【課題】短時間で被処理基板の周縁部の温度を上げて薬液による処理効率を高めることが可能な液処理装置などを提供する。
【解決手段】鉛直軸周りに回転する被処理基板Ｗに、薬液供給部６２から薬液を供給して液処理を行う液処理装置１において、被処理基板Ｗの上面に空間を介して対向するように設けられたカバー部材５には、ガス供給口５１が設けられており、このガス供給口５１から空間に向けてガスを供給する。このガスはカバー部材５１の周縁部に下方側に突出して設けられた突出部と被処理基板Ｗとの隙間を介して当該空間から流出する。さらにこの空間には被処理基板Ｗの周縁部を加熱するランプヒーター６１が被処理基板Ｗの周方向に沿って配置されており、薬液供給部６２から供給される薬液はこのランプヒーター６１の配置位置よりも周縁部寄りに供給される。 （もっと読む）

【課題】形成した微細パターンの乾燥工程での倒壊を防止する。
【解決手段】 被加工物に対して、第１パターンの形成領域と、前記第１パターンの形成領域に隣接して前記第１パターンに比べて少なくともパターン幅が広いかアスペクト比が小さい第２パターンの形成領域とを設ける構成の半導体装置の製造方法であって、最表面に第１の接触角を有する第１膜を配置した前記第１パターンと、最表面に前記第１の接触角よりも小さい第２の接触角を有する第２膜を配置した前記第２パターンを形成する工程と、前記第１パターンおよび第２パターンの形成領域を薬液により洗浄し、リンス液でリンスする工程と、リンスした前記第１パターン及び第２パターンを乾燥させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第１の二酸化炭素に基づく第１の超臨界流体を供給する工程と、前記第１の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第２の二酸化炭素に基づく第２の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第２の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第１の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第２の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第１の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 （もっと読む）

【課題】ワークへの保護膜形成やワークからの保護膜除去の際に、当該処理に伴い発生する保護膜成分を含む液滴のワーク搬送機構等の可動部への飛散を抑え、可動部の固着を防止すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、上面に開口部２７を有する筐体２８と、ウェーハＷを保持すると共に筐体２８内部に収容可能な保護膜形成・除去用テーブル２６と、筐体２８内部に設けられたウェーハＷの被加工面を洗浄する洗浄用ノズル３２と、ウェーハＷの洗浄の際に開口部２７を覆うシャッター機構３０とを備える。シャッター機構３０は、開口部２７を被覆可能なシート部材３３と、シート部材３３が巻回される巻回ローラ３４と、シート部材３３の先端部を保持し、筐体２８上面に設けられた一対のガイドレール３５、３５上を、開口部２７を開放する開放位置と開口部２７を閉塞する閉塞位置との間でスライド可能なシート部材保持部３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを形成されたウェハの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハのパターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含む撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】上記ウェハの洗浄において、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする。
【化】
（もっと読む）

【課題】凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法に関し、経済的かつ効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの表面に前処理用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面を改質する、前処理工程、および、
改質された凹凸パターンの表面に保護膜形成用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面に撥水性の保護膜を形成する、保護膜形成工程
を少なくとも含むウェハの洗浄方法であって、
前記前処理工程では、酸をモル濃度で０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ含み、ｐＨが３以下である前処理用薬液を用いて、４０℃以上、前処理用薬液の沸点未満の温度で凹凸パターンの表面を改質することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内部を低ダメージでトレンチ底部まで確実に洗浄することができる洗浄工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ３を形成した後の洗浄工程の薬液５として、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を用いる。これにより、超音波等の外力を加えること無く、トレンチ３の底部まで確実に洗浄を行うことが可能となる。そして、このような洗浄工程を行えることから、アスペクト比が５以上のトレンチ３を形成しても、確実にトレンチ３の底部まで保護膜４を含む異物の洗浄除去を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】室温でもポリイミドを良好に除去することができ、アルミニウム及びアルミニウム合金配線の腐食防止効果にも優れるだけでなく、長期間使っても析出の問題がないポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（Ａ）０．１〜１０重量％の下記化学式１で示される第４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）５０〜９０重量％のグリコールエーテル系化合物、（Ｃ）７〜３０重量％のグリセリン、及び（Ｄ）残量の水を含むポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
［化学式１］
［Ｎ−（Ｒ）_４］^＋・ＯＨ⁻
前記式で、Ｒは炭素数が１〜５のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】ブラシの回転により残渣を除去する方法において、柔らかい材質で構成されたブラシ用いて残渣を十分に除去できる残渣除去装置及び残渣除去方法を提供する。
【解決手段】基板に残存した異方性導電膜の残渣を除去する残渣除去装置であって、残渣に当接して所定の駆動力を受けて回転し、残渣に当接する部分が植物樹脂で構成されるブラシと、残渣を除去するための圧力を、ブラシと残渣との当接部分に加える加圧手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された半導体基板を、パターン倒壊を防止しつつ、低コストに乾燥させる基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】表面が薬液たとえばイソプロピルアルコールで濡れ、アスペクト比１０以上のパターンが形成された半導体基板Ｗをチャンバ３１内に導入する。そして、前記薬液を前記半導体基板上に残留させつつ、１６０℃以上かつ前記薬液の臨界温度未満の所定温度まで昇温し、気化した前記薬液を前記チャンバから排出する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗは基板保持部３に水平に保持されて、鉛直軸周りに回転され、薬液供給部３４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に薬液が供給される一方、リンス液供給部３４３からはこの薬液が供給された面にリンス液が供給される。そして第１のステップにて第１の回転速度で回転させながら被処理基板Ｗに薬液を供給し、第２のステップにて薬液の供給を停止し、かつ被処理基板Ｗを前記第１の回転速度より速い第２の回転速度で回転させて薬液を振り切った後、第３のステップにて被処理基板Ｗを第１の回転速度以下の第３の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板Ｗにリンス液を供給する。 （もっと読む）

【課題】液体原料のクラスターと気体原料のクラスターの比率を容易に制御することのできるクラスタービーム合せい装置を提供する。
【解決手段】クラスタービーム２６を発生させるクラスタービーム発生装置１０において、気体原料と液体原料とを混合する混合器４０と、前記混合器４０において混合された前記気体原料及び前記液体原料をクラスターとして供給するノズル２１と、前記ノズル２１の温度を調整する温度調整部２３と、を有し、前記温度調整部２３により、前記ノズルの温度を変化させることにより、前記クラスターにおける前記液体原料のクラスターと前記気体原料のクラスターとの比率を調整することを特徴とするクラスタービーム発生装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】さほど製造工程数を多くすることなくパターン倒壊を防止できる半導体基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、レジストに覆われた第１パターンと、前記レジストに覆われていない第２パターンとを有する半導体基板にレジスト非溶解性の第１薬液を供給して前記第２パターンに対する薬液処理を行う工程と、前記第１薬液の供給後に、前記半導体基板に撥水化剤とレジスト溶解性の第２薬液との混合液を供給し、少なくとも前記第２パターンの表面に撥水性保護膜を形成すると共に、前記レジストを剥離する工程と、前記撥水性保護膜の形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、リンスした前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリマー層を剥離するために必要な化学的/物理的パラメータを正確に維持しかつ迅速・完全にポリマー層を除去/剥離できる装置または方法を提供すること
【解決手段】本発明は、基板表面からポリマー層を剥離させる装置であり、基板背面を受ける基板保持手段と、ポリマー層を剥離させる流体をポリマー層に塗布する塗布手段と、加熱手段の加熱表面をポリマー層に塗布された流体と接触させて熱を流体に伝える加熱手段とを備える装置、ならびに基板表面からポリマー層を剥離させる方法であり、基板保持手段上で基板を受けるステップと、塗布手段により、ポリマー層を剥離させるための流体をポリマー層に塗布するステップと、加熱手段により流体中に熱を伝達し、それにより、加熱手段の加熱表面が、ポリマー層に塗布された流体と接触状態になるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）