【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させ、かつ、炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスが電気的に絶縁された構造とすることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上に下地層１２を形成する工程と、下地層１２上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、炭化シリコン膜１３をマスクに用いて、マスクが形成されていない領域の下地層１２をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの使用によってボンド基板に生じる不具合を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射してボンド基板中に脆化領域を形成する第１の工程と、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる第２の工程と、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する第３の工程と、脆化領域で分離されたボンド基板に対して、アルゴン雰囲気において第１の熱処理を施した後に、酸素及び窒素の混合雰囲気において第２の熱処理を施すことにより再生ボンド基板を形成する第４の工程と、を有し、再生ボンド基板を第１の工程におけるボンド基板として再び使用する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板（第1の基板）１０１の表面にバッファ層１０２と半導体単結晶層１０３とを順次形成する第1の工程と、半導体単結晶層１０１ａとバッファ層１０２ａとＳｉ（１１１）基板の所定の厚さ部分１０２ｂとを含む分離島１５０を形成する第２の工程と、分離島の表面を覆う被覆層２００を形成する第３の工程と、被覆層をマスクに前記Ｓｉ（１１１）基板をＳｉ（１１１）面に沿ってエッチングして剥離する第４の工程と、分離島の剥離面を別の基板（第２の基板）２０１の表面に接合する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストの立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を得るための立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法において、基板１０１の表面に犠牲層１０２を形成する第１の工程と、犠牲層の表面に少なくとも表面層が立方晶構造である立方晶半導体層１０３を形成する第２の工程と、立方晶半導体層の表面に立方晶炭化ケイ素単結晶層１０４を形成する第３の工程と、犠牲層をエッチング除去して、立方晶半導体層と立方晶炭化ケイ素単結晶層との積層体を剥離する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】所望の電気的特性を得やすい半導体基板、半導体装置及び半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程Ｓ１と、第１エピタキシャル層にトレンチを形成するトレンチ形成工程Ｓ２と、第１エピタキシャル層及びトレンチ内にエピタキシャル層を、異なる成長速度を含む複数の成長条件を用いて、トレンチ内を埋めるように形成し、複数の成長条件のそれぞれにおいてエピタキシャル層に取り込まれるドーパント濃度を一定にするエピタキシャル層形成工程Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５と備える。 （もっと読む）

【課題】活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を被う保護膜の一部に形成された窓部を通して、活性層と埋め込み酸化膜との各一部をエッチングして孔部を形成後、孔部にアモルファスシリコンを堆積させる。孔部内のアモルファスシリコンを、単結晶化させる場合に高エネルギ光の照射を行うことでエピタキシャル成長速度を速め、埋め込み酸化膜の領域を通過する際に発生する欠陥密度を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンを含む半導体基板の新たな作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】シリコン基板表面に炭化処理を施して炭化シリコン層を形成し、シリコン基板にイオンを添加することにより、シリコン基板中に脆化領域を形成し、シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、シリコン基板を加熱して、脆化領域においてシリコン基板を分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して炭化シリコン層とシリコン層の積層構造を形成し、シリコン層を除去して炭化シリコン層の表面を露出させることにより半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にバッファ層１２を形成する第１の工程と、バッファ層１２上にシリコン膜１５を形成する第２の工程と、シリコン膜１５を炭化して炭化珪素膜１３を形成する第３の工程と、を含み、バッファ層１２は、シリコンの格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】大きな歪み量を発生可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＣとＣの濃度の１０倍以上のＧｅとを含んだＳｉＧｅＣ層を形成する工程（Ｓ３）と、ＳｉＧｅＣ層内のＣのうちで格子置換位置に位置しているものを格子間位置へと移動させることによって、前記ＳｉＧｅＣ層内の全てのＣに対する格子置換位置に位置するＣの割合を形成された時点での割合から低下させて５０％以下に低下させる工程（Ｓ４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第１の単結晶の基板から第２の基板へ、単結晶の薄層を移動する方法であって、層分割に必要とされる水素の注入量が低減された移動方法が実現される。
【解決手段】第１の単結晶の基板から第２の基板へ、単結晶の薄層を移動する方法は、水素のトラップを誘導するイオンを水素イオンと共注入すること、高温で水素を注入すること、またはこれらの組み合わせを実施し、次に、第１の基板の注入された層と残りの基板との結合を弱めるために熱処理を施し、さらに、注入された第１の基板と第２の基板との強力な接着を形成し、最後に、水素が充填された微小亀裂を形成、成長させることで単結晶の薄層が第１の基板の残りから分割するように別の熱処理を施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】下地基板と、複数の群の異なる隣接エリアから形成された混合層とを含むハイブリッド基板を簡単かつ確実に生成する方法を提案する。
【解決手段】ハイブリッド基板生成方法が
単結晶の第１の基板が、２つの表面部分１１および１２を得るように分離されるステップと、
表面部分１１に沿って延び、第１のエリア１３で形成され、かつアモルファス材料の異なる第２のエリアに隣接する混合層を含む仮基板が準備され、これらの第２のエリアが、この第１の基板の自由表面の少なくとも一部を形成するステップと、
少なくともこれらのアモルファスエリア全体の分子接合によって、第１の表面部分と同じ結晶配向の他の表面部分１２がこの第１の基板に接合されるステップと、
２つの表面部分の結晶配向にしたがったアモルファスエリアの少なくとも一部の固相再結晶化が第１のエリアに対して選択的に生じ、２つの表面部分が有利には分離されるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成可能な貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高エネルギ光を、活性層用ウェーハの素材は溶融しないが、吸光係数が高いアモルファスシリコンは溶融する条件で貼り合わせ基板の活性層用ウェーハ側の面に照射し、この窓部内のシリコンを溶融させて固化させる。このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する方法を提供する。
【解決手段】貫通転位３の転位線の方向が揃えられ、貫通転位３の転位線の方向と［０００１］ｃ軸との為す角度θが２２．５°以下となるようにする。［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 （もっと読む）

【解決手段】
トランジスタのドーパントプロファイルは、その場で(in situ)ドープされた歪誘起半導体合金に基いて得ることができ、段階的なドーパント濃度が高さ方向に沿って確立され得る。その結果、半導体合金をチャネル領域にごく近接して位置させることができ、それにより全体的な歪誘起効果を高めることができる一方で、最終的に得られるドーパントプロファイルについて過度に妥協しなくてよい。更に、半導体合金を選択的に成長させるのに先立ち追加的な注入種が組み込まれてよく、それにより内部歪の注入誘起緩和を回避することができる。 （もっと読む）