【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が１００ｎｍ以上の第１の銅粒子１４を分散させた第１の分散液１２を塗布し、基板１０上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを１５０℃未満の温度で乾燥を行う乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンと同じ位置に、第１の銅粒子１４より粒子径の小さい第２の銅粒子１８を分散させた第２の分散液１６を塗布する塗布工程と、塗布工程後の配線パターンの第１の銅粒子１４および第２の銅粒子１６間の空隙を埋める緻密化工程と、緻密化工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 （もっと読む）

【課題】高温にも耐え得る矩形断面の正確な金属薄膜パターンを、簡単な工程によって製造可能とすること。
【解決手段】下記に示す感光性金属錯体を含む塗布液１を基板１０に塗布し（Ａ）マスク２０を介して所定の部分のみを露光した（Ｂ）。露光によりエステル結合が切れて易溶化した可溶部１Ａを（Ｃ）、ＴＭＡＨ水溶液により除去し（Ｄ）、不溶部１Ｂを金属化するまで加熱し（Ｅ）、Ｃｕ等の金属３０でメッキする（Ｆ）。
【化９】
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【課題】真空成膜技術を用いずに、簡単な製造工程で作製することができる導電性素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性素子の製造方法は、導電性高分子および溶媒を含む導電性組成物を、複数の微細構造体が形成されたモールドの成形面に塗布または印刷する工程と、モールドの成形面に塗布または印刷された導電性組成物に含まれる溶媒を除去し、導電層を形成する工程と、導電層に基体を貼り合わせる工程と、基体が貼り合わされた導電層をモールドの成形面から剥離する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの修正において、修正抵抗を低減することが可能となる、パターン修正方法を提供する。
【解決手段】パターン修正方法は、導電性パターン２０の欠陥部２１を修正するパターン修正方法であって、導電性インクを塗布することにより第１のインク層３１を形成する工程と、第１のインク層３１を焼成することにより第１の修正層３２を形成する工程と、少なくとも一部が第１の修正層３２に重なるように導電性インクを塗布することにより、第２のインク層３３を形成する工程と、第２のインク層３３を焼成することにより第２の修正層３４を形成する工程とを備え、第１の修正層３２および第２の修正層３４により欠陥部２１を挟んで配置される導電性パターン２０間の電気的接続が確保される。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを抑制する電子素子用金属層を提供する。
【解決手段】被形成面１２に、金属インクを塗布し金属粒子層を形成しパターニングする。基板側からランプ照射し、金属粒子層の下層部分のみを溶融させ、下層部分の金属粒子どうしを融着させる。金属粒子の融着層１４Ａと金属粒子の非融着層１４Ｂとをこの順で有する積層体で構成されたゲート電極１４とする。 （もっと読む）

【課題】有機導電性材料を含む塗布組成物をプラスチック基板上に形成した後、高い電気電導度の配線を形成することができる配線の形成方法および形成装置を提供すること。
【解決手段】プラスチック基板上に有機導電性材料を含む塗布組成物が塗布されて配線パターンが形成された部材を準備し、少なくとも前記配線パターンに電磁波を照射してアニールし、有機導電性材料からなる配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】所定のパターン形成予定部に対応した良好なパターン形成をすることができるパターン形成装置及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、インクジェット方式により対象物のパターン形成予定部の周りに撥液性を有するコーティング材を塗布する表面処理工程と、前記表面処理工程の後にインクジェット方式により前記対象物の前記パターン形成予定部にパターン形成用材を塗布するパターン形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】有機半導体に対する接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】金属層２４Ａと、金属層２４Ａの表面の少なくとも一部に付着したカーボンナノチューブ２４Ｂと、を有する有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造プロセスが煩雑でなく、かつ高い絶縁耐力を有する電力用半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る電力用半導体装置は、第１導電型のＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成され、その表面にリセス構造２ａが形成された第１導電型のドリフト層２と、リセス構造２ａの表面内に配設された第２導電型の終端部３と、終端部３の一端にかかるようにドリフト層２上に形成され、ドリフト層２とショットキー接続するショットキー電極４，５と、終端部３を被うようにドリフト層２上に形成された絶縁膜６と、絶縁膜６上に形成され、ショットキー電極５と電気的に接続された導電膜８とを備える。導電膜８の抵抗値は１０⁶（Ω／ｓｑ．）以上１０¹³（Ω／ｓｑ．）以下である。 （もっと読む）

【解決手段】硬化性オルガノポリシロキサンと硬化剤とを含有するシリコーンゴム組成物に、最大粒径が１μｍ未満の導電性微粒子を配合してなることを特徴とする導電性パターン形成用組成物。
【効果】本発明の導電性パターン形成用組成物を用いることによって、インクジェット法やスタンプ法のような印刷方法により半導体基板上に微細な導電性パターンを塗布描画することができ、描画された回路を、組成物中に含まれる硬化剤によって架橋形成してゴム化することで、応力耐性を持つ導電性回路とすることができる。これにより、導電性回路の微細化が可能となると共に、信頼性の高い半導体回路を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】噴出される流体の原料の利用効率の向上を図る。
【解決手段】噴出口１３から噴出領域に流体２０を噴出するスプレーノズル１０と、噴出口１３が挿入される開口部３１を有し、噴出口１３からスプレーノズル１０側とその反対側の噴出領域側とを仕切る仕切板３０と、仕切板３０の開口部３１の近傍から噴出領域側に向けて、スプレーノズル１０の軸方向に対して所定の角度で延設される側壁板４０とを備える。側壁板４０は、仕切板３０および側壁板４０を配置していない状態におけるスプレーノズルの集束前噴出領域の外側に配置される。スプレーノズル１０から流体２０を噴出させた際に、側壁板４０と対向する側から集束前噴出領域に外気が流入することにより、噴出領域が側壁板４０側に集束する。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタにおけるビア形成を、低コストで効率的なプロセスで実現する。
【解決手段】誘電層１０６内にビア１１３を形成する際、まず各ビア位置にパターン化された導電材よりなるポストを印刷し、次にパターン化されていない誘電層１０６を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させる。ビア１１３は、誘電層１０６を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールすることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】高粘度の材料を射出して基板上にパターンを形成することができるパターン形成技術を提供する。
【解決手段】透明な基材４１の表面に昇華性材料として樟脳を含む圧力発生部材４２を積層し、その上に高粘度材料である金属ペースト４３を積層して積層体Ｓを形成している。その積層体Ｓと処理対象となる基板Ｗとを相対向させて配置する。そして、レーザー光照射部６０が基板Ｗに対して相対移動しつつ、レーザー光照射をオンオフして圧力発生部材４２の一部を加熱する。レーザー光照射によって加熱された圧力発生部材４２の一部では、樟脳の昇華に起因した急激な体積膨張により圧力波が発生する。こうして発生した圧力により、その直上の金属ペースト４３を基板Ｗに向けて射出し、基板Ｗの表面に金属ペースト４３のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。
【解決手段】銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。
また、銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤；銅錯体およびレオロジー調整剤から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板に設けられた第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタとを有する。また、第２のトランジスタの半導体層は、半導体層の上側で配線と接し、下側で第１のトランジスタのゲート電極と接する。このような構造とすることにより、配線及び第１のトランジスタのゲート電極を、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極として機能させることができる。これにより、半導体装置の占有面積を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高粘度の材料を射出して基板上にパターンを形成することができるパターン形成技術を提供する。
【解決手段】透明な基材４１の表面に加熱により圧力を発生する圧力発生部材４２を積層し、その層の上に複数の射出孔４６を設けたノズルプレート４５を接着している。複数の射出孔４６には被射出材たる金属ペースト４３を装填している。そして、レーザー光照射部６０が基板Ｗに対して相対移動しつつ、レーザー光照射をオンオフして複数の射出孔４６のうちの一部に対応する圧力発生部材４２を加熱する。レーザー光照射によって加熱された圧力発生部材４２の一部では、樟脳の昇華に起因した急激な体積膨張により圧力波が発生する。こうして発生した圧力により、射出孔４６に装填された金属ペースト４３を基板Ｗに向けて射出し、基板Ｗの表面に金属ペースト４３のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】印刷形成が可能である銅系粒子堆積層を、基板密着性、低体積抵抗率、基板ダメージがなく深部まで還元する処理方法であり、且つ印刷塗布部外への銅の析出を抑制した、金属銅膜の作製方法、及び、作製した印刷金属銅パターンを提供する。
【解決手段】基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、１２０℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の１価のアルコール／エステル／ケトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。 （もっと読む）