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Fターム[5F033GG03]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 基板材料(シリコンを除く) (2,930) | 絶縁性基板 (1,777)

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【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に形成された第1の導電層20と、層間絶縁層30と、第2の導電層70とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール40を介して前記第1の導電層と前記第2の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第1の領域50と、前記コンタクトホールを含み、該第1の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第2の領域60とを有し、
前記第1の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第2の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第2の導電層は、前記層間絶縁層の前記第2の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第1の導電層と接続されている。 (もっと読む)


【課題】シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板の層内に配置された複数のトランジスタ、および層の第1の側の上に配置されたベース酸化物層を含むSOI基板を備えた集積回路を提供すること。
【解決手段】集積回路はまた、層の第1の側に形成された第1のインターコネクトを含むことができ、第1のインターコネクトが、複数のトランジスタのうちの第1のトランジスタと複数のトランジスタのうちの第2のトランジスタとを電気的に接続することができる。加えて、集積回路は、層の第1の側とは反対の層の第2の側に形成された第2のインターコネクトを含み、第2のインターコネクトが、複数のトランジスタのうちの第3のトランジスタと複数のトランジスタのうちの第4のトランジスタとを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】1つの貫通配線のみの抵抗を測定できる貫通配線の検査方法、及び該貫通配線の検査方法を行う工程を含む貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】基板1の一方の面1aに配された導電部2と、基板1を貫通し、導電部2と接続される第一貫通配線3、第二貫通配線4および第三貫通配線5とを少なくとも備えた貫通配線基板10を用い、基板1の他方の面1b側から第一貫通配線3及び第二貫通配線4に、定電流源6の一組の端子6a,6bを電気的に接続して、第一貫通配線3、導電部2、第二貫通配線4の経路に電流を流すと同時に、基板1の他方の面1b側から第一貫通配線3及び第三貫通配線5に、電圧計7の一組の端子7a,7bを電気的に接続して、第一貫通配線3における電圧降下を測定することを特徴とする貫通配線の検査方法。 (もっと読む)


【課題】裏面コンタクト構造体及びその構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】表面及び対向する裏面を有する基板100の表面上に第1誘電体層105を形成することと、第1誘電体層を貫通して前記基板の表面にまで延びる導電性の第1スタッド・コンタクト140Bを第1誘電体層内に形成することと、基板の裏面から基板を薄くして基板の新しい裏面を形成することと、基板の新しい裏面から前記第1誘電体層まで延びるトレンチ165を基板内に形成して第1スタッド・コンタクトの底面をトレンチ内に露出させることと、基板の新しい裏面、トレンチの側壁、第1誘電体層の露出面、及び第1スタッド・コンタクトの露出面の上に、トレンチを完全に充填するのに十分には厚くない共形導電層170、175を形成することと、を含む前記方法。 (もっと読む)


【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第1の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 (もっと読む)


【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、1または複数の第1開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第1開口部と対向して1または複数の第2開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第1開口部および第2開口部を順に通過することにより、第2開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第2開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 (もっと読む)


【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第1の導電膜と、第2の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第1の導電膜と、第2の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第1の導電膜と第2の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体ダイ上に相互接続部又はボンドパッドなどのフィーチャ構造を電気めっきする方法を提供する。
【解決手段】方法は半導体基板の上方に複数のヒューズ(208)を形成する工程と、半導体基板の上方の複数の相互接続層(400〜408)と、該複数の相互接続層の上面の複数の相互接続パッド(502)とを形成する工程と、を含む。シールリング(202)が、半導体基板(302)と、前記複数の相互接続パッド(502)と、前記複数のヒューズ(208,320)とに形成された能動回路を包囲する。各ヒューズ(208,320)は、対応する相互接続パッド(502)とシールリング(202)とに電気的に接続される。各ヒューズ(208)が導通状態にあるとき、該ヒューズは対応する相互接続パッド(502)をシールリング(202)に電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第1の膜を成膜する工程と、前記第1の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第2の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第2の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第1の膜の厚さは前記スペースの幅の1/2未満であり、前記第2の膜は、前記第1の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い導電膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電膜パターンの製造方法は、基板10上に導電膜21を成膜し、導電膜21の表面に対して他の層を積層する前に、酸素をプラズマ化したプラズマアッシング処理を施し、表面処理した導電膜21上に、当該導電膜21をパターン形成するためのマスクパターン30を形成する。次いで、マスクパターン30を用いて導電膜21をウェットエッチングによりパターン形成する。基板10は、半導体基板であることが好ましい。導電膜パターンは、例えば、配線、電極パッド等である。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁膜、及び第2の絶縁膜を積層して形成し、第2の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第2の絶縁膜は第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第1の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】印刷法による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細であり、絶縁性の低下がなく、導電部寸法精度の高い、配線部材および電子素子の製造方法を提供することを目的とする。また、配線部材、積層配線、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置を提供することを目的とする
【解決手段】基板上にエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程、紫外領域のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に凹部を形成する工程、凹部に導電性インクを塗布して導電部を形成する工程、を含み、前記濡れ性変化層の凹部のパターン形成と同時に、前記臨界表面張力を変化させて高表面エネルギー領域のパターン形成が行われることを特徴とする配線部材の製造方法、電子素子の製造方法、及び、それにより得られた配線部材、電子素子を提供する。また、電子素子アレイ及び表示装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置において、少なくとも容量素子とトランジスタとを有する回路要素が占める面積を小さくする。
【解決手段】第1のトランジスタと第2のトランジスタと容量素子とを有する半導体装置において、第2のトランジスタよりも上方に第1のトランジスタ及び容量素子を配置する。そして、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と、容量素子の一方の電極とを兼ねる共通電極を設ける。さらに、容量素子の他方の電極を共通電極よりも上方に配置する。 (もっと読む)


【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1パターンおよび第2パターンを有する凹版を用いて、第1パターンの膜を基材へ形成する第1転写工程と、第1パターンの膜上に第2パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第2転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、TFT,絶縁膜および有機EL素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第1パターンおよび第2パターンを有する凹版を用いて、第1パターンの膜を基材へ形成する第1転写工程と、第1パターンの膜上に第2パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第2転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 製造コストの低減が可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1再配線層400は、金属バンプ層320の一部分を露出するように形成される。第1再配線層400は、第1拡張パッド部410、第1延長部420及び第1連結部430を備える。第1拡張パッド部410は、金属パッド120と電気的に接続し、外部装置と接続する。第1延長部420は、金属バンプ層320上から第1拡張パッド部410上に延びるように形成される。第1連結部430は、スクライブレーン領域SRに形成され、複数の第1再配線層400を電気的に連結する。第1再配線層400は、銀、ニッケルまたは銅を含むペーストまたはインクを利用したプリンティング方法、または、ロールオフセットプリンティング方法によって形成される。これにより、金属パッドと再配線層との接触抵抗を小さくするとともに、製造コストを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体装置は、下層側の第1導電体部および上層側の第2導電体部と、第1の導電体部と第2の導電体部との間に設けられた、厚膜状の絶縁体層と、この絶縁体層に対する貫通孔の内面形状に倣うように形成され、第1導電体部と第2導電体部とを電気的に接続するコンタクト部とを備え、貫通孔のテーパ角が鋭角となっている。 (もっと読む)


【課題】従来の方法では凹版印刷および平板印刷に向かなかったインクであっても、凹版印刷および平板印刷で印刷することの可能な電子部材の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の関係式(1)、(2)を満たす電子材料層および粘着材料層を積層してなる積層インクが、凹版を用いて基材の表面に直接転写される。これにより、電子材料層が凹版印刷に向かない性質を有している場合であっても、粘着材料層の性質を活かして、電子材料層を含む積層インクを基材上に滲みなく印刷することができる。
E2<E3<E1またはE1<E3<E2…(1)
|E1−E2|>|E3−E2|…(2)
E1:版面の表面自由エネルギー
E2:電子材料層の表面自由エネルギー
E3:粘着材料層の表面自由エネルギー (もっと読む)


【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 (もっと読む)


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