説明

Fターム[5J056AA11]の内容

論理回路 (30,215) | 回路の種類 (3,583) | インターフェース、レベルシフト、レベル変換 (1,016)

Fターム[5J056AA11]の下位に属するFターム

ECLから (6)
TTL、DTLから (1)
I2Lから (1)
MOSから (9)
MES、ショットキーFETから
その他から (3)
ECLへ (1)
TTL、DTLへ
I2Lへ
MOSへ (18)
MES、ショットキーFETへ
信号線 (3)
その他へ (1)
振幅拡大 (172)
振幅縮小 (38)
正電位の振幅→負電位の振幅 (2)
負電位の振幅→正電位の振幅
一方の電位の振幅←→正負の電位の振幅 (5)
直流レベルのシフト (74)
信号幅の変換 (3)
タイミングの調整、遅延、同期 (148)
整合 (285)

Fターム[5J056AA11]に分類される特許

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【課題】レベル変換の信頼性を向上すると共に構成を簡素化する。
【解決手段】ラッチ回路LATの出力ノードN2にはトランジスタTnpが設けられている。このトランジスタTnpは、入力信号IN1の論理レベルが遷移する直前の所定期間においてアクティブとなるプリチャージ信号PRCによってオン状態となり、出力ノードN1をローレベル(VSS2)にプリチャージする。入力ノードN1にはトランジスタTndが設けられている。トランジスタTndは入力信号IN1はローレベルからハイレベルに遷移するとオン状態となり、入力ノードN1の電位をローレベル(VSS2)に設定する。これによって、ラッチ回路LATの記憶内容を確実に更新することができる。 (もっと読む)


【課題】長距離伝送路を有する場合であっても伝送路の容量を抑えたり電源電圧を下げたりすることなく、消費電力を下げることができる信号伝送回路及びそれを備えた半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】入力されるデジタル信号Sig1を伝送路20に送信する送信部10と、伝送路20に送信されたデジタル信号Sig2を受信する受信部30とを有する信号伝送回路1において、送信部10は、電源電圧VCCと接地電圧GNDとの間に直列に接続した2つのNMOSトランジスタN0,N1を有し、これらのNMOSトランジスタN0,N1を入力されるデジタル信号Sig1に基づいて交互に動作させて2つNMOSトランジスタN0,N1の接続点からデジタル信号Sig2を伝送路20に送信する。 (もっと読む)


【課題】ICバスの双方向レベルシフト回路をソース・ゲート/ソース・ドレイン間の耐圧が低いMOSトランジスタを用いた構成とする。
【解決手段】第1の電圧レベルで動作するICバスと第2の電圧レベルで動作するICバスの間に、複数のトランジスタを挿入し、少なくとも1つのトランジスタの主制御電極を第1の電源端子に接続し、少なくとも1つのトランジスタの主制御電極を第1の電圧レベルと第2の電圧レベルの中間レベルとなるように接続することで、ICバスの双方向レベルシフト回路のトランジスタに対する耐圧要求を低減する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧VDDとGNDレベル以外の電圧を必要とするパルスを生成する場合に、CMOSドライバ以外に電流供給能力の高い電圧源を用いると、電圧源としての回路規模が大きくなったり、電圧源で消費される分だけ消費電力が増大したりする。
【解決手段】P‐ch.MOSトランジスタ41およびN‐ch.MOSトランジスタ42からなるCMOSインバータ回路43を基本回路とし、このCMOSインバータ回路43のGND側回路端とGNDとの間に、ドレインおよびゲートが共通に接続(ダイオード接続)されたN‐ch.MOSトランジスタ44を接続するとともに、CMOSインバータ回路43およびN‐ch.MOSトランジスタ44と電源VDDとの間に、電流源として動作するN‐ch.MOSトランジスタ45を接続した構成とする。 (もっと読む)


【課題】 接地側のNMOSドライバを小さな面積で、かつ、接地側のNMOSドライバの活性化の遷移時間を短くし、接地側のNMOSドライバのゲート電圧をより確実に接地電位にするI/O回路を提供すること
【解決手段】 I/O回路1は、ドレインがパッドに接続される第1NMOSドライバ10と、第1NMOSドライバ10と異なるアクティブ領域に配置され、ドレインが第1NMOSドライバ10のソースに接続され、ソースが接地電位に接続される第2NMOSドライバ11と、内部電源電位のレベルを電源電位のレベルに変換するレベルコンバータと、ドレインがレベルコンバータの一方の出力端子に接続され、ソースが接地電位に接続され、ゲートがレベルコンバータの他方の出力端子に接続される第1NMOSトランジスタ26と、を備えており、第1NMOSトランジスタ26のドレインが第2NMOS11ドライバのゲートに接続されている。 (もっと読む)


【課題】使用されているトランジスタのゲート酸化物の耐電圧以上に基準電位差が位置する回路部分間の信号伝達が可能である駆動回路を紹介する。
【解決手段】駆動ロジック(20)からTOPドライバ(40)へと入力信号を伝達するためのTOPレベルシフタ(80)を有する駆動回路(10)において、TOPレベルシフタが、パルス発生回路(82)と、UPレベルシフタブランチ(84)及びDOWNレベルシフタブランチ(86)と、それらに後接続されている信号評価回路(88)から成る装置として形成されていること。入力信号を伝達するための付属の方法では、UPレベルシフタブランチか又はDOWNレベルシフタブランチか又はこれらの両方のレベルシフタブランチが信号を信号評価回路の各々付設の入力部へと与える場合に、この信号評価回路が出力信号をTOPドライバへと受け渡すこと。 (もっと読む)


【課題】駆動トランジスタ、リセットトランジスタ、充電/放電回路、閾値電圧検出器、及びメモリコンデンサを有する、ゲートドライバ用のレベルシフタを提供する。
【解決手段】駆動トランジスタの初期閾値電圧が閾値電圧検出器により検出され、メモリコンデンサ内に記憶される。充電/放電回路はコンデンサを充電又は放電し、また、レベルシフタを作動させるよう制御信号を受信する。リセットトランジスタは、次の段のレベルシフタの出力信号をリセット信号として受信し、それにより、レベルシフタの初期状態を回復する。このようにしてレベルシフタから出力される駆動電流は、駆動トランジスタの閾値電圧とは無関係となる。 (もっと読む)


【課題】相異なるレベルの外部電源電圧を用いて必要な電圧を生成することができる半導体メモリ装置の電圧発生回路及び使用電圧供給方法を提供することにある。
【解決手段】半導体メモリ装置での電圧発生回路において、相異なる電圧レベルを有する第1,2外部電源電圧に応じて第1,2初期化信号をそれぞれ生成する第1,2初期化信号生成部と、前記第1,2初期化信号に応じて前記第1,2外部電源電圧を独立的に駆動して第1,2出力高電圧を生成し、これを共通出力端を通じて合成的に出力する出力高電圧生成部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】将来の液晶パネルの画面サイズの拡大等による表示データ量の増加に対応可能な転送レートを低消費電力で実現することができる送信回路、受信回路、差動インタフェース装置、表示コントローラ、これを用いた表示ユニット及び電子機器を提供する。
【解決手段】送信回路は、差動信号線の電流を電圧に変換する受信手段に該差動信号線を介して接続され、送信データに応じて差動信号線の各信号線の電流を制御して前記送信データを送信する手段と、前記送信データを送信する手段への電源供給を停止する手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】レベル変換回路において、低電力・高速動作を実現し、電源電圧・温度変動やデバイス特性のばらつき等による入出力特性の変動を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】CMLレベルのAC信号が入力されるトランジスタNM1と、制御電圧Vcが入力されるトランジスタNM2とを有するソースフォロア回路603と、トランジスタNM2に入力される制御電圧Vcを生成する制御電圧生成回路602とを有する。この制御電圧生成回路602は、CMLレベルの中心電圧が入力されるトランジスタNM3と、制御電圧Vcが入力されるトランジスタNM4とを有する、ソースフォロア回路603のレプリカであるレプリカソースフォロア回路604と、レプリカソースフォロア回路604の出力電圧とCMOS回路閾値電圧Vcmosthとが等しくなるように制御電圧Vcを制御する比較器605とを有する。 (もっと読む)


【課題】出力電位差を向上でき、出力を構成するトランジスタに過電圧が印加されることを防止できるレベル変換回路を提供する。
【解決手段】レベル変換回路は、第1高電圧電源と第1低電圧電源との間に接続され、入力信号の高電位側の電圧を変換する高電位側レベル変換部12と、前記第1高電圧電源よりも電圧が低い第2高電圧電源と前記第1低電圧電源よりも電圧が低い第2低電圧電源との間に接続され、入力信号の低電位側の電圧を変換する低電位側レベル変換部11と、前記高電位側レベル変換部の出力と前記低電位側レベル変換部の出力とが入力され、前記第1高電圧電源の電圧レベルと前記第2低電圧電源の電圧レベルとを出力する出力部13を具備する。 (もっと読む)


【課題】 複数の電圧をトランジスタの閾値電圧により低下させずに、低消費電力にて出力する電圧切替回路を提供する。
【解決手段】 本発明の電圧切替回路は、入力される複数の電圧を選択信号により選択し、選択された電圧を出力端子から出力する電圧切替回路であり、半導体装置の論理回路を動作させる電源電圧を前記出力端子に出力する第1のPMOSトランジスタと、電源電圧に比較して高い第1の電圧を出力端子に出力する第2のPMOSトランジスタと、電源電圧に比較して低い第2の電圧を出力端子に出力する第3のPMOSトランジスタと、出力端子に電源電圧及び第2の電圧を出力する場合、第1及び第3のトランジスタのウェル電圧を電源電圧とし、出力端子に第1の電圧を出力する場合、第1及び第3のトランジスタのウェル電圧を第1の電圧とするウェル電位制御部とを有する。 (もっと読む)


【課題】貫通電流を低減することができるレベルシフタ回路を提供する。
【解決手段】NMOSトランジスタN2のプルアップ用のNMOSトランジスタN3及びPMOSトランジスタP3を備える。電源ノードVDD2のみに電源電圧が供給されている間では、NMOSトランジスタN2がオンするため、インバータ回路INV3に入力される電位の下降に応じて、インバータ回路INV3が動作し、出力される電位が上昇するため、出力端子14の電位がHレベルで安定する結果、インバータ回路INV3における貫通電流が発生しなくなり、レベルシフタ回路10全体としての貫通電流を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】使用されているトランジスタのゲート酸化物の耐電圧以上に基準電位差が位置する回路部分間の信号伝達が可能である駆動回路を紹介する。
【解決手段】BOTレベルシフタ(70)が、UPレベルシフタブランチ(72)及びDOWNレベルシフタブランチ(74)並びにそれらに後接続されている信号評価回路(76)から成る装置として形成されていること。UPレベルシフタブランチ(72)か又はDOWNレベルシフタブランチ(74)か又はこれらの両方のレベルシフタブランチが信号を信号評価回路(76)の各々付設の入力部へと与える場合に、この信号評価回路(76)が出力信号をBOTドライバ(52)へと受け渡すこと。 (もっと読む)


【課題】一つの電圧源を使用しながらも、低電圧と高電圧とのレベル差が大きい場合にも動作特性に富み且つ容易な設計が可能なレベル変換器を提供する。
【解決手段】レベル変換器は、高電圧電源と接地間にインバータの形態で接続され、出力ノードが出力端子と接続されるプルアップPMOSトランジスタ及びプルダウンNMOSトランジスタと、インバータ形態のプルアップPMOSトランジスタとプルダウンNMOSトランジスタの入力と接続される制御ノードと、入力端子の電圧レベルによって制御ノードを高電圧電源または接地と接続させる入力ゲートと、制御ノードと入力ゲート間に接続される第1フィードバックチェーンであって、入力端子の電圧レベルがハイレベルである時に入力ゲートが制御ノードを接地と接続させる場合には、入力ゲートと高電圧電源間の接続を遮断する第1フィードバックチェーンとを備える。 (もっと読む)


【課題】大容量のコンデンサを使用することなく、電源の瞬断が発生した場合に制御回路の誤動作を防止できる電子回路を提供する。
【解決手段】シーケンサ8の動作用電源を、主電源VDDからダイオード6を介して充電されているコンデンサ7より供給し、クロック生成回路1には、主電源VDDを供給して動作させ、シーケンサ8に対してはレベルシフト回路2によりクロック信号のレベルをシフトさせて出力する。そして、低電圧検出回路5が主電源電圧が検出閾値VPOR1よりも低下したことを検出すると、レベルシフト回路2は、シーケンサ8に対するクロック信号の供給を停止する。 (もっと読む)


【課題】電圧変換回路を必要とすることなく、電源電圧が異なる回路相互間を接続することが可能なインターフェース回路を提供する。
【解決手段】P、NチャネルFETを制御するトレラント入力方式インターフェース回路において、高電位信号を出力する際、インターフェース回路を入力ポートとして機能させることによって、他の回路入力端部のプルアップ電位を出力信号として出力するように構成する。 (もっと読む)


【課題】論理値を確定するとともに負荷容量の増加を抑えることができるレベルシフト回路を提供すること。
【解決手段】電圧検知部10は、第1の高電位電圧VNDと第2の高電位電圧VUPとの状態を検知して第1検知信号DZと第2検知信号DXを出力する。第1論理部20は、入力信号Sinと第1検知信号DZとに基づいて、入力信号Sinに応じた第1の制御信号S1、又はLレベルの第1の制御信号S1を出力する。第2論理部30は、第1の制御信号S1と第2検知信号DXとに基づいて、第1の制御信号S1に応じた第2の制御信号S2、又はH2レベルの第2の制御信号S2を出力する。レベル変換部40は、第1の制御信号S1及び第2の制御信号S2に基づいて、H2レベル又はLレベルの出力信号Soutを生成する。 (もっと読む)


【課題】論理ブロック内に複数電源を有する場合に、電源配線の引き回しによるレイアウト面積の増加を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】同じ電源電圧で動作する複数の論理回路をまとめて共通電源論理回路ブロック122として配置し、共通電源論理回路ブロック122の周囲に、レベルシフタ回路を形成したレベルシフタ回路ブロック131を挟んで、共通電源論理回路ブロック122と異なる電源電圧で動作する論理回路ブロック103,104を配置している。 (もっと読む)


【課題】入力がフローティングの状態にあっても定められたレベルの出力値を持つレベル変換回路を備える入出力装置を提供する。
【解決手段】本発明の入出力装置は、第1電圧の入力信号を第2電圧の出力信号に変換するレベル変換回路と、該出力信号に応答して作動する出力駆動回路を備える。又、該レベル変換回路は前記第1電圧の供給が遮断される時に所定のレベルを持つ信号を出力することを特徴とする。 (もっと読む)


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