【課題】基板を貫通する電極の形成に適用できる新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、半導体基板に孔を形成する工程と、半導体素子の上方と孔の内壁および底を覆うように絶縁膜を形成する工程と、異方性エッチングにより、半導体素子の上方と孔の底の絶縁膜を除去する工程と、孔の底に金属拡散防止膜を形成する工程と、孔に導電膜を埋める工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】電気的接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ３は、第１主面３０Ａと第２主面３０Ｂとの間を貫通する貫通孔３０Ｘを有する半導体基板３０と、半導体基板３０の第２主面３０Ｂを覆うように形成され、貫通孔３０Ｘと対向する位置に開口部３１Ｘが形成された絶縁層３１と、絶縁膜３３によって覆われた貫通孔３０Ｘ及び開口部３１Ｘに形成された貫通電極３２とを有する。絶縁層３１から露出される貫通電極３２の上端面は、当該半導体チップ３に他の半導体チップ４が積層される際のパッドになる。また、貫通電極３２の上端面は、絶縁層３１の半導体基板３０と接する面と反対側の面と面一になるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】１つの貫通配線のみの抵抗を測定できる貫通配線の検査方法、及び該貫通配線の検査方法を行う工程を含む貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】基板１の一方の面１ａに配された導電部２と、基板１を貫通し、導電部２と接続される第一貫通配線３、第二貫通配線４および第三貫通配線５とを少なくとも備えた貫通配線基板１０を用い、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第二貫通配線４に、定電流源６の一組の端子６ａ，６ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３、導電部２、第二貫通配線４の経路に電流を流すと同時に、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第三貫通配線５に、電圧計７の一組の端子７ａ，７ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３における電圧降下を測定することを特徴とする貫通配線の検査方法。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に形成された導電層に加わる応力を抑制できるとともに、導電層からの効果的な放熱も促すことができる貫通配線基板、及びこの貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１（基板）の一方の面１１ａに配された電極層１２と、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように半導体基板１１内に開けられた貫通孔２０と、貫通孔２０の内側面２０ａを覆い、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように配された第一絶縁層１５と、第一絶縁層１５を介して、貫通孔２０の内側面２０ａ及び電極層１２の露呈部を覆うように配され、電極層１２と電気的に接続された導電層５と、導電層５を覆うように配された第二絶縁層１６と、を少なくとも備えてなる貫通配線基板１０であって、第二絶縁層１６は、導電層５の表面形状に沿って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シェア強度の向上した電極構造を提供する。
【解決手段】電極構造Ｃ１は、基体２と、基体２上に設けられた電極４と、電極４上に設けられためっき層１４とを備え、めっき層１４は、第１部位１４ａと、第１部位１４ａ上に位置する第２部位１４ｂとを有しており、平面視して、第１部位１４ａの面積が第２部位１４ｂの面積よりも大きいことから、電極構造Ｃ１のシェア強度を向上させることができ、シェア強度の向上した電極構造を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】同一平面上に形成された２つの配線が互いにショートするのを回避すること。
【解決手段】第１の方向（Ｘ）に複数本並べて配置された活性領域（５０）の各々は、第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）に離間して配置された２つの縦型トランジスタ（５１）と、この２つの縦型トランジスタ（５１）の間に位置する縦型のゲート電極用ダミーピラー（１ａ）と、から成る。半導体装置（１００）は、複数本の活性領域（５０）の中央に位置するゲート電極用ダミーピラー（１ａ）へ給電するために第１の方向（Ｘ）へ延在して配置されたゲート給電配線（２３）と、２つの縦型トランジスタ（５１）間を接続するために、第２の方向（Ｙ）に延在し、かつゲート給電配線（２３）を迂回するように構成されたトランジスタ間接続配線（２１、１０Ａ、１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層を用いた素子を配線層間に形成し、かつ、ゲート電極の材料を、配線の材料以外の導電体にする。
【解決手段】第１配線層１５０の表層には、第１配線２１０が埋め込まれている。第１配線２１０上には、ゲート電極２１８が形成されている。ゲート電極２１８は、第１配線２１０に接続している。ゲート電極２１８は、第１配線２１０とは別工程で形成されている。このため、ゲート電極２１８を第１配線２１０とは別の材料で形成することができる。そしてゲート電極２１８上には、ゲート絶縁膜２１９及び半導体層２２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】溝配線に生じるディッシングやエロージョンが配線構造に及ぼす影響を簡便に評価できるような半導体装置を提供する。
【解決手段】ＴＥＧ２００は、多層配線層中に設けられている。また、多層配線層中の第１絶縁膜に埋め込まれた下層溝配線１を備えている。ＴＥＧ２００は、第１絶縁膜８０（図示せず）の表層に埋め込まれた下層導体パターン１と、第１絶縁膜８０上及び下層導体パターン１上に形成された第２絶縁膜２０と、それぞれが同一の下層導体パターン１に対向する複数の上層導体パターン１０と、を有している。なお、上層導体パターン１０は、第２絶縁膜２０の表層に埋め込まれていても良いし、第２絶縁膜２０上に形成されていても良い。 （もっと読む）

【課題】 相互接続ラインを形成するための新規な方法を提供する。
【解決手段】 細線相互接続部（６０）は基体（１０）の表面内又はその上に形成された半導体回路（４２）の上に位置する第１の誘電体層（１２）内に設けられる。パシベーション層（１８）は誘電体層の上に付着され、第２の厚い誘電体層（２０）はパシベーション層の表面上に形成される。厚くて幅広い相互接続ラインは第２の厚い誘電体層内に形成される。第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装に用いられる半導体チップと実装基板との電気的な接続信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２と、半導体チップ２の主面に配置された複数の電極パッドと、複数の電極パッドの上に配置された複数のバンプ５とを有し、半導体チップ２のコーナー部において、第１のバンプと第２のバンプとが、第１のピッチで、隣接して配置され、半導体チップの中心部において、第３のバンプと第４のバンプとが、第２のピッチで、隣接して配置され、第１のピッチは、第２のピッチよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】 回路のレイアウト装置で，ＥＯＥの発生しやすい箇所を推定することを目的とする。
【解決手段】 回路レイアウト装置１は，被研磨対象となる回路の配線パターンを含む回路情報を取得する回路情報取得部１１，回路を任意の単位領域でメッシュ状に区切り，各メッシュ領域について，メッシュ領域の配線密度とメッシュ領域の各辺に隣接する周辺領域の各々における配線密度とを示すメッシュ情報を生成するメッシュ情報生成部１２，各メッシュ領域について，メッシュ領域と各周辺領域の密度の関係がＥＯＥの発生条件に該当するメッシュ領域を抽出し，そのエラー情報を生成するエラー抽出部１３を備える。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第１の導電膜と、第２の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第１の導電膜と、第２の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第１の導電膜と第２の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのバンプ電極と実装基板の配線との接続信頼性を向上できる技術を提供する。特に、バンプ電極下の最上層配線層に配線を配置しても、バンプ電極の平坦性を確保してバンプ電極とガラス基板に形成されている配線との接続信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】バンプ電極ＢＰ１の非重複領域Ｙ直下にある最上層配線層に電源配線や信号配線からなる配線Ｌ１と、ダミーパターンＤＰを形成する。ダミーパターンＤＰは、配線Ｌ１間のスペースを埋めるように配置され、配線Ｌ１とスペースによって最上層配線層に生じる凹凸を緩和する。さらに、最上層配線層を覆うように形成される表面保護膜に対してＣＭＰ法による平坦化処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】基板の側端部に由来する塵の発生を防止して、半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板の少なくとも側端部を覆うように保護膜を形成する第１の工程と、フォトレジストパターンを用いたエッチングにより基板の第１の主面に第１の主面に対向して見た形状が環状となる溝を形成する第２の工程と、溝を埋め込むように絶縁膜を形成することにより、絶縁リングを形成する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アンダーバリアメタルに起因する応力集中を緩和し、トランジスタの特性の変動を抑制することができるパッド電極構造を備える半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成された電極パッド６と、電極パッド６の上に形成され、且つ、電極パッド６の一部が露出するような第１開口部を有する第１絶縁膜７と、第１絶縁膜の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出するような第２開口部を有する第２絶縁膜８と、第２絶縁膜８及び電極パッド６の上に形成されたアンダーバリアメタル１０とを備えている。アンダーバリアメタル１０は、第２絶縁膜８の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド６の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に、底面及び側面の形状を良好に保って配線溝を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、仮のパターンを形成する。仮のパターンを囲むように、基板の上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜を形成した後、仮のパターンを除去する。仮のパターンが除去されることによって現れた凹部の側面及び底面に、第１のバリア膜及びシード膜を形成する。シード膜の上に、配線材料を堆積させることにより、凹部を配線材料で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）

【課題】配線基板に半導体素子を形成する場合において、配線基板の製造工程数を少なくする。
【解決手段】コア層２００の一面上には、第１配線２３２が設けられている。第１配線２３２上、及びその周囲に位置するコア層２００の一面上には、半導体層２３６が形成されている。第１配線２３２及び半導体層２３６は、半導体素子を形成している。本実施形態において半導体素子は、第１配線２３２をゲート電極としたトランジスタ２３０であり、半導体層２３６と第１配線２３２の間に、ゲート絶縁膜２３４を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜の境界面での膜厚を厚くし、はんだが金属膜の下方に侵入し難い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、
該基板に積層された金属膜３０と、
該金属膜に積層されたはんだ層４０と、
前記基板に積層され、前記金属膜及び前記はんだ層に接するように形成されたポリイミドからなる保護膜５０とを備え、
該保護膜は、前記金属膜と接する界面において、前記基板から離れるにつれて前記金属膜側に迫り出す形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）