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Fターム[5F031PA20]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 特殊目的 (8,207) | ウエハ等の破損防止 (1,018)

Fターム[5F031PA20]に分類される特許

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【課題】 半導体ウエハが収容された状態で意図せず乾燥してしまうことを防止することが可能なウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置を提供すること。
【解決手段】 コンベア1によって搬送されるウエハWfを収容カゴ3に収容する、ウエハ搬送方法であって、コンベア1によって鉛直方向と異なる方向に搬送されるウエハWfを、方向転換器2によってその面内方向が鉛直方向に沿い、かつ鉛直方向下方に進行するようにウエハWfの進行方向を転換した後に、ウエハWfを、液体Lq中に配置されかつ鉛直上方に開口する収容カゴ3に収容する。 (もっと読む)


【課題】半導体プロセス部品から残留電荷を除去するシステム及びその方法を提供する。残留電荷の除去でデチャックの失敗を減少・防止することによって半導体プロセス部品の崩れや破損を防止する。
【解決手段】静電チャックに嵌められた電極に反対極性の放電直流電圧を印加し、またリフトピンユニットによって残留電荷が接地される出口を提供する。それによって、残留電荷が除去される。リフトピンユニットは静電チャック台座と同じ電位に保持されて、RFパワーが印加されてプラズマを生成する際にスパークが発生するのを防止する。電荷センサを利用して残留電荷の量を検出及び測定し、次回のデチャック工程中の反対極性の放電電圧のパラメータが調整される。 (もっと読む)


【課題】レーザー照射により捺印を形成する工程における半導体ウェハの搬送を容易にする固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固定治具1は、平面視でC字形状を呈するクランパ3と、クランパ3に配置された半導体ウェハの周囲に接触するクランプリング2とから主に構成されている。更に、クランパ3の内側端部を厚み方向に窪ませて段差部6が設けられており、半導体ウェハはこの段差部6に収納された状態で、クランプリング2により固定される。この様に固定治具1により半導体ウェハを固定することにより、捺印工程における半導体ウェハのハンドリングが容易になる利点がある。 (もっと読む)


【課題】浮上させたガラス基板の移動を規制して、所定の位置に確実に保持できるようにする基板保持装置及び基板の保持方法を提供する。
【解決手段】浮上ステージ3から基板Wを浮上させつつ、前記基板Wを位置決めして保持する基板保持装置で、前記浮上ステージ3から突設し搬送される前記基板Wを載置する支持部材11と、前記基板Wが載置された前記支持部材11を下降させ、前記浮上ステージ3から吐出されるエアーによって前記基板Wが浮上する高さより高い位置で前記支持部材11を停止させる制御部と、浮上している前記基板Wの裏面に前記支持部材11が当接されて前記基板Wが支持された状態で前記基板Wを前記支持部材11に対して相対的に移動させ所定位置に位置決めする位置決め機構とを備える。 (もっと読む)


キャリヤと、前記キャリヤ(1)からみて外方に向く1つの保持側面(7)を有して前記キャリヤ(1)上に固定され又は固定され得る保持体(3)と、前記保持側面上の吸引端で前記保持体を貫通する少なくとも1つの陰圧チャネルであって、前記保持側面が柔軟な材料の規定された吸引構造体を有する陰圧チェネルと、を備える、平坦な半導体基板を保持するための工作物保持固定具である。前記吸引構造体は前記保持側面全体に広がり、ショア−A90未満のショア硬度を有する。
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結合層により基板に結合されたキャリア基板から基板を分離する装置であって、キャリア基板を受け入れるための受入れ面を備えたキャリア基板受容器と、最初に述べた受入れ面に平行に配置することができ、かつ基板を受け入れるように意図された基板受入れ面を備えた、キャリア基板受容器に対向して配置された基板受容器とを備え、分離手段が、基板及びキャリア基板が結合された状態で、キャリア基板に対して基板を平行移動させるために提供される、装置。さらに本発明は、以下のステップ、すなわち、基板受容器の基板受入れ面と、基板受入れ面に対して平行に配置されうるキャリア基板受容器の受入れ面との間に、キャリア基板、結合層、及び基板を備える結合された基板/キャリア基板組立体を受け入れるステップと、基板及びキャリア基板が結合された状態で、キャリア基板に対して、基板を平行移動させることにより、基板を、キャリア基板から分離するステップとを用いて、結合層により基板に結合されたキャリア基板から基板を分離するための方法に関する。
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一時的なウェハーボンディングのための改善された装置が一時的なボンダークラスター及びデボンダークラスターを備える。一時的なボンダークラスターは、接着剤層によるボンディング、接着剤層とリリース層との組み合わせによるボンディング及びUV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせによるボンディングを含む電子ウェハーボンディング工程を行う一時的なボンダーモジュールを備える。デボンダークラスターは、熱摺動デボンダー、機械的デボンダー及び照射デボンダーを備える。 (もっと読む)


【課題】 研磨装置から速やかに、かつ確実に被研磨物を搬送可能な搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送装置51は板状の本体53を有し、本体53には研磨装置21aに収納されたガラス基材1aをチャックするチャック治具55が設けられている。
図6に示すように、チャック治具55は、研磨装置21a上のガラス基材1a(被研磨物)の配置形状に対応した形状に配置されている。
チャック部57は柱状であり、端部61は軸方向に4つに分割されて拡径している。
また、チャック部57の外周には周方向に形成されたネジ65が設けられている。
一方、スリーブ59は円筒状の形状を有し、回転可能に設けられている。
スリーブ59をC1の向きに回転させると、チャック部57はスリーブ59内に引き込まれ、チャック部57の外周形状はスリーブ59の内周に拘束されて縮径する。 (もっと読む)


【課題】自動ワーク取扱システムにおけるワーク用のカセットを位置合わせするための方法および装置を得ることを目的とする。
【解決手段】この方法では、ワーク取扱システムにおいて、カセットハンドラをロボットブレードに位置合わせする。カセットハンドラは、ワークを担持するための複数のスロットを有するワークカセットを支持するための支持面を有する。この方法は、フレームを前記カセットハンドラ支持面に配置するステップと、ロボットブレードによって担持されるワークを移動するステップと、フレームに対するロボットブレードによって担持されるワークの動作をマッピングするステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、貼合部材を保護するとともに、貼合部材をしっかり保持できる真空貼合装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空貼合装置は、貼合部材を貼合することに用いられ、前記貼合部材の位置を調整するアライメントアセンブリと、前記アライメントアセンブリに連接固定され、且つ少なくとも2つのチャック部材を備えるチャック機構と、前記チャック機構に対向して設置されるチャックヘッドと、前記チャック機構及び前記チャックヘッドを収容する密封室と、を備え、前記少なくとも2つのチャック部材が前記密封室内で相対運動することによって、前記貼合部材を保持又は解放する。 (もっと読む)


【課題】保護テープ剥離処理の処理能率の低下を回避させつつも、半導体ウエハの破損を招くことなく保護テープを半導体ウエハの表面から円滑に剥離してゆく。
【解決手段】テープ剥離機構8の可動台26と連結する駆動ブロック31が移動するのにともって、当該駆動ブロック31が進行方向に位置する可動台26を押圧移動させるときの圧力を圧力センサ33で検出し、当該検出結果を保護テープの剥離負荷とする。当該剥離負荷に基づいて制御装置34がモータM3の駆動を操作し、テープ剥離機構8の移動速度を制御する。 (もっと読む)


【課題】ダイボンディング用ペーストを安定した塗布量で供給することのできるダイボンディング技術を提供する。
【解決手段】ダイボンディング用のペーストを供給するディスペンサは、シールディスク51を備えている。シールディスク51の上面には、吸入孔52に接続される吸入溝54と吐出孔53に接続される吐出溝55とが形成され、吸入溝54は、シールディスク51の上面において、吐出溝55の周囲全体を囲むように形成されている。このシールディスク51をディスペンサに取り付けることにより、バルブディスクとシールディスク51との摺動面にペーストが漏れ出す不具合を抑制することができるので、実装ベースに供給されるペーストの塗布量の変動を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】非接触状態へ基板を移行させる基板搬送装置において、タクトタイムを向上させ、安定的に基板の搬送を行うことを実現する。
【解決手段】基板Wを浮上させる浮上パッド64の間に、昇降可能な移載昇降コロコンベア60が設置された基板長よりも短い長さの移載ユニット6において、上流側のコロコンベア30から搬送されてきた基板Wは、上昇した移載昇降コロコンベア60により、基板Wの下面を支持されながら、下流側の入口浮上ステージ10に搬送される。このとき、基板Wの後端が、移載昇降コロコンベア60に乗り移ると、移載昇降コロコンベア60は、浮上面よりも下方に下降する。基板Wは全面が浮上状態となり、浮上した基板Wを保持して浮上搬送路上を移動せしめる基板搬送チャック8により搬送される。 (もっと読む)


【課題】閃光照射時の基板の割れを防止することができるとともに、基板の横滑りをも抑制し、しかも比較的容易に製作できる熱処理用サセプタを提供する。
【解決手段】ホットプレート71に載置されるサセプタ72には凹面形状の凹部79が形成されている。半導体ウェハーWは凹部79の内側に保持される。凹部79には6本のガイドピン75が立設されている。6本のガイドピン75は半導体ウェハーWの周囲を取り囲むように配置されている。各ガイドピン75の上面は勾配αが5°以上30°以下のテーパ面とされている。このようなテーパ面を有するガイドピン75によって、閃光照射時に半導体ウェハーWが急激に熱膨張したとしても、その割れを防止することができるとともに横滑りを抑制することができる。また、一定曲率の凹部79に棒状のガイドピン75を立設しているため、比較適容易にサセプタ72を製作することができる。 (もっと読む)


【課題】基板搬送用のローラが温度上昇したときにこのローラの回転軸が変形するのを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Kを挟持して搬送する下ローラ21,第1上ローラ22及び第2上ローラ23と、各ローラ21,22,23を回転自在に保持するローラ保持機構30と、搬送される基板Kの上面に向けて流体を吐出する流体吐出機構と、流体吐出機構に流体を供給する流体供給機構とを備える。ローラ保持機構30は、基板Kの両外側で一定間隔を隔てて対向する、下ローラ21の一端を回転自在に保持する第1架台33及び下ローラ21の他端を回転自在に且つ軸線方向に変位可能に保持する第2架台34と、第1架台33に支持され、第1上ローラ22を回転自在に保持する第1保持部材50と、第2架台34に支持され、第2上ローラ23を回転自在に保持する第2保持部材51とを備える。 (もっと読む)


ウエハーハンドリングシステムは、少なくとも1つのアンロードステーション、一定の角度でウエハーを保持するように設計された少なくとも1つの中間ステーションと、処理ステーションと、ステーション間でウエハーを移動するように構成された移送装置と、を含む。中間ステーションは背合わせ配置のウエハーを受け取るように構成されてもよい。ウエハーハンドリング装置は、片側には個々のウエハーをつかむように構成された真空グリッパと、反対側には、ウエハーの下に配置されて持ち上げられると1つまたは複数のウエハーを支持するように構成された重力グリッパとを、含む。ウエハーハンドリング方法は、ウエハーをアンロードする工程と、中間ステーションにウエハーを移送する工程と、中間ステーションから処理ステーションにウエハーを移送する工程と、ウエハーを処理する工程と、処理ステーションからウエハーをアンロードする工程と、キャリヤ内にウエハーを再ロードする工程と、を含み、ウエハーは移送装置によりアンロードされ、移送され、再ロードされる。
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【課題】ハロゲンランプによって予備加熱する基板の面内温度分布を均一にすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】石英の保持プレート74の上面に複数のバンプ75が立設されている。半導体ウェハーWは複数のバンプ75によって保持プレート74上面と所定間隔を隔てて水平姿勢に支持される。保持プレート74の上面には、半導体ウェハーWの端縁部に近接して環状に温度補償リング76が配置されている。温度補償リング76は石英よりも赤外線の吸収率が高い炭化ケイ素にて形成されている。ハロゲンランプによって半導体ウェハーWを予備加熱するときには、温度補償リング76もともに昇温することとなり、予備加熱中の半導体ウェハーWの端縁部から失われた熱は温度補償リング76によって補償される。その結果、予備加熱される半導体ウェハーWの面内温度分布を均一にすることができる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で剥離用テープを接着シートに押圧して貼付し、当該剥離用テープと共に接着シートを折り返しながら剥離するとともに、バンプ等の突起を有する被着体であっても、接着シートの剥離により被着体に割れや破損が生じることを防止することができるようにすること。
【解決手段】シート剥離装置10は、剥離用テープPTを繰り出す繰出手段11と、ウエハWに貼付された接着シートSに剥離用テープPTを押圧して貼付する押圧手段12と、剥離用テープPTとウエハWとを相対移動させることで接着シートSを剥離する単軸ロボット16と、剥離用テープPTと共に接着シートSを回収する回収手段13とを備えて構成されている。押圧手段12は、先端側で接着シートSをウエハWに押圧しつつ折り返し可能なプレート部材22を備え、このプレート部材22は、押圧するときに撓み変形可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、直径3インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタが1個の基板ホルダー8に対して4個以上のツメ10を備えたものとする。 (もっと読む)


【課題】溝付き天パッドを中蓋に装設してガラス基板の上端部に容易に被着できて、しかも、ガラス基板の大きな撓みや溝外れおよび干渉による破損を防止できる、ガラス基板の搬送容器を提供する。
【解決手段】一方の相対向する側壁内面に支持用溝13を有する容器本体1と、側壁上端部に外嵌合して被着される蓋体2と、その内側でガラス基板Bの上端部を支持する溝付きの天パッド5と、蓋体2とは別に蓋体2の内側で被着可能な中蓋3を備え、中蓋3は、その天板31の下面において、容器本体1の支持用溝13を有する側壁12bに対応する両辺で側方に開口し、また、他方の相対向する側壁12aと対応する側の両辺には側壁上端部に内嵌合する端部壁32aを有し、包装状態において、中蓋3の天板下面に天パッド5が装設され、この状態で両端部壁32aが容器本体1の側壁上端部に内嵌合し、蓋体2の垂下側壁22a,22bが側壁上端部に外嵌合している。 (もっと読む)


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