【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板１と、その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層５ａ及び井戸層５ｂを備えた多重量子井戸構造の発光層５とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、井戸層５ｂの各々は、層厚が同一であり、バンド端発光とは別に、波長を相違する複数の光（多波長光）を同時に出射する、マグネシウムを添加したｎ形の窒化ガリウム・インジウム（組成式：Ｇａ_XＩｎ_1-XＮ）からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能なｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｆ元素を含むＦ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜の熱処理によりＦ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜からＦ元素を脱離させる工程を含み、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜を構成するＩＩ族元素がＺｎであり、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜を構成するＶＩ族元素が、Ｓｅ及びＳからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、Ｆ元素含有ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜中のＦ元素濃度が５〜２０ａｔｍ％であるｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平坦性向上が図られたＺｎＯ系化合物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系化合物半導体層の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）前記基板の上方に、少なくともソースガスとしてＺｎ、Ｏ、及びサーファクタントとしてＳを同時に供給してＺｎＯ系化合物半導体層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法によって基板上に積層するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板１１及びターゲットを配置し、基板１１上にＭｇがドープされたＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Ｍｇをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、ＭｇドープＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層１６を形成する方法としている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する均一な薄膜の形成と蒸着材料の利用効率の向上とを容易に図ることができる蒸着技術を提供する。
【解決手段】蒸着用坩堝１０であって、底部１１と、側壁部１２３と、該底部１１および該側壁部１２３の内面によって囲まれ且つ所定軸に沿って形成された孔部Ｃｖとを備え、孔部Ｃｖが、底部１１とは反対側に位置する開口部ＯＰと、該孔部Ｃｖの所定軸（例えば軸Ｐ）に対して垂直な面における断面積が底部１１側から開口部ＯＰ側にかけて略一定である第１の領域（例えば下部孔領域１２ａ）と、該孔部Ｃｖの所定軸（例えば軸Ｐ）に対して垂直な面における断面積が底部１１側から開口部ＯＰ側に近づくにつれて増大する第２の領域（例えば上部孔領域１３ａ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】平坦な高品質ＺｎＯ系薄膜を形成可能な結晶成長方法の提供。
【解決手段】基体表面にＺｎ系材料とＯ系材料とを供給し、基体表面にＺｎＯ系薄膜を成長させるＺｎＯ系薄膜の結晶成長方法であって、前記基体として、Ｏ極性ＺｎＯ基体を用い、かつＯ系材料に対してＺｎ系材料が過剰となるように各材料を供給しながら基体表面にＺｎＯ系薄膜を成長させることを特徴とするＺｎＯ系薄膜の結晶成長方法。 （もっと読む）

結晶支持構造１１０をその上に有する基板１１５とＩＩＩ−Ｖ結晶２１０を備えるデバイス１００。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、結晶支持構造の１つの単一接触領域１４０上にある。接触領域の面積は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積３２０の約５０パーセント以下である。
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【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、金属材料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法とし、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を２０％超９９％以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス等に使用できる結晶性のよいＩｎＮおよびＩｎ組成の大きなＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＺｎＯ基板上に成長することで形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層は、前記基板上に直接接して形成された第一層と、この第一層上に直接接して形成された第二層とを少なくとも有し、前記第一層が、Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮ（但し、ａは、０≦ａ≦０．１６を満たす数である）であり、前記第二層が、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（但し、ｘは、０．５≦ｘ≦１を満たす数である）であることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮに格子定数の近い基板を用い，大型で良質のＧａＮエピタキシャの結晶を得る。
【解決手段】素子基板は、遷移金属二ホウ化物のホウ素面にアルミニウム含有膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなることを特徴とする構成。素子基板の製造方法であって、遷移金属二ホウ化物のホウ素面に、アルミニウム膜をエピタキシャル成長させ、次に、窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする構成。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。
【解決手段】ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

【課題】不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。
【解決手段】シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。該半導体のドット３は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】良好なｐｎ接合を容易に形成することが可能なＺｎＯ系の酸化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この酸化物半導体素子では、ＺｎＯからなるｎ型の単結晶基板１の上面に、ＺｎＯからなるｐ型の多結晶薄膜２が形成されている。また、ｎ型の単結晶基板１の下面には、Ａｌからなる電極８が形成されており、ｐ型の多結晶薄膜２の上面には、Ａｕからなる電極９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機物を蒸発させるとき凝集し得る有機物粒子のクラッキング効果（ｃｒａｃｋｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ）を最大化することができる蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】有機材料の蒸発時に凝集し得る蒸発粒子のクラッキング効果（ｃｒａｃｋｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ）を最大化することができる蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法に関する。本発明による有機薄膜材料である有機物が収納され、加熱部を有するるつぼと、前記有機物を基板に噴射する少なくとも一つの噴射ノズルとを備える蒸発源において、前記るつぼは蒸発する前記有機物の移動経路上に配設される少なくとも一つのバッフルを有し、前記噴射ノズルは、輻射熱を遮断することができるシャワーヘッド構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 活性化率の高いＺｎＯ結晶、またはＺｎＯ系半導体化合物結晶を含むＺｎＯ系発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）Ｚｎ極性面を備える基板のＺｎ極性面上に、ｎ型ＺｎＯバッファ層を形成する。（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。（ｄ）ｎ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ＺｎＯ層とＺｎＭｇＯ層とが交互に積層されるＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層を形成する。（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。（ｆ）ｐ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ｐ型ＺｎＯ層を形成する。（ｇ）ｎ型ＺｎＯ層及びｐ型ＺｎＯ層上に電極を形成する。工程（ｂ）において、Ｚｎリッチ条件で層形成を行う。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の静電耐圧を向上させること。
【解決手段】スパッタリングによって形成したＡｌＮバッファ層の上に、ＧａＮ層を２μｍ厚程形成すると、その表面は平均約０．９ｎｍ程の凹凸が生じる。ＧａＮ層にドナーをドープした場合は、この凹凸が余り改善されない。一方、ＧａＮ層にアクセプタをドープした場合は、凹凸が１／２程度に改善されることが見出された。この改善により、静電耐圧も向上する。 （もっと読む）