【課題】生産性が高く微細な電界効果トランジスタとその製造方法ならびに製造装置を提供すること。
【解決手段】以下の工程（１）から（３）よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が１から５０μｍであり、印刷位置精度が１００ｐｐｍ以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。
工程（１） 版の画線部に相当する溝構造部にドクターブレードを用いたインキング法で、機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を充填する工程。
工程（２） 転写シリンダーと前記版を接触させ、前記溝構造部の薬液を前記転写シリンダーへ転移させる工程。
工程（３） 前記転写シリンダー上の薬液を前記基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極１１１、ソース電極１３１、ドレイン電極１３２、バス配線、画素電極１３３、ゲート絶縁膜１２１、層間絶縁膜１２２、半導体層１４１の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜１２１および／もしくは層間絶縁膜１２２が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液ＰをシートフィルムＦの表面に塗布し、溶剤を揮発させることでポリシラザン薄膜Ｒを得る。これを半導体基板に転写するのに先立って、ＵＶ光源２０２から拡散板２０３を介して強度を均一化したＵＶ光Ｌを薄膜Ｒに照射する。これにより、薄膜Ｒの表面Ｒａの粘度が選択的に増大し、基板転写時に、基板表面に形成されたトレンチを埋めることなくエアギャップを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液や剥離液に対する耐性に優れているゲート絶縁層を形成することにより、このゲート絶縁層上にエッチング法により電極を形成させることができるようにすること。及び、その上に半導体材料を湿式塗布、結晶化処理しても溶出し難いゲート絶縁層を形成すること。すなわち、安価で高性能な上に、樹脂製のフレキシブル基板に適用可能な電界効果トランジスタを製造すること。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物であって、重合性モノマー、重合開始剤及び架橋性基としてアリル基及び／又は（メタ）アクリロイル基を有する樹脂を含み、該重合性モノマーがエチレン性不飽和結合を２個以上有し、該架橋性基を有する樹脂の架橋性基当量が８００ｇ／ｅｑ以下であることを特徴とする電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】塗布法により幅の広いトレンチに埋め込みを行った場合にも、ディンプルが生じず、はがれやにごりなどなく、均質で、平坦な表面を有する硬化膜を形成することができる硬化性組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とする硬化性組成物。（Ａ）成分：脱離基を有するエポキシ基含有ポリシロキサンであり、該ポリシロキサン中に含まれる全Ｓｉ原子の数を１００ｍｏｌ％とするとき、前記脱離基の含有割合が３５ｍｏｌ％以下であるエポキシ基含有ポリシロキサン。（Ｂ）成分：シリコーン系界面活性剤。（Ｃ）成分：溶剤。 （もっと読む）

【課題】機械強度が十分であり、低誘電性に優れ、シリコンウエハー及びＰ−ＴＥＯＳ等のＳｉＯ_２膜の両方への接着性に優れたシリカ系被膜を提供する。
【解決手段】実質的にＯＨ基の含有量が大幅に減少されてなる高い緻密性を備えた微細孔を有するシリカ系被膜。（ａ）一般式（１）で表せられる化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、(化１)Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ（１）（式中、Ｒ１は、Ｈ若しくはＦ又はＢ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはＴｉを含む基又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは、加水分解性基を示すし、ｎは０又は１の整数である）（ｂ）下記一般式（２）で表せられるイオン性化合物並びに(化２)（Ｒ２４Ｎ＋）ｎＹｎ−（２）（式中、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｙは、陰イオンを示し、ｎは陰イオンの価数である）（ｃ）前記（ａ）成分及び（ｂ）成分を溶解可能な溶媒を含むシリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の窒素含有率を低減させる窒素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、耐熱性に乏しいＭＴＪ素子等の素子の劣化を避けつつ、良好な半導体装置を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に複数の素子を形成し、複数の素子の間を埋め込むようにシリコン化合物膜を形成し、マイクロ波を照射することにより、シリコン化合物膜を酸化シリコン膜に改質する。 （もっと読む）

【課題】低温条件下かつ溶液塗布プロセスにより形成可能であり、薄膜トランジスタにおける電気特性であるヒステリシス、Ｏｎ/Ｏｆｆ比が良好な薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜及び該絶縁膜を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】必須成分として（Ａ）アルケニル基を有する化合物、（Ｂ）ＳｉＨ基を有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を含有する硬化性組成物を低温条件下によるポストベイクしたゲート絶縁膜を用いることにより、良好なトランジスタ特性が発現する。 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を接着する際のそりを抑制できる基板の接着方法を提供する。
【解決手段】第１の基板の表面に第１の単量体を蒸着させる第１の単量体蒸着工程と、第２の基板の表面に前記第１の単量体と反応して重合体を形成する第２の単量体を蒸着させる第２の単量体蒸着工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記単量体を蒸着させた側の面が対向するように載置し、前記第１の単量体を蒸着させた面と前記第２の単量体を蒸着させた面とを接触させると共に、前記第１の単量体と前記第２の単量体とを反応させて重合体を形成することにより、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する重合体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＤ法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】基板、基板表面に形成された溝状領域Ｇ、及び溝状領域Ｇに埋設されたシリコン酸化膜８を有する半導体装置の製造方法であって、溝状領域Ｇを含む基板の表面を覆うライナー膜６を形成するライナー膜形成工程と、ライナー膜６の表面を水洗する水洗工程と、水洗後の残留水分を除去する水分除去工程と、基板表面にポリシラザン溶液をスピンコートにより塗布する塗布工程と、アニールによりポリシラザン溶液をシリコン酸化膜８に改質する改質工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）が良好であり、さらに上層のホトレジスト膜におけるスカムの発生を抑制することができる、反射防止膜形成用熱酸発生剤、反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた反射防止膜の提供。
【解決手段】熱酸発生剤として下記式（１）を使用した反射防止膜。ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基を示し、Ｒ^２は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、Ｒ^３は水素原子、又はアルキル基を示し、Ｙ⁻は非求核性対向イオンを表す。
（もっと読む）

【課題】電子機器（例えば、薄膜トランジスタ）は、基板と、誘電性組成物から作られた誘電層とを備える電子機器を提供する。
【解決手段】誘電性組成物は、誘電性材料と、架橋剤と、熱酸発生剤とを含む。特定の実施形態では、誘電性材料は、低ｋ誘電性材料と、高ｋ誘電性材料とを含む。堆積したら、低ｋ誘電性材料と高ｋ誘電性材料とは、別個の相を形成する。熱酸発生剤は、比較的低い温度および／または短い時間で誘電層を硬化させることができ、これにより、これ以外の方法では、誘電層を硬化させることによって変形するであろう低コスト基板材料を選択することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、及び架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、
前記バインダー樹脂（Ａ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００以上、吸水率が０．０３重量％以上であり、前記バインダー樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）に対する、前記架橋剤（Ｃ）の分子量の比率が、０．０５以下であり、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が２１〜１５０重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されていることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）