【課題】マスク枚数を増加させることなく、積層構造の導電層の下層が露出した構造を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜を２層の積層構造で形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて該導電膜をエッチングし、該エッチングマスクを残した状態で該導電膜の上層をサイドエッチングして該導電膜の下層の一部を露出させてソース電極及びドレイン電極層とする。このように形成したソース電極及びドレイン電極層と画素電極層は、露出された下層の部分において接続される。ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜は、例えば、下層をＴｉ層とし、上層をＡｌ層とすればよい。エッチングマスクに開口部が複数設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散性を制御して、欠陥の無いグラファイト膜を形成することができるグラフェン構造を含むグラファイト膜による配線パターンの形成方法の提供。
【解決手段】触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散速度を適切に速度に調節することができる合金層又は積層体からなる触媒層を利用して、グラフェン構造を有するグラファイト膜で構成された配線パターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、堆積可能なアッド‐オン層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】堆積可能なアッド‐オン層形成方法であって、第一半導体基板の取り外し層の形成、取り外し層の上の第一半導体基板に多くのドーピング領域の形成、ここで多くのドーピング層の形成は、第一電導型を有するように、ドーピングされ、取り外し層の上の第一半導体基板の第一ドーピング層の形成、第一電導型に対する第二電導型を有するようにドーピングされ、第一ドーピング層の上の第一半導体基板に最低中間ドーピング層の形成、及び中間ドーピング層上の第一半導体基板に最低第三ドーピング層の形成からなり、第三ドーピング層上に第一の電導性ブランケット層の形成、第一電導ブランケット層上に第二の電導性ブランケット層の形成、及び第二電導性ブランケット層が第二半導体基板の対応する電導性上部層と接触するように、第一半導体基板を第二半導体基板への取り付け、からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接続不良を抑制したコンタクト形成方法を備える半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体装置は、配線層を備える第１の回路領域と、第１の回路領域の上に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上に形成され、シリサイド膜を備える第２の回路領域と、配線層上に設けられ、配線層と電気的に接続された下部コンタクトと、下部コンタクト上に設けられ、下部コンタクトと前記シリサイド膜とを電気的に接続する上部コンタクトとを有する。 （もっと読む）

【課題】印刷法にて、回路基板に容易にヴィアホールを開口できる回路基板の製造方法を提供する事。
【解決手段】基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程を行い、次に第一導電体を被覆する様に第一絶縁膜を成膜する第一絶縁膜成膜工程を行い、次に第一導電体上の第一絶縁膜に貫通孔３２を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程を行い、次に第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程を行い、次に貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体領域に酸化物半導体を用いた、高耐圧で、大電流の制御が可能であり、かつ量産性に優れた半導体素子を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体領域に酸化物半導体を用いたトランジスタと、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層の各々と電気的に接続した貫通電極を備えた半導体チップを積層し、トランジスタを電気的に並列接続することによって、実質的にＷ長の長い半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】各配線１１１ｈ，２１１ｈにおいて、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００の側端部にて露出した側面を、導電層４０１で被覆される。これにより、導電層４０１によって両配線１１１ｈ，２１１ｈの間が電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】応力による半導体回路の特性劣化を抑制した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】縦導体は、半導体基板の厚み方向に設けられた微細孔を満たし、第１結晶組織３０１と第２結晶組織３０２とを含むナノコンポジット結晶構造を有する。ナノコンポジット結晶構造において、第１結晶組織３０１及び第２結晶組織３０２の少なくとも一方は、ナノサイズである。 （もっと読む）

【課題】ストレスによる半導体回路の特性変動・劣化を抑制した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】縦導体３は、半導体回路に隣接して半導体層１の厚み方向に設けられ、少なくとも一つは、半導体層１と対面する領域に、等軸晶領域を有するか、または、凝固点と融解点との温度差が５０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】集積化が進む配線基板、又は半導体装置において、導通不良を軽減する。信頼性の高い配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属マスクを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、金属片が支持基板に付着することを防止する。
【解決手段】この製造方法は、支持基板１０の表面１０ａに貼付された半導体ウェハ１２上にネガレジストを塗布し、該ネガレジストを露光することにより所定のパターンを有するレジスト１８を形成するレジスト形成工程と、半導体ウェハ１２上にメッキ処理を施すことにより金属マスク２０を形成したのちレジスト１８を除去する金属マスク形成工程と、金属マスク２０を介して半導体ウェハ１２にエッチングを施すことにより、貫通孔１２ｄを形成するエッチング工程と、金属マスク２０を除去したのち、貫通孔１２ｄの内面及び半導体ウェハ１２の裏面１２ｂに金属膜２６を形成する金属膜形成工程と、半導体ウェハ１２を支持基板１０から取り外す取外し工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜にクラックを生じさせるか否かを容易に判定できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、下部電極２３の上面に達する接続孔３０ｈを持つパッシベーション膜３０を備える。パッシベーション膜３０は、接続孔３０ｈを除いて下部電極２３の周縁部を含む領域を被覆する。下部バリアメタル膜３１は、下部電極２３とパッシベーション膜３０の凸状部分３０ｂとを被覆するように形成されている。バンプ電極３５から離れた領域でパッシベーション膜３０に形成されている段差部分を被覆するように金属膜パターン３１Ｔが形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの製造に好適なパターン製造方法を提供すること。
【解決手段】ハードマスク層１２の１段目の段差部１５’’のパターン位置から所望の距離をずらした位置のレジスト膜１３を露光させレジストパターン１４’を形成し、レジストパターン１４’をマスクとしてハードマスク層１２をエッチングすることで、所望の位置に３次元構造の２段目の段差部１９を形成出来る。また、ハードマスク層１２は基板１１に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応する２段目の段差部１９の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さく出来る。また、ハードマスク層１２に２段目の段差部１９を形成するにあたり、ハードマスク層１２を基板１１の表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板１１の帯電（チャージアップ）を抑制出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの製造方法に関し、特に、レーザーを用いてパターンを製造する方法に関する。
【解決手段】パターンの製造方法は、基板上に金属有機インク層（20）を形成する第1の段階；前記金属有機インク層（20）を半固体状態に硬化させる第2の段階；前記半固体状態の金属有機インク層（20）にレーザー光を照射し、照射された部分が固体状態に硬化されてパターンが形成される第3の段階、および、前記半固体状態の金属有機インク層（20）を除去して、前記パターンだけを残す第4の段階を含む。 （もっと読む）