【課題】配線の埋め込み不良及び配線抵抗の上昇を抑えると共に、信頼性を向上した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１の上に形成された絶縁膜１０５と、絶縁膜１０５中に形成された、銅を含む材料からなる埋め込み配線１１５とを備えている。絶縁膜１０５と埋め込み配線１１５との間には、白金族元素を含む材料からなるバリア膜１１０が形成されている。絶縁膜１０５とバリア膜１１０との間には、絶縁膜１０５よりも密度が高い高密度絶縁膜１０９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法における新規な平坦化処理を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜に第１の穴を形成する第２の工程と、前記絶縁膜に前記第１の穴より浅い第２の穴を形成する第３の工程と、前記第１の穴に導電部材を埋め込むことにより導電部を形成するとともに、前記第２の穴に前記導電部材を埋め込むことにより平坦化補助部を形成する第４の工程と、前記導電部、前記絶縁膜、及び前記平坦化補助部を前記平坦化補助部が除去されるまで研磨することにより、前記導電部及び前記絶縁膜のそれぞれの上面を平坦化する第５の工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電力増幅モジュールの放熱特性を向上させる。
【解決手段】電力増幅モジュールに用いられる電力増幅回路用のＬＤＭＯＳＦＥＴ素子が形成された半導体チップにおいて、ＬＤＭＯＳＦＥＴ素子用の複数のソース領域、複数のドレイン領域および複数のゲート電極３９が形成されたＬＤＭＯＳＦＥＴ形成領域上に、ソース用バンプ電極ＢＰＳを配置する。ソース用バンプ電極ＢＰＳは、アルミニウムを主体とするソース用パッドＭ３Ｓ上に、ソース用パッドＭ３Ｓよりも厚くかつ銅を主体とするソース用導体層ＣＮＤＳを介して形成する。ソース用バンプ電極ＢＰＳとソース用導体層ＣＮＤＳの間には樹脂膜は介在していない。 （もっと読む）

【課題】保護素子としてＳＢＤを搭載したＭＯＳＦＥＴにおいては、ＳＢＤの特性を確保するためアルミニウム・ソース電極下のアルミニウム拡散バリア・メタル膜として、ＴｉＷ（タングステンを主要な成分とする合金）膜が使用される。しかし、本願発明者らが検討したところによると、タングステン系バリア・メタル膜はＴｉＮ等のチタン系バリア・メタル膜と比べて、バリア性が低い柱状粒塊を呈するため、比較的容易にシリコン基板中にアルミニウム・スパイクが発生することが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系メタル層と下層のシリコン系半導体層の間のバリア・メタル層として、タングステン系バリア・メタル膜をスパッタリング成膜によって形成する際、その下層をウエハ側にバイアスを印加したイオン化スパッタにより成膜し、上層をウエハ側にバイアスを印加しないスパッタにより成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】電極部と貫通電極層の間の抵抗値ばらつきに依存しない信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板表面２ａの第１絶縁膜８の中に、外部接続端子を有する電極部１８が形成され、基板をビアホール１０が貫通し、ビアホール側壁１０ａ及び基板裏面の第２絶縁膜１２とビアホール底面の第１絶縁膜とに貫通電極層１１が形成され、電極部と貫通電極層との間にシリサイド層９を接続形成し、ビアホール中心軸を含む平面で切断された断面において、シリサイド層の幅Ａ≦ビアホール底部の幅Ｂである。 （もっと読む）

【課題】 相互接続構造の信頼性及び拡張性を改善する相互接続構造のための冗長金属拡散バリア層を提供する。
【解決手段】 冗長金属拡散バリア層は、誘電体材料内に設けられた開口内に配置され、且つ開口内に存在する拡散バリア層及び導電性材料の間に配置される。冗長拡散バリア層は、Ｒｕ並びに純粋なＣｏ若しくはＮ，Ｂ及びＰのうちの少なくとも１つを含むＣｏ合金からなる単層若しくは多層構造である。 （もっと読む）

【課題】配線の微細構造の維持、ＴＤＤＢ寿命の確保および低抵抗を実現する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４中に形成された配線１２０と、を含み、配線１２０は、断面視において、最上面から下方にかけて幅が広くなる領域を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を有する層間絶縁膜を短時間で形成することができ、また、層間絶縁膜の厚さの増大を招くことなく、金属イオンによる半導体基板の汚染に対する長期信頼性を保証することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された層間絶縁膜８とを備えている。そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。ゲッタリング層１２は、金属イオン、とくに可動イオンを捕獲する性質を有している。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子を提供する。
【解決手段】重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成されるスパッタリングターゲットであり、また、バリア層と、バリア層上のシード層と、シード層上の導電層と、を備え、導電層は、重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成される、タングステンとニッケルとの合金薄膜を備える半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁膜を有する積層膜を形成する場合のスループットの向上等を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、少なくともトリメチルシリルアセチレンを原料ガスとして用いて、組成の異なる複数の絶縁膜３４、３６、３８、４０を有する積層膜及び組成の異なる複数の絶縁膜５６，５８，６０，６２を有する積層膜６４を、同一の反応室内において大気開放することなく連続的に形成する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シランを供給できるガス供給系１ａと反応室を接続する、２つ以上のバルブを含む連続バルブの１つをノーマリオープンとし、ガス供給系と排気系を接続する捨てガスライン３のノーマリクローズのバルブＶ１４と連動させることにより、反応室内の残留ガスの影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】複数の同種の製造装置を用いて半導体装置を製造する場合に、製品間での寸法のばらつきの発生を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】制御機器ＣＤをそれぞれの露光機に対して個別に配置する。露光処理が完了した各ロットは、どの露光機で露光処理がなされたかによって分類され、露光機毎に、露光機を調整するためのパラメータが製品情報収集部ＣＤ１に収集され、最適製造条件計算部ＣＤ２にて処理条件が計算され、計算された処理条件が設定される。すべてのロットは、露光処理を行う露光機が予め割り当てられ、露光処理が済んでいないロットは、分類機ＣＭによって割り当てられた露光機へ振り分けられ、制御機器ＣＤによって求められた処理条件で露光処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に達するコンタクトホールを確実に形成し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８を形成する工程と、第１応力膜とエッチング特性が異なる絶縁膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０を用いて、第２領域内の絶縁膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の絶縁膜をサイドエッチングする工程と、第１マスクを用いて第２領域内の第１応力膜をエッチングする工程と、絶縁膜とエッチング特性が異なる第２応力膜を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が絶縁膜上に位置する第２マスクを用いて、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び絶縁膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】第２絶縁層にビアとなる接続孔を形成するときにビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。エッチングストッパー膜２００は、第１絶縁層１２０上、エアギャップ１２８上、及び配線１６２上に形成されている。第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。ビア２６２は第２絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。そしてエッチングストッパー膜２００は、エアギャップ１２８上に位置する部分２０２が、配線１６２上に位置する部分より厚い。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップ１０Ａと、前記半導体チップ１０Ａの表面上に第１の絶縁膜１１を介して形成されたパッド電極１２と、前記パッド電極１２の一部上及び前記第１の絶縁膜１１上に形成され、かつ前記パッド電極１２を露出する開口部１４を有した第２の絶縁膜１３と、前記開口部１４を通して前記パッド電極１２と電気的に接続されて前記第２の絶縁膜１１の一部上に延びる第１の配線層１５と、前記パッド電極１２を介して前記開口部１４に対峙し、前記半導体チップ１０Ａの裏面から当該パッド電極１２に到達し、かつ前記開口部１４と実質的に同等の開口径を有するビアホール１６と、前記ビアホール１６内に形成され、かつ当該ビアホール１６を通して前記パッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路のチップ面積を増大させることなく、配線層の剥離防止構造を作製し、チップへの応力による配線の切断を防止する。
【解決手段】
多層配線構造の半導体集積回路チップ周辺部の金属配線層２０２〜２０５上に、当該金属配線層同士を接続するためのスルーホール、或いは最下層の金属配線層と基板上に形成された素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを、夫々、当該金属配線層の直上にスルーホールが形成される領域１０１と、当該金属配線層の直下にスルーホール或いはコンタクトホールが形成される領域１０２とが基板面内で重なり合わないように、金属配線層上に複数、集中して配置する。 （もっと読む）

【課題】 貫通ビアを形成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】 たとえば、基板を含む半導体ウェハの一部分内にビアを形成するための方法である。この方法は、基板の第１の部分が基板の第２の部分から分離されるように第１の部分を取り囲むトレンチを形成するステップと、第１の部分内で基板を貫通する穴を形成するステップと、穴の内部に第１の金属を形成するステップとを含む。トレンチは基板を貫通して延びる。第１の金属は基板の表面から基板の裏面に延びる。ビアは穴と第１の金属とを含む。 （もっと読む）

【課題】高価な露光装置や高価なマスクを用いることなく、配線等のピッチを狭くすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の導電パターン４２と、第１の導電パターンに隣接して形成された第２の導電パターン４２と、第１の導電パターンの所定領域下に形成された第１の導体プラグと、第１の導電パターンの所定領域上に形成された第２の導体プラグ６２_ｎと、第２の導電パターンのうちの、第１の導電パターンの所定領域に隣接する所定領域下に形成された第３の導体プラグと、第２の導電パターンの所定領域上に形成された第４の導体プラグ６２_ｎ＋１と、第１の導電パターン４２の上方に形成され、第２の導体プラグに接続された第３の導電パターン６２と、第２の導電パターンの上方に形成され、第４の導体プラグに接続された第４の導電パターン６４とを有し、第４の導体プラグは、第２の導体プラグに対して、ずれた位置に配されている。 （もっと読む）