【課題】 超電導体を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 超電導体を作製する方法は、フッ化バリウムを含む膜を基板１２０の表面に提供する工程と、膜に第１反応混合ガス１５５を噴射する工程と、膜に第１反応ガス１５５を噴射しながら基板１２０を第１の温度まで加熱して基板１２０の表面に超電導材料を形成する工程と、を含み、基板１２０の表面に対して５°以上の角度で第１反応ガス１５５を膜に噴射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部からの通電により大きな磁場発生が可能な酸化物超伝導マグネットを提供する。
【解決手段】単結晶状のREBa₂Cu₃O_7-X相(REはYを含む希土類元素およびそれらの組み合わせ)中にRE₂BaCuO₅が微細分散した組織を有する渦巻状のコイルが複数積層された超伝導マグネットであって、それぞれの渦巻状のコイルの端部のくぼみに、コイル導体のTf(REBa₂Cu₃O_7-X相の生成温度)より低いTfを有する超伝導体であるREBa₂Cu₃O_7-X相を有する部材が超電導接続されてなる部位を少なくとも有することを特徴とする超伝導マグネットである。
（もっと読む）

【課題】 超電導特性に優れた酸化物超電導線材を安定して製造可能な製造方法及び製造装置の提供。
【解決手段】 レーザ光２５が入射される透明窓２４を有する処理容器１０と、該処理容器の蒸着処理室１０ａ内に設けられた酸化物超電導体または酸化物超電導体と近似組成のターゲット１２と、蒸着処理室内にターゲットと対向して設けられたテープ基材加熱用の熱板２８と、該熱板上にテープ基材１１をその長手方向に沿って移動させる送出装置１８及び巻取装置１９と、熱板とターゲットの間に窓孔が位置するように設けられたスリット板２７と、透明窓を通してターゲットに向けてレーザ光を照射するレーザ発光装置とを備え、スリット板の窓孔周縁部に、窓孔周縁部により覆われる熱板の局部昇温を防いでテープ基材の表面温度分布を均一に維持する冷却手段を設けたことを特徴とする酸化物超電導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 超伝導性ナノアーキテクチャを備えた焼結セラミック複合リードの提供。
【解決手段】 （Ａ）＊ナノサイズ超伝導粒と、
＊ナノ厚多酸化ケイ酸塩ガラス膜及びドットを構成する追加相エレメントと、
＊ナノサイズドットの形状をした、無機エレメント等の組合せから構成する更に別のナノサイズ相エレメントと、
から成る物理−化学相組成と、
（Ｂ）幾何学的に規則的な３Ｄセッティングネットワークを備え、粒界領域に存在する追加の及び更に別の相エレメントから成り、ナノサイズ超伝導粒をケージング及びフレーミングし、追加の及び更に別の相エレメントによって囲まれた超伝導粒を備える３Ｄナノサイズセルネットワークとともに成形し、超伝導粒のナノセッティングを提供する３次元超伝導ナノ構造と、を備えた焼結セラミック複合超伝導マクロリード。 （もっと読む）

｛１００｝面が圧延面に平行で、＜００１＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記多結晶金属の酸化物結晶層とを含む酸化物超電導線材用金属基板において、前記酸化物結晶層における粒界傾角の９０％以上が１０度以下であり、かつ前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角度であることを特徴とする酸化物超電導線材用金属基板。
（もっと読む）

【課題】炭素を含む銅酸化物超伝導体の薄膜が、より高いＴｃを備えた状態で得られるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１の表面に酸素ラジカル及び二酸化炭素からなる反応ガス１２１が供給された（吹き付けられた）状態とし、この後、結晶基板１０１が５５０℃程度に加熱された状態とし、また、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕ），及びフラーレンＣ₆₀の各蒸着源を、所定温度にまで加熱して蒸発させ、金属原料１２２が結晶基板１０１の表面に供給された状態とすることで、結晶基板１０１の上に、Ｔｃが８５Ｋと高い超伝導転移臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜１０２が形成された状態が得られる。 （もっと読む）

【課題】 良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材を提供する。
【解決手段】 膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。第１の金属層１は第２の金属層２より高い強度を有している。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO₄単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO₄単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。この方法により、通常得られやすいBi-2212ではなく、Bi系酸化物超電導体でも最も高い超電導転移温度を示すBi-2223のa軸配向膜を選択的に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のＬｎ系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにｃ軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式ＬｎＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ここで、ＬｎはＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，ＴｍおよびＹからなる群より選択される２種以上であり、各々の元素の含有率は１０〜９０モル％である）で表され、モル比で銅の１０^-2〜１０^-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 （もっと読む）

【課題】 有効なピンニングセンターの導入により、臨界電流密度が高い酸化物バルク超電導体を提供する。
【解決手段】 ＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（０≦ｘ≦０．１、６．５≦ｙ≦７．２、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの群から選ばれた少なくとも一つの元素）結晶中に、ピンニングセンターとしてＢａＣｅＯ₃あるいはＢａ（Ｃｅ_1-aＭ_a）Ｏ_3-b（０＜ａ＜０．５、０≦ｂ≦０．５、ＭはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎ等の金属元素）相の粒子が分散しており、且つ、Ｐｔ又はＲｈの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。 （もっと読む）

本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Ｙｂ_１−ｘＮｄ_ｘＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｙであって、ｘが０．０１〜０．３０、ｙが０．００〜０．２０である組成を有し、結晶粒のｃ軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
（もっと読む）

金属製基材、少なくとも一つの緩衝層及び高温超導電体層を有するテープ状高温超電導体を製造するための湿式化学的方法が、緩衝層の組織転写力が高められるように改良される。このために、金属製基材上に塗布されそして乾燥及びアニーリングされて緩衝層を形成する成膜液の調製時において、少なくとも一つの遊離のヒドロキシル基を有する極性溶剤が使用される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＲＥ１２３相の熱分解工程を含まず、高温かつ長時間の溶融が不必要なプロセスを開発し、大型でかつ高性能、かつ、機械的特性に優れた超電導バルク体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

超伝導テープが開示され、該テープは基板、前記基板の上に横たわるバッファ層、該バッファ層の上に横たわる超伝導層、及び該超伝導層の上に横たわる電気メッキされた安定化層を含む。また超伝導テープを組み込んだ構成要素、該構成要素を製造する方法、該構成要素を使用する方法が開示される。該テープは、低ＡＣ損失を与え、特に回転機械におけるなど、ＡＣ損失の減退が重要である構成要素における使用に適している。
（もっと読む）

薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも１つがフッ化物含有塩である、１種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の１つまたは複数の前駆体成分、または希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある１つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある１つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
（もっと読む）

高温超伝導体フィルムが基板上のＣｅＯ_２層上に堆積された高温超伝導体（ＨＴＳ）ミニフィルタまたはコイルを製造するための方法が、ミニフィルタまたはコイルのより高い収率をもたらす。

（もっと読む）

本発明は、緩衝金属基板テープの連結するレングス上にＲＥＢＣＯなどの超伝導薄膜のｅｘ−ｓｉｔｕ形成のための高スループットのシステムを提供する。緩衝金属基板テープの上部は、希土、バリウム、及び銅の先駆物質が、電子ビーム蒸発及びＭＯＤなどの数々の技術を介して堆積される。これらの先駆物質は、処理チャンバ内で加熱され、水蒸気に導入されると、緩衝層に機能的超伝導薄膜エピタキシャルを形成するために分解する。シャワーヘッドと、長く幅の広い堆積範囲の創造のために設計された基板加熱装置を有する有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）反応炉といったチャンバは、該製法に良く適している。チャンバは、反応による副産物の効率的な汲み出しのために配置された排気ポートを含む。チャンバは、壁が加熱されない冷水壁式、または壁が加熱される加熱壁式のものでもよい。
（もっと読む）

基板および基板上に配置されている第１のバッファ膜を含む超電導体物品。第１のバッファ膜は、（ｉ）第１のバッファ膜の面内を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面外を延びる第１の結晶方向のテクスチャ、または（ｉｉ）第１のバッファ膜の面外を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面内を延びる第１の結晶方向のテクスチャを特徴とする単軸結晶テクスチャを有する。２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜は、前記第１のバッファ膜上に配置されている。超電導体層は、前記第２のバッファ膜上に配置することができる。前記第２のバッファ膜を堆積するために、イオン・ビーム・アシスト蒸着（ＩＢＡＤ）を使用することができる。
（もっと読む）