【課題】帯状の基材の幅方向において膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することができ、構成粒子の収率及び生産性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜方法は、レーザ光Ｌをターゲット６の表面に照射して、このターゲット６の構成粒子６Ａを叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子６Ａを帯状の基材上に堆積させることにより薄膜を形成する成膜方法であって、前記レーザ光Ｌが前記ターゲット６の表面に照射する位置を、前記基材の幅方向と同じ方向に振幅させ、前記基材を、転向部材に該基材の裏面が接しつつ長手方向に移動する状態として、前記構成粒子６Ａの堆積領域内を通過させることにより、前記基材の表面上に前記構成粒子６Ａを堆積させ、前記基材の表面上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導線材において、臨界電流値をさらに向上させる必要があるが、超電導相の前駆体の結晶粒が小さいため、超電導線材の多芯線の圧延を行なった際に結晶粒の配向性が乱れることがある。この結晶粒の配向性の乱れは、臨界電流および臨界電流密度の向上を妨げる要因となりうるため、超電導相の前駆体の結晶粒を大きくする必要がある。
【解決手段】扁平加工を行ない、超電導相の前駆体の結晶粒の反応性を良好にする。その上で、本格的な圧延を行なう前に中間熱処理を行ない、反応性が良好となった超電導相の前駆体の結晶粒同士が反応により結合して大きな粒径をもつ結晶粒とする。 （もっと読む）

【課題】高強度で且つ長手方向に安定した高度な２軸配向を有する酸化物超電導線材用金属積層基板を安価に提供する。
【解決手段】厚みが０．２ｍｍ以下の非磁性の金属板Ｔ１と、圧下率９０％以上で冷間圧延された厚み５０μｍ以下のＣｕ合金からなる金属箔Ｔ２とを常温表面活性化接合にて積層し、積層後、１５０℃以上１０００℃以下の熱処理により前記金属箔を結晶配向させた後、前記金属箔上に厚みで１０μｍ以下のＮｉまたはＮｉ合金のエピタキシャル成長膜Ｔ３を積層させて酸化物超電導線材用金属積層基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化し、製造も容易とすることができる薄膜積層体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材１１上に、イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成された面内方向の結晶軸分散の半値幅（Δφ）において１１〜１３°の範囲に結晶配向可能な材料からなる中間層１２と、該中間層上に成膜法により直に形成された蛍石系結晶構造およびそれに準じる結晶構造とされて１００ｎｍ以上の膜厚で前記中間層の結晶配向性よりも優れたΔφ＝８゜以下、３００ｎｍ以上の膜厚でΔφ＝５゜以下となる結晶配向性とされたキャップ層１３とが積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた多結晶薄膜と酸化物超電導導体を提供することを第一の目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材１１上に、拡散防止層９とベッド層１２を介して、第一層１３と第二層１４を積層してなる中間層１５を有し、前記第一層１３と前記第二層１４の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であり、前記第一層１３は＜１１１＞配向し、前記第二層１４は＜１００＞配向していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２世代高温超伝導線材の２本の超伝導体層を直接当接させて溶融拡散することによって、１本に連結する２世代高温超伝導線材の溶融拡散接合方法を提供する。
【解決手段】基板部、緩衝層、超伝導体層及び安定化材層を含む２世代高温超伝導線材の接合方法に関するもので、２世代高温超伝導線材の２本に含まれた安定化材層の一部を除去し、安定化材層が除去されて露出された２世代高温超伝導線材の２本の超伝導体層を当接させるように固定した後、超伝導体層の溶融点まで加熱することによって、当接させた超伝導体層を溶融拡散して２世代高温超伝導線材の２本を接合する。その後、接合部分を酸素雰囲気で酸化させ、２世代高温超伝導線材の超伝導特性を回復する。このような構成により、中間媒介体なしに直接超伝導体層を当接させて溶融拡散することによって、常伝導接合に比べて接合抵抗がほぼなく、充分に長い線材を製作することができ、特に、酸素分圧を真空に近い状態にして共融点を低下させることによって、銀（Ａｇ）を含有した安定化材層などが溶融されない状態で接合することができる。 （もっと読む）

ワイヤの機械的な完全性を維持する一方で、２本の積層ワイヤを共に接合する２面ジョイントが開示されている。２面ジョイントは、テーパ端部を有した２本の積層ＨＴＳワイヤを接合することができ、底部ストラップおよび頂部ストラップを備えている。一態様では、積層した繋いだ超伝導体ワイヤは、超伝導体ジョイントを備えており、それは、第１および第２超伝導体ワイヤを備えている。各ワイヤは、ラミネート層と、該ラミネート層上の基板層と、該基板層上の緩衝層と、該緩衝層上の超伝導体層と、該超伝導体層上の空隙層と、該空隙層上のラミネート層とを備えている。各ワイヤは、第１積層ワイヤの第２ラミネート層と第２積層ワイヤの第２ラミネート層とに電気的に接続する第１ＨＴＳストラップと、第１ラミネート層に近接したバッキング・ストラップを備えている。
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希土類金属Ba2Cu3O7膜を生成する組成物及び方法が記載される。組成物は、バリウム(Ba)金属有機化合物、１又はそれより多い希土類金属有機化合物を含み、組成物は、ハロゲンも含む。例えば、組成物は、ハロゲン化された有機溶媒を含む。組成物はまたほぼ２３０℃よりも大きい沸点を有する溶媒を含む。前駆体溶液は、また、水を生成するために、ハロゲン化された溶媒と反応しない低粘度溶媒を含む。高粘度化合物は、より厚い膜の形成を可能とするために含まれることもある。得られた前駆体溶液は、基板上に堆積され、５０℃／分よりも大きい加熱速度で熱分解され、滑らかな、剪断膜を生成するために結晶化される。１００ｎｍよりも大きい厚さの膜は、４×１０^６A／ｃｍ^２の輸送J_c値を用いて、７７°Kでさまざまな基板上で生成される。 （もっと読む）

【課題】
精密な温度制御による溶融凝固過程や高配向性基体上の薄膜成長過程を経ることなしに、高い２軸もしくは３軸配向性を高い再現性で実現する超伝導体の提供。
【解決手段】
発明１の酸化物超伝導焼結体は、三軸を有する超伝導酸化物粉末が焼結されてなる酸化物超伝導焼結体であって、前記超伝導酸化物粉末の三軸が、それぞれ同一方向に配向されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超電導線材を超電導体で接続した超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ軸面を主面とした第１超電導層を有する第１超電導線と、前記第１超電導体と並置され、ｃ軸面を主面とした第２超電導層を有する第２超電導線と、前記第１超電導層の前記主面と、前記第２超電導層の前記主面と、にそれぞれ接続され、前記第１超電導層と前記２超電導層とを電気的に接続する超電導体からなる超電導接続体と、を備えたことを特徴とする超電導線材を提供する。 （もっと読む）

超伝導性物品であって、基板、基板の上に横たわるバッファ層、及びバッファの上に横たわる高温超伝導性（ＨＴＳ）材料よりなるフィラメントを持つものが与えられる。フィラメントは基板の長さに沿って伸び、かつ、隣接するフィラメントから水平方向にある空間だけ空けて配置されている。多層フィラメント超伝導性テープは、少なくとも約０．４である臨界電流保持比を持つ。
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【課題】テクスチャ化された基板を使用して被覆された導体を製造する方法であって、すでにテクスチャ化された基板を成形することができ、それにもかかわらず、高温超伝導材料のよくアライメントされた活性層をエピタキシャル成長させることができる方法を提供する。
【解決手段】曲がった面を備えた、形状を変化させた基板を作成する方法であって、一つまたは複数のバッファ層を備え、平面を備えたテクスチャ化された基板を供給するステップと、最初のバッファ層で被覆された該基板の形状を変化させるステップと、エピタキシャル成長によって、最初のバッファ上に、テクスチャ化された第２のバッファ層を供給するステップとを含む、形状を変化させた基板を作成する方法。 （もっと読む）

【課題】同一種類の構成元素からなり異なる金属モル濃度の酸化物超電導層を積層して超電導特性を向上させる。
【解決手段】酸化物超電導線材１０は、Ｎｉ―Ｗ合金基板１１上に、中間層１２及び超電導層１４を順次積層した構造からなり、中間層１２は、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ酸化物からなる第１中間層１２ａ及びＣｅＯ_２酸化物からなる第２中間層１２ｂを順次積層した２層構造を有し、超電導層１４は、ＹＢａ_αＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第１の超電導層１３ａ、ＹＢａ_βＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第２の超電導層１３ｂ及びＹＢａ_γＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第３の超電導層１３ｃからなる３層構造を有しており、α＜β＜γ≦２で第２中間層１２ｂ上から順次Ｂａのモル比が２以下の範囲で増加するように配合されている。各超電導層は、ＴＦＡ―ＭＯＤ法により同一組成からなる複数の仮焼膜の積層体を一括して本焼することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】超電導層中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたＹ系酸化物超電導線材を得る。
【解決手段】２軸配向性を有する高配向性金属基板１１上に、ＭＯＤ法によるＣｅ―Ｚｒ―Ｏ酸化物からなる拡散防止層１２ａ及びＲＦスパッタ法によるＣｅＯ_２酸化物からなる反応防止層１２ｂを順次積層した２層構造の中間層１２並びにＴＦＡ―ＭＯＤ法によるＹＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第１の超電導層１３ａ及びＴＦＡ―ＭＯＤ法によるＹ（Ｃｅ、Ｚｒ）_ｘＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第２の超電導層１３ｂを順次積層した２層構造の超電導層１３を形成し、第２の超電導層１３ｂ中に微細に分散したＢａＣｅＯ_３、ＢａＺｒＯ_３不純物粒子とこの粒子近傍の無配向領域が磁束ピンニング点を形成することにより、Ｙ系酸化物超電導線材１０の磁場印加角度依存性を著しく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面特性を改善して、優れた臨界電流特性を示す超電導線材を具現化するための超電導線材用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面が金属からなる基板に対して、板厚減少率８０％以上の圧延を行う第1の圧延工程と、前記第１の圧延工程を経た前記基板を、還元性雰囲気中で熱処理を行う第１の熱処理工程と、前記第１の熱処理工程を経た前記基板に対して、板厚減少率１０〜５０％の圧延を行う第２の圧延工程と、前記第２の圧延工程を経た前記基板に対して、前記第１の熱処理工程の温度よりも高い温度で熱処理を行う第２の熱処理工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ピンニングセンターが効果的に導入されることにより、超電導特性の向上する酸化物超電導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、結晶粒の＜００１＞方向が前記基板に略垂直に配向し、隣接する結晶粒同士の（１００）面が互いに０度以上４度以下または８６度以上９０度以下の傾角をなすよう配向する高い結晶性の酸化物超電導膜１４を備え、酸化物超電導膜１４が基板に略平行に積層される複数の高密度磁場捕捉層１４ａ、ｃと、高密度磁場捕捉層１４ａ、ｃ間に挟まれる低密度磁場捕捉層１４ｂとで形成される積層構造を有し、高密度磁場捕捉層１４ａ、ｃの基板１２に水平な断面における平均粒界幅が８０ｎｍ以下であり、かつ、この平均粒界幅が低密度磁場捕捉層１４ｂの基板１２に水平な断面における平均粒界幅よりも小さいことを特徴とする酸化物超電導体１０およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｙ系（ＲＥ１２３系）超電導体の前駆体膜の形成に要する加熱処理時間を大幅に短縮することができるとともに、出発原料の金属有機酸塩がフッ素を含むと否とにかかわらず、厚みが２μｍを超える厚膜で、かつ、高い臨界電流を有するＲＥ１２３系超電導テープ線材が得られること。
【解決手段】テープ状基板上に、ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｙ系超電導体を構成する各金属元素を所定の組成比で含む金属有機酸塩を混合してなる原料溶液を塗布し、原料塗布テープ状基板を作製する第１工程と、グロー放電プラズマ中を前記原料塗布テープ状基板を通過させることにより、前記超電導体の前駆体膜が形成された前駆体膜形成テープ状基板を得る第２工程と、前記前駆体膜形成テープ状基板に前記超電導体を生成させる熱処理を施す第３工程とを備えたＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導テープ線材の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板と、酸化物材料から作られた少なくとも１つの配向したバッファ層とを含む、高温超電導体層配置に関する。本発明によれば、前記バッファ層は、均質な混晶相を形成する追加成分を少なくとも１種含有し、前記追加成分は、第一サブグループから選択される遷移金属であり、及び／又は、１，６００℃以下のアニール温度にて、酸化物バッファ材料と、少なくとも部分的に溶融する。前記追加成分は、特に、銅及び／又は銀とすることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速いため、製造時間が短くなり、製造コストを低減することができる酸化物超電導線材用の２軸配向薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上に積層される中間層２０（薄膜）であって、該中間層２０上に希土類系酸化物超電導層３０が積層される酸化物超電導線材用の２軸配向薄膜を、２軸配向性を有するシーライト構造の酸化物から形成する。この基材１０上に積層される２軸配向性を有する薄膜はイオンビームアシスト蒸着法により積層される。中間層２０は、シーライト構造を有するＹＮｂＯ_４，ＧｄＮｂＯ_４の１種から形成される。 （もっと読む）