【課題】本発明は、洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法等に関し、半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去するための洗浄装置及び洗浄方法、及び半導体装置の製造方法等に関する。
【解決手段】本発明に係るの洗浄装置は、半導体ウエハ３の最外端から内側に５ｍｍ以内の部分を挟んで押し当てる第１及び第２のブラシ１ａ、１ｂと、第１及び第２のブラシを保持する第１及び第２のブラシ軸２ａ、２ｂと、第１及び第２のブラシ軸を回転させる回転機構と、半導体ウエハを回転させる回転機構と、洗浄液を供給する機構と、制御機構とを具備し、制御機構は、半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍ以内の部分に第１及び第２のブラシを押し当て且つ半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍより更に内側の表裏面には第１及び第２のブラシを押し当てないことにより、半導体ウエハのエッジ部に成膜された膜を除去するように制御する機構であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に形成された薄膜または異物を、確実にかつ効率的に除去することができるウェハ端部処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ端部処理装置において、複数枚のウェハを起立状態にて互いに平行にかつウェハの中心を同軸上に配列させて支持するとともに、ウェハの中心を回転中心として複数のウェハを同時に回転駆動させるウェハ支持回転ユニットと、ウェハ支持回転装置により回転される複数のウェハの端部に接触しながら洗浄液を供給して、洗浄液により端部の薄膜または異物を除去する洗浄液供給ユニットと、洗浄液供給ユニットにより複数のウェハの端部に供給された洗浄液を除去する洗浄液除去ユニットとを備えさせ、複数枚のウェハを起立状態の姿勢にて端部にて対する処理を同時的に行う。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

太陽電池基板の層を洗浄するための方法および装置が開示される。基板が反応性ガスに露出されるもので、この反応性ガスは、窒素およびフッ素を含む中性ラジカルを含むことができるか、あるいは無水ＨＦおよび水、アルコール、または水とアルコールとの混合物を含むことができる。さらに、反応性ガスは、キャリアガスを含みうる。反応性ガスは、太陽電池基板表面をエッチングして、酸素および他の不純物を除去する。中性ラジカルに露出されると、基板は、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウムを含有する薄膜を成長させ、この薄膜はその後熱処理によって除去される。
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【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を支持して基板を回転させるスピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、本体、本体上に設置されて基板を支持する支持位置と基板のローディング／アンローディングするための空間を提供する待機位置との間で移動する複数のチャックピン、及び複数のチャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを備える。チャックピン移動ユニットは、チャックピンが結合される回転ロッド、回転ロッドを本体に固定する軸ピン、及びチャックピンが支持位置から待機位置へ移動するように軸ピンを回転軸として回転ロッドを回転させる駆動部材を含む。回転ロッドは、本体が回転する時に逆遠心力によってチャックピンに待機位置から支持位置に向かう方向に力を加えるように提供される。複数のチャックピンは、第１ピンと第２ピンを有し、第１ピンと第２ピンは、工程進行の時に基板を交叉チャッキングする。 （もっと読む）

【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便にオゾンガスの濃度を測定することができるオゾンガス濃度測定方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷのベベル部に付着したＣＦ系デポ１８を除去するベベル部洗浄装置１０において、処理ガス生成器２２は酸素ガスを含む原料ガスからオゾンガスを含む処理ガスを生成し、処理ガス用マスフローコントローラ２３は処理ガスの流量を測定し、コントローラ３３は原料ガスから処理ガスへの流量減少率を算出し、該流量減少率に基づいて処理ガスに含まれるオゾンガスの濃度を算出する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】複数の被処理物又は長尺の被処理物の表面処理を連続して効率よく行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１００は、第１の電極１０６と第２の電極１１４との間への電気パルスの繰り返しの印加により間隙１０２２にストリーマ放電を発生させながらワーク１９０に間隙１０２２を通過させる。処理ガス供給体１１８は、吹き出し口１１８９から処理ガスを噴出し、搬送経路上流側から間隙１０２２に処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本方法および装置は、フォトレジストをウエハから除去する。硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、および、水素（Ｈ）を含有する処理ガスが供給され、第１のチャンバ内で処理ガスからプラズマが生成される。ラジカルリッチかつイオンプアの反応媒体が、第１のチャンバから、ウエハの配置された第２のチャンバに流される。ウエハ上にパターニングされたフォトレジスト層が、反応媒体を用いて除去され、その後、第２のチャンバへの反応媒体の流入が停止される。反応媒体がウエハに到達する前に、水蒸気が反応媒体を溶媒和して化学種の溶媒和クラスタを形成するように、プラズマから下方に流れる反応媒体の流路内に設けられた溶媒和領域に、水蒸気が導入されてよい。フォトレジストは、溶媒和された反応媒体を用いて除去される。 （もっと読む）

【課題】保持ローラから異物が移って基板が汚染されることを抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ほぼ円形の基板Ｗの周端面にその外周面を当接させることにより当該基板Ｗを挟持して保持する複数の保持ローラ２と、複数の保持ローラ２を回転させることによって、当該保持ローラ２に保持された基板Ｗを回転させる基板回転機構１５と、保持ローラ２を洗浄するためのローラ洗浄ブラシ４９と、複数の保持ローラ６に保持された基板Ｗの周縁部に複数の保持ローラ６とは異なる位置で当接し、当該基板Ｗの周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシ３９とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。
【解決手段】ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。 （もっと読む）

本発明は、下面１２と、上面２２と、側面１４，１６，１８，２０とを有するウエハ状の基板１０を、液状の化学作用のあるプロセス媒体２６の、基板の少なくとも下面との接触によって、化学的に処理するための方法に関する。基板と、基板媒体と、これらを取り囲む雰囲気との間で三重線４２を同時に形成しつつ、基板を、プロセス媒体に対し、相対的に移動させる。特に側面に存する欠損を化学的に除去するために、プロセス媒体の、基板１０の上面２２との接触を回避しつつ、相対移動を実行し、三重線を、基板とプロセス媒体２６との間の相対移動に関し、プロセス媒体の流れ側から離隔した側面の所望の高さに形成することが提案される。かくして、雰囲気を、プロセス媒体２６の中に存在する成分の分圧に関して、上面が疎水特性を保つように、調整することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された不要な薄膜その他の不要物を基板に損傷を与えることなく、効率的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板５０を保持する基板保持部３０と、研磨剤とミストを混合した混合ミストを噴出する噴射部１５と、噴射部１５と前記基板５０とを相対的に移動させる位置制御部２３とを備えており、基板５０の処理対象部に研磨剤を含む混合ミストを噴射（ミスト液を霧状にして研磨剤と一緒に噴射）して、基板５０に形成された不要な薄膜その他の不要物を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜から水素が抜けて硬化したカーボン層に対し水蒸気雰囲気下の真空チャンバー内で発生させたプラズマを短時間照射するプラズマ処理工程と、前記カーボン層に水素が戻ったレジスト膜を常圧下において薬液で洗浄及び乾燥する薬液処理工程とからなることを特徴とするイオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】シャドーマスクのクリーニング時における塑性変形を抑えてシャドーマスクの再利用率を向上させ有機ＥＬディスプレイの製造コストを低減させることができるシャドーマスクのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】クリーニング装置１００は、シャドーマスク１０を磁気吸着するためのマグネットプレート１０３を備えたマスク保持具１０２を備えている。マグネットプレート１０３の下面には、シャドーマスク１０を構成する素材と同一の素材であるインバー材からなる補強層１０４が形成されている。補強層１０４は、インバー材の熱拡散長よりも長い厚さに形成されている。マスク保持具１０２の下方には、シャドーマスク１０にレーザ光を照射して蒸着物質を除去するための光源１０６，集光レンズ１０７およびガルバノミラー１０８が設けられている。この場合、レーザ光Ｌはシャドーマスク１０に付着した蒸着物質表面での反射率が最小となる入射角θ_Ｂで照射される。 （もっと読む）