フィルム除去方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
【課題】基板から有機フィルムを容易且つ良好に除去することができるフィルム除去方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に接着剤１５０によって接着された有機フィルム１４０を基板から除去するフィルム除去方法であって、有機フィルム及び接着材を過酸化水素水２００に所定時間浸漬した後に、有機フィルムを基板から引き剥がすことで、有機フィルムを基板から除去する。
【解決手段】基板３０上に接着剤１５０によって接着された有機フィルム１４０を基板から除去するフィルム除去方法であって、有機フィルム及び接着材を過酸化水素水２００に所定時間浸漬した後に、有機フィルムを基板から引き剥がすことで、有機フィルムを基板から除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機フィルムを基板から除去するフィルム除去方法及び液滴を吐出する液体噴射ヘッドの製造方法、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面の圧電体層を形成して、圧電体層の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表的な例であるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成されるシリコン基板からなる流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接着されて圧電素子を封止する圧電素子保持部を有する封止基板（保護基板）とを有するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載されているように、インクジェット式記録ヘッドの製造方法としては、次のような方法がある。具体的には、まず流路形成基板が複数一体的に形成されるシリコンウェハの一方面に振動板を介して圧電素子を形成し、このシリコンウェハに封止基板となる封止基板形成材を接合する。次いで、封止基形成材の表面に、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム等からなる封止シートを貼着し、当該封止基板形成材の表面をこの封止シートで封止する。このとき、封止シートの周縁部のみが、接着剤によって封止基板形成材に貼着されるようにする。そして、封止シートが封止基板形成材に貼着された状態で、シリコンウェハをアルカリ溶液でウェットエッチングすることにより圧力発生室等を形成する。その後、封止シートを接着剤の内側で切断して、封止シートを封止基板形成材から除去し、シリコンウェハを所定のチップサイズに分割することにより、インクジェット式記録ヘッドが製造される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３４５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、上述したようにシリコンウェハをエッチングして圧力発生室等を形成する際には、封止基板形成材がエッチングされてしまうのを防止したり、封止基板形成材に形成された貫通孔を介して圧電素子にエッチング液が付着してしまう等の問題を未然に防止するために、一般的に、封止基板形成材の表面に封止シートが貼着される。
【０００６】
そして、この封止シートは、特許文献１に記載されているように、例えば、切断することによって除去することもできる。しかしながら、その後に、例えば、予め形成されたブレークパターンに沿ってシリコンウェハを分割しようとすると、シリコンウェハの周縁部でブレーク性が低下するため、チップ部分（製品部分）にクラックが発生してシリコンウェハを所望の形状に分割することができない場合がある。また、特許文献１に記載されているように、シリコンウェハの周縁部をダイシングにより切断することもあるが、この場合には、ダイシング工程で発生した汚れ（異物）が圧力発生室等の流路内に入り込み、ノズル詰まりを起こす虞がある。
【０００７】
なお、このような封止シートを除去する際に生じる問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造時だけでなく、フィルムを基板から除去するあらゆる場合に生じる虞がある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、基板から有機フィルムを容易且つ良好に除去することができるフィルム除去方法を提供することを目的とする。また、圧力発生室を良好に形成できると共に吐出不良の発生を防止でき、歩留まりを向上することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板上に接着剤によって接着された有機フィルムを前記基板から除去するフィルム除去方法であって、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に所定時間浸漬した後に、前記有機フィルムを前記基板から引き剥がすようにしたことを特徴とするフィルム除去方法にある。
かかる第１の態様では、過酸化水素水が接着剤に浸透したせいか、有機フィルムを接着剤の界面から比較的容易に且つ短時間で剥離させて基板から除去することができる。また、有機フィルムを基板から剥離させた際に、当該有機フィルムが基板上に部分的に残存してしまうことを抑制することができる。
【００１０】
本発明の第２の態様は、前記有機フィルムがポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）であることを特徴とする第１の態様のフィルム除去方法にある。
かかる第２の態様では、有機フィルムとしてポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）を用いた場合には、有機フィルムをより確実に剥離させることができる。
【００１１】
本発明の第３の態様は、前記接着剤がエポキシ系の接着剤であることを特徴とする第１又は２の態様のフィルム除去方法にある。
かかる第３の態様では、接着剤としてエポキシ系の材料を用いることで、有機フィルムを確実に接着できると共に、有機フィルムをより確実に剥離させることができる。
【００１２】
本発明の第４の態様は、前記過酸化水素水の温度が、８０℃以上１００℃未満であることを特徴とする第１〜３の何れかの態様のフィルム除去方法にある。
かかる第４の態様では、過酸化水素水の温度を比較的高くすることで、有機フィルムをより確実に剥離させることができる。
【００１３】
本発明の第５の態様は、前記基板の表面にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする第１〜４の何れかの態様のフィルム除去方法にある。
かかる第５の態様では、基板の表面にシリコン酸化膜が形成されていることで、接着剤は基板に密着された状態になり、有機フィルムを接着剤との界面からより確実に剥離させることができる。
【００１４】
本発明の第６の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成される流路形成基板と、該流路形成基板上に前記圧力発生室に圧力を付与する圧力発生素子とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板が一体的に形成される流路形成基板用ウェハ上に前記圧力発生素子を形成する工程と、前記圧力発生素子を保護する圧力発生素子保持部を有する保護基板が一体的に形成される保護基板用ウェハを前記流路形成基板用ウェハ上に接合する工程と、有機フィルムを前記保護基板用ウェハの前記流路形成基板用ウェハ側の面とは反対側の表面に接着剤によって接着する工程と、前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する工程と、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に一定時間浸漬させた後に当該有機フィルムを前記保護基板用ウェハから引き剥がす工程と、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを所定の大きさに分割する工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、有機フィルムによって保護基板用ウェハの流路形成基板用ウェハ側の面とは反対側の表面を覆った状態で、流路形成基板用ウェハに圧力発生室等の液体流路を形成することで、液体流路形成時に異物が発生するのを防止することができる。また、液体流路を形成した後、有機フィルムを比較的容易に且つ短時間で剥離させて保護基板用ウェハから除去することができるため、有機フィルムが保護基板用ウェハに残ってしまうことなどの影響を受けることないので流路形成基板用ウェハ等を良好に分割することができる。すなわち、流路形成基板用ウェハ等を分割する際に、流路形成基板用ウェハ等に割れ等が生じて異物が発生するのを防止することができる。このように製造過程における異物の発生を防止することができるため、異物によるノズル詰まりの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
本実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて、本発明を説明する。まずは、本発明の製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドの構成について説明する。図１は、実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。
【００１６】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では結晶面方位が（１１０）であるシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、隔壁１１によって区画され各圧力発生室１２に連通するインク供給路１３と連通路１４とが設けられている。さらに、連通路１４の外側には、各連通路１４と連通する連通部１５が設けられている。この連通部１５は、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通して、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する。
【００１７】
なお、流路形成基板１０は、図３に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０に複数個が一体的に形成され、詳しくは後述するが、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等を形成した後、この流路形成基板用ウェハ１１０を分割することによって形成される。
【００１８】
流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１３とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、圧力発生室１２を形成する際のマスクとして用いられる絶縁膜５１を介して、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。
【００１９】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、下電極膜６０と圧電体層７０と上電極膜８０とからなる圧力発生素子としての圧電素子３００が形成されている。また、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０には、リード電極９０がそれぞれ接続されている。本実施形態では、各リード電極９０は、例えば、金（Ａｕ）等からなり、上電極膜８０のインク供給路１３側の端部近傍から絶縁体膜５５上にまで延設されている。
【００２０】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、下電極膜６０、弾性膜５０及びリード電極９０上には、圧電素子３００を保護するための圧電素子保持部３１（圧力発生素子保持部の一種）を有する保護基板３０が、例えば、接着剤３５によって接合されている。ここで圧電素子保持部３１は密封されていても密封されていなくてもよい。また、保護基板３０には、複数の圧力発生室１２に供給するインクが貯留されるリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられている。また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられており、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、この貫通孔３３内に露出されている。
【００２１】
このような保護基板３０の材料は、特に限定されないが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス材料、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料であるシリコン単結晶基板を用いている。
【００２２】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっており、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し圧電素子３００を撓み変形させることによって、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出される。
【００２４】
以下、このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法について説明する。なお、図４〜図７は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を説明する図であり、圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００２５】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５２を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、ジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。次いで、図４（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００２６】
次に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウム（Ｉｒ）からなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、圧電体層７０及び上電極膜８０をパターニングして、図４（ｄ）に示すように、各圧力発生室１２となる領域に圧電素子３００を形成する。次いで、図５（ａ）に示すように、リード電極９０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って形成すると共に圧電素子３００毎にパターニングする。次に、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。この保護基板用ウェハ１３０の表面にシリコン酸化膜を形成することで後に説明する接着剤の密着性を向上させている。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００２７】
次に、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチング、例えば、スピンエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みまで薄くする。次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる絶縁膜５１を新たに形成し、この絶縁膜５１を所定形状にパターニングする。
【００２８】
次に、図６（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面に、例えば、ポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）等の有機フィルム１４０を接着剤１５０によって接着することにより、保護基板用ウェハ１３０の表面をこの有機フィルム１４０で覆う。すなわち、保護基板用ウェハ１３０を厚さ方向に貫通して形成されているリザーバ部３２等の空間が有機フィルム１４０によって完全に封止されるようにする。このとき、有機フィルム１４０は、保護基板用ウェハ１３０の周縁部のみに接着剤１５０によって接着し、保護基板３０となる領域には接着されないようにするのが好ましい。また、有機フィルム１４０の接着剤１５０よりも内側の領域では、保護基板用ウェハ１３０と有機フィルム１４０との間に空間が確保されているようにするのが望ましい。
【００２９】
なお、ここでいう保護基板用ウェハ１３０の周縁部とは、保護基板用ウェハ１３０の表面の周縁部はもちろん、流路形成基板用ウェハ１１０又は保護基板用ウェハ１３０の外周面を含む。すなわち、有機フィルム１４０は、保護基板用ウェハ１３０の表面の周縁部に限らず、保護基板用ウェハ１３０の外周面、または流路形成基板用ウェハ１１０の外周面に接着されていてもよい。
【００３０】
また、有機フィルム１４０と保護基板用ウェハ１３０とを接着するための接着剤１５０は、特に限定されないが、エポキシ系の接着剤であることが好ましい。また、接着剤１５０は、有機フィルム１４０又は保護基板用ウェハ１３０の何れに塗布してもよい。接着剤の塗布方法も特に限定されず、有機フィルム１４０に塗布する場合には、例えば、フィルム転写方法等を用いればよい。保護基板用ウェハ１３０に塗布する場合には、例えば、ディスペンサ等により直接塗布するようにすればよい。
【００３１】
また、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の加工工程（図５（ｃ））においては、保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面に接着剤１５０や有機フィルム１４０が設けられていない状態で、流路形成基板用ウェハ１１０を加工するようにしている。接着剤１５０や有機フィルム１４０は柔軟性のある部材であるため、上記加工工程時に保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面に接着剤１５０や有機フィルム１４０が設けられていると、流路形成基板用ウェハ１１０を均一に研磨できない虞があるからである。具体的には、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０を加工台に保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面を当接するように戴置させて研磨する際に、流路形成基板用ウェハ１１０ががたつきやすくなり、均一な研磨ができなくなる虞があるためである。
【００３２】
そして、この絶縁膜５１をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５を形成する。このとき、保護基板用ウェハ１３０の表面は有機フィルム１４０によって覆われて流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側の面全面に形成されているため、流路形成基板用ウェハ１１０又は圧電素子３００がエッチング液によって破壊されるのを確実に防止することができる。
【００３３】
なお、有機フィルム１４０は、有機系であればよいが、ポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）フィルムからなることが好ましい。ＰＰＴＡフィルムは、シリコンウェハと略同等の熱膨張係数を有するため、流路形成基板用ウェハ１１０のエッチング時等に発生する熱により各ウェハ１１０，１３０に反りが生じることがない。したがって、圧力発生室１２等をエッチングにより高精度に形成することができ、良好な吐出特性が得られるインクジェット式記録ヘッドを実現することができる。
【００３４】
具体的には、流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングする際には、各ウェハ１１０，１３０及び有機フィルム１４０は、約８０℃程度まで加熱されるためこの熱によって膨張してしまう。このため、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０と有機フィルム１４０との線膨張係数が大きく異なると、その膨張率の違いによって各ウェハ１１０，１３０が変形して割れてしまう虞がある。
【００３５】
また、例えば、この熱によって有機フィルム１４０を接着している接着剤１５０が一旦軟化する場合がある。この場合には、有機フィルム１４０は熱により膨張した状態で保護基板用ウェハ１３０に固定されてしまい、エッチング終了後に各ウェハ１１０，１３０及び有機フィルム１４０が冷却されて収縮する際に、各ウェハ１１０，１３０が変形して割れてしまう虞がある。
【００３６】
しかしながら、ポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）フィルムの線膨張係数は２．０×１０−６／℃であり、シリコンウェハの線膨張係数（３．０×１０−６／℃）と略同等であるため、加熱又は冷却により各ウェハ１１０，１３０及び有機フィルム１４０はほぼ同じ量だけ膨張又は収縮することになり、各ウェハ１１０，１３０に反り等の変形が生じることはない。
【００３７】
次に、図７（ａ）に示すように、有機フィルム１４０及び接着剤１５０を、過酸化水素水２００に所定時間浸漬させる。この過酸化水素水２００の濃度は、特に限定されないが、３０％程度であるとその剥離性にかかる効果が向上する。また、過酸化水素水２００の温度は、比較的高いことが好ましく、具体的には、８０℃以上１００℃未満であることが好ましい。さらに、浸漬時間は、過酸化水素水２００の濃度、温度等の条件によって異なるが、少なくとも１時間以上とするのが好ましい。これにより、接着剤１５０に過酸化水素水２００が十分浸透するためか、有機フィルム１４０と接着剤１５０との界面での密着力が低下する。したがって、図７（ｂ）に示すように、有機フィルム１４０を引き剥がすことにより、有機フィルム１４０が接着剤１５０との界面で比較的容易に且つ短時間で剥離させることができる。尚、保護基板用ウェハ１３０は上述したようにシリコンウェハであり、その表面にはシリコン酸化膜（図示なし）が形成されている。保護基板用ウェハ１３０の表面にシリコン酸化膜が形成されていることで、保護基板用ウェハ１３０に対する接着剤１５０の密着性が向上し、有機フィルム１４０を剥離する際に接着剤１５０が有機フィルム１４０に引っ張られて接着剤１５０から有機フィルム１４０を剥離できないということがなくなる。よって、有機フィルム１４０を保護基板用ウェハ１３０から容易且つ確実に除去することができる。なお、有機フィルム１４０及び接着剤１５０を過酸化水素水２００に浸漬させても、保護基板用ウェハ１３０と有機フィルム１４０との間の空間に過酸化水素水２００が入り込むことはない。
【００３８】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０に予め形成されているブレークパターン（図示なし）に沿って、これらのウェハ１１０，１３０を分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００３９】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さに加工する加工工程の後に、保護基板用ウェハ１３０に有機フィルム１４０を接着するようにしたが、これに限定されず、勿論、上記加工工程の前に、保護基板用ウェハ１３０に有機フィルム１４０を接着するようにしてもよい。何れにしても、流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングして圧力発生室１２等を形成する前に、有機フィルム１４０が保護基板用ウェハ１３０に接着されていればよい。また、上記加工工程は、勿論、実施しなくてもよい。
【００４０】
また、上述した実施形態においては、圧力発生素子として圧電素子を有するインクジェット式記録ヘッドを例示したが、圧力発生素子の形態は特に限定されず、いわゆる静電式アクチュエータ等を用いたものでもよい。
【００４１】
また、上述した実施形態においては、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を一例として本発明を説明したが、これに限定されず、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４２】
また、上述の実施形態では、液体噴射ヘッドの製造方法について説明したが、勿論、本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法だけでなく、基板上に接着剤によって接着された有機フィルムを基板から除去するあらゆる場合に適用可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る流路形成基板用ウェハを示す斜視図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０ 流路形成基板、 １２ 圧力発生室、 １３ インク供給路、 １４ 連通路、 １５ 連通部、 ２０ ノズルプレート、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板、 ５０ 弾性膜、 ６０ 下電極膜、 ７０ 圧電体層、 ８０ 上電極膜、 １１０ 流路形成基板用ウェハ、 １３０ 保護基板用ウェハ、 １４０ 有機フィルム、 １５０ 接着剤、 ２００ 過酸化水素水、 ３００ 圧電素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機フィルムを基板から除去するフィルム除去方法及び液滴を吐出する液体噴射ヘッドの製造方法、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面の圧電体層を形成して、圧電体層の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表的な例であるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成されるシリコン基板からなる流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接着されて圧電素子を封止する圧電素子保持部を有する封止基板（保護基板）とを有するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載されているように、インクジェット式記録ヘッドの製造方法としては、次のような方法がある。具体的には、まず流路形成基板が複数一体的に形成されるシリコンウェハの一方面に振動板を介して圧電素子を形成し、このシリコンウェハに封止基板となる封止基板形成材を接合する。次いで、封止基形成材の表面に、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム等からなる封止シートを貼着し、当該封止基板形成材の表面をこの封止シートで封止する。このとき、封止シートの周縁部のみが、接着剤によって封止基板形成材に貼着されるようにする。そして、封止シートが封止基板形成材に貼着された状態で、シリコンウェハをアルカリ溶液でウェットエッチングすることにより圧力発生室等を形成する。その後、封止シートを接着剤の内側で切断して、封止シートを封止基板形成材から除去し、シリコンウェハを所定のチップサイズに分割することにより、インクジェット式記録ヘッドが製造される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３４５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、上述したようにシリコンウェハをエッチングして圧力発生室等を形成する際には、封止基板形成材がエッチングされてしまうのを防止したり、封止基板形成材に形成された貫通孔を介して圧電素子にエッチング液が付着してしまう等の問題を未然に防止するために、一般的に、封止基板形成材の表面に封止シートが貼着される。
【０００６】
そして、この封止シートは、特許文献１に記載されているように、例えば、切断することによって除去することもできる。しかしながら、その後に、例えば、予め形成されたブレークパターンに沿ってシリコンウェハを分割しようとすると、シリコンウェハの周縁部でブレーク性が低下するため、チップ部分（製品部分）にクラックが発生してシリコンウェハを所望の形状に分割することができない場合がある。また、特許文献１に記載されているように、シリコンウェハの周縁部をダイシングにより切断することもあるが、この場合には、ダイシング工程で発生した汚れ（異物）が圧力発生室等の流路内に入り込み、ノズル詰まりを起こす虞がある。
【０００７】
なお、このような封止シートを除去する際に生じる問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造時だけでなく、フィルムを基板から除去するあらゆる場合に生じる虞がある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、基板から有機フィルムを容易且つ良好に除去することができるフィルム除去方法を提供することを目的とする。また、圧力発生室を良好に形成できると共に吐出不良の発生を防止でき、歩留まりを向上することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板上に接着剤によって接着された有機フィルムを前記基板から除去するフィルム除去方法であって、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に所定時間浸漬した後に、前記有機フィルムを前記基板から引き剥がすようにしたことを特徴とするフィルム除去方法にある。
かかる第１の態様では、過酸化水素水が接着剤に浸透したせいか、有機フィルムを接着剤の界面から比較的容易に且つ短時間で剥離させて基板から除去することができる。また、有機フィルムを基板から剥離させた際に、当該有機フィルムが基板上に部分的に残存してしまうことを抑制することができる。
【００１０】
本発明の第２の態様は、前記有機フィルムがポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）であることを特徴とする第１の態様のフィルム除去方法にある。
かかる第２の態様では、有機フィルムとしてポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）を用いた場合には、有機フィルムをより確実に剥離させることができる。
【００１１】
本発明の第３の態様は、前記接着剤がエポキシ系の接着剤であることを特徴とする第１又は２の態様のフィルム除去方法にある。
かかる第３の態様では、接着剤としてエポキシ系の材料を用いることで、有機フィルムを確実に接着できると共に、有機フィルムをより確実に剥離させることができる。
【００１２】
本発明の第４の態様は、前記過酸化水素水の温度が、８０℃以上１００℃未満であることを特徴とする第１〜３の何れかの態様のフィルム除去方法にある。
かかる第４の態様では、過酸化水素水の温度を比較的高くすることで、有機フィルムをより確実に剥離させることができる。
【００１３】
本発明の第５の態様は、前記基板の表面にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする第１〜４の何れかの態様のフィルム除去方法にある。
かかる第５の態様では、基板の表面にシリコン酸化膜が形成されていることで、接着剤は基板に密着された状態になり、有機フィルムを接着剤との界面からより確実に剥離させることができる。
【００１４】
本発明の第６の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成される流路形成基板と、該流路形成基板上に前記圧力発生室に圧力を付与する圧力発生素子とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板が一体的に形成される流路形成基板用ウェハ上に前記圧力発生素子を形成する工程と、前記圧力発生素子を保護する圧力発生素子保持部を有する保護基板が一体的に形成される保護基板用ウェハを前記流路形成基板用ウェハ上に接合する工程と、有機フィルムを前記保護基板用ウェハの前記流路形成基板用ウェハ側の面とは反対側の表面に接着剤によって接着する工程と、前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する工程と、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に一定時間浸漬させた後に当該有機フィルムを前記保護基板用ウェハから引き剥がす工程と、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを所定の大きさに分割する工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、有機フィルムによって保護基板用ウェハの流路形成基板用ウェハ側の面とは反対側の表面を覆った状態で、流路形成基板用ウェハに圧力発生室等の液体流路を形成することで、液体流路形成時に異物が発生するのを防止することができる。また、液体流路を形成した後、有機フィルムを比較的容易に且つ短時間で剥離させて保護基板用ウェハから除去することができるため、有機フィルムが保護基板用ウェハに残ってしまうことなどの影響を受けることないので流路形成基板用ウェハ等を良好に分割することができる。すなわち、流路形成基板用ウェハ等を分割する際に、流路形成基板用ウェハ等に割れ等が生じて異物が発生するのを防止することができる。このように製造過程における異物の発生を防止することができるため、異物によるノズル詰まりの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
本実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて、本発明を説明する。まずは、本発明の製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドの構成について説明する。図１は、実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。
【００１６】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では結晶面方位が（１１０）であるシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、隔壁１１によって区画され各圧力発生室１２に連通するインク供給路１３と連通路１４とが設けられている。さらに、連通路１４の外側には、各連通路１４と連通する連通部１５が設けられている。この連通部１５は、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通して、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する。
【００１７】
なお、流路形成基板１０は、図３に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０に複数個が一体的に形成され、詳しくは後述するが、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等を形成した後、この流路形成基板用ウェハ１１０を分割することによって形成される。
【００１８】
流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１３とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、圧力発生室１２を形成する際のマスクとして用いられる絶縁膜５１を介して、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。
【００１９】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、下電極膜６０と圧電体層７０と上電極膜８０とからなる圧力発生素子としての圧電素子３００が形成されている。また、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０には、リード電極９０がそれぞれ接続されている。本実施形態では、各リード電極９０は、例えば、金（Ａｕ）等からなり、上電極膜８０のインク供給路１３側の端部近傍から絶縁体膜５５上にまで延設されている。
【００２０】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、下電極膜６０、弾性膜５０及びリード電極９０上には、圧電素子３００を保護するための圧電素子保持部３１（圧力発生素子保持部の一種）を有する保護基板３０が、例えば、接着剤３５によって接合されている。ここで圧電素子保持部３１は密封されていても密封されていなくてもよい。また、保護基板３０には、複数の圧力発生室１２に供給するインクが貯留されるリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられている。また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられており、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、この貫通孔３３内に露出されている。
【００２１】
このような保護基板３０の材料は、特に限定されないが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス材料、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料であるシリコン単結晶基板を用いている。
【００２２】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっており、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し圧電素子３００を撓み変形させることによって、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出される。
【００２４】
以下、このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法について説明する。なお、図４〜図７は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を説明する図であり、圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００２５】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５２を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、ジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。次いで、図４（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。
【００２６】
次に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウム（Ｉｒ）からなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、圧電体層７０及び上電極膜８０をパターニングして、図４（ｄ）に示すように、各圧力発生室１２となる領域に圧電素子３００を形成する。次いで、図５（ａ）に示すように、リード電極９０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って形成すると共に圧電素子３００毎にパターニングする。次に、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。この保護基板用ウェハ１３０の表面にシリコン酸化膜を形成することで後に説明する接着剤の密着性を向上させている。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００２７】
次に、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチング、例えば、スピンエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みまで薄くする。次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる絶縁膜５１を新たに形成し、この絶縁膜５１を所定形状にパターニングする。
【００２８】
次に、図６（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面に、例えば、ポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）等の有機フィルム１４０を接着剤１５０によって接着することにより、保護基板用ウェハ１３０の表面をこの有機フィルム１４０で覆う。すなわち、保護基板用ウェハ１３０を厚さ方向に貫通して形成されているリザーバ部３２等の空間が有機フィルム１４０によって完全に封止されるようにする。このとき、有機フィルム１４０は、保護基板用ウェハ１３０の周縁部のみに接着剤１５０によって接着し、保護基板３０となる領域には接着されないようにするのが好ましい。また、有機フィルム１４０の接着剤１５０よりも内側の領域では、保護基板用ウェハ１３０と有機フィルム１４０との間に空間が確保されているようにするのが望ましい。
【００２９】
なお、ここでいう保護基板用ウェハ１３０の周縁部とは、保護基板用ウェハ１３０の表面の周縁部はもちろん、流路形成基板用ウェハ１１０又は保護基板用ウェハ１３０の外周面を含む。すなわち、有機フィルム１４０は、保護基板用ウェハ１３０の表面の周縁部に限らず、保護基板用ウェハ１３０の外周面、または流路形成基板用ウェハ１１０の外周面に接着されていてもよい。
【００３０】
また、有機フィルム１４０と保護基板用ウェハ１３０とを接着するための接着剤１５０は、特に限定されないが、エポキシ系の接着剤であることが好ましい。また、接着剤１５０は、有機フィルム１４０又は保護基板用ウェハ１３０の何れに塗布してもよい。接着剤の塗布方法も特に限定されず、有機フィルム１４０に塗布する場合には、例えば、フィルム転写方法等を用いればよい。保護基板用ウェハ１３０に塗布する場合には、例えば、ディスペンサ等により直接塗布するようにすればよい。
【００３１】
また、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の加工工程（図５（ｃ））においては、保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面に接着剤１５０や有機フィルム１４０が設けられていない状態で、流路形成基板用ウェハ１１０を加工するようにしている。接着剤１５０や有機フィルム１４０は柔軟性のある部材であるため、上記加工工程時に保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面に接着剤１５０や有機フィルム１４０が設けられていると、流路形成基板用ウェハ１１０を均一に研磨できない虞があるからである。具体的には、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０を加工台に保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側の面とは反対側の表面を当接するように戴置させて研磨する際に、流路形成基板用ウェハ１１０ががたつきやすくなり、均一な研磨ができなくなる虞があるためである。
【００３２】
そして、この絶縁膜５１をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５を形成する。このとき、保護基板用ウェハ１３０の表面は有機フィルム１４０によって覆われて流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側の面全面に形成されているため、流路形成基板用ウェハ１１０又は圧電素子３００がエッチング液によって破壊されるのを確実に防止することができる。
【００３３】
なお、有機フィルム１４０は、有機系であればよいが、ポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）フィルムからなることが好ましい。ＰＰＴＡフィルムは、シリコンウェハと略同等の熱膨張係数を有するため、流路形成基板用ウェハ１１０のエッチング時等に発生する熱により各ウェハ１１０，１３０に反りが生じることがない。したがって、圧力発生室１２等をエッチングにより高精度に形成することができ、良好な吐出特性が得られるインクジェット式記録ヘッドを実現することができる。
【００３４】
具体的には、流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングする際には、各ウェハ１１０，１３０及び有機フィルム１４０は、約８０℃程度まで加熱されるためこの熱によって膨張してしまう。このため、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０と有機フィルム１４０との線膨張係数が大きく異なると、その膨張率の違いによって各ウェハ１１０，１３０が変形して割れてしまう虞がある。
【００３５】
また、例えば、この熱によって有機フィルム１４０を接着している接着剤１５０が一旦軟化する場合がある。この場合には、有機フィルム１４０は熱により膨張した状態で保護基板用ウェハ１３０に固定されてしまい、エッチング終了後に各ウェハ１１０，１３０及び有機フィルム１４０が冷却されて収縮する際に、各ウェハ１１０，１３０が変形して割れてしまう虞がある。
【００３６】
しかしながら、ポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）フィルムの線膨張係数は２．０×１０−６／℃であり、シリコンウェハの線膨張係数（３．０×１０−６／℃）と略同等であるため、加熱又は冷却により各ウェハ１１０，１３０及び有機フィルム１４０はほぼ同じ量だけ膨張又は収縮することになり、各ウェハ１１０，１３０に反り等の変形が生じることはない。
【００３７】
次に、図７（ａ）に示すように、有機フィルム１４０及び接着剤１５０を、過酸化水素水２００に所定時間浸漬させる。この過酸化水素水２００の濃度は、特に限定されないが、３０％程度であるとその剥離性にかかる効果が向上する。また、過酸化水素水２００の温度は、比較的高いことが好ましく、具体的には、８０℃以上１００℃未満であることが好ましい。さらに、浸漬時間は、過酸化水素水２００の濃度、温度等の条件によって異なるが、少なくとも１時間以上とするのが好ましい。これにより、接着剤１５０に過酸化水素水２００が十分浸透するためか、有機フィルム１４０と接着剤１５０との界面での密着力が低下する。したがって、図７（ｂ）に示すように、有機フィルム１４０を引き剥がすことにより、有機フィルム１４０が接着剤１５０との界面で比較的容易に且つ短時間で剥離させることができる。尚、保護基板用ウェハ１３０は上述したようにシリコンウェハであり、その表面にはシリコン酸化膜（図示なし）が形成されている。保護基板用ウェハ１３０の表面にシリコン酸化膜が形成されていることで、保護基板用ウェハ１３０に対する接着剤１５０の密着性が向上し、有機フィルム１４０を剥離する際に接着剤１５０が有機フィルム１４０に引っ張られて接着剤１５０から有機フィルム１４０を剥離できないということがなくなる。よって、有機フィルム１４０を保護基板用ウェハ１３０から容易且つ確実に除去することができる。なお、有機フィルム１４０及び接着剤１５０を過酸化水素水２００に浸漬させても、保護基板用ウェハ１３０と有機フィルム１４０との間の空間に過酸化水素水２００が入り込むことはない。
【００３８】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０に予め形成されているブレークパターン（図示なし）に沿って、これらのウェハ１１０，１３０を分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００３９】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さに加工する加工工程の後に、保護基板用ウェハ１３０に有機フィルム１４０を接着するようにしたが、これに限定されず、勿論、上記加工工程の前に、保護基板用ウェハ１３０に有機フィルム１４０を接着するようにしてもよい。何れにしても、流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングして圧力発生室１２等を形成する前に、有機フィルム１４０が保護基板用ウェハ１３０に接着されていればよい。また、上記加工工程は、勿論、実施しなくてもよい。
【００４０】
また、上述した実施形態においては、圧力発生素子として圧電素子を有するインクジェット式記録ヘッドを例示したが、圧力発生素子の形態は特に限定されず、いわゆる静電式アクチュエータ等を用いたものでもよい。
【００４１】
また、上述した実施形態においては、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を一例として本発明を説明したが、これに限定されず、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４２】
また、上述の実施形態では、液体噴射ヘッドの製造方法について説明したが、勿論、本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法だけでなく、基板上に接着剤によって接着された有機フィルムを基板から除去するあらゆる場合に適用可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る流路形成基板用ウェハを示す斜視図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０ 流路形成基板、 １２ 圧力発生室、 １３ インク供給路、 １４ 連通路、 １５ 連通部、 ２０ ノズルプレート、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板、 ５０ 弾性膜、 ６０ 下電極膜、 ７０ 圧電体層、 ８０ 上電極膜、 １１０ 流路形成基板用ウェハ、 １３０ 保護基板用ウェハ、 １４０ 有機フィルム、 １５０ 接着剤、 ２００ 過酸化水素水、 ３００ 圧電素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に接着剤によって接着された有機フィルムを前記基板から除去するフィルム除去方法であって、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に所定時間浸漬した後に、前記有機フィルムを前記基板から引き剥がすようにしたことを特徴とするフィルム除去方法。
【請求項２】
前記有機フィルムがポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）であることを特徴とする請求項１に記載のフィルム除去方法。
【請求項３】
前記接着剤がエポキシ系の接着剤であることを特徴とする請求項１又は２に記載のフィルム除去方法。
【請求項４】
前記過酸化水素水の温度が、８０℃以上１００℃未満であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のフィルム除去方法。
【請求項５】
前記基板の表面にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のフィルム除去方法。
【請求項６】
ノズル開口に連通する圧力発生室が画成される流路形成基板と、該流路形成基板上に前記圧力発生室に圧力を付与する圧力発生素子とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板が一体的に形成される流路形成基板用ウェハ上に前記圧力発生素子を形成する工程と、前記圧力発生素子を保護する圧力発生素子保持部を有する保護基板が一体的に形成される保護基板用ウェハを前記流路形成基板用ウェハ上に接合する工程と、有機フィルムを前記保護基板用ウェハの前記流路形成基板用ウェハ側の面とは反対側の表面に接着剤によって接着する工程と、前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する工程と、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に一定時間浸漬させた後に当該有機フィルムを前記保護基板用ウェハから引き剥がす工程と、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを所定の大きさに分割する工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１】
基板上に接着剤によって接着された有機フィルムを前記基板から除去するフィルム除去方法であって、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に所定時間浸漬した後に、前記有機フィルムを前記基板から引き剥がすようにしたことを特徴とするフィルム除去方法。
【請求項２】
前記有機フィルムがポリパラフィレンテレスタルアミド（ＰＰＴＡ）であることを特徴とする請求項１に記載のフィルム除去方法。
【請求項３】
前記接着剤がエポキシ系の接着剤であることを特徴とする請求項１又は２に記載のフィルム除去方法。
【請求項４】
前記過酸化水素水の温度が、８０℃以上１００℃未満であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のフィルム除去方法。
【請求項５】
前記基板の表面にシリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のフィルム除去方法。
【請求項６】
ノズル開口に連通する圧力発生室が画成される流路形成基板と、該流路形成基板上に前記圧力発生室に圧力を付与する圧力発生素子とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板が一体的に形成される流路形成基板用ウェハ上に前記圧力発生素子を形成する工程と、前記圧力発生素子を保護する圧力発生素子保持部を有する保護基板が一体的に形成される保護基板用ウェハを前記流路形成基板用ウェハ上に接合する工程と、有機フィルムを前記保護基板用ウェハの前記流路形成基板用ウェハ側の面とは反対側の表面に接着剤によって接着する工程と、前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する工程と、前記有機フィルム及び前記接着剤を過酸化水素水に一定時間浸漬させた後に当該有機フィルムを前記保護基板用ウェハから引き剥がす工程と、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを所定の大きさに分割する工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−６０１５０（Ｐ２００８−６０１５０Ａ）
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２３２４２６（Ｐ２００６−２３２４２６）
【出願日】平成１８年８月２９日（２００６．８．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月１３日（２００８．３．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月２９日（２００６．８．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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