【課題】キャビティ内の気密を維持しつつ、導通不良のない貫通電極を形成することができるパッケージの製造方法、およびこの製造方法により製造された圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】、貫通電極形成工程Ｓ３０Ａは、ベース基板用ウエハ４０（第１基板）に貫通孔３０，３１を形成する貫通孔形成工程Ｓ３２と、貫通孔３０，３１内に第１ペースト材６１を充填して仮乾燥させる第１ペースト材充填工程Ｓ３５Ａと、第１ペースト材６１に重ねて貫通孔３０，３１内に第２ペースト材６３を充填する第２ペースト材充填工程Ｓ３５Ｂと、を有し、第１ペースト材６１は第２ペースト材６３よりも粘度が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス全体の低背化を図ると共に、振動片等との接続を安定させて基板の応力を抑制できる電子デバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の電子デバイス１０は、振動片８０と、一方の主面に振動片８０が固定され、他方の主面に実装端子が形成され、引き出し配線が形成されている略矩形形状のベース基板１２と、一方の主面に振動片８０の周囲を囲むように配置された略矩形形状の枠体７０と、枠体７０の開口面を覆う蓋体７２と、を備えた電子デバイスであって、ベース基板１２の側面には、引き出し配線と電気的に接続された端子を有する側面凹部７８が形成され、側面凹部７８は、ベース基板１２の側面のうち振動片８０が固定される側に配置され、ベース基板１２の一方の主面側からの平面視において枠体７０の対向する外側の側面を通る２本の延長線により挟まれた領域に少なくとも一部が重なる位置に配置されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板を損傷することなく、基板の貫通孔に対して鋲体を迅速かつ確実に挿入することができるパッケージの製造方法と、この製造方法により製造された低コストな圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】平板状の土台部と、土台部の表面から法線方向に沿って立設される芯材部と、を有する導電性の鋲体７の芯材部を貫通孔３０，３１（凹部）に挿入する鋲体配置工程Ｓ３３を有し、鋲体配置工程Ｓ３３は、ベース基板用ウエハ４０（第１基板）の第１面Ｕ（上面）に鋲体７を載置した後、ベース基板用ウエハ４０の第２面Ｌ側（下面側）に配置した磁石部６３（磁石）とベース基板用ウエハ４０とを相対的に走査することにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された空洞部３２と、空洞部３２に収容された第１振動子２０ａと、空洞部３２に収容された第２振動子２０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型な振動片であっても静電容量を大きくし、負荷容量の変化に対して発振周波数感度の低い圧電振動片、圧電振動子、および圧電発振器を提供する。
【解決手段】基部１０と、前記基部１０より延伸して形成され屈曲振動する振動腕２０、３０とを備え、圧電材料からなる振動片であって、前記振動腕の表裏面と側面とに形成された駆動電極と、前記振動腕の先端方向に前記駆動電極から離間して前記振動腕の表裏面に形成された非駆動電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁物のベース基板と絶縁物の蓋基板とを金属膜を介して安定的に陽極接合できる電子デバイスパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】蓋基板３の両面に互いに導通する金属膜を成膜する工程と、蓋基板３とベース基板２とをアライメントして重ね合せる工程と、ベース基板２における蓋基板３に接合される面とは反対の面全面に負電極板２１を接触させ、蓋基板３におけるベース基板２に接合される面とは反対の面全面に正電極板２２を接触させ、正電極板２２と負電極板２１との間に電圧を印加することでベース基板２と蓋基板３とを陽極接合する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】圧電振動片が収容されたパッケージ内の真空度の低下を抑制できる圧電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電デバイス１００は、パッケージベース１２と、パッケージベース１２の第１キャビティーに収容された圧電振動片７０と、第１キャビティーに収容され圧電振動片７０を支持するリード３１，３２，３３，３４，３５，３６と、第１キャビティーを封止するリッドと、を含み、圧電振動片７０に形成された振動片端子８１，８２，８３，８４，８５，８６と、リード３１，３２，３３，３４，３５，３６とは、金属間接合されており、リード３１，３２，３３，３４，３５，３６と、パッケージベース１２に形成されたパッケージベース端子２１，２２，２３，２４，２５，２６とは、金属間接合されている。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の周波数変動（温度特性や経時変化）を、精度よく補正することを可
能とする発振回路を提供する。
【解決手段】この発振回路３０は、水晶振動子（振動素子）１を含み発振信号８を出力す
る発振器（発振手段）２と、発振信号８の周波数に対応した電圧に変換するＦ／Ｖ変換器
（Ｆ／Ｖ変換手段）４と、発振信号８の周波数を補正するための周波数補正情報を記憶す
るメモリー（記憶手段）６と、をＩＣパッケージ１５に一体化したものである。そして、
ＩＣパッケージには、発振出力端子８、周波数偏差電圧出力端子（Ｆ／Ｖ変換器出力端子
）１２、メモリー出力端子９、１１及び水晶振動子端子を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を所望の形状に加熱成形することができるパッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】成形工程は、貫通孔形成工程において、スルーホール３０，３１に相当する凸部５３を有するスルーホール形成用型５１でベース基板用ウエハ４１を押圧しつつ、加熱することによりスルーホール３０，３１を形成する工程であり、スルーホール形成用型５１は開気孔率が１４％以上の材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合材の腐食を抑制して、気密性に優れたパッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板２及びリッド基板３の間に、圧電振動片を封入可能なキャビティを備えたパッケージ１０の製造方法であって、ベース基板２の接合面に形成されたアルミニウムを主成分とする材料からなるアルミ膜２３ａと、リッド基板３の接合面とを陽極接合する接合工程と、ベース基板２とリッド基板３との間から露出するアルミ膜２３ａを酸素プラズマで処理することによりアルミ膜を酸化させる酸化工程とを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 １つの水晶振動子で基本波発振とオーバートーン発振を実現すると共に、励振電流を基本波発振とオーバートーン発振に応じて最適化できる基本波／オーバートーン水晶発振器を提供する。
【解決手段】 基本波発振又はオーバートーン発振が可能な水晶振動子１と、水晶振動子１からの励振電流を増幅して発振周波数を出力する発振回路３０とを備え、発振回路３０のトランジスタＴｒ31のベースにコンデンサＣｆとコンデンサＣｏが並列接続されて、エミッタに接続され、エミッタにコンデンサＣ32と抵抗Ｒ32が並列接続され、切替信号によってコンデンサＣｆを回路に接続又は切り離すためのスイッチＳＷ31を設け、スイッチＳＷ31が基本波で発振させる場合にはオンとなり、オーバートーンで発振させる場合にはオフするよう動作する基本波／オーバートーン水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】接合材の腐食を抑制して、気密性に優れたパッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】リッド基板用ウエハ５０の裏面に形成されたアルミニウムを主成分とする材料からなる接合材と、ベース基板用ウエハ４０の表面とを陽極接合する接合工程と、接合材を酸化させる酸化工程とを有し、酸化工程では、接合材を所定温度に加熱した状態で、接合材から接合材を挟む何れかのウエハへの方向へ電流が流れるように電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】高さ寸法を小さくした表面実装用の恒温型発振器を提供する。
【解決手段】水晶デバイス１とともに発熱用抵抗体５ｈを配設したセラミックからなる平板状の第１基板１１ａと、これと面対向して第１基板１１ａより平面外形が大きなガラスエポキシからなる矩形状の第２基板１１ｂとを備え、第２基板１１ｂは水晶デバイス１が挿入される開口部１２を中央領域に有し、第１基板１１ａの表面外周及び第２基板１１ｂの開口部１２の周辺表面のそれぞれ対応する４箇所には端子部１６ａを有し、端子部１６ａ同士は半田によって接続されており、第２基板１１ｂの開口部１２に挿入される水晶デバイス１の先端側頭部は開口部１２の開口面内に位置し、第２基板１１ｂの４箇所の端子部１６ａからはそれぞれ導電路が延出して第２基板１１ｂの外側面を経て外部端子１６ｃが外底面に形成された構成とする。 （もっと読む）

【課題】 出力波形の割れや抜けを無くし、回路の誤動作が防止される低電圧動作のレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 レベルシフト回路は、電源端子ＶＤＤにソースを接続した第１のＰＭＯＳトランジスタＰ１と、接地端子ＧＮＤにソースを接続したＮＭＯＳトランジスタＮ１と、ＰＭＯＳＰ１のドレインとＮＭＯＳＮ１のドレインとの接続点に接続された出力端子ＯＵＴと、ＮＭＯＳＮ１のゲートに接続された入力端子ＩＮと、電源端子ＶＤＤにソースを接続し、ＰＭＯＳＰ１のゲートにドレイン及びゲートを接続し、このドレインを第２の抵抗Ｒ２を介して接地端子ＧＮＤに接続した第２のＰＭＯＳトランジスタＰ２とを有し、ＰＭＯＳＰ１及びＰ２は、カレントミラー回路を構成している。レベルシフト回路の出力波形の割れや抜けが無くなって誤動作を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】小型化された圧電振動片にも対応でき、２次振動モードなどの高調波振動モードでの発振を確実に抑制できる圧電振動片を提供する。
【解決手段】圧電振動片は、基部１０と、基部１０から延びる一対の振動腕１１，１２と、振動腕１１，１２に形成されている励振電極１４ａ，１４ｂと、振動腕１１，１２の基部１０との接続部であり、屈曲振動により屈曲する第１屈曲部２１と、第１屈曲部２１より振動腕１１，１２の先端側であり、２次振動モードで屈曲する第２屈曲部２２と、を有し、第２屈曲部２２の少なくとも一部に、第２屈曲部２２の周囲とは組織構造の異なる変質部３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の変動を防ぐ圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１００は、長辺方向がＸ軸であり、短辺方向がＺ’軸であり、厚み方向がＹ’軸である直方体状の圧電素板に励振用電極１２２を被着形成し、その励振用電極１２２から前記圧電素板に対して同じ長辺に位置するように引き出し電極１２３が形成されている圧電振動素子１２０と、前記圧電振動素子の引き出し電極に対向する位置に２個一対の搭載部１１３が設けられ、前記２個一対の搭載部１１３にそれぞれ２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１４が設けられている素子搭載部材１１０と、前記圧電振動素子１２０を気密封止する蓋部材１３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】容易に周波数調整が可能な振動片の構成を提供する。
【解決手段】基部１５と、基部１５から延びる面外振動をする振動腕１１，１２，１３と、振動腕１１，１２，１３の共振周波数を調整する第１質量部５１，５２，５３と、を有し、第１質量部５１，５２，５３は振動腕１１，１２，１３の面外振動により圧縮または伸長する第１面と、第１面が圧縮した時に伸長し第１面が伸長した時に圧縮する第２面とを有し、第１質量部５１，５２，５３は第１面および第２面の少なくとも一方の面であって、振動腕１１，１２，１３の基部１５側の端部から先端部までの長さの略中心に形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極に凹部が生じることを防ぐこと。
【解決手段】第１のガラス材料からなる筒体６内に金属材料からなる芯材部７を挿入し筒体６を加熱することにより、筒体６を芯材部７に溶着させて電極部材８を形成する電極部材形成工程と、第２のガラス材料からなる貫通電極形成基板用ウエハ４１に電極部材８を配置する孔部２４を形成する孔部形成工程と、前記ウエハ４１に形成された孔部２４に電極部材８を配置する電極部材配置工程と、前記ウエハ４１と電極部材８とを加熱して両者を溶着させる溶着工程と、前記ウエハ４１と電極部材８とを冷却する冷却工程とを有し、溶着工程では、前記ウエハ４１の表面に加圧型６３を設置して加圧型６３で前記ウエハ４１を押圧すると共に、第１のガラス材料の軟化点および第２のガラス材料の軟化点より高温に前記ウエハ４１と電極部材８とを加熱することにより、両者を溶着させるパッケージの製造方法を提供する。 （もっと読む）