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Fターム[5F157CC02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 基板以外の洗浄 (700) | 清浄手段の清浄、再生 (392) | 清浄化流体の回収、濾過 (323)

Fターム[5F157CC02]に分類される特許

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【課題】洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置を得ること。
【解決手段】上部に達した異物を含んだ洗浄液Wの一部は、洗浄槽10の内壁14に沿って下方に向かう。下方に向かった洗浄液Wは、第1の出口16から排出される。ここで、導入口12と内壁14との間に導入口12を取り囲むように設けられた中間壁15が存在するため、内壁14に沿って下方に向かった洗浄液Wは、中間壁15に邪魔されて導入口12に向かいにくくなる。したがって、洗浄によって剥離された異物が、導入口12から噴出した洗浄液Wの流れによって再びウェーハー基板Sに向かいにくくなり、効率よく第1の出口16から排出され、洗浄槽10に滞留する異物の濃度を低くでき、異物がウェーハー基板Sに再付着する可能性の低い、洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置100を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Pの表面に向けて吐出して基板Pの全幅にわたって処理液を吹付ける第1ノズルユニット10と、第1ノズルユニット10より基板Pの搬送方向の下流側に当該第1ノズルユニット10と向き合うように配置され、処理液を基板Pの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第2ノズルユニット20とを有し、相互に向き合う第1ノズルユニット10及び第2ノズルユニット20から吐出される処理液が基板Pの表面上でぶつかりあって基板Pの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Mが形成されるように第1ノズルユニット10及び第2ノズルユニット20からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 (もっと読む)


【課題】処理液体を用いて基板表面に形成された膜を除去する除去装置で、ウエハ処理が中断され、ウエハ処理能力が低下し、かつ基板処理システムの動作コストが増大するのを解決する。
【解決手段】処理室46、基板保持手段、処理液を供給するノズル60、第1速度又は該第1速度以上の速度である第2速度で回転させる回転機構、処理液体格納容器76を有し、処理液体を回収及び循環し、再度前記ノズル60から供給する処理液体循環回収機構73、処理液体を廃棄する処理液体廃棄機構、処理液体が前記基板保持手段が前記第1速度で回転するときには前記処理液体循環回収機構に、前記第2速度で回転して前記ノズル60から前記処理液体が供給されるときには前記処理液体廃棄機構に導かれるように接続を変更する制御装置を有する。前記処理液体格納容器76は、底部に廃液ライン107、壁面に前記処理液体格納容器内を洗浄するスプレーノズル109を有する。 (もっと読む)


【課題】流体収容部の加熱及び冷却を速やかに行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】ハロゲンランプ21の周囲にスパイラル管4を設け、前記ハロゲンランプ21とスパイラル管4との間に、ハロゲンランプ21を覆うように、ハロゲンランプ21の熱線を透過する材料により構成された筒状体5を設ける。また、スパイラル管4に向けて冷却液を供給する冷却液ノズルを設ける。スパイラル管4はハロゲンランプ21により速やかに加熱され、冷却液を直接供給されることにより速やかに冷却される。 (もっと読む)


【課題】エッチング形成したパターンが倒壊しないように埋め込み絶縁膜を形成する。
【解決手段】所定のパターンにエッチング加工した被加工物に対してパターン間に絶縁膜を埋め込み形成する半導体装置の製造方法である。前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第1の薬液により洗浄する工程と、前記第1の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。前記第1の薬液による洗浄から前記塗布液の塗布までを、前記被加工物が前記パターン間で液体を保持した状態を維持するように同一の処理室内で実施することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置の硫酸再生装置における供給槽および蒸発槽での突沸を防止すること。
【解決手段】基板処理装置は、被処理基板Wを硫酸を用いて処理する基板処理部60と、基板処理部60で用いられた廃硫酸を再生するための硫酸再生装置1と、を備えている。硫酸再生装置1は、廃硫酸を収容する蒸発槽15a,15bと、蒸発槽15a,15b内の廃硫酸を加熱する加熱部17a,17bと、蒸発槽15a,15bに廃硫酸を供給する供給槽10と、供給槽10と蒸発槽15a,15bとを連結する供給管12a,12bと、供給槽10から蒸発槽15a,15bへ供給される廃硫酸の量を調整するための流量調整部13a,13bと、を備えている。蒸発槽15a,15bには、蒸発槽15a,15b内の圧力を減圧する第一減圧部24が設けられている。供給槽10には、供給槽10内の圧力を蒸発槽15a,15b内の圧力よりも高くする圧力調整部11が設けられている。 (もっと読む)


【課題】アミン系剥離液使用により蓄積するレジスト樹脂、炭酸アンモニウム塩、溶解金属を連続的に除去し、剥離液の再生装置、方法を提供する。
【解決手段】剥離装置1内で循環する使用済み剥離液2を配管経路3を通じて電解槽4の陽極ドラム5およびカチオン交換膜6間に導入する。一方で電解槽4には陽極ドラム5に対向する陰極7が、カチオン交換膜6を介して設置されており、陰極7は再生済みの剥離液8によって満たされている。陽極と陰極間の電気伝導は陽イオンの移動による電気伝導が可能となっているので電気的には隔離されていない。陽極ドラム5及び陰極には、電気給手段として電源9が接続されている。陰極及び陽極間に直流電流を通電することで、使用済み剥離液に含まれるレジスト樹脂を陽極ドラム5の表面上に電着でき、剥離液中からレジスト樹脂を除去できる。 (もっと読む)


【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体(18)から除去する方法を提供する。
【解決手段】硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5:1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。 (もっと読む)


【課題】洗浄液供給システムで生成する過硫酸濃度を迅速に測定して洗浄側に供給する溶液の過硫酸濃度の制御を可能にする。
【解決手段】硫酸溶液の電解反応により、過硫酸イオンを生成する電解反応装置と、電解反応装置で生成した過硫酸イオンを含む硫酸溶液を洗浄液の一部又は全部として被洗浄材を洗浄する洗浄側に供給可能にし、洗浄側から返流される洗浄液として使用した硫酸溶液を受け、硫酸溶液の一部又は全部を電解反応装置に供給する循環ラインと、硫酸溶液を貯留して電解反応装置との間で硫酸溶液を循環し、10〜90℃に調整された硫酸溶液が返流側の循環ラインから導入されるとともに、貯留槽内の硫酸溶液が送出側の循環ラインに送られて100〜170℃に加熱されて洗浄側に供給される貯留槽と、貯留槽内の硫酸溶液中の過硫酸濃度を測定する過硫酸濃度測定装置を備える。 (もっと読む)


【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第1の二酸化炭素に基づく第1の超臨界流体を供給する工程と、前記第1の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第2の二酸化炭素に基づく第2の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第2の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第1の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第2の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第1の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 (もっと読む)


【課題】SPM法において、ウエハ等を効果的に洗浄することを可能にし、所望によっては洗浄後の溶液の循環使用を可能にする。
【解決手段】洗浄方法として、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合した後、混合液を加熱して被洗浄材の洗浄に供するものとし、洗浄システムでは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合して貯液する混合貯液部と、前記混合貯液部から供給される混合液を通液しつつ加熱する加熱器と、前記加熱器から供給される加熱混合液を洗浄液として用いる洗浄部と、を備えるものとすることで、硫酸溶液と過酸化水素水との混合によって、酸化力の強い混合溶液が得られ、混合後、加熱された混合溶液を用いて被洗浄材を効果的に洗浄できる。 (もっと読む)


【課題】保守作業の容易化および省スペース化が実現されつつ安定に飛散防止部材を昇降させることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置100は、基板Wを水平に保持するとともに鉛直方向の回転中心線P周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。スピンチャック21を取り囲むように、カップ10が設けられている。カップ10は、内構成部材11、中構成部材12および外構成部材13からなる。内構成部材11の下方には、一対の第1昇降機構81が設けられている。一対の第1昇降機構81のサーボモータ119は、制御部により互いに同期して駆動される。 (もっと読む)


【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド620、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起720を有するカム720、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド620各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器780を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、互いに対向する一対の側壁10a、10bを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽10と、複数の基板を起立させて保持する保持部21と、保持部21に連結され、処理槽10内に搬入された際に、保持部21に保持された基板と処理槽10の一方の側壁10aとの間に介在される背部22とを有し、保持部21に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構20とを備えている。処理槽10に、貯留された薬液を加熱する加熱器80が設けられている。この加熱器80は、一方の側壁10aに設けられた第1加熱器81と、他方の側壁10bに設けられた第2加熱器82と、を有しており、第1加熱器81の出力と第2加熱器82の出力は個別に制御される。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置100は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽2と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第1および第2フィルタ5a,5bと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽7と、処理槽2内の処理液を第1フィルタ5aに通して循環させるとともに予備槽7内の液体を第2フィルタ5bに通して循環させ、その後、処理槽2内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽7内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽2内の液体を第2フィルタ5bに通して循環させるとともに予備槽7内の液体を第1フィルタ5aに通して循環させる制御部90と、を含む。 (もっと読む)


【課題】異なる種類の処理流体を捕集するための複数のダクトを組み合わせるコンパクトなツールを備える。
【解決手段】ツール10は、主に、アセンブリプロセス処理区域11と、障壁構造の配給区域500と、を含む。加工物12の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物12をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物12の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物12をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバー503に横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物12をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置556及びそれに関連する方法、並びに特別な第1、第2、及び第3のノズル構造を含む、ノズル装置556及びそれに関連する方法に関する。 (もっと読む)


【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板を保持する載置台と、前記載置台を回転させる回転駆動部と、前記載置台に載置される基板に液体を供給する液体供給部と、前記載置台に載置されて回転する基板から飛散する液体を下方へ案内するために、上から順に設けられた、液体案内上部カップと、液体案内中央カップと、液体案内下部カップと、前記液体案内中央カップを昇降させるための駆動機構と、を備え、前記駆動機構が前記液体案内中央カップを昇降させることによって、液体案内上部カップと液体案内中央カップとの間の間隔、及び/または、液体案内中央カップと液体案内下部カップとの間の間隔が変化するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 (もっと読む)


【課題】表面に微細な溝がある被洗浄物についても良好に洗浄することのできる洗浄方法及び洗浄装置を提供することである。
【解決手段】被洗浄物を洗浄液によって洗浄する洗浄方法及び装置であって、液体に気体を溶融させて気体溶存の洗浄液を生成し(S2)、洗浄槽において前記生成された洗浄液中に前記被洗浄物を浸け(S1、S3)前記洗浄槽内における前記洗浄液中の溶存気体を気化させて微細バブルを発生させる(S4、S5)する構成となる。 (もっと読む)


【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物11の洗浄乾燥方法であって、該被処理物11を大気圧下の洗浄乾燥室18に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室18内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物11を該洗浄乾燥室18から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室18内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物11を該洗浄乾燥室18に搬入した際の該洗浄乾燥室18内における空隙容積の100倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】処理媒体を用いて物体の表面を処理するための処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置1は、物体2を保持するための保持デバイス5と、保持デバイス5に結合される回転駆動部6と、物体の表面21に対して第1の処理媒体31及び第2の処理媒体32を供給するための供給デバイス7とを備え、分離要素80を有する収集コンテナ8を備える。分離要素80は、収集コンテナ8を第1のチャンバ81及び第2のチャンバ82に区分する。第1の処理媒体31は、第1のチャンバ81内に収集され、第2の処理媒体32は、第2のチャンバ82内に収集される。収集コンテナ8は、保持デバイス5に対して変位不能なベース・チャンバ部分800を備え、分離要素80は、第1の処理媒体31を第1のチャンバ81内に送る第1の位置Aと、第2の処理媒体32を第2のチャンバ82内に送る第2の位置Bとの間で移動可能である。 (もっと読む)


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