【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題の一とする。また、高い電界効果移動度を有するトランジスタの作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気で熱処理をして、酸化物半導体膜を結晶化させる酸化物半導体膜の作製方法である。また、基板上に、ゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気での第１の熱処理をして、酸化物半導体を結晶化させ、結晶化した酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、結晶化した酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸素原子を含む絶縁膜を形成し、結晶化した酸化物半導体膜を第２の熱処理により酸化させるトランジスタの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散領域の抵抗値のばらつきを抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層にドーパント不純物を添加し、０．１秒〜１０秒の活性化熱処理を行う。次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の状態を光学的に観察して、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】本発明では、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板に光を照射し、光が照射された多結晶シリコン薄膜の表面から発生する１次回折光の像を撮像し、撮像して得た１次回折光の像の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査し、画像を処理して検査した１次回折光の像を検査した結果の情報と共に画面上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】高価な機材である真空チャンバーを用いることなくキャリア移動度の高いポリシリコン膜を製造する。
【解決手段】ポリシリコン膜の製造方法において、少なくともシリコン粒子を分散させた液体を基板に塗付する工程と、塗布した液体を乾燥させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をポリシリコン膜にするための熱アニール処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャリアの移動度が高く、特性ばらつきが少ない半導体装置の製造方法、これを適用した半導体装置を備えた電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の半導体装置の製造方法は、基板上に第１多結晶質シリコン膜としての第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上に非結晶質シリコン膜を形成して、該非結晶質シリコン膜に対して、不活性ガス雰囲気中で第１半導体層上における該非結晶質シリコン膜の結晶核発生速度よりも結晶成長速度の方が速くなる温度で熱処理を施して該非結晶質シリコン膜を結晶化して第２多結晶質シリコン膜としての第２半導体層を形成する工程と、第１半導体層および第２半導体層をパターニングして半導体層を形成するエッチング工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】熱プラズマジェットアニール技術による、半導体薄膜の結晶化プロセスをはじめとした熱処理において、従来よりも少ない投入熱量で十分な熱処理効果を得ることを目的とする。
【解決手段】熱プラズマによって被処理半導体薄膜を熱処理する際に、前記被処理半導体薄膜の表面に予め前記被処理半導体薄膜の成分以外の物質からなる粒子を付着させ、該粒子の付着箇所に熱プラズマを照射する。あるいは、前記粒子を熱プラズマ中に供給し、前記粒子を熱プラズマとともに前記被処理半導体薄膜の表面に噴出する。 （もっと読む）

【課題】連続発振型の半導体レーザ光を使用して、光エネルギーの損失を抑制し、短時間で安定した、効率のよい半導体材料の加熱方法及び加熱装置を提供するものである。
【解決手段】
半導体レーザ光１を、発熱層２に照射してこの発熱層２を発熱させ、この発熱層２と接する半導体材料４を熱処理する方法において、半導体レーザ光１を発熱層２上をスキャン操作を行わせ、半導体材料４を熱処理するに際し、半導体レーザ光１の折り返し操作が行われる部位Ｐに対応する発熱層２の表面に半導体レーザ光遮蔽板８を配置すると共に、半導体レーザ光遮蔽板８に於けるスキャンされる半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０を設ける半導体材料の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産
上、不利と考えられる。
【解決手段】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウン
が実現でき、大面積基板にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】短時間且つ低温で高品質な多結晶シリコンを形成する方法を提供する。
【解決手段】微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１にマイクロ波を用いたアニールを行うことで、微結晶１１ａを核として微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多結晶シリコン層の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る多結晶シリコン層（２２）の製造方法は、非晶質シリコン層（２０）と金属混入層（３０）とをコンタクトした後、非晶質シリコン層（２０）を結晶化熱処理して多結晶シリコン層（２２）を製造することを特徴とする。本発明によれば、金属触媒の量を少なく導入しながらも、結晶化温度を低くすることができる多結晶シリコン層の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が０．１ｍｓ以上となるように走査し、結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の材質に関係なく半導体回路部分への高熱処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板２上にシリコーン樹脂で密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下の多孔質構造体層４を設ける。ここでシリコーン樹脂は９５質量％以上がシルセスキオキサンまたはシロキサンからなり、シルセスキオキサンはメチルシルセスキオキサンまたはフェニルシルセスキオキサンであることが好ましい。この多孔質構造体層上に半導体素子層３を設け、この半導体素子層側からのみ間欠的に光または電子線により加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に第１の多元系酸化物半導体層を形成し、第１の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第１の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第２の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとする。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によって表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】基板中に形成されたトレンチ中に、単結晶のゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】誘電体分離３（例えばＳＴＩ）を有する基板１を準備する工程と、基板材料１（例えばＳｉ）のトレンチエッチング４を行う工程と、トレンチ４内への充填層５（例えばＧｅ）の選択成長を行う工程と、略溶融温度での充填層６の加熱により、充填層５（例えばＧｅ）の再結晶化７により達成される。 （もっと読む）