【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板１上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板３と、異物飛散防止板３の外周に設けられる囲い板４と、異物飛散防止板３に開口して設けられるエアー射出部５と、エアー射出部５と囲い板４の間に開口して設けられるメインエアー吸引部６およびサブエアー吸引部７とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されたパターンの倒れ、あるいは被処理体の表面の膜荒れなどといった被処理体に対するダメージを抑えながら、被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を容易に除去すること。
【解決手段】ウエハＷに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハＷの表面の自然酸化膜１１を溶解させることにより、前記自然酸化膜１１の表面に付着している付着物１０について、ウエハＷの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハＷの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜１２に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハＷに照射して、付着物１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増大させることなくウエハの上面に固着した異物を除去可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、収縮層形成工程と、亀裂形成工程と、除去工程とを含む。収縮層形成工程では、半導体装置の構成材料が積層されたウエハの上面に、前記構成材料よりも収縮率が高い収縮層を形成する。亀裂形成工程では、前記収縮層を収縮させて該収縮層に亀裂を形成する。除去工程では、前記亀裂が形成された前記収縮層を前記ウエハの上面から除去する。 （もっと読む）

【課題】基板ケースをドライ洗浄で実施するにあたり、被洗浄物が複雑な形状を含む場合であっても洗浄可能な基板ケース洗浄装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハやフォトマスクなどの異物の付着を嫌う基板を保持するドア部２と、前記ドア部２を周囲の雰囲気と遮断することによって保持された基板に異物が付着するのを防止するためのカバー部と、前記ドア部２に設けられたパッキン５であって、前記ドア部２と前記カバー部を密封するためのパッキン５と、を備えている基板ケースの前記ドア部２の洗浄装置１であって、少なくとも前記ドア部を載置し回転させるためのターンユニット３と、前記ドア部２に向って洗浄用ガスを噴出するガス噴出ノズル４と、を備えていることを特徴とする基板ケース洗浄装置１。 （もっと読む）

【課題】基板に付着した異物を効率的に除去することができ、異物の再付着を抑制しうる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を処理するための処理室と、処理室内に設けられ基板を支持する支持台と、処理室内に設けられ基板に気体を噴射する気体噴射機構と、基板に噴射する気体の温度が処理室の内壁の温度よりも高くなるように制御する温度制御機構とを有し、気体噴射機構から噴射した気体の風圧により、基板に付着した異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を防ぎつつ、安定的に基板を洗浄することができる洗浄装置および基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持膜が接着されている基板を洗浄する洗浄装置１００であって、上記支持膜の上記基板が接着されている側の面における、基板が接着されていない露出面に、当該露出面側から紫外線を照射する紫外線照射ユニット１０と、上記紫外線が照射された支持膜に接着されている上記基板を洗浄する洗浄ユニット２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】安価な装置構成で、広範囲に配置された被除電対象物を除電及び除塵することができる除電除塵装置を提供する。
【解決手段】除電除塵装置１０Ａは、イオン４２を発生する無風型除電器１２と、無風型除電器１２の個数よりも多い複数の送風部４６（エア管５２）を有し、ワークＷに向けて清浄空気５３を送風する送風装置１４とを備える。無風型除電器１２で発生させたイオン４２を、複数のエア管５２からの清浄空気５３によりワークＷに到達させ、ワークＷの除電及び除塵を行う。 （もっと読む）

【課題】ワークへの保護膜形成やワークからの保護膜除去の際に、当該処理に伴い発生する保護膜成分を含む液滴のワーク搬送機構等の可動部への飛散を抑え、可動部の固着を防止すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、上面に開口部２７を有する筐体２８と、ウェーハＷを保持すると共に筐体２８内部に収容可能な保護膜形成・除去用テーブル２６と、筐体２８内部に設けられたウェーハＷの被加工面を洗浄する洗浄用ノズル３２と、ウェーハＷの洗浄の際に開口部２７を覆うシャッター機構３０とを備える。シャッター機構３０は、開口部２７を被覆可能なシート部材３３と、シート部材３３が巻回される巻回ローラ３４と、シート部材３３の先端部を保持し、筐体２８上面に設けられた一対のガイドレール３５、３５上を、開口部２７を開放する開放位置と開口部２７を閉塞する閉塞位置との間でスライド可能なシート部材保持部３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、（１）微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、（２）減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、（３）部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は（４）部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水を用いたフォトレジスト除去装置において、基板表面の洗浄領域へのフォトレジストとオゾンの反応生成物の再付着を防止する。
【解決手段】洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の回転中心からそれぞれ所定の距離をおいて配置された複数の単位洗浄ノズルで構成し、各単位洗浄ノズルを、各単位洗浄ノズルから吐出された高濃度オゾン水の基板上における流れの方向の重なりが少なくなるように基板の周方向にずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス３と、上記オリフィス３から噴射ノズル１に至るキャピラリ２と、上記キャピラリ２が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル１と、上記噴射ノズル１に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管４とを備え、上記キャピラリ２における噴射ガス供給管４の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ２を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ２内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ２内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ２内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、センサで受光される真空紫外線の強度と、被照射物へ照射される真空紫外線の強度とを近似させる紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、被照射物に対して真空紫外光を出射するエキシマランプと、この真空紫外光を受光すると共に光取込部を備えた光センサと、エキシマランプを取り囲む筐体と、からなる紫外線照射装置において、前記光取込部と前記エキシマランプとの間に、不活性ガスと酸素との混合ガスを吹き出すブロー管を有し、前記光取込部と前記エキシマランプとの距離をＹ１、その間の酸素濃度をＰ１とし、前記エキシマランプと前記被照射物との距離をＹ２、その間の酸素濃度をＰ２とするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする。
０．８≦Ｙ２×Ｐ２／Ｙ１×Ｐ１≦１．２ （もっと読む）

【課題】表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】配管２２の吹き出し口から外部へ吹き出された水蒸気８０は、電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームが照射されて水分子が分解され、水素ラジカル、ＯＨラジカル、水素イオン、オゾン等の極めて活性な分子を含む活性水蒸気となる。この活性化された水蒸気８０は、モータ３１により回転させられている試料台３２に載置された処理対象物９０の表面に吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）