に高融点金属)を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル(Ta)製の被エッチング部材11が備えられたチャンバ1内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのCl2ガスを供給し、被エッチング部材11に対してプラズマを発生させCl2ガスで被エッチング部材11をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるTa成分とCl2ガスとの前駆体TaClを生成し、表面に微細穴(トレンチ)が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの(底面の金属被覆厚/壁面の金属被覆厚)である被覆率を1より大きくするような状態にCl2ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにTa成分を成膜させる。 (もっと読む)


【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Sには、基板Sの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源3からラジカルが供給され、基板Sの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源4から中性粒子ビームNBが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Sを加工する際に、基板Sのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Sの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームNBによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームNBによって補完し、基板Sの加工面を平らにすることができる。 (もっと読む)


【課題】微細孔底面下の犠牲層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室6にバッファータンク35を接続し、固体XeF2が配置されたガス供給装置31を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク35を充填し、反応室6とバッファータンク35を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。プラズマを発生させずにエッチングするので、微細孔底面下の犠牲層をエッチングすることができる。 (もっと読む)


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