【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、該異方性導電材料層の上面に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃに、加熱圧着ヘッドを降下させて、上記加熱圧着ヘッドが第２の接続対象部材４の上面４ｃに接した状態で、上記異方性導電材料層を硬化させる工程と、第２の接続対象部材４の上面４ｃから、上記加熱圧着ヘッドを引き上げる工程とを備える。本発明に係る接続構造体１の製造方法では、上記異方性導電材料層が硬化開始温度に達するまでに、電極に導電性粒子５が押し込まれた凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ａを上面２に有する第１の接続対象部材２上に、導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、上記異方性導電材料層の上面から光を照射又は熱を付与し、上記異方性導電材料層の硬化を進行させて、上記異方性導電材料層をＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層の上面に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層を硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。第１の接続対象部材２側における上記硬化物層部分３ａと、第２の接続対象部材４側における硬化物層部分３ｂとで、硬化物層３の硬化度を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化及びコストの増大化を防止することができると共に、電気的及び機械的な接続信頼性を向上させることができるプリント配線板の接続構造、該プリント配線板の接続構造を備えるヘッド・スタック・アセンブリ、該ヘッド・スタック・アセンブリを備える磁気ディスク装置及びプリント配線板の接続構造の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】基材３２１ａ上に露出リード３２１ｂを備える第１のプリント配線板３２１と、リード３２１ｂを受ける導体３３３ｂを備える第２のプリント配線板３３３と、リード３２１ｂと導体３３３ｂとを接続する異方性導電材料５００を備えるプリント配線板の接続構造１０００であって、導体３３３ｂは基材３３３ａ上に積層される絶縁層３３３ｃの一部を開口してなる凹部Ｕに露出した状態に構成すると共に、異方性導電材料５００は凹部Ｕを埋めるように介在して構成してある。 （もっと読む）

【課題】 接続パッド部の底部に位置する端子と、露出リードとを確実に接続して耐久性のある接続部を得ることができる、配線板の接続構造等を提供する。
【解決手段】 接続パッド部Ｋを有する主フレキシブル配線板２０と、フライングリード１１を有するフレキシブル配線板１０と、ＡＣＦ５と、フライングリードおよび端子２１を覆うように位置する樹脂７とを備え、ＡＣＦの導電接続部の周りに開口５ｈがあり、該開口を通って、導電接続部の露出リードおよび端子を覆う樹脂は連続して接続パッド部の底部をなす基材２２に接着していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田付けが行われるときに基板の層間接続用貫通孔部への熱の伝わり方を改善させる。
【解決手段】層間接続用貫通孔部１７を有する第一基板１０と、第一基板１０に接続され層間接続用貫通孔部２７を有する第二基板２０と、を備える基板１０，２０の組付け構造に関する。半田付けが行われるときに第一基板１０に設けられた層間接続用貫通孔部１７への熱の伝わり方を改善させる熱伝導改善部１８と、半田付けが行われるときに第二基板２０に設けられた層間接続用貫通孔部２７への熱の伝わり方を改善させる熱伝導改善部２８と、のうち、少なくとも一方の熱伝導改善部１８／２８を有する。層間接続用貫通孔部１７／２７は、略丸孔状のスルーホール１７／２７として形成され、熱伝導改善部１８／２８は、スリット１８／２８として形成され、スルーホール１７／２７とスリット１８／２８との間隔は、スルーホール１７／２７の直径の略１／５以上とされた。 （もっと読む）

【課題】速やかに熱硬化させることができ、更に電極間の電気的な接続などに用いられた場合に、導通信頼性を高めることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤と、発熱材料と、導電性粒子５とを含む。本発明に係る接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、該第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３が、上記異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂フルポッティング時に、子基板の電子部品に、リード切れや、はんだ割れ等の応力不具合が発生するのを抑制できる基板取付構造を提供する。
【解決手段】子基板２１を親基板１１に取り付ける基板取付構造であって、親基板１１に設けられ、子基板２１を取付ける取付孔１２と、子基板２１に設けられ、親基板１１における取付孔１２に取付けられる取付部２２とを備え、親基板１１の取付孔１２には、スルーホールメッキ１４および両面のランド１５が設けられている。親基板１１の取付孔１２と、子基板２１の取付部２２とのはんだ付けによる接続強度が高くなるため、樹脂フルポッティング時に、リード切れや、はんだ割れ等の応力不具合の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内に不活性ガスを導入した後、炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させる。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域に維持しつつ、不活性ガスを排気して減圧雰囲気とした後、炉内にカルボン酸ガスを導入し、第１および第２の半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜を除去しつつ、溶融した第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを一体化して接合する。 （もっと読む）

【課題】接合する第一基板と第二基板とのボイドが発生しにくい電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１１０と第二基板１２０との間に樹脂層１３０を導入して、所定の低温で低温半田バンプ１２１を溶融させて溶融していない高温半田バンプ１１１と個々に仮接合してから、樹脂層１３０を硬化し、さらにこの仮接合された低温半田バンプ１２１と高温半田バンプ１１１とを所定の高温で溶融させて個々に本接合する。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性を高めることができる異方性導電材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、ペースト状の異方性導電材料であってエポキシ基又はチイラン基を有しかつ加熱により硬化可能な硬化性化合物と、熱硬化剤と、導電性粒子１１とを含有する。上記異方性導電材料の比重は１．１〜１．８であり、導電性粒子１１の比重は１．３〜６．０であり、上記異方性導電材料の比重と導電性粒子１１の比重との差の絶対値が４．０以下である。上記異方性導電材料の２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度（Ｐａ・ｓ）をη１とし、かつ上記異方性導電材料の２５℃及び５．０ｒｐｍでの粘度（Ｐａ・ｓ）をη２としたときに、上記η１の上記η２に対する比は１．０〜４．０である。 （もっと読む）

【課題】配線部材間を確実に接続することができる。
【解決手段】ヒートスプレッダ２０は、上面２０ａに溝部２１を有している。溝部２１は傾斜面２１ａと傾斜面２１ｂとを有している。傾斜面２１ａと傾斜面２１ｂとは上面２０ａ対してそれぞれ傾斜している。上部電極３０の下面３０ａはヒートスプレッダ２０の上面２０ａと離間し、端部３２が溝部２１の領域の一部を覆っている。溝部２１の領域における端部３２で覆われていない領域で溶融したはんだ４０が供給されている。はんだ４０は下面３２ａに当接し、はんだ４０は下面３０ａと上面２０ａとの間を接続する。 （もっと読む）

【課題】 第一のフレキシブル基板に形成された接続ランドと第二のフレキシブル基板に形成された接続端子とが対向して配置され、半田により接続された電子機器において、半田の接続状況を容易に観察する構造を実現する。
【解決手段】 第二のフレキシブル基板１に形成される接続端子３の接続ランド４との接続領域において、接続端子３の側辺に切りかき８を設ける。この様な構成により、第二のフレキシブル基板１を通して切りかき８周辺を観察し、半田接続後の溶融状態およびフィレット形成について外観検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板の反り返りによるはく離を簡単な構成で抑制することが可能な技術を提供する。
【解決手段】リジッド基板に設けられた第１の接続端子と、フレキシブル基板に設けられた第２の接続端子とが異方性導電材料を介して接合されたプリント配線板の接続構造において、前記フレキシブル基板は、前記リジッド基板との接続部分と、外部回路に接続するために前記接続部分から自由端側に延びる延出部分とを有し、前記延出部分のうち少なくとも前記接続部分の近傍には、前記接続部分よりも幅が狭い幅狭部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高温高湿処理を受けたときの回路電極間の抵抗値の変動を抑制しながら、窒化珪素膜との界面との密着性を向上させて優れた接続信頼性を発揮することが可能な回路接続材料を提供する。
【解決手段】回路電極同士が対向するように配置された一対の回路部材の間に介在されて、対峙する該回路部材を電気的且つ機械的に接続する回路接続材料であって、（１）多官能（メタ）アクリレートモノマーと、（２）熱又は光によって遊離ラジカルを発生する硬化剤と、（３）側鎖にエチレン性不飽和基を有し、二重結合当量が１０００〜１２０００である反応性アクリルポリマーとを含有する回路接続材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温高湿処理を受けたときに、窒化珪素膜との界面との密着性を向上させて優れた接続信頼性を発揮することが可能な回路接続材料を提供する。
【解決手段】回路接続材料は、（１）多官能（メタ）アクリレートモノマーと、（２）熱又は光によって遊離ラジカルを発生するラジカル重合開始剤と、（３）単官能（メタ）アクリレートモノマーとを含有し、単官能（メタ）アクリレートモノマーは、ビフェニル基又はナフタレン基を有し、ビフェニル基又はナフタレン基とそれに結合する酸素原子との結合位置はオルト位、メタ位、又はパラ位である。 （もっと読む）

【課題】圧着ヘッドでゴム板を介して押圧するようにして複数のカメラモジュールをセットしたときに、端部以外に位置する第１のプリント基板に変形が生じることがないようにした製造方法。
【解決手段】第１のプリント基板２１ａの複数の第１の接続端子21ｂと、フレキシブル基板から成る第２のプリント基板３０ａの複数の第２の接続端子３０ｂとの間に異方性導電材料を介在させ、圧着ヘッドで第２のプリント基板を押圧することにより第１の接続端子２１ｂに第２の接続端子３０ｂを各々電気的に接続させる電子ユニットの製造方法であって、複数の第１のプリント基板の上に順に異方性導電材料及び複数の第２のプリント基板を配置する工程と、複数の第２のプリント基板の上に少なくとも第２の接続端子３０ｂに対向する部所を除いた部所に貫通孔５０ａを穿設したゴム板を配置する工程と、圧着ヘッドでゴム板を介して第２のプリント基板を押圧する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インクジェットヘッドアセンブリーに関する。
【解決手段】本発明によるインクジェットヘッドアセンブリーは、内部にインク流路が形成され、上部にインク吐出のための駆動力を提供するアクチュエーターが形成されたインクジェットヘッドプレートと、上記アクチュエーターに電圧を印加するためのフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣＢ）と、上記アクチュエーターと上記フレキシブル印刷回路基板を電気的に連結するように提供され、上記アクチュエーターと接合する第１接合部より上記フレキシブル印刷回路基板と接合する第２接合部が上記インクジェットヘッドプレートの幅方向において内側に形成される中間基板とを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。
Ｔｉ／Ｔｃ≧１．５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、導電性接着剤層３ｂに含有される接着剤組成物４ｂが、（ａ）フィルム形成材、（ｂ）エポキシ樹脂、（ｃ）潜在性硬化剤及び（ｄ）平均粒径が１μｍ以下である絶縁性微粒子を含み、絶縁性微粒子の配合量が、導電性接着剤層に含有される接着剤組成物の全質量１００質量部に対して、１０〜５０質量部である回路接続用接着フィルム１０に関する。 （もっと読む）

【課題】銅コアボールをスペーサ部材として用いて上基板と下基板とを接続する際にモールド樹脂内に多量のはんだが閉じこめられない半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】上基板２０を含みその周囲に延在部４０ａを有する上基板用基板材４０の接合パッドに、スペーサ部材として銅コアボール１８を接合するとともに、下基板１２を含みその周囲に延在部５０ａを有する下基板用基板材５０を準備する。上基板用基板材４０を銅コアボール１８を介して下基板用基板材５０に接続する。上基板用基板材４０と下基板用基板材５０との間にモールド樹脂２２を充填して固定する。上基板用基板材４０延在部４０ａと下基板用基板５０の延在部５０ａとを含む部分を除去し、半導体パッケージ１０を個片化する。 （もっと読む）