【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ１０３ａは、基板２０を保持する一方面Ｓ１と、一方面Ｓ１と反対の他方面Ｓ２とを有する。またホルダ１０３ａには、平面視において基板２０の一部と重複する領域において開口部ＯＰが設けられている。蒸着源１２０はホルダ１０３ａの一方面Ｓ１に対向している。ヒータはホルダの他方面Ｓ２に対向している。固定具６０は、ホルダの一方面Ｓ１上に固定され、一方面Ｓ１との間で基板２０を挟むことによって基板２０を固定している。 （もっと読む）

【課題】加熱されたセル上へのフレークの落下付着を防止する分子線結晶成長（ＭＢＥ）装置のシャッタ機構を提供する。
【解決手段】動作時に、セル２の中心軸上で該セル２と対向する位置において蒸発原料を通過させる開口部１１を備え、非動作時には、該開口部１１以外の部分でセル２上面を覆うシャッタ板１と、シャッタ板１の側面に一体的に取り付けられ、セル２の側面の一部または全体を覆うスカート部４と、シャッタ板１を回転または移動させる駆動軸３と、を有し、シャッタ開の状態でも、セル２の分子線照射開口以外を覆うことを特徴とする分子線結晶成長装置のシャッタ機構。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素単結晶を安定的に製造し、高品質化を可能とする成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成分調整部材は、結晶成長用容器と、該結晶成長用容器内の下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に同軸に配置して該原料収容部より小径の基板支持面で基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料を昇華させて前記基板上に前記原料の化合物半導体単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して前記結晶成長用容器内の空間を分離する成分調整部材であって、前記原料の昇華ガスが透過する複数の透過孔を有すると共に、中央側の開口率（前記透過孔の総開口面積／前記透過孔以外の部分の総面積）が周端側の開口率より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒が大きく移動度の高い均一な特性のトランジスタを作製できる半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ内において試料基板上に半導体を蒸着することにより半導体素子を形成する半導体製造装置において、試料基板表面に蒸着源から供給される半導体を遮蔽するマスクを、半導体素子の設計時に設定された電流が流れる向きとなるようにマスクを移動させ、蒸着源から半導体を供給する蒸着速度をv_ｅとし、マスク移動機構を用いてマスクを移動させる速度をv_ｍとし、半導体の単分子膜厚をt₀とし、試料基板表面の結晶成長核の密度をd_ｎとしたとき、v_ｅ /v_ｍ > t_０ d_ｎ^1/2を満たすように、少なくともマスク移動速度を制御する制御装置を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、製膜ゾーン１２にて検出したＸＹＺ₂が化学量論的組成比となるゾーン１２における基板２の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出する。製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成を制御する。
【解決手段】基板２上に第ＩＩＩＢ族元素（Ｙ）、第ＶＩＢ族元素（Ｚ）を蒸着する製膜ゾーン１１とこのゾーン１１で形成された薄膜に第ＩＢ族元素（Ｘ）、第ＶＩＢ族元素を蒸着する製膜ゾーン１２を経た薄膜に第ＩＩＩＢ族元素、第ＶＩＢ族元素を蒸着させる製膜ゾーン１３を有する製膜方法及びその装置において、ゾーン１２において検出されたＸＹＺ₂が化学量論的組成比となる基板の位置に基づきゾーン１２の終点における薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の予測値を算出し、ゾーン１３の終点におけるＸＹＺ₂化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１３の終点におけるＸＹＺ₂薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように、前記予測値に基づきゾーン１３における第ＩＩＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 （もっと読む）

【課題】昇華法を用いて炭化ケイ素単結晶を製造する際に、単結晶の径方向への成長を促進することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、所定の結晶方位を有する種結晶１０と、昇華用原料２０とを収容する反応容器３０と、蓋部４０とを有する円筒状の坩堝５０を備える。種結晶１０と昇華用原料２０との間に、第１ガイド部材６１，第２ガイド部材６２，第３ガイド部材６３が設けられる。第１ガイド部材６１は、種結晶１０を基に成長する単結晶の成長範囲を規制する規制面６１ａを有する。第２ガイド部材６２は、第１ガイド部材６１よりも昇華用原料２０に近い位置に配設され、原料ガスを反応容器３０の内壁３１に向けて導く。第３ガイド部材６３は、第１ガイド部材６１と第２ガイド部材６２との間に配設され、第１ガイド部材６１の規制面６１ａに対向する案内面６３ａを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、連続成膜設備において、化学量論的組成勾配を有する形で基板に成膜するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明では、それぞれ一つの蒸発器チューブを有する少なくとも二つの蒸発機器が配備され、両方の蒸発器チューブは、互いに独立して傾斜可能な形に構成されており、そうすることによって、両方の蒸気ビームの移行領域を勾配形態の要件に適合させることができる。 更に、基板に対する蒸発器チューブの間隔及び蒸発器チューブの互いの間隔を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部１１と、基板保持部１１に対向して設けられる板状のターゲット１２の被スパッタ面１２ａの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心Ｃ１に対して偏心した位置に中心Ｃ２を有する電子の周回軌道２０を被スパッタ面１２ａの近傍に生じさせるマグネット１３と、ターゲット１２と基板１０との間に設けられ、基板１０側からターゲット１２を見た平面視で電子の周回軌道２０の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道２０との相対位置は変えずに、マグネット１３と同期して回転する遮蔽体１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びエッチングプログラム、並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置３０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板３１の厚みの分布から、升目状に区分された基板３１の各領域の被エッチング量を算出し、この被エッチング量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。このエッチング時間に負となる領域がある場合、当該領域にシャッタ４０を覆うことにより、エッチング時間に負となる領域での過剰なエッチングを防ぎ、基板３１を任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒素化合物膜の平坦性及び成膜速度を有効に高めることができるとともに結晶性が良好である立方晶または六方晶窒素化合物半導体膜を安定して容易にかつ安価に製造することができる活性度制御式窒素化合物ＭＢＥ成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】第1分子線セルから第１シャッターを介して基板への第1（III族）分子線の照射量を制御するとともに、第1シャッターの閉期間Ｔ₂、ＬＢ励起状態からＨＢ励起状態に切替えられた窒素励起セルから上記基板に向けて照射される窒素活性種のうち、生成膜の窒素化合物の化学結合に直接的に関与する励起窒素原子および基底窒素原子の照射量を制御しながら上記基板に付与されたIII族分子と共有結合させる。 （もっと読む）