【課題】基板等に鑞材を介して接合される接続端子の傾きを改善することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明は、接続端子を備える半導体装置１であって、接続端子１４０は、基板、又は、基板上に配置される１つの半導体素子である接合対象物に、それぞれ鑞材を介して接合される２つの脚部１４２と、２つの脚部１４２に接続され、基板又は１つの半導体素子から離間しつつ２つの脚部間を延在する連結部１４１と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ろう付の際にフラックスの塗布が不要となるアルミニウム合金ブレージングシートを提供する。
【解決手段】心材１１にろう材１２がクラッドされてブレージングシート１０を構成している。心材１１とろう材１２との界面には、フッ化物系のフラックス１３が分布している。点在しているフラックス１３の長さＬ１〜Ｌ４の合計、及び断面積ａ１〜ａ４の合計は、それぞれブレージングシート１０の長さＬに対して所定の範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の撓みによる表示むらや背景むらを抑制可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、この基板１０に半田付けされる複数のピン２１を有するＬＣＤ２０とを備えた表示装置１において、ＬＣＤ２０を保持するホルダー３０と、ＬＣＤ２０を覆うカバー４０とを備え、複数のピン２１を一平面Ｓ１に沿って配列し、複数のピン２１を一平面Ｓ１の両面側から挟み込み部材３，４で挟み込み、挟み込み部材３，４をホルダー３０及びカバー４０で挟持した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 無溶剤の熱可塑性残渣を生成し、その熱可塑性残渣がアンダーフィル成分と反応して熱硬化性樹脂を形成する無洗浄フラックス、を提供すること。
【解決手段】 フラックス活性剤としてジカルボン酸、樹脂成分として平均官能基数が約２．０を有するエポキシのプレポリマー、および粘度調整剤として沸点２６０度以下の溶剤を含む無洗浄フラックスが、リフロー時にはんだの酸化膜を除去するとともに、ガラス転移温度が１００℃以下でアンダーフィル塗布時に液状となる熱可塑性エポキシ硬化物を形成する。粘度調整剤としての溶剤は、リフロー中にそのほとんど全量が揮発し、リフロー後、洗浄することなく、アンダーフィルを塗布する際、その硬化物はアンダーフィルと相溶してアンダーフィルに含まれる硬化剤と反応し、アンダーフィルとともに３次元架橋構造を形成できる。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな設備を用いずに真空二重容器を真空引きし封止する。
【解決手段】内瓶１５３側に凹んでいる凹部１５５と、凹部１５５に設けられ内周面に雌ネジ部１５７が形成されたポート１５６とを有する真空二重容器１５１に対する真空引き及び封止は、ガス注入兼排気工具１０１をポート１５６に取り付け、ガス注入兼排気工具１０１を介して真空二重容器１５１を真空引きするとともに加熱し（ベーキング工程）、ガス注入兼排気工具１０１を介して真空二重容器１５１に不活性なガスを注入し、ガス注入兼排気工具１０１を真空二重容器１５１から取り外してポート１５６にキャップ栓をし、凹部１５５にろう材を配置してろう付け排気工具３０１をポート１５６に取り付け、ガス注入兼排気工具１０１を介して真空二重容器１５１を真空引きし、ガス注入兼排気工具１０１のガラス体３０８を通してろう材を加熱しポート１５６を封止することにより実現される。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウムからなる回路層および緩衝層との接合界面に余剰ろう材が残存しない電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）およびアルミニウム層（13）の少なくとも一方は、母材（20）（22）の絶縁基板側にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる微細結晶層（21）（23）がクラッドされたクラッド材で構成され、ろう付後の前記微細結晶層（21）（23）の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非硬化性であり、信頼できるはんだ付け接続を容易にし、かつ従来のエポキシベースのアンダーフィル材料との混和を容易にするようにカスタマイズすることができるフラックス剤を提供する。
【解決手段】カルボン酸、および式（Ｉ）で表されるポリアミンフラックス剤を当初成分として含むフラックス組成物とする。


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は独立して水素、置換Ｃ_１−８０アルキル基、非置換Ｃ_１−８０アルキル基等。Ｒ^７は少なくとも２つの第三級炭素を有する非置換Ｃ_５−８０アルキル基、少なくとも２つの第三級炭素を有する置換Ｃ_５−８０アルキル基等。） （もっと読む）

【課題】半導体装置をはんだ槽に満たされた溶融はんだに浸漬することで、前記半導体装置の電極にはんだを付着させるはんだ付け方法において、はんだ付けの効率、及び、はんだ付け後の半導体装置の歩留まりを向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置１０を溶融はんだ１２Ａに浸漬する前、及び、半導体装置１０を溶融はんだ１２Ａから引き上げる前のみに、溶融はんだ１２Ａの液面１２ｃに配された超音波振動子４によって超音波を液面１２ｃに印加することにより、液面１２ｃを振動させて液面１２ｃ近傍の溶融はんだ１２Ａをはんだ槽２の外側に溢れ出させるはんだ付け方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の凹部領域の底面にある電極に対してはんだプリコートを形成することができ、かつソルダーレジスト表面から突出するのを抑えることができるはんだプリコートの形成方法を提供する。
【解決手段】溶媒に溶解可能な熱可塑性樹脂中にはんだ粒子を分散させてなるリフローフィルムを用い、基板の凹部領域の底面の電極に、下記工程によりはんだプリコートを形成する形成方法である。
（１）基板のソルダーレジスト側の面にリフローフィルムを載置する工程、
（２）リフローフィルム上に、表面が平滑な平板を載置して固定し、平板を基板に向けて押圧する工程、
（３）平板を押圧した状態で、所定の温度以上に加熱する工程、
（４）（３）の工程において、基板のソルダーレジストと平板とが接した状態で保持する工程、及び
（５）（４）の工程終了後に、熱可塑性樹脂を溶媒を用いて溶解除去する工程 （もっと読む）

【目的】フラックスを用いることなしに不活性ガス雰囲気中でろう付けするために使用されるアルミニウム合金ブレージングシートを提供する。
【構成】アルミニウム合金からなる心材の片面または両面に、Ｓｉ：１３〜２０％を含み、残部アルミニウムおよび不可避的不純物からなる過共晶Ａｌ−Ｓｉ系ろう材と、Ｓｉ：４〜１１％を含み、残部アルミニウムおよび不可避的不純物からなる亜共晶Ａｌ−Ｓｉ系ろう材とを、過共晶Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が表面層となるように重ねてクラッドし、亜共晶Ａｌ−Ｓｉ系ろう材と心材のいずれか一方または両方がＭｇを含有し、亜共晶Ａｌ−Ｓｉ系ろう材のＭｇ含有量は０．２〜１．０％、心材のＭｇ含有量は０．４〜１．２％であることを特徴とする。 （もっと読む）