【課題】露光によるフォトレジスト膜のパターニングに際し、下地層からの反射光を抑制することができ、かつ、製造コストが抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上の第１層間絶縁膜３に第１導電層７を形成する工程と、第１導電層７上にストッパー膜８を形成する工程と、ストッパー膜８上にビアホール１４が形成された第２層間絶縁膜９を形成する工程と、染料が含有されているフォトレジスト膜を、前記ビアホール内に埋め込むとともに、第２層間絶縁膜９上に形成する工程と、フォトレジスト膜に配線パターンを形成する工程と、配線パターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして、第２層間絶縁膜９をエッチングして、第２溝部１８を形成する工程と、ビアホール１４内及び第２溝部１８内に第２導電層２０を形成する工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法においてSRAMのセルサイズを縮小することを目的とする。
【解決手段】メモリセルCの活性領域３１ａ、３１ｂが画定されたシリコン基板３１と、素子分離絶縁膜３２上に形成され、第１の方向に延在するゲート電極３５と、シリコン基板３１とゲート電極３５の上に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２を貫通し、ゲート電極３５と第１の活性領域３１ａに重なり、第１の方向に直交する第２の方向に延在する第１の銅プラグ４５ａと、第２の活性領域３５ｂ上の第１の絶縁膜４２を貫通する第２の銅プラグ４５ｂと、第１の絶縁膜４２上に形成された第２の絶縁膜４４と、第２の絶縁膜４４に埋め込まれ、第１の銅プラグ４５ａの側面４５ｘから第２の延在方向に後退して形成され、第１の銅プラグ４５ａの上面の一部のみを覆う銅配線４８ａとを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】銅を用いた多層配線を有する半導体装置を高性能化する。
【解決手段】シリコン基板上に第１配線層用絶縁膜Ｚ１を形成し、第１配線層用絶縁膜Ｚ１に第１配線用孔部Ｈ１を形成する。その後、第１配線用孔部Ｈ１の側壁および底面を覆うようにして、タンタルまたはチタンを含む下部バリア導体膜ｅｂ１と、ルテニウムを主体とする上部バリア導体膜ｅｔ１とからなる第１配線用バリア導体膜ＥＭ１を形成する。続いて、上部バリア導体膜ｅｔ１をシード層として、電気めっき法により、銅を主体とする第１配線用導体膜ＥＣ１を形成し、ＣＭＰ法により第１配線用導体膜ＥＣ１を第１配線用孔部Ｈ１に埋め込む。特に、上部バリア導体膜ｅｔ１として、１〜５％の濃度で炭素を含ませるようにして、ルテニウムを主体とする導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、シリサイドを構成する金属のサイドウォールの直下への潜り込みの影響を低減する。
【解決手段】 シリコン基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の側壁に、第１絶縁膜による第１サイドウォールと、第１サイドウォール上にあって、第１絶縁膜とはエッチング特性の異なる第２絶縁膜による第２サイドウォールを形成する工程と、シリコン基板および第２サイドウォールを含む表面に金属をスパッタリングにより堆積させ、金属の一部をシリコン基板に侵入させる工程と、シリコン基板上に堆積した金属を除去する工程と、金属の除去工程の後に熱処理を行って、スパッタリングによってシリコン基板に侵入した金属とシリコン基板中のシリコン原子とを反応させてシリサイド層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１上に第１配線用絶縁膜ＩＭ１を形成し、第１配線用絶縁膜ＩＭ１に配線溝ＴＭ１を形成する。その後、配線溝ＴＭ１に銅を主体とする導体膜を埋め込むことで配線ＭＷ１を形成する。続いて、配線ＭＷ１上にキャップ導体膜ＭＣ１を形成した後、キャップ導体膜ＭＣ１に表面研磨を施す。特に、キャップ導体膜ＭＣ１はＡＬＤ法によって配線ＭＷ１上に選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口部の底部にガウジング構造部を含む相互接続構造体、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。こうした相互接続構造体は、最初に相互接続誘電体内にライン開口部を形成し、その後、ビア開口部、次いでガウジング構造部を形成することによって、ビア開口部の底部内にガウジング構造部を提供することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にトランジスタ３４を形成する工程と、半導体基板上及びトランジスタ上に複数の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２を積層することにより、複数の部分膜を有する第１の絶縁層４４を形成する工程と、第１の絶縁層上に、第１の絶縁層とエッチング特性が異なる第２の絶縁層４６を形成する工程と、第１の絶縁層をエッチングストッパとして、第２の絶縁層をエッチングすることにより、第２の絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内に露出する第１の絶縁層をエッチングする工程とを有し、第１の絶縁層を形成する工程では、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜以外の部分膜に対して膜を収縮させるキュア処理を行い、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜に対してキュア処理を行わない。 （もっと読む）

【課題】高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化シリコンを主体とする第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化ハフニウムを主体とする第２の絶縁膜を形成し、熱処理を行い第２の絶縁膜上にシリコンを析出させ、シリコン上にシリコンに対して酸化作用を有する第３の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜上に金属膜のゲート電極を形成し、熱処理を行い第３の絶縁膜の酸化作用によってシリコンを酸化させる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が３以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の容量部が接続された容量プレート上面とロジック部とで配線層の高さを同じにするメモリ混載の半導体装置、および製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ロジック部の第１領域３の第１層間層４３、５３に配線３４を形成する工程と、配線形成後にメモリ部の第２領域２の第１層間層４３、５３における表面領域をエッチングする工程と、エッチングした領域に容量１２用の複数のシリンダ開口部を形成する工程と、複数のシリンダ開口部に下部電極層１２Ｃ、誘電体層１２Ｂ及び共通上部電極１２Ａ、１３を形成して、複数の容量部１２を形成する工程とを具備する。複数の容量部１２を形成する工程は、第１層間層４３、５３の上面と共通上部電極１２Ａ、１３の上面とが略同一平面上になるように共通上部電極１２Ａ、１３を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】エロージョンの発生及び研磨残渣の発生がない金属からなる配線又はプラグを形成できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上の層間絶縁膜３にコンタクトホール３ａを形成する。続いて、層間絶縁膜３上に金属を含む化合物及び第１の還元性ガスを供給することにより、コンタクトホール３ａを含む層間絶縁膜３の上に第１のシード層５を形成する。続いて、第１のシード層５上に金属を含む化合物及び第２の還元性ガスを供給することにより、第１のシード層５の上に第２のシード層６を形成する。続いて、第２のシード層６の上に、金属をコンタクトホール３ａを埋め込むように形成する。続いて、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜３のコンタクトホール３ａを除く上面に残存する金属、第２のシード層６及び第１のシード層５を除去することにより、コンタクトホール３ａにプラグ７Ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の電気特性を効率よく検査する。
【解決手段】本発明の半導体装置２の製造方法は、シリコン基板２０に半導体素子を含んだ電気回路を形成する工程と、シリコン基板２０を貫通して設けられ、電気回路と電気的に接続される第１貫通電極２２を形成する工程と、シリコン基板２０を貫通して設けられ、シリコン基板２０の表面２０ａで第１貫通電極２２と短絡する第２貫通電極２３を形成する工程と、シリコン基板２０の裏面２０ｂにおいて、第１貫通電極２２と第２貫通電極２３との間の電気特性を検査する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パッドに荷重がかかった場合でも、層間絶縁膜の膜剥がれやパッドの剥離の発生率を低くする。
【解決手段】ボンディングパッド７２を含む半導体装置１００において、ボンディングパッド７２と平面視で重なる領域（９４）に下部多層配線構造９０、中間ビア用層間絶縁膜４８、上部多層配線構造９２をこの順で積層し、パッド配置領域９４において、上部多層配線構造９２の上部配線およびビアは、ボンディングパッド７２と接続して形成し、中間ビア用層間絶縁膜４８には、上部多層配線構造９２の配線またはビアと下部多層配線構造９０の配線またはビアとを接続する導電材料が形成されず、下部多層配線構造９０に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率が、上部多層配線構造９２に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 絶縁膜に設けた凹部の側壁にシール絶縁膜を形成し、シール絶縁膜の内側に順にシール絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、Ｃｕ拡散阻止能力が高い第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いドレインコンタクトを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１ドレインコンタクト１４を形成する工程と、第１ドレインコンタクト１４に接続された第２ドレインコンタクト１５を形成する工程と、第２ドレインコンタクト１５に接続された配線１６を形成する工程と、配線１６をマスクとして自己整合的に、少なくとも第２ドレインコンタクト１５の近傍の第２層間絶縁膜３３に、第１層間絶縁膜１３と第２層間絶縁膜３３との界面３４より深い位置まで不純物イオンを注入し、界面３４に残置されている異物３２をアモルファス化する工程と、不純物イオンが注入された第１および第２層間絶縁膜１３、３３をエッチングして異物３２を露出させ、異物３２を除去する工程と、第１絶縁膜１３上に配線１６を覆うように第３層間絶縁膜３６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置や回路基板の配線において、バリア膜の拡散バリアとしての機能を確保しながら、バリア膜による配線抵抗の増大を抑制する
【解決手段】 インプリント法に用いるスタンパ１３のパターン面をバリア膜形成化合物１４で被覆し、スタンパ１３のパターン面を、基板１１上に塗布された樹脂膜１２に押し当てつつ、バリア膜形成化合物１４の分解・転写処理を行う。これにより、スタンパ１３のパターン面のパターンにより樹脂膜１２内に配線溝１６が形成され、配線溝１６に沿ってバリア膜１７が形成される。その後、配線溝１６内にバリア膜１７を介して配線材料を埋め込み、配線１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに電力を提供する電力グリッド構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態は、誘電体層の内部に形成された第１の導電性材料のスタッドと、底部及び側壁を有する第２の導電性材料のビアであって、底部及び側壁は導電性ライナで覆われ、底部はスタッドの直接上に形成され、かつ、導電性ライナを通してビアと接触した状態にある、ビアと、ビアの側壁において導電性ライナを通してビアに接続する第３の導電性材料の１つ又は複数の導電性パスとを含むことができる半導体構造体を提供する。半導体構造体を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において貫通電極の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の第１主面上に形成された絶縁膜２５と、第１主面上の絶縁膜２５内に形成され、導電膜からなりその導電膜の少なくとも１部に導電膜が存在しない空き領域を有する電極パッド２６Ｂと、第１主面に対向する第２主面上に形成されたハンダボール１８と、シリコン基板１０の第２主面側から空けられ電極パッド２６Ｂまで達した貫通孔内に形成され、電極パッド２６Ｂとハンダボール１８とを電気的に接続する貫通電極とを備える。電極パッド２６Ｂが有する空き領域には絶縁膜２５が存在し、空き領域に存在する絶縁膜２５と電極パッド２６Ｂとの貫通電極側の段差が電極パッド２６Ｂの厚さ以下である。 （もっと読む）

【課題】配線絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Ｃｕ配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。
【解決手段】下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。積層構造２０にビアホール８、９を形成する工程は、第１及び第２ドライエッチングを組み合わせて行う。第１ドライエッチングでは開口径が小さいビアホール９のエッチングレートが、開口径が大きいビアホール８のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第１混合ガスを用いる。第２ドライエッチングではビアホール８のエッチングレートがビアホール９のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第２混合ガスを用いる。 （もっと読む）