【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの深さを正確に制御して、特定の配線層に選択的にエアギャップを形成した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、半導体素子を有する半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、配線１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、配線１０ｃ、１０ｄの周囲のエアギャップ１０１、およびエアギャップ１０１に連続するスルーホール１０２含む配線構造と、スルーホール１０２下に形成されたスルーホールストッパー１０３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】同一の半導体基板上に容量素子を備えたメモリ回路部と論理回路部を有する半導体集積回路装置において、論理回路部のみからなる半導体集積回路装置と完全互換の配線設計パラメーターを確保し、かつ微細化が進んでもセル容量を確保する。
【解決手段】容量素子を備えたメモリ回路部と論理回路部を同一の半導体基板上に有する半導体集積回路装置において、論理回路部に形成される多層配線を絶縁分離する層間絶縁膜の少なくとも複数の配線層にまたがる領域に該容量素子を埋め込むことで、該容量素子の接続に必要な配線をすべて論理回路部の多層配線で構成することにより、論理回路部の設計パラメーターを、該メモリ回路部を有しない半導体集積回路装置と完全に同一とする。また多層配線の複数層に渡るように該容量素子を配置させることで該容量素子の高さを確保し、スケーリングが進んでも必要な容量値を確保する。 （もっと読む）

【課題】 相互かみ合い型導電線を有するキャパシタ構造体ならびにそれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 相互かみ合い型構造体は、少なくとも１つの第１の金属線と、少なくとも１つの第１の金属線に平行で、しかも少なくとも１つの第１の金属線から分離されている少なくとも１つの第２の金属線と、少なくとも１つの第１の金属線の端部に接触し、しかも少なくとも１つの第２の金属線から分離されている第３の金属線とを含むことができる。少なくとも１つの第１の金属線はいずれの金属ビアにも垂直に接触しないが、少なくとも１つの第２の金属線は少なくとも１つの金属ビアに垂直に接触することができる。相互かみ合い型構造体の複数の層を垂直に積み重ねることができる。代わって、相互かみ合い型構造体は、複数の第１の金属線と複数の第２の金属線を含むことができ、それぞれの金属線はいずれの金属ビアにも垂直に接触しない。キャパシタを形成するために、回転の有無を問わず、相互かみ合い型構造体の複数の実例を横方向に複製し接合するか、あるいは垂直に積み重ねるか、またはその両方を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プローブ痕上にレジスト膜及び表面保護膜が形成されないなどの不具合が生じるのを抑えることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体チップは、半導体集積回路と、半導体集積回路と電気的に接続され、表面に突起部１２を有する検査用パッド２０１とが同一面上に設けられた半導体基板を備え、半導体集積回路の検査時に、プローブが検査用パッド２０１と接触した状態で検査用パッド２０１の表面を押し出し、検査用パッド２０１の表面には、検査時にプローブにより押し出された検査用パッド２０１の一部が突起部１２と接するようにプローブ痕６１として形成され、突起部１２の幅は、プローブ痕６１の幅よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】 電子回路領域の露光と、耐湿リング領域の露光とを、解像度の高い露光装置を用いて別々に行うと、露光装置の占有時間が長くなってしまう。
【解決手段】 半導体基板の上に絶縁膜を形成する。絶縁膜の上に、一方向に長い平面パターン部を含む第１の開口が形成された第１のレジストパターンを形成する。第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、第１の開口の一方向に長い平面パターン部の幅方向の中央部に、堆積物が堆積する条件で、絶縁膜をエッチングすることによって、開口に対応する第１の溝を形成する。レジストパターンを除去した後、絶縁膜及び堆積物の上に導電部材を堆積させるとともに、第１の溝内を導電部材で埋め込む。堆積物が露出するまで、導電部材を研磨する。 （もっと読む）

【課題】上層の配線が導電体や不純物拡散層からずれていても、上層の配線を導電体や不純物拡散層に接続することができるようにする。
【解決手段】第１プラグ２１０は第１絶縁層２００に埋め込まれており、不純物拡散層１１０に接続している。第２プラグ３１０は第２絶縁層３００に埋め込まれており、第１プラグ２１０に接続している。第３プラグ４１０は第３絶縁層４００に埋め込まれており、第２プラグ３１０に接続している。第１配線５１０は第３絶縁層４００の表面に位置しており、第３プラグ４１０に接続している。平面視において、第２プラグ３１０は、上面及び底面の幅が第１プラグ２１０及び第３プラグ４１０の上面及び底面の幅がより大きく、かつ中心が、第１プラグ２１０の中心及び第３プラグ４１０の中心の少なくとも一方からずれている。そして第１プラグ２１０の中心は第３プラグ４１０の中心からずれている。 （もっと読む）

【課題】誘電率の比較的低い誘電体膜に、累積的に紫外線を含む光が照射されることに起因する不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜５上にＬｏｗ−ｋ膜９が形成される。次に、Ｌｏｗ−ｋ膜９に、所定のランプから発せられる紫外線を含む光が照射される。次に、Ｌｏｗ−ｋ膜９の開口部９ａ内にＴｉＯ₂からなるバリア膜１１と銅配線１３が形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜９上にＳｉＣＮ膜１５およびＳｉＯＮ膜１７が形成される。次に、ＳｉＯＮ膜１７の上にＬｏｗ−ｋ膜１９が形成される。そのＬｏｗ−ｋ膜１９に、所定のランプから発せられる紫外線を含む光が照射される。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ材を使用した基板であっても、層間絶縁膜の経時劣化や変質の可能性を低くできる基板の処理方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン酸化膜よりも低い誘電率の誘電体層を含む基板を処理する基板の処理方法であって、不活性ガスの雰囲気中で、前記誘電体層を脱水縮合処理するために加熱する脱水工程と、少なくとも水素原子を含むガスの雰囲気中で、前記基板をアニールする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４の化合物（Ａ）及び式：Ｒ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａの化合物（Ｂ）（上記式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。）から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解する熱分解性有機化合物（Ｄ）と、９０〜２００℃の温度範囲内で熱分解し、そしてこの熱分解によりアミン類を発生する化合物であって、この熱分解温度以下では、この化合物の水溶液又はこの水溶液とアルコールとの混合溶液のｐＨが６．５〜８の範囲内に入る化合物（Ｅ）を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面１１ａに半導体デバイスおよび電極１１ｃが設けられた半導体基板１１と、一方の主面１１ａの上に形成された層間絶縁層１２と、層間絶縁層１２上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部１３と、樹脂パターン部１３の上にそれぞれ形成された再配線層１４と、再配線層１４の上を封止する封止絶縁層１５とを有し、樹脂パターン部１３の側面１３ａが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 （もっと読む）

【課題】主にアルミニウム系通常配線を有するＬＳＩの製造工程ＢＥＯＬプロセスでは、配線の信頼性に関して、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性の向上が特に重要である。アルミニウム系配線に関する不良の中でも、配線メタル膜の膨張や欠けの発生は、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性を大きく劣化させる要因となる。
【解決手段】本願発明は、層間絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤチャンバのウエハ・ステージ上に於いて、アルミニウム系配線メタル膜のパターニングの後であって層間絶縁膜の成膜前に、ウエハのデバイス面に対して、不活性ガスを主要な成分の一つとして含む雰囲気下、アルミニウム系配線メタル膜および層間絶縁膜の成膜温度よりも高いウエハ温度において、プラズマ・アニール処理を実行することにより、配線メタル層の側壁部の付着物が完全に除去され、膨張不良の原因が取り除かれ、更に、不動態化の進行、ストレス開放等により、欠け不良を抑制するものである。 （もっと読む）

【課題】 サブリソグラフィ・ピッチの構造体とリソグラフィ・ピッチの構造体との相互接続を形成する。
【解決手段】 サブリソグラフィ・ピッチを有する複数の導電線をリソグラフィでパターン形成し、複数の導電線の縦方向から４５度より小さい角度の線に沿って切断することができる。代わって、ホモポリマーと混合した共重合体を陥凹エリア内に入れて自己整合し、一定幅領域内にサブリソグラフィ・ピッチを有し、台形領域で隣接線間にリソグラフィ寸法を有する複数の導電線を形成することができる。さらに代わって、サブリソグラフィ・ピッチを有する第１の複数の導電線と、リソグラフィ・ピッチを有する第２の複数の導電線は、同じレベルでまたは異なるレベルで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
太幅配線の添加元素を細幅配線の添加元素とは独立に制御する。
【解決手段】
層間絶縁膜に、第１の幅を有する第１の配線溝および第１の幅より広い第２の幅を有する第２の配線溝を形成し、第１の配線溝および第２の配線溝内に、第１の添加元素を含む第１のシード層を形成し、第１のシード層上に第１の銅層を形成し、第１の配線溝内の第１の銅層および第１のシード層を残存させつつ、第２の配線溝内の第１の銅層および第１のシード層を除去し、その後、第２の配線溝内に、第２の添加元素を含む又は添加元素を含まない第２のシード層を形成し、第２のシード層の上に第２の銅層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ランド部が微細化された場合であっても、ランド部における封止絶縁層の剥離による再配線層の剥がれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の主面１０ａに半導体デバイスおよび電極が設けられた半導体基板１０と、一方の主面１０ａの上に形成された層間絶縁層１１と、層間絶縁層１１上に形成された再配線層１２と、再配線層１２の上を封止する封止絶縁層１７とを有し、再配線層１２は、配線部１３の端部に形成されたランド部１４と、ランド部１４から離れてランド部１４の周囲に形成された外郭部１５とを含み、封止絶縁層１７は、ランド部１４の少なくとも一部が露出する開口部１７ａを有し、ランド部１４と外郭部１５との間隙部１６において封止絶縁層１７と層間絶縁層１１とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜（第１の配線層間絶縁膜３）に配線形成用溝（第１層配線形成用溝２１）を形成する。配線形成用溝内にＣｕ配線（第１層配線４）を形成し、Ｃｕ配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Ｃｕ配線上及び配線層間絶縁膜上にＳｉ−Ｏ、Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ及びＣ−Ｈのうちの少なくとも何れか１つの結合を含む絶縁膜層（第１の有機ポリマー層６）を形成する。Ｃｕ配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Ｃｕ配線上にキャップメタル（第１のキャップメタル５）を選択的に形成する。 （もっと読む）