【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体３１と、この基板本体３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３２と、この貫通孔３２内に埋め込まれ且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線３７とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置１０は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ内に設置された蒸発源１３と、蒸発源に対向して配置されたステージ１５と、ステージを面内で回転させる回転手段１８と、蒸発源に対するステージの設置角度を変化させる角度調整手段１９とを備える。そして、基板Ｗを面内で回転させるとともに、基板の表面に対する蒸発粒子の入射角が連続的に変化するように基板の傾斜角を蒸発源に対して変化させながら、基板の表面に蒸発粒子を堆積させる。これにより、基板の半径位置に関係なく、ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を高めることができる。また、これに伴って、基板面内において蒸着膜のカバレッジ特性の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】有機添加剤を含む硫酸銅めっき浴中で、浴電流密度を５Ａ／Ｌ以下とし、硫酸銅めっき浴に金属銅をその浸漬面積をめっき浴の容量あたり０．００１ｄｍ²／Ｌ以上として浸漬し、上記浸漬面積に対して０．０１Ｌ／ｄｍ²・ｍｉｎ以上のエアバブリングを施して電気銅めっきする。
【効果】ブラインドビアホール、トレンチ、インターポーザ用の孔などの銅めっきを充填して配線を構成する構造物を有するプリント基板やウェハ等の被めっき物に、硫酸銅めっき浴を用いて電気銅めっきする際において、硫酸銅めっき浴を用いて連続的に電気めっきするときに発生する、有機添加剤が酸化又は還元されて生成すると考えられる有機物を効率的に酸化分解させることができ、分解／変性有機生成物により発生する銅めっきの充填不良やボイドなどを可及的に低減することができ、長期にわたり安定して電気銅めっきができる。 （もっと読む）

【課題】有機フィルムの如き基体の上に白金膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】白金化合物を含む第二の基体から白金化合物を昇華させ、その昇華気体を白金膜を形成するための第一の基体上に供給し且つ分解して第一の基体の表面に白金膜を形成する、白金膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアホールの内部に、無電解めっきによって、コンタクト配線を連続的に形成でき、しかもコンタクト配線（めっき膜）が絶縁膜の表面にバンプ状に盛り上がることがないようする。
【解決手段】半導体基材上に積層した絶縁膜の内部に第１ビアホールと該第１ビアホールより深さの深い第２ビアホールを有する基板を用意し、第１ビアホール及び第２ビアホールの内部に、基板表面をめっき液に接触させた第１の無電解めっきによって、第１ビアホールがほぼ埋まるまでコンタクト配線を形成し、しかる後、基板表面と該表面に沿って流れるめっき液との相対速度を速めて第１ビアホール内に形成されたコンタクト配線の表面に成膜されるめっき膜の成長を抑制した第２の無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの形成のための平坦化工程で障壁層が損傷することを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。その後、開口の下部側壁及び底面に沿って形成された残留金属膜と開口の上部側壁及び残留金属膜の表面に沿って形成された金属窒化膜とを含む障壁層を形成する。障壁層を含む開口を埋め立てて金属プラグを形成する。 （もっと読む）

シリサイド形成金属を含むインクを用いて、コンタクト形成方法、そのコンタクト及び局所相互接続を含むダイオード及び／又はトランジスタ等の電気デバイスとその形成方法に関する。コンタクト形成方法は、露出したシリコン表面上にシリサイド形成金属インクを堆積させるステップと、インクを乾燥させ、シリサイド形成金属前駆体を形成するステップと、シリサイド形成金属前駆体及びシリコン表面を加熱して、金属スイサイドコンタクトを形成するステップとを含む。任意選択的に、露出したシリコン表面に隣接する誘電体層上に、金属前駆体インクを選択的に堆積させて、金属含有相互接続を形成できる。更に、１つ又は複数のバルク導電性金属を、残りの金属前駆体インク及び／又は誘電体層上に堆積させてもよい。かかる印刷したコンタクト及び／又は局所相互接続を用いて、ダイオード及びトランジスタ等を作製できる。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。
【解決手段】本発明の１つの態様において、耐熱性層が、高アスペクト比の接点またはバイアを有する基板上に堆積される。ＣＶＤによる金属層が、低温で耐熱性層上に堆積され、ＰＶＤ金属に対して共形のウェッティング層を提供する。次に、ＰＶＤ金属が、前に形成されたＣＶＤ金属層上に、その金属の溶融点より低い温度で堆積される。結果として生じるＣＶＤ／ＰＶＤ金属層は、実質的にボイドのないものである。金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、ＰＶＤおよびＣＶＤ処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、ＣＶＤによるＡｌ層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜の流動性の低下を抑制しつつ、耐熱性を向上させる。
【解決手段】イオンビームデポジションなどの方法にて高純度アルミニウム膜１５を絶縁層１３上に形成した後、イオンビームデポジション法にて、添加元素１７を含む添加元素膜１６を高純度アルミニウム膜１５上に形成し、添加元素膜１６の熱処理を行うことで、添加元素膜１６に含まれる添加元素１７を高純度アルミニウム膜１５に拡散させ、高純度アルミニウム膜１５に添加元素１７を添加する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】コンタクトホールＣ１を形成して、その底部にニッケルシリサイド層１４を露出させた後、ＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成し、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの塩素濃度を低減すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元し、ＮＨ_３ガスを用いた熱窒化処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元する。 （もっと読む）

【課題】安定で取扱性が良好な蟻酸銅を用い、基板面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成できる銅膜の形成方法を提供する。
【解決手段】所定温度に加熱されている基板を、前記加熱温度で不活性な不活性ガス雰囲気内に載置して、前記基板の表面に向けて前記加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した蟻酸銅溶液を噴霧し、前記加熱温度下で噴霧された蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ前記蟻酸銅を触媒を用いることなく熱分解して、前記基板の所定面に薄膜の銅膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき処理する際に微細孔の内側に残存する気泡に阻害されることなく、微細孔の内側にめっきを設けることができるめっき形成方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき形成方法は、被処理体１０ａの微細孔の内側にめっきを形成する方法であって、前記被処理体１０ａに対する表面張力が前記めっきを施すために用いられる溶液Ａ１６よりも小さい溶液Ｂ１７に前記被処理体１０ａを浸漬する工程と、前記被処理体１０ａをめっき浴に浸漬させて前記微細孔の内側に溶液Ａ１６を充填する工程と、を順に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の形成時にギャップフィル特性を確保でき、コンタクトホールの形成時に開口不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板２００上に少なくとも１つ以上のゲートパターン２０１を形成するステップと、ゲートパターン２０１を含む基板上に第１の絶縁膜を形成するステップと、周辺領域の第１の絶縁膜をエッチングし、周辺領域の少なくとも１つ以上のゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを形成するステップと、ゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを含む基板上に第２の絶縁膜を形成するステップと、セル領域の第２の絶縁膜２０６Ａを所定の厚さにエッチングするステップと、第２の絶縁膜を含む基板全体上に層間絶縁膜を形成するステップと、セル領域の層間絶縁膜、第１の絶縁膜２０３Ａ、及び第２の絶縁膜２０６Ａをエッチングし、コンタクトホールを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 周辺表面を殆ど汚染又は乱さずに、スパッタリングされたキャリア／バリヤ層を堆積させて所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】 堆積層のイオンの衝突により浸食・汚染されないように、刻設された層の適用された表面が保護される、イオン堆積スパッタリング法を用いて刻設された材料層を半導体の特徴表面に適用する方法であり、刻設された層の第１の部分を、その層の適用される表面が浸食又は汚染されない程度に基板バイアスを十分低くして適用するステップと、刻設された層の次の部分を、さらなる層材料を堆積させながら、第１の部分からの形状を刻設可能な程度に基板バイアスを十分高くして適用するステップとを含む。この方法は、半導体の特徴表面上にバリヤ層、ウェッティング層及び導電層等を刻設するのに特に適しており、導電層が銅である場合は特に有益である。 （もっと読む）