【課題】本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、カーボンナノチューブアレイを提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイから、少なくとも、一枚のカーボンナノチューブフィルムを引き伸ばす第二ステップと、絶縁基板を提供し、該絶縁基板の表面に少なくとも一枚の前記カーボンナノチューブフィルムを設置し、半導体層を形成する第三ステップと、前記半導体層にソース電極及びドレイン電極を分離して形成し、該ソース電極及びドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続させる第四ステップと、前記半導体層に絶縁層を形成する第五ステップと、前記絶縁層の表面にゲート電極を形成し、薄膜トランジスタを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給管とパージガス供給管とが合流する部分でのデッドスペースを解消し、パーティクルの発生を防止し、パージガス供給管の圧力が大きくなり、気化器の気化性能を低下させることを回避できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給手段とを有し、前記ガス供給手段は、液体原料を気化する気化器と、前記気化器からの気化ガスを前記処理室に供給する第１のガス供給管４７ａ，bと、不活性ガスを前記処理室に供給する第２のガス供給管５３と、前記第１のガス供給管４７ａ，bと前記第２のガス供給管とが接続される合流部７１とを備え、該合流部７１は拡散室７３を有し、前記第２のガス供給管５３の下流側の先端部分には前記拡散室７３の方向に向かって内径を絞る絞り部７７を有し、該拡散室７３には前記気化器からの気化ガスが流入すると共に絞り部７７を通して不活性ガスが流入する。 （もっと読む）

【課題】気化器の気化効率低下を防止し、また気化器の閉塞を防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】気化器３１は２ノードのペリトロコイド曲線のまゆ型であり、内部に３葉の内包絡線で形成された三角おむすび型の回転子４０を有している。回転子４０は芯のずれた軸に取り付けられて気化器３１内で回転する。気化器３１には、気化器３１にキャリアガス４２を供給する配管３７と、気化器３１に液体ソース４３を供給する配管３６と、反応室１１に反応ガス４４を供給する配管３８とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を処理室４内に搬入する工程と、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂから処理室４内に処理ガスを供給するとともに、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在されるとともに基板１０の周方向に沿って処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂを両方から挟むように設けられた一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄから処理室内に不活性ガスを供給して基板１０を処理する工程と、処理後の基板を処理室から搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ_３を使用するにあたってＣｌＦ_３の濃度減少抑制することができる装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一部にＣｌＦ_３が暴露されることによるフッ化物の皮膜が形成されている金属材料により構成される反応室１１と、前記反応室１１に接続されている前記金属材料からなる配管１３とを備える装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。
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【課題】温度分布が均一で、チャンバーが長寿命化された枚葉式熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板を熱処理する枚葉式熱処理装置であって、基板が投入されて熱処理が行なわれるチャンバー１０と、チャンバー１０の周囲に設けられた加熱体２５と、を有し、チャンバー１０は、お互いに対向する天板１０ｃと底板１０ｄとを備え、天板１０ｃが底板１０ｄと反対側に突出するアーチ形状に形成されている。このことから、天板１０ｃに加熱体２５を配置して天板１０ｃに熱が加わって天板１０ｃが軟化しても、天板１０ｃが自重などの上部の荷重を支え、底板１０ｄ側に垂れ下がることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理室の内面等に付着したＨｆＯ_２、ＨｆＳｉＯ，ＺｒＯ_２等の高誘電体膜をエッチングガスによりクリーニングできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０を処理室４内に搬入する工程と、前記処理室４内で基板３０上に高誘電体膜を成膜する工程と、成膜後の基板を前記処理室４より搬出する工程と、前記処理室４内に塩素を含むガスと酸素を含むガスとを導入するかもしくは塩素および酸素を含むガスを導入して前記処理室４内をクリーニングする工程と、前記処理室４内に酸素を含むガスを導入して前記クリーニング後に前記処理室４に残留する物質を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法の特徴であるセルフリミットの作用を強め、ウェーハ面内の均一性の向上を図れるＡＬＤ法による基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２に原料ガスと触媒ガスを供給する第１の工程と、前記処理室２から前記原料ガスと前記触媒ガスを除去する第２の工程と、前記処理室２に酸化性ガスと触媒ガスを供給する第３の工程と、前記処理室２から前記酸化性ガスと前記触媒ガスを除去する第４の工程とを少なくとも備え、前記第１〜第４の工程が複数回繰返し実行され、前記触媒ガスには脱水処理が施されたガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】配管の加熱状態の均一化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に載置した基板を加熱しつつ前記基板に対し所望の処理を施す装置であり、前記処理室に接続される配管３００であって湾曲部３０２を有する配管３００と、少なくとも湾曲部３０２を覆う複数の平板状ヒータ４００と、を備える。複数の平板状ヒータ４００が、側縁部４３０同士が互いに突き合わせられながら、配管３００の湾曲部３０２の内側３０４と外側３０６とに対し、配管３００の長手方向に沿って互いに平行に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程と、を有し、上記バッファ層製膜工程及び、上記ｎ型透明導電膜製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）よりも、上記バッファ層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）を高くした。 （もっと読む）

【課題】面内の良好な電気的特性を備える膜を形成することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は基板１１が載置される陽極１０２と、陽極１０２との間でプラズマを発生させる陰極１０３と、ステージ１０４と、ステージ１０４内に設置された冷却部２０１と、を備える。冷却部２０１の冷却ヘッド部２０１ａのステージ１０４と対向する面に、凹部２０１ｃが形成されることにより、冷却ヘッド部２０１ａの周縁部のみがステージ１０４に当接する。これにより基板１１は周辺領域から冷却され、基板の中心領域から周辺領域へと熱流を生じさせることができ、基板１１内に温度勾配を生じさせることができる。 （もっと読む）

膜の選択的なエピタキシャル形成のための方法および装置であって、ＣＶＤチャンバ（３００）へ、反応種（１０、２０）を別々に注入する。本方法は特に、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の揮発性の組合せを用いた選択成長に有用である。形成プロセスは、選択成長のための前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の同時供給、または、周期的なブランケット堆積および選択的なエッチングの連続的な供給を含む。いずれに場合にも、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）は、より制限された上流の場所よりもむしろ、比較的開いた反応スペース（３４０）において交差する別々の流路に沿って提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程とを有し、上記バッファ層製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層の製膜時の基板温度よりも、上記バッファ層製膜工程の基板温度を高くした。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒に有機金属化合物を溶解した液体原料を使用し膜質を保持しつつ膜を薄く形成する成膜方法と、その成膜方法を実施するための成膜装置と、強誘電体膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属有機化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して原料ガスを生成する工程と、気化したオクタンを原料ガスに添加してオクタン添加原料ガスを生成する工程と、オクタン添加原料ガスを成膜雰囲気に導入して基板上に金属を含む膜を成膜する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成すること。
【解決手段】反応管１０内に複数のウエハＷを搭載したウエハボート２０を搬入し、ウエハＷを減圧雰囲気下で加熱しながら、シリコン成膜用ガスと、リンまたはボロンを膜中にドープするためのガスと、ポリシリコン結晶の柱状化を妨げてポリシリコン結晶の微細化を促進する成分を含む粒径調整用ガスとを反応管１０内に導入し、ウエハ上にリンまたはボロンがドープされたアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜を熱処理して、リンまたはボロンがドープされたポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に対向するガス供給面から３種類の処理ガスを基板に供給して成膜処理を行うにあたり、膜厚及び膜質について高い面内均一性を得ることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
ガス供給装置４は処理容器内の載置台に載置された基板に対向する多数のガス供給孔から、この基板に対して処理を行い、ガス供給装置本体４ａは複数のガス導入ポートと、それらから導入されたガスを前記多数のガス供給孔に導くガス流路５１２（５２２、５３２）を備えている。第１のガス供給プレート４５及び第２のガス供給プレート４４は、共にこのガス供給装置本体４ａに設けられ、ガスの種類または流量が互いに異なる多数のガス供給孔を有している。そして前記第１のガス供給プレート４５は、ガス供給孔が処理ガスを供給する導入ポートに連通し、ガス供給装置本体４ａに対して着脱自在となっている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システムを提供する。
【解決手段】ガス使用系４に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システム２において、処理ガスタンク１０と、希釈ガスタンク１２と、処理ガスタンクとガス使用系とを接続する主ガス通路１４と、主ガス通路に介設した複数の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５と、希釈ガスタンクから延びると共に、複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路１６と、希釈ガス通路に介設される流量制御器ＦＣ２と、複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制しつつ、窒化物半導体単結晶層の厚膜化を図ることができる化合物半導体基板の提供。
【解決手段】結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００上に形成され、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された第１の金属化合物層１１０ａと、前記第１の金属化合物層１１０ａと異なるＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された第２の金属化合物層１１０ｂとが互いに積層された第１の中間層１１０を備える。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板１５は、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間にターゲット１８を遮蔽するための遮蔽面１５Ｕを有し、また、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間に基板Ｓ側に向かって凹設された凹部１５Ｂとを有する。そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 （もっと読む）