【課題】消費電力を抑えることができる記憶素子、当該記憶素子を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】一対のインバータ（クロックドインバータを含む）を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積および放出を制御するスイッチング素子とを設ける。例えば、容量素子の一方の電極を一対のインバータのいずれかの入力あるいは出力である第１のノードに接続し、他方の電極をスイッチング素子の一方の電極に接続する。スイッチング素子の他方の電極は前記インバータの出力あるいは入力である第２のノードに接続する。ここで、第１のノードの電位と第２のノードの電位は互いに逆の位相である。このような接続により、データ回復時における第１のノードと第２のノードの電位差の絶対値を十分に大きくすることができ、データ回復時のエラーを減らせる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた炭化シリコン膜を形成することができる炭化シリコンからなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁膜２を介してシリコン膜３が形成された半導体基板を用意し、炭化シリコン膜６形成予定領域を選択的に被覆するマスク膜５を形成する。このマスク膜５で被覆されない領域のシリコン膜３を酸化し、酸化シリコン膜４を形成する。マスク膜５を除去し、シリコン膜３を露出させ、露出したシリコン膜３を炭化し、炭化シリコン膜６を形成する。その後、炭化シリコン膜６上に炭化シリコンのエピタキシャル成長膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ５０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、基板１とゲート電極２とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層４と、ゲート絶縁体層４上に形成された半導体層５と、半導体層５上に形成された保護層６と、ゲート絶縁体層４と半導体層５と保護層６とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を有し、半導体層５における、ソース電極７とドレイン電極８との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端５ａは、ソース電極７の一端７ａと一致し、半導体層５における他端５ｂは、ドレイン電極８の一端８ａと一致している。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタ１１９と、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜１５６と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極１１４と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極１１０と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜１３５と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線１７７と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線１７８とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中の分断領域１６９によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層へ酸素を効率よく供給し、トランジスタ特性を向上することが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する酸化物半導体層と、チャネル領域を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜の両側の酸化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともソース電極およびドレイン電極上に設けられた保護膜と、酸化物半導体層に設けられ、保護膜と同一の構成材料が充填された１または２以上の凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【解決手段】化学センサは、第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える電子機器である。第１のトランジスタは、第１の半導体とカーボンナノチューブとから作られる半導体を備えている。第２のトランジスタは、第２の半導体から作られる半導体層を備えており、カーボンナノチューブは含んでいない。この２種類のトランジスタは、化学化合物への応答という点で異なっており、その応答の差を利用し、特定の化学化合物の属性を決定することができる。
【効果】この化学センサは、爆発性化合物、例えば、トリニトロトルエン（ＴＮＴ）の使い捨て可能なセンサとして有用であろう。この電子機器を分析器とともに使用し、分析器は、電子機器によって作られた情報を処理する。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の電界効果型薄膜トランジスタについて、表面ポテンシャルを高速かつ高精度に計算する。
【解決手段】シミュレーション装置１は、電気的中性条件に基づいて、フラットバンド条件でのフェルミ準位を算出するフェルミ準位演算手段１１と、このフェルミ準位を用いてフラットバンド条件での帯電した欠陥の密度を含む電荷担体密度を算出する電荷担体密度演算手段１２と、ポアソン方程式から解析的に導出されるポテンシャルとゲート電圧との間の関係式に、半導体膜中の電荷分布が一定として表面及び裏面ポテンシャルを関連付けた近似式を代入して得た方程式に、電荷担体密度算出手段１２で算出した電荷担体密度を代入して裏面ポテンシャルを算出する裏面ポテンシャル演算手段１４と、裏面ポテンシャルを前記近似式に代入して表面ポテンシャルを算出する表面ポテンシャル演算手段１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】ノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】光検出回路と、差分データ生成回路と、データ入力選択回路と、を具備する。光検出回路は、光データ信号を生成する機能を有する。また、差分データ生成回路は、第１のデータ信号及び第２のデータ信号が入力され、第１のデータ信号のデータと第２の信号のデータとの差分データを生成する機能を有する。また、データ入力選択回路は、光データ信号のデータを、第１のデータ信号のデータみなすか第２のデータ信号のデータとみなすかを決定する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定的に電子素子部を形成可能な電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、可撓性を有する金属基材と、上記金属基材の少なくとも一方の表面上に形成された絶縁層と、上記金属基材の他方の表面上に形成され、電磁波剥離性を有する電磁波剥離性粘着樹脂を含む電磁波剥離性粘着層と、を有することを特徴とする電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）