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Fターム[5F103LL01]の内容

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【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板1と、その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層5a及び井戸層5bを備えた多重量子井戸構造の発光層5とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、井戸層5bの各々は、層厚が同一であり、バンド端発光とは別に、波長を相違する複数の光(多波長光)を同時に出射する、マグネシウムを添加したn形の窒化ガリウム・インジウム(組成式:GaXIn1-XN)からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。 (もっと読む)


本発明は、(i)単結晶の基板を提供するステップと、(ii)上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、(iii)(a)単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、(b)遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、(iv)そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 (もっと読む)



【課題】平坦性向上が図られたZnO系化合物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系化合物半導体層の製造方法は、(a)基板を準備する工程と、(b)前記基板の上方に、少なくともソースガスとしてZn、O、及びサーファクタントとしてSを同時に供給してZnO系化合物半導体層を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】スパッタ法によって基板上に積層するIII族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるIII族窒化物半導体の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたIII族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板11及びターゲットを配置し、基板11上にMgがドープされたIII族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Mgをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、MgドープIII族窒化物半導体からなるp型半導体層16を形成する方法としている。 (もっと読む)



【課題】III族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、III族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、III族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】平坦な高品質ZnO系薄膜を形成可能な結晶成長方法の提供。
【解決手段】基体表面にZn系材料とO系材料とを供給し、基体表面にZnO系薄膜を成長させるZnO系薄膜の結晶成長方法であって、前記基体として、O極性ZnO基体を用い、かつO系材料に対してZn系材料が過剰となるように各材料を供給しながら基体表面にZnO系薄膜を成長させることを特徴とするZnO系薄膜の結晶成長方法。 (もっと読む)




【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ12(22)にてシリコンドット形成用ガス(絶縁膜形成用ガス)から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板SにシリコンドットSiD(絶縁膜F)を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Sを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Sを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成(絶縁膜形成)を開始させるシリコンドット形成方法及び装置1(シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置A)。 (もっと読む)


【課題】発光デバイス等に使用できる結晶性のよいInNおよびIn組成の大きなInGa1−xN層を提供することを目的とする。
【解決手段】 ZnO基板上に成長することで形成されたIII−V族窒化物層であって、前記III−V族窒化物層は、前記基板上に直接接して形成された第一層と、この第一層上に直接接して形成された第二層とを少なくとも有し、前記第一層が、InGa1−aN(但し、aは、0≦a≦0.16を満たす数である)であり、前記第二層が、InGa1−xN(但し、xは、0.5≦x≦1を満たす数である)であることを特徴とするIII−V族窒化物層。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板11上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板11に印加するバイアス値を0.1W/cm以上とする。 (もっと読む)


【課題】GaNに格子定数の近い基板を用い,大型で良質のGaNエピタキシャの結晶を得る。
【解決手段】素子基板は、遷移金属二ホウ化物のホウ素面にアルミニウム含有膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなることを特徴とする構成。素子基板の製造方法であって、遷移金属二ホウ化物のホウ素面に、アルミニウム膜をエピタキシャル成長させ、次に、窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする構成。 (もっと読む)


【課題】MBEやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたIII族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。
【解決手段】ドーパント元素のみを供給するプロセスと、III族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたIII族窒化物化合物半導体層の成長方法。 (もっと読む)



【課題】良好なpn接合を容易に形成することが可能なZnO系の酸化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この酸化物半導体素子では、ZnOからなるn型の単結晶基板1の上面に、ZnOからなるp型の多結晶薄膜2が形成されている。また、n型の単結晶基板1の下面には、Alからなる電極8が形成されており、p型の多結晶薄膜2の上面には、Auからなる電極9が形成されている。 (もっと読む)



【課題】 活性化率の高いZnO結晶、またはZnO系半導体化合物結晶を含むZnO系発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】 (a)Zn極性面を備える基板のZn極性面上に、n型ZnOバッファ層を形成する。(b)n型ZnOバッファ層の表面上に、n型ZnO層を形成する。(c)n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する。(d)n型ZnMgO層表面上に、ZnO層とZnMgO層とが交互に積層されるZnO/ZnMgO量子井戸層を形成する。(e)ZnO/ZnMgO量子井戸層表面上に、p型ZnMgO層を形成する。(f)p型ZnMgO層表面上に、p型ZnO層を形成する。(g)n型ZnO層及びp型ZnO層上に電極を形成する。工程(b)において、Znリッチ条件で層形成を行う。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の静電耐圧を向上させること。
【解決手段】スパッタリングによって形成したAlNバッファ層の上に、GaN層を2μm厚程形成すると、その表面は平均約0.9nm程の凹凸が生じる。GaN層にドナーをドープした場合は、この凹凸が余り改善されない。一方、GaN層にアクセプタをドープした場合は、凹凸が1/2程度に改善されることが見出された。この改善により、静電耐圧も向上する。 (もっと読む)


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