【課題】汚染物質を良好に除去することができ、しかも半導体熱処理治具の表面荒れ等も防止した、半導体熱処理治具の洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を熱処理する際にこれを保持するために用いられる、シリコンからなる半導体熱処理治具の洗浄方法である。洗浄液として、弗酸の配合比が質量比で１％以上８％以下、硝酸の配合比が質量比で３５％以上７０％以下、水もしくは水と酢酸との混合物の配合比が質量比で３０％以上６０％以下に調製された、弗酸と硝酸と水もしくは水と酢酸との混合物との混合液を用い、この洗浄液によってシリコンからなる半導体熱処理治具をエッチングすることで、半導体熱処理治具を洗浄する洗浄工程を有する。 （もっと読む）

【課題】テープかすなどの付着物の再付着を招くことなく、付着物を効率良く除去することができ、薄片化された半導体ウェーハの割れを確実に防止することができる付着物排出機構付きクリーナ及びそれを用いたチャックテーブルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ウェーハを吸着するチャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している不要な付着物２０を除去する付着物排出機構付きクリーナ１であって、付着物２０を削り取る刃部７ａ及び削り取った付着物２０を捕捉する捕捉部６とを有するクリーナ本体２と、捕捉した付着物２０を吸引して排出する排出手段１０と、を備え、クリーナ本体２内には、チャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している付着物２０をクリーナ本体２内に進入させるための開口部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】研削後のウェーハの保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを備えた比較的小型のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】搬送ユニット（３５）の吸引部（３６）によりウェーハ（２０）の裏面（２２）が吸引されるときに、ウェーハの表面（２１）に貼付けられた保護フィルム（３）を洗浄する第一洗浄手段（５０）と、ウェーハを吸引していないときの搬送ユニットの吸引部を洗浄する第二洗浄手段（６０）と、第一洗浄手段を第二洗浄手段に対して相対的に昇降させる昇降手段（４６）とを具備するクリーニング装置（４０）が提供される。第一洗浄手段の第一洗浄部材（５５）はスポンジまたはブラシであり、第二洗浄手段の第二洗浄部材（６５）は砥石であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内での半導体ウエハの製造工程に対して、イオナイザーの使用を伴う清浄ガスの吹き付けによる有害パーティクルの付着防止工程を加えても、腐食性のある反応生成不純物が生成され難い半導体装置の製造方法および吹き付けエアーの有害パーティクル除去装置を提供すること。
【解決手段】微粒子エアーフィルター５およびケミカルエアーフィルター６を通過するクリーンルーム外空気または窒素ガスを主体とするエアーにコロナ放電型イオナイザー８を機能させてイオン化し、その後、イオン化されたエアーをクリーンルーム１内の半導体製造のための作業ブース４内の作業ワーク１４に吹き付ける工程を有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】搬送アームの保持部を効率よく洗浄する。
【解決手段】搬送アーム洗浄装置１は、搬送アーム１０２側の側面が開口した処理容器２０を有している。処理容器２０の開口部２１の上部と下部には、気体を噴射する気体噴射部３０、３０が設けられている。気体噴射部３０からの気体の噴射によって、開口部２１にはエアカーテンが形成される。処理容器２０内の上部には、洗浄ガス及び洗浄液を吐出する洗浄ノズル４０が設けられ、洗浄ノズル４０は、水平方向及び鉛直方向に移動可能になっている。洗浄ノズル４０から吐出される洗浄ガス及び洗浄液は加熱され、洗浄液はミスト状になっている。処理容器２０の底面には、洗浄ノズル４０から吐出され処理容器２０の底面に落下した洗浄液を回収する排液口５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薬液を用いて洗浄、エッチングする半導体基板洗浄装置において、ウェハを搬送、保持するガイドに蓄積した薬液や汚染物を容易に、且つ略完全に除去することができる半導体基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数の処理槽５間を移動するガイド洗浄ロボット６と、ガイド洗浄ロボット６に搭載され垂直方向に移動するガイド洗浄機構１と、ガイド洗浄機構１に設けられ回動動作可能な一対のガイド洗浄アーム２と、ガイド洗浄アーム２の先端に回転自在に設けられたガイド洗浄ブラシ３を備え、前記洗浄ブラシ３は前記処理槽５内において例えばウェハガイド４に接触し、その正逆回転による振り子動作によりこれを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置内の搬送性および装置内に付着している異物の除去性の両者に優れている、クリーニングシートに好適な粘着剤層およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】放射線硬化性または熱硬化性のアクリル系粘着剤を硬化させて粘着剤層を形成する工程を有する粘着剤層を製造する方法であって、前記粘着剤層の表面に、連続な凸部を有する転写用型を転写することにより、連続な凹部を形成する工程を有し、前記粘着剤層の引張り弾性率が、１ＭＰａ〜３０ＭＰａであること特徴とする粘着剤層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板搬送手段の保持部を清浄に維持することが可能な保持部洗浄システムを提供する。
【解決手段】 洗浄用基板Ｗａがスピンチャック５１により保持された状態で、チャック回転機構５１１によってスピンチャック５１が回転駆動される。それにより、洗浄用基板Ｗａが回転する。回転する洗浄用基板Ｗａを取り囲むように、第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１が移動する。その状態で、ハンドＣＲＨ１が上下方向および水平方向に僅かに往復移動する。それにより、ハンドＣＲＨ１が、回転する洗浄用基板Ｗａの外周端部に軽く押し当てられる。これにより、ハンドＣＲＨ１に付着する汚染物が洗浄用基板Ｗａによって擦り取られる。 （もっと読む）

【課題】 スピンコ−タ−カップ、半導体ウェハ、液晶ガラスなどに付着したレジスト及びレジスト被膜、油膜、塗料及び塗膜等の有機成分及び有機被膜を、短時間で除去すると共に、洗浄液を多数回繰り返し洗浄できる生産性・経済性の優れた洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄室内に被洗浄物を保持する保持カゴを回転可能に自立させ、更に洗浄液噴射用、すすぎ液噴射用及び乾燥用を共有するノズルを有するノズルヘッダーを回転可能に配設して、保持カゴとノズルヘッダーとの回転方向が双方対向するように設置して、被洗浄物を炭酸アルキレンによる洗浄後エアーで液切りさせた後、精製水によるすすぎを行って、エアー噴射により短時間で乾燥仕上げ処理することと、洗浄後の洗浄液はオゾンを用いた洗浄液再生装置で有機成分を分解して、循環再使用して経済効率を改善する。 （もっと読む）

【課題】基板を支持する基板支持部材上の汚染物質を除去する枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。また、高温の薬液による基板支持部材の熱変形を最小化できる枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材２００に上向離隔された状態で支持された基板Ｗの下面に薬液を噴射して基板Ｗを処理し、基板支持部材２００の上面に洗浄液を噴射して基板支持部材２００上に残留する薬液を除去する。基板支持部材２００の熱変形は、一連の反復的な基板処理工程後、常温状態の洗浄液を用いて基板支持部材２００を洗浄することで最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】微小ピンセットに付着したパーティクルが試料に再付着するのを防止する。
【解決手段】開閉自在な一対のアームを有するナノピンセット１を試料表面に近接させ、該試料表面に付着したパーティクルＰを把持し、パーティクルＰを把持したナノピンセット１を粘着部材３上まで移動し、パーティクルＰを粘着部材３に接触させ、その後、ナノピンセット１を開いた状態で粘着部材３から遠ざけることにより、パーティクル除去を確実に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

真空の中で基板を放射エネルギーに曝す露光装置は、中に前記真空が形成されるチャンバーと、前記チャンバーの中に配された供給ノズルを含み、前記真空が形成された前記チャンバーの中に配された物体に対して前記供給ノズルを介してガスを噴射する噴射デバイスと、前記チャンバーの中に配された回収ノズルを含み、前記供給ノズルを介して前記チャンバー内に噴射されたガスを、前記回収ノズルを介して回収する回収デバイスとを備え、前記噴射デバイスから前記回収デバイスへ向かう方向とは逆の方向であって前記噴射デバイスによる噴射とは平行に前記物体が移動するように構成されている。 （もっと読む）

残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】未処理のウエハの戻し作業が生ずる事態を防止して、ロットごとの液処理を行うことにより生産効率を高めることを可能とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するキャリア搬入出部５と、キャリアＣを複数保管可能なキャリアストック部６と、キャリアＣを搬送するキャリア搬送装置１２と、検査／搬入出ステージ１５と処理部７との間で基板Ｗを搬送する基板搬送部３と、キャリアＣ内の基板Ｗを検査する基板検査装置１８と、一括して処理される複数のキャリアＣのうち、一のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリアをキャリアストック部６へ戻し、他のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリア及び他のキャリア内の複数の基板Ｗを、検査／搬入出ステージ１５から搬出するように制御する制御部９０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】片面エッチングのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置（１００）は、真空室（１１０）を有し、穿孔ベルト（１２０）がこの真空室に対して配置されている。そして、エッチング室（１３０）は、真空室に関し、穿孔ベルトの反対側に配置される。エッチング室は開口部（１３２）を有し、ここを通ってエッチング剤が放出される。真空室は、エッチング剤からウェーハ（１４０）の背面（１４４）を保護する圧力差を生じるよう構成される。使用においては、ウェーハの背面は穿孔ベルトに対して配置される。ウェーハ（１４２）の前面は放出されたエッチング剤に露出される。圧力差は、ベルトに対してウェーハの背面を保護し、及び／又は、穿孔ベルトを通してウェーハの前側に配置されないエッチング剤を抽出する。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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