電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。
【解決手段】半導体薄膜（２０）が基板（１１）上にあるときに、複数の半導体薄膜（２０）を互いに連結して支持するための連結支持体（９０）を設ける。連結支持体（９０）は、シート状部分（９１）と、シート状部分（９１）と半導体薄膜（２０）との間に空隙を設けるためのスペーサ部（９２）とを備えており、この隙間（２０）が、基板（１１）の面に平行な方向にエッチング液を通過させる。 （もっと読む）

【課題】高効率で、軽量で、フレキシブルな太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池の製造方法は、ガラス基板(11)上に塩化ナトリウム層(12)を形成し、その上に太陽電池層(20)を形成する。太陽電池層は、Mo層と、Cu(In,Ga)Se₂（CIGS）層と、CdS層と、ZnO層とを含む。太陽電池層の上に接着剤層(15)を介して透明フィルム層(16)を貼り付ける。積層体が形成されたガラス基板を水に浸漬して、塩化ナトリウム層を水に溶解して、二酸化珪素層と、太陽電池層と、接着剤層と、ポリマーフィルム層からなる積層体をガラス基板から剥離するステップを備える。更に、積層体の二酸化珪素層の側に、接着剤(17)を介してポリマーフィルム(18)を貼り付けるステップを備える。
リフトオフ層を形成した後、リフトオフ層の外周部を保護層で保護し、太陽電池層を形成しした後、保護層を除去するステップを備えることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温プロセスを用いて機能性膜を形成することが可能であり、汎用性が高く、簡易で実用的な機能性膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、特定のエッチング液により選択的にエッチングされる第１の犠牲層を基板上に直接又は間接的に形成する工程と、熱又は物理的作用力に対する耐性が第１の犠牲層よりも弱い第２の犠牲層を第１の犠牲層上に形成する工程と、第１及び第２の犠牲層が形成された基板上に、機能性材料によって機能性膜を形成する工程と、第２の犠牲層に熱及び／又は物理的作用力を加えて第２の犠牲層を部分的に除去することにより、特定のエッチング液を第１の犠牲層に到達させる通過孔、クラック、又は隙間を形成する工程と、特定のエッチング液を用いて、通過孔等を介して第１の犠牲層をエッチングすることにより、第１及び第２の犠牲層と第２の犠牲層の上の機能性膜とを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 安価なスクリーンマスク、ディスペンサ等を用いて、簡便な工程で、基板にポジパターンを形成する方法及びその方法で使用されるネガパターン形成用組成物を提供するものである。さらに、ネガパターンを溶解した水の特別な処理設備を必要としないネガパターン形成用組成物を提供するものである。
【解決手段】 基板にポジパターンを形成する方法であって、ネガパターン形成用組成物を用いて基板にネガパターンを形成し、これを乾燥させる工程と、ネガパターンの上から、ネガパターンとの接触角が１５°以上で、基板との接触角が９０°以下であり、かつネガパターンとの接触角が基板との接触角より大きい重合硬化性組成物を塗布し、ネガパターン以外の基板全体にポジパターンを形成し、これを硬化する工程と、ネガパターンを水で溶解する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】導波路リッジの上表面で半導体層と電極層との接触面積の減少を防ぎ半導体層のエッチング損傷を防止する。
【解決手段】半導体積層構造の表面に、導波路リッジ４０に対応したストライプ状レジスト膜部分を備えたレジストパターン７６を形成し、これをマスクとしてドライエッチングによりチャネル３８を形成して導波路リッジ４０を形成し、レジストパターン７６を残した導波路リッジとチャネルとを含む半導体積層構造の表面にＳｉＯ_２膜７８を形成し、エッチングによりチャネル底面のＳｉＯ_２膜７８と導波路リッジ４０頂部のＳｉＯ_２膜７８とを残しつつ導波路リッジ側面のＳｉＯ_２膜７８を除去し、導波路リッジ側壁を露呈させ、リフトオフ法によりレジストパターン７６とこの上に残っているＳｉＯ_２膜７８を除去し、露呈した導波路リッジ頂部および側壁の表面上に電極層４６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）

半導体素子を製造する方法は、不揮発性メモリ用の第１部分（１６）と第１部分（１６）を除く第２部分（１８）とを有する半導体層（１２）を備えた基板（１２）を提供することを含む。半導体層上には第１の誘電体層（１４）が形成される。第１の誘電体層上でプラズマ窒化が行なわれる。第１部分上には第１の複数のナノクラスター（２０）が、第２部分上には第２の複数のナノクラスター（２８）が形成される。第２の複数のナノクラスターは除去され、半導体層上に第２の誘電体層（３８）が形成され、第２の誘電体層上に導電層（４０）が形成される。
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【課題】基板上に金属窒化物層を介して選択成長した高性能の化合物半導体素子を得るとともに、素子を基板及び金属窒化物層から容易に分離できるようにすることを課題とする。
【解決手段】単結晶基板上に金属窒化物層を形成し、その上に多様な方法で任意の形態のパターンを形成して制限された金属窒化物層上でだけIII−Ｖ族窒化物半導体あるいはＬＥＤ構造を選択成長し、ＬＥＤ構造の上に金属電極形成と電気メッキによる金属支持層を形成した後エッチング溶液注入口を利用したＣＬＯにより最初の単結晶基板とＬＥＤ素子を分離することである。 （もっと読む）

【課題】基板から有機フィルムを容易且つ良好に除去することができるフィルム除去方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に接着剤１５０によって接着された有機フィルム１４０を基板から除去するフィルム除去方法であって、有機フィルム及び接着材を過酸化水素水２００に所定時間浸漬した後に、有機フィルムを基板から引き剥がすことで、有機フィルムを基板から除去する。 （もっと読む）

薄膜キャパシタを形成する方法が提供される。この方法は、第１の電極上の誘電体薄膜のゾル・ゲルパターニング、所望でない誘電体薄膜のリフトオフ除去、及び誘電体薄膜と第２の電極との結合を含む。薄膜キャパシタは、その特性寸法によって定められる直線に沿って、実質的に均一な熱変性されたモルフォロジーを示す。このような薄膜キャパシタを含む計算システムも開示される。
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【課題】通常のレジスト材料を用いて、フォトマスクを使用することなくレジストパターンを形成し、パターニングを行うパターニング基板製造方法を提供する。
【解決手段】表面を所望のパターンに加工すべき基板１０上、１１に、基板の表面とは異なる表面エネルギーを有する薄膜１２を所定の形状に形成し、基板の全面に樹脂材料を塗布することにより、薄膜１２が形成されていない部分に樹脂材料膜１３を形成し、樹脂材料膜１３をマスクとして、基板１０，１１をエッチングした後、樹脂材料膜１３を除去する。これにより、樹脂材料を塗布するのみで所定のパターンに形成できるため、これをマスクとしてエッチングを行うことによりパターニングできる。 （もっと読む）

【課題】 加圧することにより溶剤を被加工試料に強制的に浸透せしめるリフトオフ加工方法およびリフトオフ加工装置を提供することで、従来の技法では不可能であった微細構造においてもリフトオフ加工の実施を可能とする。
【解決手段】 被加工試料Ｗを溶剤Ｇに浸し、加圧することのできる密閉容器１と、該密閉容器１内を加圧する加圧手段２とを備えてなり、被加工試料Ｗが溶剤Ｇに浸した状態で密閉容器１内に入れられ、加圧手段２を用いて加圧されるようにして、常圧では浸透できない被加工試料Ｗの狭隘な隙間まで溶剤Ｇが押し込まれ、リフトオフ試料物であるレジストマスクを膨潤させることができるようにし、微小なパターンでもリフトオフが可能となるようにしている。 （もっと読む）

【課題】段差の上段と下段とを接続する、従来よりも傾斜の緩やかな傾斜面の形成方法を提供する。
【解決手段】上面１４と、主面１１ａと、側面１６とを有する段差構造を備えていて、側面から内部へと両平面にわたる深さの凹溝２２が形成されている下地１３を用意する第１工程と、下地上に凹溝を通り、かつ、上面及び主面の間にわたって、粘性流体を塗布することによって、粘性流体塗布層２４であって、凹溝中における粘性流体塗布層の表面が、上面側から主面側に向かうにつれて高さが低くなる傾斜面２６を有する粘性流体塗布層を形成する第２工程と、粘性流体塗布層を凹溝中の傾斜面を残すようにパターニングする第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜法を用いた方法であって、厚みが大きくパターン化された材料層を、容易にその側面が基板となす角度を垂直等の任意の角度とすることのできる方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に、中間樹脂層２２を有するレジスト層２を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層２に所定のパターンを露光する露光工程と、基板１が露出するトレンチを形成するとともに当該トレンチ側面に溝２３が形成されるように中間樹脂層２２を除去して、レジストフレームを形成する現像工程と、材料パターン部分３１及び被リフトオフ部分３２を有する真空成膜層３を真空成膜法により形成する真空成膜工程と、被リフトオフ部分３２をレジストフレームとともに除去して、材料パターン部分３１を有する材料パターンを得るリフトオフ工程とを備える、パターン化された材料層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 剥離液によるレジストリフトオフ後に露出した化合物半導体にダメージを与えることなく、剥離液やレジスト残渣等の有機残留物を効果的に除去できる基板表面処理方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体層を表面に有した半導体基板上にレジストパターンをマスクとしてゲート部を成膜し、前記レジストパターンを剥離液により除去した後に、基板表面を、オゾン濃度が１５ｐｐｍ以下であり、基板表面に露出する化合物半導体層および配線層の金属に応じてｐＨおよびＯＲＰを調整したオゾン水を用いて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に付着又は形成した不要物を処理液で除去しながらリンス液で洗い流す際に液滴及びミストの飛散を防止して不要物を効率的に除去することが可能なコンパクト化された基板の処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】 基板１１の表面の不要物を除去する基板の処理装置１０は、基板１１を保持して回転する回転駆動手段１２と、基板１１の上方に移動可能に設けられ、回転している基板１１の表面に不要物を除去する処理液を噴射する噴射ノズル１３と、回転している基板１１の表面を洗うリンス液を供給するリンスノズル１５と、基板１１の上方に移動可能に設けられ、回転している基板１１の表面を流れるリンス液を押し退け、リンス液が噴射ノズル１３から噴射された処理液に衝突するのを防止する気体を吹き付ける気体吐出ノズル１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンをエッチングにより形成する際のエッチング残渣を有効に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングされる材料層１８上にパターニングされたマスク層２０を形成し、マスク層２０をマスクとして材料層１８をエッチングして材料層１８をパターニングし、第１の温度でのドライ処理により、マスク層２０の表面側を除去し、残存したマスク層２０を、第１の温度よりも低い第２の温度でのウエット処理により除去して、マスク層２０上に乗っている欠片２２ａをリフトオフして除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化イリジウムのナノ構造が、好適に、基板上に選択的に形成され、またはパターン化される方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、第１の領域と第２の領域とが隣接する基板を形成すること、第１の領域の上に重なる連続的なＩｒＯｘ膜からＩｒＯｘナノ構造を成長させること（７０４）、第２の領域の上に重なる非連続的なＩｒＯｘ膜からＩｒＯｘナノ構造を同時に成長させること（７０６）、非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲を選択的にエッチングすること（７０８）、第２の領域の上に重なるＩｒＯｘナノ構造をリフトオフすること（７１０）を含む。典型的に、第１の領域は第１の材料から形成され、第２の領域は第１の材料と異なる第２の材料から形成される。非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲の選択的なエッチングは、ＩｒＯｘより第２の材料とよく反応するエッチャントに基板をさらすことを含む。 （もっと読む）