【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去することによりパーティクルの発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１０の表面に熱酸化法又はＣＶＤ法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部１０ａにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材１２を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、簡便な手法で半導体基板の端面と裏面側の周縁部とをクリーニングすること。
【解決手段】シリコン基板５０の縁部を保持する工程と、シリコン基板５０の裏面Aの周縁部Rにブラシ１２を摺接させることにより、シリコン基板５０の裏面Aに付着している堆積物を除去する工程とを有し、上記の堆積物を除去する工程において、ブラシ１２の一部をシリコン基板５０の裏面Aからはみ出させる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚を考慮して部分液交換を行うことにより、処理レートを一定の範囲に保持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部２５は、カウンタ３７で計数された基板Ｗの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Ｗの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Ｗを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部に形成される処理液の循環領域を狭小化して処理液の置換効率を向上させるとともに、複数枚の基板の間隙に処理液を良好に流入させる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】下段ノズル１４ｂの吐出孔１４１の向きを、底板１１ａの上面の法線Ｎに対して内側方向に５°以上かつ４０°以下の角度θに設定する。これにより、吐出孔１４１から吐出された処理液の流圧が過度に低減されることはなく、また、内槽１１の内部において大きな処理液の循環領域ＣＡが形成されることもない。したがって、基板Ｗの間隙に処理液を良好に流入させつつ、内槽１１の内部の処理液を効率よく置換できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。
【解決手段】本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理前における、基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】主表面に複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理方法であって、基板の主表面に第１の処理液を供給し、基板の主表面に第１の処理液を付着させ、基板の主表面に第１の処理液が付着した状態で、第１の処理液よりも表面張力が大きい第２の処理液を基板の主表面に供給し、第２の処理液により基板の主表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【解決手段】洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化剤、金属エッチング剤、および界面活性剤を含み、ｐＨが１０〜１４である半導体デバイス用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】半導体基板ベベル部に堆積した膜を洗浄により除去し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板洗浄方法は、回転軸の回りで半導体基板を回転させる工程と、前記回転軸に対して第１の角位置に形成された冷却機構により、前記回転している半導体基板外周のベベル部を冷却する工程と、前記回転軸に対して前記第１の角位置とは異なる第２の角位置に形成された加熱機構により、前記回転している半導体基板の前記ベベル部を加熱する工程と、を含み、前記半導体基板の前記ベベル部を交互に加熱および冷却することにより、前記ベベル部において前記半導体基板の表面上に堆積している膜を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】薬液又は純水によってポリマー又は異物を確実に除去できるウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄装置は、半導体ウェハ３を保持するウェハ保持機構１と、前記ウェハ保持機構１を回転させる回転機構と、前記ウェハ保持機構１の上方に設けられ、薬液又は純水を前記半導体ウェハ３の表面に吐出する薬液ノズル５又は純水ノズル４と、前記ウェハ保持機構１の外側であって前記半導体ウェハ３のベベル部を覆うように配置され、前記ベベル部に前記薬液又は前記純水を一時的に保持する薬液保持治具６と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス洗浄用組成物であって、ａ）当該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；ｂ）当該組成物の約０．５重量％〜約１９重量％の水と；ｃ）当該組成物の約０．５重量％〜約１０重量％のテトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分とからなり、ｄ）任意で、少なくとも１つの多価アルコールを含む、組成物は、Ｓｉ系反射防止コーティングと低ｋ誘電体の両方を有するマイクロエレクトロニクス基板またはデバイスからエッチング／アッシング残渣を洗浄する際に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】筐体内部等に対するメンテナンス性を阻害することのない筐体カバー機構を提供する。
【解決手段】少なくとも開口部２３３ａを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有するシート状カバー部材２０２を、移動手段２１５によって開口部２３３ａを閉塞する閉塞位置と開口部２３３ａを開放する開放位置との間で移動させることで、開口部２３３ａを開閉するように構成し、開口部２３３ａの開放時にはシート状カバー部材２０２を筐体２３３内部のメンテナンス性を阻害しない状態に維持することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ１の周囲に複数のエッチングユニット６を配置する。このエッチングユニット６内に設けられたエッチングローラー１０には、各エッチングユニット６ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー２０，２１が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸８部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの周辺へ誘導される反応ガスの圧力にバラツキが生じることなく、その圧力を均一に保持することができ、プラズマによるガス分配板の汚染を最小化することができるプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】ウエハの周縁へ反応ガスを誘導するガス分配板と、上記ガス分配板から離間して配設されるプレートと、上記ガス分配板とプレートとの互いに対向する面のうちの少なくとも一方の面に突設され、上記ウエハの周縁に流れていく反応ガスの圧力を均一にする緩衝部と、を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）