【課題】基板端部に付着した付着物を除去する際に，その付着物を化学分解反応させる活性種が基板の処理面に回り込むことを防止して，処理面にダメージを与えないようにする。
【解決手段】ウエハＷの端部に紫外線を当てて洗浄処理を行う際に，ウエハＷの端部の裏側表面に裏側気体２３６の流れを形成するとともに，その表側表面にも裏側気体と同一方向の表側気体２４６の流れを形成し，裏側気体の流速を表側気体の流速よりも速くする。これにより，たとえウエハの端部と仕切板２２０の間に隙間Ｇが生じていても，ウエハの表側から裏側に向う下降気流２３８が形成されるので，ウエハの端部の裏側で生じた活性種のウエハの表側への回り込みを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 酸化シリコン系や窒化シリコン系の高硬度膜を含む不要膜や凹凸面を高効率で除去し、研磨面精度を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１０の周縁部に、酸化シリコン系或いは窒化シリコン系の膜１１，１２に対してケミカル効果を有する粒子を主成分とする砥粒を固定した第１研磨面を接触させて基板１０を研磨する工程と、基板１０の周縁部に、メカニカル効果を有する粒子を主成分とする砥粒を固定した第２研磨面を接触させて基板１０を研磨する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を最小限に抑えつつ基板の表面周縁部および裏面から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。基板Ｗの上方に対向部材５が対向位置に配置された状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１との間の空間ＳＰに窒素ガスが供給され、基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めして第１ノズル３から塩酸を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給するとともに、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして第２ノズル４から硝酸を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給することにより、基板表面Ｗｆで塩酸と硝酸が反応してエッチング液が生成される。 （もっと読む）

【課題】誘電体カバーを伴うエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジ付近およびチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための装置と方法とを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、また、基板支持部を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極と基板支持部とは、ボトム誘電体リングによって互いに電気的に絶縁される。基板に面するボトムエッジ電極の表面は、ボトム誘電体膜によって覆われる。プラズマ処理チャンバは、さらに、基板支持部と向かい合うトップ絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。基板に面するトップエッジ電極の表面は、トップ誘電体膜によって覆われる。トップエッジ電極とボトムエッジ電極とは、互いに相対し、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】シリサイドゲート上の微小突起物を除去することにより、ゲート電極とコンタクトプラグとのショート不良の発生を抑制した洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート電極３上及びソース／ドレイン領域の拡散層６，７上にＴｉ膜を形成する工程と、このＴｉ膜に熱処理を施すことにより、ゲート電極上及びソース/ドレイン領域の拡散層上にＴｉシリサイド膜９ａ〜９ｃを形成するシリサイド化工程と、このシリサイド化工程でシリサイド化されずに残留するＴｉ膜を除去する洗浄工程であって、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液に超音波を加えながら洗浄する工程と、Ｔｉシリサイド膜上に層間絶縁膜１０を形成する工程と、この層間絶縁膜をエッチングすることにより第１の接続孔及び第２の接続孔を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

半導体基板のベベル端部を洗浄するためのデバイス。このデバイスは、シリンダ状上部部分を有する下方サポートと、上部部分の外方端部を囲み、基板を支持するようになされた、下方プラズマ排斥区域（ＰＥＺ）リングと、下方サポートに対向し、シリンダ状下部部分を有する、上方誘電体部品と、下部部分の外方端部を囲み、下方ＰＥＺリングに対向する上方ＰＥＺリングと、上方ＰＥＺリングおよび下方ＰＥＺリングによって画定された環状スペース内で、プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ化させるように作動する、少なくとも１つの高周波（ＲＦ）電源とを備え、この環状スペースには、ベベル端部が含まれる。
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残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

本発明は、半導体生産ラインでの自動交替式副産物捕集装置及びその制御方法に関し、特に、公知の副産物捕集装置を構成するにおいて、垂直軸の周囲に一定角度をおいて固定設置された状態でサーボモータの駆動方向に応じて上プレート及び下プレート間で左右に回動し、いずれか一個が副産物を捕集して残りは反復的に清掃を行う数個のトラップユニットと、中央部は前記トラップユニットが固定された垂直軸が貫通する形態で軸支されて、前記上蓋体及び下蓋体と一定間隔を維持する形態で設置され前記ケースの上部及び下部からトラップユニット等の上開口部及び下開口部に接触され各々のトラップユニットに副産物流入口及び副産物排出口と洗浄水供給口及び洗浄水排出口、乾燥気体供給口及び乾燥気体排気口を選択的に連結させる上プレート及び下プレートと、平常時には伸長により前記上プレート及び下プレートとユニット等との間で気密を維持させて、トラップユニット等の交替のために一定方向に回動させる際には、垂直になりトラップユニット等を円滑に回動させるトラップとプレート連結及び分離手段と、前記垂直軸の低端部に軸が連結された状態で下プレートの底面に固定設置され制御部の出力信号に応じて正、逆方向に回動し前記トラップユニット等を一定角度範囲内で回転させるサーボモータと、制御プログラムを通じて前記サーボモータとトラップとプレートの連結及び分離手段及び各種バルブの駆動を制御する制御部とから構成される。
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フッ素と、窒素および／またはアルゴンのような不活性ガスとの混合物を、半導体、ソーラーパネル、およびフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）をエッチングするため、ならびに半導体表面およびプラズマチャンバーをクリーニングするために使用することができる。二元混合物の中にフッ素が、１５〜２５容積％の量で含まれているのが好ましい。それらのガス混合物は、ＮＦ_３を含むそれぞれの混合物に対する、代替物またはドロップインとして使用することが可能であり、プラズマ装置の運転を極めてフレキシブルとすることができる。たとえば、ＮＦ_３／Ａｒ混合物用に調整された装置を、さらなる調整をすることなく、フッ素とアルゴン、場合によっては窒素も加えて使用して運転することが可能である。フッ素、窒素およびアルゴンの三元混合物を使用する場合、そのフッ素含量は、１〜５容積％の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い処理能力を得ることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納し，内部で基板を処理する処理容器２と，処理容器２内に収納された基板Ｗを加熱するヒータ２０と，処理容器２内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段５と，処理容器２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段７と，処理容器２内にＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給手段９と，処理容器２内を排気する排気管２３と，この排気管２３に設けられた流量コントローラ７１と，処理容器２内を加圧するように流量コントローラ７１を制御する制御部２１と，を備えていることを特徴とする，基板処理装置１である。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造工程中、洗浄工程、エッチング工程などのように基板を回転させながら工程を行うために使用するスピンチャックに関する。本発明のスピンチャックは、基板が載置される回転可能なスピンヘッドと、スピンヘッドを回転させる駆動部と、スピンヘッドに設けられ、基板の回転の時、基板のフラットゾーンによる渦流現象を防止するために、基板のフラットゾーンに対応する位置にフラットゾーンのフラット面と接する接触面を有する固定ブラケットと、を含む。
上述した構成のスピンチャックは、基板のフラットゾーンと同一な形状の固定ブラケットを備えることによって、基板のフラットゾーンによる気流の不均衡を防止できる。従って、基板の背面に噴射されるエッチング液が均一に広がるようにすることができるという利点を有する。 （もっと読む）

基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
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