【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体３が電力供給機構に接続されている接続部３３及び／又は発熱体３が支持体３１に支持されている支持部を、接続部３３、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体３と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部３３、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構３２１を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部３３に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体３の端部にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制でき、かつ絶縁耐圧を十分に確保可能なダイヤモンド電子素子を得ることができるダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】このダイヤモンド電子素子の製造方法では、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１の形成の際、ダイヤモンド基板１０の一面１０側に存在する結晶欠陥の核となるサイトをホウ素によって終端させることができる。これにより、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１及びＰ⁻ダイヤモンド半導体層１２への欠陥の伝播が抑制されるので、ヒロック密度や異常粒子密度を低くでき、ショットキー障壁のレベルよりも低いレベルでのリーク電流の発生を抑止できる。また、電界の集中による絶縁破壊の発生も回避できる。また、Ｐ⁻ダイヤモンド半導体層１２のホウ素密度を抑えることで、逆電圧を印加したときのキャリアの移動速度が高められ、絶縁破壊のより確実な回避が実現される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層中に伝播する結晶欠陥を低減させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】転位密度が面内平均１００００個／ｃｍ^２以下であるIII−Ｖ族半絶縁性化合物半導体ウエハ（以下、半絶縁体ウエハと言う）を形成し、その半絶縁体ウエハ上に、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層、エミッタコンタクト層、ノンアロイ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成するものである。 （もっと読む）

【課題】ＮＯガスを処理ガスとして用いた酸窒化処理を行うに際して、当該酸窒化処理により所望の膜厚及び窒素濃度のシリコン酸窒化膜を得る。
【解決手段】酸窒化処理を行うに際して、処理ガスの不純物濃度を計測し、生成される酸窒化膜の膜厚又は酸窒化膜の窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて当該酸窒化処理を行う。ここで、詳細には、処理ガス中の不純物濃度と膜厚又は窒素濃度との相関関係を予め計測し規定しておく。そして、当該相関関係に基づき、膜厚又は窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて、具体的には酸窒化処理における処理圧力を調節設定して当該処理を行う。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することにより、窒化物膜を基板上に低コストで効率良く形成する技術を提供する。
【解決手段】触媒反応装置５内にヒドラジン及び窒素酸化物から選択された１種以上の窒素供給ガスを導入し、この窒素供給ガスを触媒と接触させることにより生成される反応性ガスを触媒反応装置５から噴出させ、反応性ガスと化合物ガスとを反応させて、基板７上に窒化物膜を堆積させる、窒化物膜の堆積方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。
【解決手段】処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。種々の型のガス供給源をシャワーヘッド電極と流体的に通じさせ、所望のプラズマを形成するガス状混合体を供給することができる。ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。予め選択されたガス状混合体は、表面プライム処理及び底反射防止被膜（ＢＡＲＣ）堆積のような異なる半導体ウェーハ処理動作のために処方することができる。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマを用いて、従来の熱的な手法に比べ、より低温で、かつ、より高速に高品位な単結晶３Ｃ-ＳｉＣ薄膜をＳｉ基板上に形成することが可能なＳｉ基板表面の炭化による単結性ＳｉＣの形成方法及び結晶性ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板と電極とを成膜ギャップを設けて反応室内に配置し、該反応室内に炭化水素系原料ガスとＨ₂及び不活性ガスからなるキャリアガスを供給して１００Ｔｏｒｒ〜１０ａｔｍの圧力とし、前記基板の温度を２００〜１０００℃に設定し、前記電極に１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波電力を投入してＳｉ基板の表層部に単結性ＳｉＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して成膜を行うことができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置は、排気配管２０５及び原料ガス導入管２０６を備え、内部に複数の円筒状基体２０７を配置可能であり、かつ真空気密可能な反応容器２００と、反応容器２００内に電力を供給する高周波電源２０９とを有している。堆積膜形成装置は、反応容器２００内に配置された各々の円筒状基体２０７同士を仕切り、かつ反応容器２００の側壁２０１に電気的に接続された仕切板２１１を備えている。高周波電源２０９は、仕切板２１１に隣接する各々の円筒状基体２０７から等しい距離にある給電点Ｘに接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体上にモフォロジの良好な半導体層を選択的にエピタキシャル成長させる。
【解決手段】リセスド・ソース・ドレイン型ｐＭＯＳＦＥＴを形成する際、ＳＴＩを形成したＳｉ基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し（ステップＳ１）、サイドウォールを形成した後（ステップＳ２）、その両側のＳｉ基板に部分的にリセスを形成する（ステップＳ３）。そして、そのＳｉ基板のリセス内に、下層部の方が上層部よりも、サイドウォールやＳＴＩに対する成長選択性が低くなるような条件を用いて、下層部と上層部をエピタキシャル成長させ、ＳｉＧｅ層を形成する（ステップＳ４，Ｓ５）。これにより、Ｓｉ基板のリセス内に、サイドウォール等に対する成長選択性を確保しつつ、モフォロジの劣化が抑えられたＳｉＧｅ層を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】製造時に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきの小さい製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１０と、半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１４と、を具備する。酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度は、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更する。不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。また、酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する前に清浄な被形成面にする薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。プロセスガスがプラズマ励起することでフッ素ラジカルが生成し、フッ素ラジカルにより薄膜を形成する面、薄膜が形成される面の有機物や酸化物が除去される。エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置に腐食性ガスを供給する際に，ガスフィルタでは除去できない揮発性金属成分の混入を防止する。
【解決手段】半導体製造装置（例えば熱処理装置１１０）にガス供給流路２２０を介して腐食性の高いガスを供給可能なガス供給システムであって，ガス供給流路２２０に設けたガスフィルタ２４０と，ガス供給流路２２０のガスフィルタ２４０の配設位置よりも下流側に設けられ，ガス供給流路２２０を流通するガスに含まれる揮発性金属成分を液化させて除去する金属成分除去器２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】気化ガスの温度低下によるパーティクルの発生を防止又は抑制する。
【解決手段】基板処理装置はウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給源２５０と、処理室２０１内の雰囲気を排出するガス排気管２３１等と、コントローラ２８０と、を有し、ガス供給源２５０は、液体または固体原料を気化させた気化ガスを供給するガス供給管２３２ａと、前記気化ガスとは異なるガスを供給するガス供給管２３２ｂとを少なくとも備え、コントローラ２８０は、ガス供給管２３２ａから気化ガスを処理室２０１内に供給している際、ガス供給管２３２ｂから加熱された不活性ガスを処理室２０１内に供給するようにガス供給源２５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着膜を化学的反応により除去することを可能とし、基板上への均一な薄膜形成を可能とする装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内のガスをプラズマ化する活性化機構３００と、処理室２０１と連通するように設けられ、活性化機構３００を処理室２０１から退避させるための退避室３０５と、活性化機構３００を移送する移送機構と、処理室２０１と退避室３０５との間のガス流通を遮断する遮断機構３０３と、基板を処理する際は、活性化機構３００を退避室３０５に退避させ、処理室２０１と退避室３０５との間のガス流通を遮断させた状態で、ガス供給部から処理ガスを供給し、処理室内をクリーニングする際は、活性化機構を処理室内に移動させた状態で、ガス供給部２０１ａからクリーニングガスを供給させ、処理室２０１内のクリーニングガスをプラズマ化させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】気化器、ガス供給管、フィルタ等の部材の適切な交換時期を判断することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室２０１と、基板処理用の液体原料を気化させる気化器３２０と、液体原料の気化ガスを気化器３２０から処理室２０１に供給するガス供給管３００と、ガス供給管３００に設けられたフィルタ３４０と、一端部がガス供給管３００のフィルタ３４０より上流側に接続された連結管４００と、連結管４００の他端部に接続された圧力計４２０と、連結管４００に設けられたバルブ４１０と、連結管４００の他端部とバルブ４１０との間に接続され、連結管４００にガスを供給するガス供給管５００と、ガス供給管３００のフィルタ３４０より上流側に接続され、連結管４００に供給されるガスを排気する排気管６００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気化ガスの再液化物や再固化物を供給管内から十分に除去する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置１０１は、基板を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段の少なくとも一部のガス供給管内の雰囲気を排出する排出手段と、溶剤を供給する溶剤供給手段と、コントローラ２８０と、を有し、前記ガス供給手段は、液体または固体材料を気化させた気化ガスを供給する気化ガス供給管を少なくとも備え、コントローラ２８０は、少なくとも前記排出手段と溶剤供給手段を制御することで、前記気化ガス供給管内への前記溶剤の供給と排出とを交互に所定回数繰り返して、前記気化ガス供給管内の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハ内における非酸化領域の寸法を均一化可能な半導体酸化装置を提供する。
【解決手段】ヒータ１０５は、加熱テーブル１０３内に設けられ、制御部１２７からの制御に従って、試料トレイ１０７上に載せられた半導体試料１４０の外周部を３６５℃に加熱し、半導体試料１４０の内周部を３７０℃に加熱する。マスフローコントローラー１１３は、窒素ガスを気化器１１４へ供給し、液体マスフローコントローラー１１１は、水溜容器１０９に保持された水を気化器１１４へ供給する。気化器１１４は、液体マスフローコントローラー１１１からの水を気化して水蒸気を生成し、その生成した水蒸気をマスフローコントローラー１１３からの窒素ガスをキャリアガスとして配管１１５，１１６、バルブ１２０および導入管１０８を介して反応容器１０１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマを発生させる機構備える基板処理装置で、基板を支持する支持板を均一にガスクリーニングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１を処理する処理室５０と、処理室内にガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド１５と、シャワーヘッド内に処理ガスを供給する処理ガス供給口６と、処理室の外部に設けられ少なくともクリーニングガスをプラズマで活性化するプラズマ発生器１１と、プラズマ発生器によりプラズマで活性化したガスをシャワーヘッド内に供給する活性化ガス供給口１２と、処理室内で基板を支持する支持板２と、支持板の下方に設けられ支持板により支持した基板を加熱するヒータ３と、処理室内を排気する排気口７と、を有し、活性化ガス供給口は、活性化ガス供給口を支持板に対して垂直な方向に投影した場合に基板が載置される領域１６とは重ならない位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層中の窒素元素の組成比を、当該III−Ｖ族化合物半導体層の厚み方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。
【解決手段】このIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法は、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）になるように基板１を加熱しながら第１のIII−Ｖ族化合物半導体層３を基板１上に成長させる工程と、III−Ｖ族化合物半導体層３上に第２のIII−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程とを含む。III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 （もっと読む）

原子層堆積の技法を開示する。1つの特定の例示的な実施形態において、この技法は、原子層堆積のための装置によって実現することができる。この装置は、少なくとも1つの基板を保持するための基板プラットフォームを有するプロセスチャンバを備えることができる。この装置はまた、少なくとも1つの第1の種の原子と少なくとも1つの第2の種の原子とを含む前駆物質の供給源を備えることができ、その供給源は前駆物質を供給して少なくとも1つの基板の表面を飽和させる。この装置は、少なくとも1つの第3の種の準安定原子のプラズマ源をさらに備えることができ、その準安定原子は、少なくとも1つの第2の種の原子を、少なくとも1つの基板の飽和した表面から脱着させて、少なくとも1つの第1の種の1つ以上の原子層を形成する。
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