【課題】赤色発光波長を有して単色性に優れ、植物育成用の照明に好適であり、ガスや水分による劣化が防止できる発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、樹脂容器６１の凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部と、凹部６１ａの内側に設けられるとともに導体部と電気的に接続され、ｐｎ接合型の発光部を含む化合物半導体層を備えており、発光部が、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０＜Ｙ≦１）からなる積層構造を有する発光素子３０と、発光素子３０から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１において当該発光素子３０を封止する、エピスルフィド化合物とメルカプタン化合物の配合質量比が０．０２〜１．５の範囲とされた樹脂組成物からなる封止樹脂６５と、が備えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の垂直方向においても高い光取り出し効率が得られ、発光強度等の素子特性に優れた半導体発光素子及びその製造方法、並びに発光特性に優れたランプを提供する。
【解決手段】結晶成長面１２上に複数の凸部１３が設けられてなる主面１１を有する透明基板１０と、透明基板１０の主面１１上に形成された、少なくとも発光層を含む積層半導体層とを具備してなり、凸部１３が、第１薄膜１３Ａと、該第１薄膜１３Ａの屈折率とは異なる屈折率を有する第２薄膜１３Ｂとが交互に積層されてなる多層積層体から構成されている。 （もっと読む）

【課題】部品点数や加工工数の増加に伴うコストアップを招くことなく、ＬＥＤチップの熱劣化の発生を防ぐことができる発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】一対のリード線２，３の上端部が挿通する中空構造のガラス管マウント４の前記リード線２，３の先端部にＬＥＤチップ６をマウントし、上端が閉止されたガラス管の下面開口部周縁と前記ガラス管マウント４の下面開口部周縁とを融着することによってガラスバルブ５を形成し、該ガラスバルブ５によって前記ＬＥＤチップ６と前記ガラス管マウント４を気密に封止して発光ダイオード１を構成する。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続し駆動可能な発光ダイオードパッケージ。
【解決手段】傾斜した側壁を備えるリセスされたキャビティを有するパッケージ本体と、キャビティ内にそれぞれ離隔して配置される第１及び第２のリード電極と、上部にパッケージ本体が配置され、交流電源と接続される複数の電極と、キャビティ内に配置される発光素子と、それぞれ第１及び第２のリード電極と発光素子とを電気的に接続する第１及び第２のボンディングワイヤと、発光装置から放出された光の方向及び／または波長を変換する、蛍光体を含む第１のモールド部材と、発光素子と第１のモールド部材との間に配置される蛍光体を含まない第２のモールド部材と、を有し、発光素子は第１及び第２のリード電極から離隔して配置され、交流電源で、かつ１つの発光素子が駆動する電圧よりも高い電圧により駆動する発光ダイオードパッケージ。 （もっと読む）

【課題】外部コネクタの接続端子のメッキはがれが発生するのを抑制するとともに、挿抜力を維持することが可能な光学装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、発光素子と、打ち抜き加工により形成され、発光素子と電気的に接続されるリードフレーム２２および２３とを備える。リードフレーム２２および２３は、それぞれ、本体部２２ａおよび２３ａと、接続端子部２２ｂおよび２３ｂとを有する。そして、リードフレーム２２は、接続端子部２２ｂの切断面２２ｃと本体部２２ａの表面２２ｄとが平行になるように形成され、リードフレーム２３は、接続端子部２３ｂの切断面２３ｃと本体部２３ａの表面２３ｄとが平行になるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続し駆動可能な発光ダイオードパッケージ。
【解決手段】傾斜した側壁を備えるリセスされたキャビティを有するパッケージ本体と、キャビティ内にそれぞれ離隔して配置される第１及び第２のリード電極と、上部にパッケージ本体が配置され、交流電源と接続される複数の電極と、キャビティ内に配置され、金属を含むヒートシンクと、キャビティ内かつヒートシンク上に配置される発光素子と、それぞれ第１及び第２のリード電極と発光素子とを電気的に接続する第１及び第２のボンディングワイヤと、発光装置から放出された光の方向及び／または波長を変換する、蛍光体を含む第１のモールド部材とを有し、発光素子は第１及び第２のリード電極から離隔して配置され、交流電源で、１つの発光素子が駆動する電圧よりも高い電圧により駆動する発光ダイオードパッケージ。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）からの外部光抽出を改善し、より具体的には、ＩＩＩ族窒化物材料系において形成された白色発光ダイオードからの光抽出を改善すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、ＩＩＩ族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】ハウジング基体との結合が機械的負荷に対し著しく抵抗力がないような被覆材を使用するにもかかわらず被覆材とハウジング基体との間の層剥離の危険が低減されるような半導体コンポーネントを提供する。
【解決手段】放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う少なくとも１つの半導体チップ１を有し、半導体チップ１はハウジング基体３の凹所２内に配置され、凹所２は、内部に半導体チップ１が固定されるチップ収容部２１と、チップ収容部２１を凹所２内において少なくとも部分的に囲む溝２２とを有し、チップ収容部２１と溝２２との間にハウジング基体３は壁部２３を有し、その頂点はチップ収容部の底面から見て、ハウジング基体３の表面であってそこからハウジング基体３中への凹所２が続くハウジング基体３の表面のレベルの下にあり、被覆材４はチップ収容部２１から壁部を越え溝２２に掛かる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂で封止され、特に、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレームと一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続、実装し、前記プレモールドパッケージ内部を封止樹脂で封止する光半導体装置であって、前記リードフレームを、中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆したことを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】近紫外発光ＬＥＤと高発光効率で高輝度の緑色発光が可能な新規な緑色発光蛍光体とを組み合わせることにより新規な発光素子を提供する。
【解決手段】波長３５０〜４１０ｎｍの波長領域に発光ピークを有する紫外発光ダイオードと、一般式（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２−ｅ・Ｍ１・Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｅｕ_ｅで表されるユーロピウム（Ｅｕ）賦活緑色発光蛍光体を含む蛍光体層とを組み合わせて発光素子を構成する。その一般式中のＭ１は、ＭｇとＺｎとからなる群から選択された一種以上の元素であり、成分Ｓｒの組成比を示すｘ、およびＥｕの組成比を示すｅは、それぞれ０＜ｘ≦０．７、０．００１≦ｅ≦０．２である。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１と、その表面に形成されたＡｇめっき膜１２を介して、Ｇｅ：０．０６〜０．５ａｔ％およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有するＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３はスパッタリング法で形成されることにより、Ｇｅ，Ｂｉが表面に濃化して、耐熱性、耐ハロゲン化性、および耐硫化性を付与する。さらに、厚膜化し難いＡｇ合金膜１３の膜厚は２０〜５００ｎｍに制限し、Ａｇめっき膜１２との合計の厚さを０．６μｍ以上とすることにより、基板１１からＣｕが表面に拡散して変色することを防止する。 （もっと読む）

【課題】発光ピークの半値幅が狭く、発光特性に優れるＭｎ^４＋で付活されたフッ素錯体蛍光体の耐久性を向上させる。
【解決手段】蛍光体表面に存在する全元素に対する酸素元素が占める比率が、２％以上であることを特徴とする、Ｍｎ^４＋で付活されたフッ素錯体蛍光体。蛍光体表面に、少なくともＳｉを必須とする４価の金属元素を含有する酸化物、及びアルカリ土類金属元素を含有するフッ化物が存在することが好ましい。前記の少なくともＳｉを必須とする４価の金属元素を含有する酸化物としては、ＳｉＯ_２であることが好ましい。前記のアルカリ土類金属元素を含有するフッ化物としては、ＭｇＦ_２であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い正反射率を示し、拡散反射による光の損失を低減すると共に、反射膜とするＡｇの凝集や変色がなく、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で継続して利用することを可能とするＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１の表面に、膜厚０．４μｍ以上１０μｍ以下の光沢Ｎｉめっき膜１２を介して、膜厚２００ｎｍ以上５μｍ以下のＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３がＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％を含有し、表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質の半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム７０上に第一の樹脂８８及び第二の樹脂８５を順に積層したワークを個片化して形成される半導体パッケージの製造方法であって、ワークの第一の主面側から第二の樹脂８５と第一の樹脂８８の少なくとも一部とを切削刃７１を用いて切削する工程と、切削後のワークを反転させる工程と、ワークの第一の主面とは反対側の第二の主面側からリードフレーム７０と第一の樹脂８８の残りの一部とを切削刃７３を用いて切削する工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 耐久性の高い赤色蛍光体、及びその製造方法と、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】 式［Ｉ］で表される結晶相を含有する蛍光体であって、蛍光体粒子表面をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により分析した場合に検出される窒素原子量に対する酸素原子量の比（Ｏ／Ｎ比）が２．０以上であることを特徴とする蛍光体。
Ｍ_２-２xＥｕ_２ｘＳｉ_５Ｎ_８ [Ｉ]
（式［Ｉ］中、 Ｍは少なくともＳｒを含有するアルカリ土類金属元素を示し、ｘは０＜
ｘ＜１で表される範囲の数値を示す。） （もっと読む）

発光粒子は、雰囲気中に存在する成分と反応する発光化合物を含む発光粒子の内部部分と、発光化合物と雰囲気中に存在する成分との間の反応を抑制するように作動可能な発光粒子の外面上の不動態化層とを含む。 （もっと読む）

本発明は光抽出粗面構造を有する発光ダイオード装置を開示する。当該装置は、リードフレームと、リードフレームに提供されると共にリードフレームに電気接続される１又は複数の発光ダイオードチップと、１又は複数の発光ダイオードチップを封入するように構成されたレンズとを備える。このレンズは微細粗目構造の表面を有する。レンズの微細粗目構造は、０．１μｍから５０μｍの間の粗度を有する。また、本発明は、光抽出粗面構造を有する発光ダイオード装置の製造方法をも開示する。 （もっと読む）

【課題】１価元素と４価元素の三元素の窒化物を母体結晶とし、青色光又は近紫外光に対する変換効率及び色純度に優れた新規蛍光体と、この窒化物蛍光体を、金属シリコンを原料として、特殊な高圧装置を用いることなく、また、過度な高温処理を必要とすることなく、安定に製造する方法を提供する。
【解決手段】下記式［１］で表される蛍光体。この蛍光体を、Ｎａ源としてＮａ金属を、Ｓｉ源としてＳｉ金属を、Ｎ源としてＮａＮ_３、ＬｉＮ_３及びＮ_２ガスのいずれかを用い、これらの原料を付活元素Ｑとともに反応容器へ仕込んだ後、加熱することにより製造する。
Ｍ^ＩＭ^ＩＶ_２Ｎ_３：Ｑ ・・・［１］
（Ｍ^ＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓの金属元素。Ｍ^ＩＶは周期表第４族又は第１４族に属する４価の金属元素。ＱはＭｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの元素。） （もっと読む）