【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ａｌの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた透明導電膜の形成方法及び透明電極の提供。
【解決手段】インジウム、スズ、アンチモン、アルミニウム、及び亜鉛から選ばれた少なくとも１種の金属の微粒子、これらの金属から選ばれた２種以上の金属からなる合金の少なくとも１種の微粒子、又はこれらの微粒子の混合物を含有する塗布液を基材上に塗布し、形成される塗膜を１×１０^−２Ｐａ以上１×１０^２Ｐａ以下の減圧下で焼成して、透明導電膜を得る。この透明導電膜から透明電極を得る。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＧａの双方の元素を含み、ＣｅがＧａよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｇａの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の透明電極などに利用可能な、導電性の高い金属化合物膜と、その簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶構造を有する酸化亜鉛などからなる金属化合物粒子１を含む粒子分散液をシリコン基板２に塗布し、金属化合物粒子を、基板平面方向にＣ軸配向する粒子が含まれるように基板に付着させる。この上に同じ金属化合物粒子を含む液を塗布し、付着した金属化合物粒子を核として結晶成長させる。焼成処理をして基板平面方向にＣ軸配向した金属化合物膜３の結晶粒を得る。 （もっと読む）

【課題】塗布膜とスパッタ膜とを備え、且つ、従来に比べて厚み方向における導電性の向上が図られた透明導電膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドを含む溶液から得られたゾルを、基材１４に塗布し、それを乾燥させて、第１の透明導電膜（塗布膜１１）を形成し、塗布膜１１に対してプラズマ処理を行い、そして、塗布膜１１の上に、スパッタリング法によって第２の透明導電膜（スパッタ膜１２）を形成して、透明導電膜１０を完成させる。プラズマ処理は、例えば、プラズマ放電によって発生させたガスイオンを塗布膜１１に衝突させることによって行われるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ、太陽電池などの電子デバイス用のフレキシブル基板材として有用な、熱安定性が高く、しかも、柔軟性及びガスバリア性に優れた透明導電膜つき粘土薄膜基板、その製造方法及び有機ＥＬ素子などを提供する。
【解決手段】透明導電膜が粘土膜上に形成されたフレキシブルな導電性フィルムであって、３５０℃までの耐熱性、導電性、５００ｎｍにおける光透過度が８０％以上の透明性及び柔軟性を有する導電性フィルム、該導電性フィルムからなる電子デバイス用材料及び該材料を含む有機ＥＬ素子。
【効果】優れた耐熱性、ガスバリア性、透明性、フレキシブル性を有する粘土薄膜上に、高温、例えば、２５０℃以上で透明導電膜を形成することを可能とする透明導電膜つき粘土膜及びその製品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の透明導電膜に比し、その抵抗率が、実用上、十分に低い透明導電膜を得ることのできる透明導電膜用材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として、Ｓｃ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。前記の透明導電膜用材料からなる焼結体。前記焼結体をターゲットとして用いて成膜する透明導電膜の製造方法。前記の透明導電膜用材料からなる透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを含有する透明電極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極中のカーボンナノチューブのＩ_Ｄ／Ｉ_Ｇ値（前記Ｉ_Ｄ及びＩ_Ｇの値は、それぞれラマン分光分析法により得られたＤバンド及びＧバンドの積分値を表す）が０．２５以上である、カーボンナノチューブを含有する透明電極である。 （もっと読む）

【課題】簡単な処理方法によって、微細な粒径の粒子に分散化するとともに、低い加熱温度であっても結晶性が良好な透明導電膜を得ることができるＩＴＯ粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】粉末を構成する粒子が、立方体または直方体の形状であるＩＴＯ粉末を調製した。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明導電膜からなる画素電極との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても、低い接触抵抗を維持しつつ、その分散を小さく抑えることができ、しかも、光透過特性にも優れた表示デバイス用透明電極を提供する。
【解決手段】窒素を含有する第１の透明導電膜６１と、窒素を含有しない第２の透明導電膜６２とからなる表示デバイス用透明電極であって、第１の透明導電膜はアルミニウム合金膜６３に接触している。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、金属パターンと支持体との接着性が高く、同時に耐候性の高い導電性材料及びそれを得るための導電性材料前駆体を提供する。また室内灯や外光に影響されることなく、映像が見やすく、色再現性が良好である透明導電性材料及びそれを得るための透明導電性材料前駆体を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する導電性材料前駆体において、物理現像核層、もしくはそれに接する層がシランカップリング剤を含有することを特徴とする導電性材料前駆体を用いる。 （もっと読む）

本発明は、基板、元素Ｍがドープされた酸化亜鉛系薄膜、及び前記基板と酸化亜鉛系薄膜との間に形成され、酸化物Ｍ’_２Ｏ_３を含む中間層を備える導電性積層体およびその製造方法を提供する。
本発明の導電性積層体によれば、基板と酸化亜鉛層との間に＋３価の酸化数を有する金属酸化物の薄膜を中間層として設けることにより、透明導電性薄膜の電気的特性、特に、比抵抗特性を向上させることができると共に、スパッタリング蒸着の際に薄膜面の中央部分と周辺部分との間で生じる電気的特性ばらつきの問題を極力抑制することができる。また、酸化亜鉛膜の蒸着時に、アルゴンガスのような不活性ガスだけでなく、水素ガスを混入して使用することにより、電子濃度を増加させる効果が得られ、また、前記基板と酸化亜鉛系透明導電膜との間に金属酸化物中間層を設けることにより、耐熱・耐湿安定性及び電気的物性の均一性を確保することができる。
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【課題】汎用の資源を用いて経済性良好に形成できる透明導電成膜基材及び透明積層体を提供する。
【解決手段】フィルム状のプラスチック基材１０２と、このプラスチック基材上に設けられ且つ可視光の波長より小さいサイズの微小カーボンからなる微小カーボン単分子膜からなる透明導電性膜１０１とからなる透明導電性膜基材とする。透明導電性膜は可視光の波長より小さいサイズの微小カーボン単分子膜からなるので、透明で且つ導電性良好であり、プラスチック基材との密着性も良好なものである。 （もっと読む）

【課題】従来の透明導電膜に比し、その抵抗率が、実用上、十分に低い透明導電膜を得ることのできる透明導電膜用材料を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分として含有する複合金属酸化物であって、さらにドーピング元素として周期表第５族〜第１０族の元素からなる群より選ばれる１種以上の元素を含有する複合金属酸化物からなる透明導電膜用材料。Ｓｎおよびドーピング元素の合計量（モル）に対し、Ｚｎの量（モル）が１以上２以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。Ｓｎおよびドーピング元素の合計量（モル）に対し、ドーピング元素の量（モル）が０．０００１以上０．２以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。前記の透明導電膜用材料からなる焼結体。前記の焼結体をターゲットとして用いて成膜する透明導電膜の製造方法。前記の透明導電膜用材料からなる透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】アンチモン等の有害成分を含まずに高い安全性と導電性を有し、透明樹脂膜に配合したときに優れた透明性および熱線遮蔽性が得られる導電性酸化スズ粉末を提供する。
【解決手段】酸化スズ含有量３０〜８０％および膜厚２〜３μmの透明薄膜において、該薄膜の可視光の光透過率８０％以上および赤外線の光透過率６０％以下となる光特性を有することを特徴とする導電性酸化スズ粉末であり、好ましくは、圧粉体積抵抗率が１０Ω・cm以下であり、上記酸化スズ含有量および膜厚の透明薄膜において、該薄膜の表面抵抗が１×１０¹⁰Ω/□以下となる導電性酸化スズ粉末およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高価で資源枯渇の懸念のあるＩｎ原料を有しないＩＴＯ代替材料としての酸化亜鉛系透明導電体の開発において、最適ドーパントの探索や成膜方法の選択若しくは改良だけでは、低抵抗率化の実現には充分でない。そこで、低抵抗率の酸化亜鉛系透明導電膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成される初期成膜の平均結晶粒径が３０ｎｍ以上であり、基板から膜の上表面に向かって柱状に成長した膜構造を備えていることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜及び基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する際に、成膜初期から膜に電圧を印加し、電流を流しながら成膜することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄くて傷の無い透明導電膜を耐熱性の低い基材に形成し、低抵抗で導電性に優れた導電基材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電基材１０は、第一基材１１と、この第一基材１１の一面１１ａに、接着層１２、補強層１３および透明導電膜１４が順に重ねて配されてなる。第一基材１１は、例えば樹脂製の基板から構成されれば良い。補強層１３は、例えば、導電性高分子膜または金属膜から構成されれば良い。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴの網目状薄膜を含み、優れた光透過性及び電気伝導性を示すカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）パターンの透明電極、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、前記透明基板上に形成された、ＣＮＴの網目状薄膜と、を含むＣＮＴパターンの透明電極である。また、ＣＮＴパターンの透明電極の製造方法は、（ａ）粒状物とＣＮＴとを混合して混合組成物を形成する段階と、（ｂ）前記混合組成物を用いて、透明基板上に混合組成物の薄膜を形成する段階と、（ｃ）前記混合組成物の薄膜から前記粒状物を除去し、ＣＮＴを残して、ＣＮＴの網目状薄膜を形成する段階とを含む。または、（ａ）透明基板上に粒状物を配列して薄膜を形成する段階と、（ｂ）前記粒状物の薄膜中にＣＮＴの組成物を注入し、混合組成物を生成して、ＣＮＴの組成物が注入された薄膜を形成する段階と、（ｃ）前記ＣＮＴの組成物が注入された薄膜から前記粒状物を除去し、ＣＮＴを残して、ＣＮＴの網目状薄膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】アンチモンを含有せずにＡＴＯ粉末と同等の導電性を有し、環境に対する負荷が少なく、また透明性の高い導電性酸化スズ粉末を提供する。
【解決手段】アンチモンを含まず、スズ１モルに対して、フッ素０.０１〜０.２モル、および窒素０.００１〜０.０１モルを含有することを特徴とする導電性酸化スズ粉末であって、好ましくは、フッ素が湿式処理によって導入され、窒素が窒素雰囲気で加熱処理して導入されたものであり、９０％粒子径（Ｄ９０）が５μｍ以下であり、結晶格子径が５〜２０ｎｍであって、圧粉体積抵抗率が１０Ω・cm以下である導電性酸化スズ粉末。 （もっと読む）