【課題】電極パッドと貫通電極との接続面積を確保しつつ、下地膜が確実に形成される半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板および電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第一絶縁膜２２と、第一絶縁膜２２上に設けられた電極パッド１２と、電極パッド１２の形成位置に対応し、半導体基板１０および第一絶縁膜２２に形成された貫通孔Ｈ３と、貫通孔Ｈ３の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜２３と、第二絶縁膜２３と電極パッド１２とを覆うように設けられた下地膜２４と、下地膜２４の内側で、貫通孔Ｈ３に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極３０と、を具備した半導体装置１００において、貫通孔Ｈ３の側面と電極パッド１２の裏面との角部２３ａに、第二絶縁膜２３がフィレット状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の転移を防止しつつ、絶縁膜の埋め込み性を確保するとともに、エッチング耐性を向上させる。
【解決手段】シリコン含有無機ポリマー膜８にアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を含有させ、塗布法などの方法にてトレンチ６内に埋め込まれるようにしてシリコン含有無機ポリマー膜８をライナー膜７上に形成し、水蒸気を含む雰囲気中でシリコン含有無機ポリマー膜８の酸化処理を行うことにより、シリコン含有無機ポリマー膜８をシリコン酸化膜９に変化させる。 （もっと読む）

【課題】多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。まずシーリング層を低コンフォマリティーを有する条件で成膜し、ポアをブロックする。この後、接着層を高いコンフォマリティーを有する条件で成膜する。 （もっと読む）

【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品４０は、互いに平行を成す一方の主面４１ａと他方の主面４１ｂが矩形状の基体４１を有する。基体４１の一方の主面４１ａには、第一チッピング検出用配線４２が配されている。また、基体４１の他方の主面４１ｂには、第二チッピング検出用配線４４が配されている。第一チッピング検出用配線４２は貫通配線４３ａを介して第二チッピング検出用配線４４に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】配線にＣｕを用いる配線の電気抵抗値とＴＦＴの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびＴＦＴを有する表示装置の製造方法であって、ＴＦＴは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法（Ａ）基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、（Ｂ）電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、（Ｃ）前記（Ｂ）の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を貫通する貫通電極の周囲に形成される環状の絶縁分離部において、絶縁分離部を構成する酸化膜の応力により絶縁分離部周囲の半導体基板が変形する。
【解決手段】絶縁分離部の基板側に深さ方向に圧縮応力を与える第１の膜４を形成し、第１の膜４上に深さ方向に引張応力を与える第２の膜６膜を形成し、その際、第１及び第２の膜の膜厚を圧縮応力と引張応力とがほぼ釣り合うように調整する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体積層体を製造することのできる半導体積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極用溝２が形成されたウエハ１の貫通電極用溝２を有する面に、半導体加工用テープ４を介して支持体５を積層する工程（１）と、ウエハ１を半導体加工用テープ４と反対側の面から研削し、貫通電極用溝２を露出させる工程（２）と、露出した貫通電極用溝２に電極部６を形成する工程（３）と、ウエハ１の半導体加工用テープ４と反対側の面に封止樹脂層７を形成する工程（４Ａ）と、封止樹脂層７を介してウエハ１にダイシング用テープ８を貼り合わせ、半導体加工用テープ４及び支持体５を剥離する工程（４Ｂ）と、ウエハ１を個片化して半導体チップを作製する工程（５）と、前記半導体チップを、封止樹脂層７を介して他の半導体チップ又は基板に積層する工程（６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と貫通電極との絶縁を確実とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０の一方の面１４から他方の面１６に形成された電極パッド２４の裏面に到達する貫通電極１３を形成した半導体装置１０であって、他方の面１６側には第１の絶縁膜２０を介して電極パッド２４が設けられ、貫通電極１３を構成する貫通孔２１と第１の絶縁膜２０との境界面に、一方の面１４側の開口よりも大きい開口を有し、貫通電極１３を形成する際、他方の面１６側の貫通孔２１開口部内周に貫通電極１３を構成する導電材料と電極パッド２４との間に第２の絶縁膜２３を備え、貫通孔２１内壁面および第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜２２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、第１の配線１８を含む第１半導体部１０と、第１半導体部１０と貼り合わせて設けられ、第１の配線１８と電気的に接合された第２の配線２８を含む第２半導体部２０とを備える構成とする。さらに、半導体装置１は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物１７ｂを備える。そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】安定した性能と高い生産性とを実現する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、メモリセルアレイ部と、第１平面内においてメモリセルアレイ部と並置されたコンタクト部と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。メモリセルアレイ部は、積層体、半導体層、メモリ膜を含む。積層体は、第１平面に対して垂直な第１軸に沿って積層された複数の電極膜とそれらの間の電極間絶縁膜とを含む。半導体層は電極膜の側面に対向する。メモリ膜は電極膜と半導体層との間に設けられ電荷保持層を含む。コンタクト部は、コンタクト部絶縁層と複数のコンタクト電極とを含む。コンタクト部絶縁層は、コンタクト部絶縁膜と粒子とを含む。コンタクト電極はコンタクト部絶縁層を第１軸に沿って貫通する。コンタクト電極は電極膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電膜を含む層の加工によって密の配線と疎の配線とが混在して形成された配線層で、所望の配線間の領域にのみ空隙を形成することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電子部品の製造方法は、まず、密の配線と疎の配線とを含む配線パターンとなるように、基板１上の導電性材料膜を含む加工対象を加工する。ついで、密の配線の形成領域にのみ配線間を埋め込む犠牲膜１１１を形成した後、基板１上に絶縁膜１１２を形成する。絶縁膜１１２上にレジスト１１３を塗布し、密の配線の形成領域上の一部と疎の配線の形成領域とが露出するようにレジスト１１３のパターニングを行った後、レジスト１１３をマスクとして絶縁膜１１２をエッチングする。さらに、密の配線の形成領域上の一部を通して、犠牲膜１１１を除去する。そして、疎の配線の形成領域で隣接する配線間を埋め込むように基板１上に埋込絶縁膜１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 変性処理およびその後の溶解処理によるダメージにより低誘電率膜のｋ値が上昇した場合にも十分にｋ値を回復させることができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 低誘電率膜をエッチング処理して所定パターンを形成し（ステップ３）、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性し（ステップ８）、ステップ８の後、パターンが形成された低誘電率膜の表面にシリル化剤を供給し、ステップ８の際に低誘電率膜に入ったダメージを回復するためのシリル化処理をし、変性された物質を溶解除去し（ステップ９）、ステップ９の後、パターンが形成された低誘電率膜の表面にシリル化剤を供給し、ステップ９の際に低誘電率膜が受けたダメージを回復するためのシリル化処理をし（ステップ１０）、ステップ１０の後、基板をベークしてシリル化処理後の低誘電率膜の比誘電率を下げる（ステップ１１）。 （もっと読む）

【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液ＰをシートフィルムＦの表面に塗布し、溶剤を揮発させることでポリシラザン薄膜Ｒを得る。これを半導体基板に転写するのに先立って、ＵＶ光源２０２から拡散板２０３を介して強度を均一化したＵＶ光Ｌを薄膜Ｒに照射する。これにより、薄膜Ｒの表面Ｒａの粘度が選択的に増大し、基板転写時に、基板表面に形成されたトレンチを埋めることなくエアギャップを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】微細配線においてボイドの発生を確実に防ぐ。
【解決手段】層間絶縁膜１０２、１０３に形成された開口部１２の底面及び側壁、並びに、開口部１２以外の層間絶縁膜１０３上にあるフィールド部に、第一の金属を含むシード膜を形成し、シード膜上にレジストを形成して、開口部１２をレジストで埋め込んだ後、開口部１２の底面上に形成されたシード膜にレジストを残しつつレジストの一部を除去して、開口部１２の側壁２０２Ａ、Ｂの上部からフィールド部２０３にわたって形成されたシード膜を露出させ、開口部１２の側壁の上部、及び、フィールド部２０３に位置するシード膜上に、第一の金属よりも抵抗率が高い第二の金属を含むカバー膜を形成した後、レジストを除去してシード膜を露出させ、露出させたシード膜に、第一の金属を含むめっき膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】マスクの枚数を増やすことなく、ストレージキャパシタの電極間から半導体パターンを除去して高画質化を実現させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴパネルの製造では、半導体パターンとＴＦＴのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。一方、画素電極の直下に形成される絶縁膜のパターニングには別のマスクを利用する。ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。ストレージ電極の上方を覆う絶縁膜の領域は薄い一部を残して感光させる。ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。その後、絶縁膜のその薄い一部を画素電極の一部に置換し、保護された誘電膜を隔ててストレージ電極と対向させる。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）