【課題】４００℃以下の被覆処理温度での被覆が可能であるとともに、熱膨張係数が低く、さらに良好な耐候性を有するガラス。
【解決手段】酸化物基準のｍｏｌ％表示で、２９％〜３３％のＰ_２Ｏ_５、４３％〜５８％のＳｎＯ、１１％〜２５％のＺｎＯ、０．１％〜２％のＧａ_２Ｏ_３、０．５％〜５％のＣａＯ、ならびに０〜１％のＳｒＯを含み、酸化物基準のｍｏｌ％表示で、ＺｎＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、およびＣａＯの総和Ｘが１３％〜２７％の範囲である、ガラス。 （もっと読む）

【課題】配光特性が良好かつ組立作業が簡単な照明用光源を提供する。
【解決手段】複数の半導体発光素子１２が基台２０の前面２２にそれぞれの主出射方向を前方に向けた状態で平面配置されており、各半導体発光素子１２の前方には、それら半導体発光素子１２の主出射光の一部を、前記基台２０の前面２２を避けた斜め後方へ反射させ、他の一部を前方に向けて透過させるビームスプリッター８０が配置された構成の照明用光源１とする。 （もっと読む）

【課題】安定した動作で発光ダイオードを点灯させることができるとともに、部品点数が少なく、小型化に適した発光ダイオード点灯回路を提供する。
【解決手段】発光ダイオードを点灯するための発光ダイオード点灯回路であって、発光ダイオードを点灯させるための所定の電圧を出力するインバータ１２を備え、インバータ１２は、第１の端子、第２の端子、及び、第１の端子と第２の端子との間の導通及び非導通を制御する第３の端子を有するスイッチング素子Ｑ１と、第１の端子と第３の端子との接続経路に設けられたコンデンサＣ２と、第２の端子と第３の端子との接続経路に設けられるとともに、コンデンサＣ２と直列接続された抵抗Ｒ１と、コンデンサＣ２及び抵抗Ｒ１の接続点と第３の端子との接続経路に設けられたトリガダイオードＴＤとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の化合物半導体層を積層する前に清浄な成長面を容易に準備することができ、第二成長装置に入れる前の洗浄工程が不要な半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ、電子機器、機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子用テンプレート基板は、基板上に、下地層と、加熱により除去可能な犠牲層とを順に備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた、抗高圧特性をもち、実装工程を減少し、コストを低減した、発光装置およびその形成方法を提供する。
【解決手段】第一表面２００ａを含むベース２００と、前記第一表面上に形成される導電性線路層３００と、基板４１０及び前記基板上に設置される少なくとも一の発光ダイオード４５０を含む発光ダイオードモジュール４００と、を備え、前記発光ダイオードモジュールの基板が表面実装法で前記導電性線路層に表面実装法で設置され、前記ベースは、表面酸化処理をしたアルミニウム、表面に酸化層を有するアルミニウム、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選ばれる一の材質から構成される。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードパッケージ構造の光抽出率および信頼性を維持した上で、製造工程を簡単にし、製造コストを大幅に削減する発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードパッケージ構造は、基板と、少なくとも一つの発光ダイオードダイと、レンズと、型内装飾（In-Mold Decoration；IMD）膜とを含む。発光ダイオードダイは、基板上に固定されている。レンズは、基板から突出するように設けられ、かつ、発光ダイオードダイを覆う。型内装飾膜は、レンズに付着している。また、型内装飾膜は、レンズの上に位置されている蛍光体層と、蛍光体層の上に位置されている表面処理層とを含む。 （もっと読む）

【課題】封止対象を、効率よく連続的に封止することができる封止部材、その封止部材を用いた封止方法、および、その封止方法を備える光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
長尺な剥離フィルム２と、剥離フィルム２の長手方向に沿って、互いに間隔を隔てて並列配置されるように、剥離フィルム２の上に積層される複数の封止樹脂層６とを備える封止部材１を用いて、封止部材１を長手方向に搬送しながら、封止樹脂層６とＬＥＤ２０とを対向させ、対向された封止樹脂層６を、ＬＥＤ２０に向かって押圧して、ＬＥＤ２０を封止樹脂層６により封止することを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】透光性、耐熱性および粘着性（ベタツキ）を顕著に改善することができる封止材用透光性樹脂、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子を提供する。
【解決手段】本発明による封止材用透光性樹脂は、末端にケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ）を有する第１ポリシロキサン、および末端にケイ素原子に結合したアルケニル基（Ｓｉ−Ｖｉ）を有する第２ポリシロキサンを含み、前記ケイ素原子に結合したアルケニル基（Ｓｉ−Ｖｉ）の数（ｎ_Ｖｉ）に対する前記ケイ素原子に結合した水素（Ｓｉ−Ｈ）の数（ｎ_Ｈ）の割合（ｎ_Ｈ／ｎ_Ｖｉ）は、１〜１．２である。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光透過性の基板５１と、基板５１の上面に積層され光を放出する活性層５
７を備える半導体物質層５３、５４と、基板５１の背面に相異なる厚さ分布に形成された
蛍光層５９と、を含む発光ダイオード。これにより、蛍光層の厚さを調節して発光層から
生成される光及びこの光が変化して生成される相異なる波長帯域の光の出射比率を調節し
て均一なプロファイルのホワイト光を発生できる。 （もっと読む）

【課題】組み立てが容易で、かつ軽量化が可能なランプおよび照明装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤランプ１００は、管状の筐体２００と、基板３０１と基板３０１に実装されたＬＥＤ３２１とを有しており、筐体２００の内部に設けられたＬＥＤモジュール３００とを備えており、筐体２００の内面には、対向して位置する２つの凹部４１０および凹部４２０が形成されており、基板３０１の両端部は、２つの凹部４１０および凹部４２０内に保持されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光に利用される基板を口金に容易に固定する。
【解決手段】ランプ１００は、口金２０１ａと、ＬＥＤ３２１の発光に利用される整流回路素子５３０が設けられた基板５１０とを備える。口金２０１ａは、弾性変形するように構成され、基板５１０の端部と係合する係合部２２０を含む。基板５１０は、該基板５１０の端部と係合部２２０とが係合することにより口金２０１ａに固定される。 （もっと読む）

【課題】チップの側面から放出される光を内部反射によって上部に放出できるようにして光抽出効率を極大化し、均一に形成されたチップの上部の蛍光体層によって均一な色品質の光を具現することができる発光素子パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数が互いに離隔して配置されるリードフレーム１０と、リードフレーム１０上に実装され、上部の光放出面２１と同一の面上にワイヤボンディングパッド２３を備えボンディングワイヤ２５を介してリードフレーム１０と電気的に連結される少なくとも一つの発光素子２０と、ワイヤボンディングパッド２３とボンディングワイヤ２５とを含んで発光素子２０とリードフレーム１０とを封止して支持し、光放出面２１が外部に露出されるように上面に反射穴３１を備える本体部３０と、本体部３０上に備えられて発光素子２０を覆うレンズ部４０とを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】封止部材に接続電極が直接形成されたＬＥＤ装置は、基板に形成した接続電極を封止部材側に転写するようにしていたので製造しづらかった。あわせて封止部材が樹脂であると水蒸気などガスが透過し蛍光体を劣化させることがあった。
【解決手段】接続電極１８上に、白色反射部材１７及びＬＥＤ素子１６、並びに蛍光体層１２、ガラス１１が積層している。ＬＥＤ素子１６はバンプ１５を備え、接続電極１８と接続している。白色反射部材１７は、ガラス１１とともにＬＥＤ素子１６を封止している。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ装置の封止体との界面において、クラックや剥離を生じにくいシリコーンレンズを提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子を封止する透明樹脂封止体を備えたＬＥＤ装置の、透明樹脂封止体に接着されるシリコーンレンズであって、レンズ部と透明樹脂封止体に接着される被接着面とを有し、被接着面に表面改質処理が施されているシリコーンレンズである。 （もっと読む）

【課題】単純で使用し易く、コーティング層の幾何形状および厚さがほぼ同一であるコーティングされた発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造を可能にする。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）１２２は、２つの反対にドープされた層の間に活性領域を備えている複数の半導体層、前記半導体層の１つの表面から到達可能な正及び負のコンタクト、前記活性領域は前記コンタクトに印加される電気信号に応じて光を放射し、及び、前記半導体層の表面を覆うマトリックス材料の共形のコーティング（前記コンタクトの少なくとも一部分は前記マトリックス材料により覆われていない）、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高電流通電時の電流の集中や光の吸収や多重反射を防ぐ補助電極を形成することにより、光の透過率と発光出力と信頼性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層する工程と、前記ｐ型半導体層上に、絶縁層と、ｐ型パッド部及び前記ｐ型パッド部から伸びた線状のｐ型補助電極部を有する金属からなるｐ型電極層と、を形成する工程と、前記ｐ型半導体層及び前記ｐ型電極層を覆うように透光性電極を形成する工程と、前記透光性電極上の前記ｐ型電極層の前記ｐ型パッド部に重なる位置に、前記ｐ型ボンディングパッド電極を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】部品点数の削減を実現し、以って発光デバイスのコンパクト化、低コスト化を実現可能な２端子ＬＥＤ発光デバイスに関する技術を提供する。
【解決手段】一対の端子１０１，１０２を介して駆動電流としての交流電流が供給されるＬＥＤ発光デバイス１０であって、発光波長域が相互に異なる第一及び第二のＬＥＤ素子１０３１,１０３２であって、夫々が一又は複数からなる第一のＬＥＤ素子１０３１と第
二のＬＥＤ素子１０３２とを逆極並列に接続して形成される並列ＬＥＤ素子群１０３を、更に複数直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成形性に優れ、なおかつトランスファー成形時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料および（Ｆ）カップリング剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成形温度が１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】単位ＬＥＤ素子を連結して構成したブロック型のＬＥＤ素子は、電極数が多くなるうえ負電極が小さいため実装性が悪い。
【解決手段】単位ＬＥＤ素子のｐ型半導体層１６ａ，１６ｂから露出するｎ型半導体層１７ａ，１７ｂの露出部１７ｃ，１７ｄは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの中央部にあり、負電極配線１９を介して第２保護膜１３上に形成されたカソード用バンプ電極１２と接続している。同様にｐ型半導体層１６ａ，１６ｂは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの４隅に形成された第１保護膜の開口部１５ａ〜ｄ、正電極配線１４を介して第２保護膜１３上に形成されたアノード用バンプ電極１１と接続している。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、更に脱泡性にも優れた光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記式（１Ａ）で表され、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第１のシリコーン樹脂（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く）と、下記式（５１Ａ）で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第１，第２のシリコーン樹脂におけるアリール基の含有比率はそれぞれ、３０モル％以上、７０モル％以下である。
【化１】
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