【課題】容易に抵抗を調節することができ、高集積化が可能な導電構造物を含む半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に配置され、基板の導電領域を露出させる開口部を含む絶縁膜と、開口部内に配置されるバリア膜パターンと、バリア膜パターン上に配置され、開口部の外部に延長される酸化された部分及び開口部内に位置する酸化されなかった部分を含む導電パターンと、を具備し、導電パターンの幅がバリア膜パターンの厚さによって決定される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、製造歩留まりの向上を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置は、基板１の上方に設けられた化合物半導体層２，３，４と、化合物半導体層２，３，４の上方に設けられた複数のソース電極７及び複数のドレイン電極９と、化合物半導体層２，３，４を貫通し、複数のソース電極７のそれぞれに接続される複数のビア配線２２と、化合物半導体層２，３，４を貫通し、複数のドレイン電極９のそれぞれに接続される複数のビア配線２３と、複数のビア配線２２に接続され、基板１に埋め込まれたソース共通配線１８と、複数のビア配線２３に接続され、基板１に埋め込まれたドレイン共通配線２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させることが可能な成膜方法である。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内で被処理体Ｗの表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマＣＶＤ法により薄膜としてチタンを含む金属膜８を形成する金属膜形成工程と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール工程とを有する。これにより、シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させる。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】縦型ＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を形成する際のゲート電極とコンタクトプラグとの短絡を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるマスク窒化膜のパターンを形成したのちに、溝および半導体ピラーを前記半導体基板に形成する第一工程と、前記マスク窒化膜を残存させたまま、前記溝を覆うゲート絶縁膜を形成したのちに前記半導体ピラーよりも低い高さのゲート電極を形成する第二工程と、前記溝を覆うように、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）からなるライナー膜を形成したのちに、前記ライナー膜上を覆い、かつ、前記溝内を充填するように層間膜（ＳＯＤ膜）を形成する第三工程と、前記マスク窒化膜をエッチングにより選択的に除去する第四工程と、を採用する。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシンプロセスを同一チャンバ内で行っても、再現性よくビアホールを貫通させる技術が望まれる。
【解決手段】 層間絶縁膜上の第１のマスク膜及び層間絶縁膜に、層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するビアホールを形成する。第１のマスク膜の上に、下層レジスト膜を形成し、その上に、配線溝に対応する開口を有する第２のマスク膜を形成する。チャンバ内において、Ｏ_２とＣＯとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。下層レジスト膜の開口の平面形状が転写された開口を、第１のマスク膜に形成するとともに、下層レジスト膜を除去し、ビアホールをさらに掘り下げて、下層配線を露出させる。層間絶縁膜を厚さ方向の途中までエッチングして配線溝を形成する。配線溝及び前記ビアホール内を、導電部材で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】配線からのＣｕの拡散を防止する。
【解決手段】例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。これにより、各ＳｉＣ膜の露出表面をＳｉリッチにする。そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。これにより、配線からのＣｕの拡散を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】階段状に加工された複数の導電層と、各導電層に達し深さの異なる複数のコンタクトホールとの接続構造の信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板１０の第２のコンタクト領域５上に設けられ、第２のコンタクト領域５と第１のコンタクト領域４との間に段差を形成する下地層４５ｂと、下地層４５ｂを覆って基板１０上に設けられ、下地層４５ｂ上に積層された上段部８１が階段状に加工された下層側積層体９１と、下層側積層体９１における第１のコンタクト領域４上に積層された下段部８２の上に設けられ、階段状に加工された上層側積層体９２と、階段状に加工された部分を覆う層間絶縁層６２と、層間絶縁層６２を貫通し階段状に加工された部分の各々の導電層ＷＬに達して形成されたコンタクトホール内に設けられたコンタクト電極５１と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線Ｌ３およびデジット配線ＤＬを形成した層間絶縁膜ＩＬ３の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板１Ｓをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子（アンモニアガス）と窒素を含有しない不活性分子（水素ガス、ヘリウム、アルゴン）とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンのバリスティック伝導性を利用した低抵抗配線を備え、配線と配線接続部材の接続部分の構成の複雑化を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート１２２からなるグラフェンナノリボン層１２１を含む下層配線１２と、複数のグラフェンナノリボンシート１２２の少なくとも１枚を貫通し、下層配線１２と上層配線１３とを接続するビア１４およびバリアメタル１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極およびこれと一体的に形成された裏面電極を有する半導体装置において、貫通電極の膜厚と裏面電極の膜厚とを独立に制御することにより、貫通電極の剥離の問題と裏面配線の剥離の問題を同時に解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板の上方に形成された少なくとも１層からなる配線層１３と、半導体基板の裏面から配線に達する貫通電極３０と、半導体基板の裏面に設けられて貫通電極に接続された裏面配線４０と、裏面配線に接続された外部端子５０と、を含む半導体装置であり、裏面配線は、少なくとも外部端子との接続部を含む部分の膜厚が、貫通電極の膜厚よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰの処理時間を短縮する。
【解決手段】基板製造方法は、基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを介して絶縁層をエッチングすることにより絶縁層に溝を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、絶縁層上及び溝の表面に第１の金属層を形成する工程と、溝の内部及び上方に第２のマスクを形成する工程と、第１の金属層上及び第２のマスクの表面に第２の金属層を形成する工程と、第２のマスク及び第２のマスクの表面に形成された第２の金属層を除去する工程と、溝の上方が開口された第３のマスクを第２の金属層上に形成する工程と、溝の内部及び上方に第３の金属層を電界めっきにより形成する工程と、第３のマスクを除去する工程と、第３の金属層を化学機械研磨により平坦化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 インダクター配線のインピーダンスの低減と、インダクター配線と基板等との間に形成される寄生容量の低減とを共に実現する。
【解決手段】 多層配線を利用して基板上に構成されるインダクターは、第ｎ層の導体層ＭＥ（ｎ）により形成される第１インダクター配線１００と、第１インダクター配線１００と電気的に接続される、第（ｎ＋α）層（αは、１以上の整数）の導体層ＭＥ（ｎ＋１）により形成される第２インダクター配線２００と、を有し、第１インダクター配線１００にはスリットが設けられておらず、第２インダクター配線２００には、第２インダクター配線の延在方向に沿う少なくとも一つのスリットＳＬ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体ウェハにより、量産性向上、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半製品状態の回路を備えた半導体ウェハ３１，４５を複数積層して貼り合わせ、複数の半導体ウェハ３１，４５からなる積層体を形成し、積層体のうち、上層の半導体ウェハ３１の半導体層を薄肉化する。また、上層の半導体ウェハ３１側から最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線に達する貫通開口部７７を形成し、最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線を露出させることにより電極パッド部７８を形成する。これにより、貫通開口部７７は、半導体ウェハ３１，４５の脆弱な接合面を貫通して形成され、電極パッド部７８は、脆弱な接合面よりも下層の半導体ウェハ４５の配線において形成される。これにより、電極パッド部７８における外部配線との配線時に、脆弱な接合面に係る応力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハから複数の半導体装置を分離形成する際に、微小なクラック、微小なチッピング及び微小な応力の発生まで回避できるようにする。
【解決手段】ウエハ１００におけるスクライブライン領域１０１に第１の溝１０２を形成した後、第１の溝１０２に、ウエハ構成材料とは異なる材料を充填して充填部１０３を形成する。ウエハ１００上に形成した配線層１０４を覆うように保持部材１０６を貼付した後、ウエハ裏面側を研磨し、充填部１０３の端部を露出させる。その後、充填部１０３を除去した後、配線層１０４を貫通すると共に第１の溝１０２と接続する第２の溝１０７を形成する。保持部材１０６を剥離して個片の半導体装置１１０を得る。 （もっと読む）

半導体素子（例えば、フリップチップ）は、介在層によってドレインコンタクトから分離されたサブストレートを含む。前記介在層を通じて延びる前記素子の動作時において、トレンチ状のフィードスルー要素を用いて、前記ドレインコンタクトおよび前記サブストレートを電気的に接続する。 （もっと読む）

集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 （もっと読む）