【課題】試料評価装置及び試料評価方法において、酸化金属膜の組成変動を簡単に測定すること。
【解決手段】走査型非線形誘電率顕微鏡１０の探針１４ａにより酸化金属膜３５の評価領域Fを走査することにより、評価領域Fの非線形誘電率を示す出力信号S₀を走査型非線形誘電率顕微鏡１０から取得するステップと、酸化金属膜３５の特定の構成元素の組成ずれXと出力信号S₀との関係を表すテーブルTBを参照することにより、取得した出力信号S₀に対応する組成ずれXを求めるステップとを有する試料評価方法による。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を備えたＴＦＴ素子などのアクティブ素子の良否の予測を精度高く行うことができる回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２には、第１の電極４と、第１の電極４とは電気的に分離されている第２の電極６と、第１の電極４および第２の電極６と接するように形成された酸化物半導体層５と、を備えたトラップ準位測定用パターン３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】電極とシリコンとのオーミック・コンタクトを容易に得ることができ、その電極を使用してシリコンのライフタイム測定ができ、その測定に利用できる測定ヘッドを提供する。
【解決手段】測定対象であるシリコン１に電極２Ａ，２Ｂを押し当てて回転させ、シリコン１と電極２Ａ，２Ｂとの接触部にオーミック・コンタクトを形成し、シリコン１にパルス光を照射し、その照射により発生する過剰キャリアにより変化する電気伝導度の時間的な変化量を測定して少数キャリアの再結合ライフタイムを測定する。電極２Ａ，２Ｂをシリコン１に押し付けるシリンダと、電極２Ａ，２Ｂを回転させるモータと、当該電極と電気的に導通するプローブと、シリコン１に励起エネルギーを出射する光照射部を備え、電極を押し具でシリコン１に押し付けながらモータで回転させて、電極２Ａ，２Ｂとシリコン１とのオーミック・コンタクトを得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】現在の手動検査プロセスを置き換える自動化検査システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】自動化欠陥検査システム（１０）が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、ＭＣＭなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 （もっと読む）

【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】１つの貫通配線のみの抵抗を測定できる貫通配線の検査方法、及び該貫通配線の検査方法を行う工程を含む貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】基板１の一方の面１ａに配された導電部２と、基板１を貫通し、導電部２と接続される第一貫通配線３、第二貫通配線４および第三貫通配線５とを少なくとも備えた貫通配線基板１０を用い、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第二貫通配線４に、定電流源６の一組の端子６ａ，６ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３、導電部２、第二貫通配線４の経路に電流を流すと同時に、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第三貫通配線５に、電圧計７の一組の端子７ａ，７ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３における電圧降下を測定することを特徴とする貫通配線の検査方法。 （もっと読む）

【課題】成膜直後の基板面内における酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定することができる膜抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】測定対象物Ｗを基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープ６を用いて抵抗値を測定する工程とを含む。酸化物半導体膜として、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料からなる透明酸化物半導体膜を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されているフォトデバイスの光励起キャリア発生領域を非接触で検査する技術を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、フォトデバイスが形成された太陽電池パネル９０を検査する。検査装置１００は、パルス光ＬＰ１１を太陽電池パネル９０の受光面９１Ｓ側から照射する照射部１２と、該パルス光ＬＰ１１の照射に応じて発生するテラヘルツ波パルスＴＬ１の電界強度を検出する検出部１３（検出器１３２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】組み立てが簡易で、確実に機能する接続端子及び検査用治具を提供する。
【解決手段】対象点間を接続する接続治具に用いられる接続端子は、小径の導電部とそれを囲むように配置された大径の円筒形状部とを備え、大径の円筒形状部の一部にばね部が形成され、小径の導電部の先端部の先端面が、大径の円筒形状部の先端面から突出し、さらに、小径の導電部の一部が、大径の円筒形状部のばね部が形成されていない部分であってばね部よりも先端面に近い部分に接合されていて、小径の導電部の先端部の先端面が、対象点に押しあてられてばね部が収縮する際に、ばね部が小径の導電部の軸線を中心に旋回する。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】微細化したパッケージ基板の電気検査において微細なプローブを使用せず、コスト低減が可能な電気検査方法及び製造方法の提供。
【解決手段】半導体チップを接続する面の最外層の電極と半導体チップを接続しない面の最外層の電極が形成された段階のフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法であって、少なくとも前記フリップチップパッケージ用基板の半導体チップとの接続を行う面に金属層を形成する工程と、電気検査工程とからなり、前記電気検査工程は、前記金属層の任意の位置にプローブを当て、同時に半導体チップを接続しない面の電極にプローブを当てて導通検査を実施することを特徴とするフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法。 （もっと読む）

【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部１０は、欠陥レビュー部１２を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し（レビュー画像取得部１０４）、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う（画像位置合わせ部１０５）。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する（致命度判定部１０６）。 （もっと読む）

【課題】外観検査の欠陥分類において、重要欠陥のピュリティまたはアキュラシーまたはその両方が目標値以上になるように調整するなどのニーズがあるが、教示型の欠陥分類は平均的に分類正解率が高くなるよう条件設定されるため、そのようなニーズに応えられないという問題があった。
【解決手段】特徴量抽出部、欠陥分類部、分類条件設定部を含み、分類条件設定部は、欠陥の特徴量と正解のクラスを対応づけて教示する機能と分類の優先順位を指定する機能を有し、優先順位の高い分類の正解率が高くなるよう条件設定を行う。 （もっと読む）

【課題】
事前知識を必要とせずに、部品のより正確な品質を推定することが可能な品質推定装置、品質推定方法及び品質推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供する。
【解決手段】
実施形態の品質推定装置は、複数の検査対象と複数の非検査対象を含む推定対象のなかでサンプリング検査を行う前記検査対象を指定する指定情報と、前記検査対象のサンプリング検査で得られた特性値と、特性値から検査対象の品質を判定するための判定基準情報とを少なくとも記憶する記憶部と、前記検査対象の特性値から検査対象の品質を示す判定値を算出する判定値算出部と、前記推定対象を互いに異なる複数のクラスタに分類するものであって、各クラスタが前記判定値を変数とする互いに異なる確率分布となるように前記推定対象を前記クラスタに分類するクラスタリング部とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】使用環境に影響されることなく基板上の異物を高精度で検出することができる近接露光装置を提供する。
【解決手段】基板保持部２１の搬送方向に並んで配置され、基板保持部２１に保持された基板Ｗの表面に沿ってレーザービームＬＢ１、ＬＢ２を出射する出射部８０a、８１aと、レーザービームを受光する受光部８０ｂ、８１ｂと、をそれぞれ有する２つの異物検出器８０、８１と、２つの異物検出器８０、８１の各受光部８０ｂ、８１ｂが受光する前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号を比例演算部８３ａによって増幅し、さらに、差分演算部８３ｂによって、２つの増幅した前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号の差分を算出し、異物８２の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】芯材を除去した段階で、追加の工程を必要とすることなく、接続治具に取り付けられる絶縁被膜を有する接続端子を提供する。
【解決手段】対象物の対象点に電気的に接続される接続治具に組み込まれる接続端子である。その接続端子は、導電性材料のめっき層からなる円筒形状管を備え、円筒形状管が、その両端から対向する向きに所定の長さにわたる先端部及び後端部と、先端部と後端部との間に形成された、長軸方向のらせん状の壁面を有するばね部とを備え、ばね部が、らせん状の壁面に沿って形成される絶縁層を有し、さらに、円筒形状管の先端部及び後端部にサイドエッチングが存在する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際に、該貼り合わせウェーハに存在するボイドを検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】２枚のウェーハを貼り合わせ、接合して貼り合わせウェーハを製造するに当たり、貼り合わせ過程における接合部と非接合部との境界が描く伝播形状に基づいて、当該貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドを検出し、貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドの有無は、実際にボイドの発生のないウェーハにおける前記伝播形状と当該貼り合わせ後のウェーハにおける伝播形状との対比にて判定し、該貼り合わせ境界の形状を二次曲線で近似して該二次曲線の頂点での曲率を求め、得られた曲率と貼り合わせ境界の位置毎に予め求められたボイドが発生しない場合の曲率とを比較して誤差を求め、得られた誤差が所定の値を超える場合には、貼り合わせウェーハにボイドが存在すると判定する。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）