【課題】装置全体の小型化、設置占有面積の減少を可能にし、加圧力の増大に適し、またアクチュエータの構造を簡単にしてそのシール交換などのメンテナンス性を向上させ、汎用アクチュエータの使用も可能にする。
【解決手段】基台部５０に対して昇降自在に保持した接合ヘッドを、加圧力設定用ばねを介して下向きに加圧するばね加圧式接合装置において、接合ヘッドの昇降用アクチュエータ６０の下方に加圧力設定用ばね７８を配設し、昇降用アクチュエータ６０の加圧出力が加圧力設定用ばね７８を介して接合ヘッドを加圧する。 （もっと読む）

【課題】接合対象をより安定して取り扱うこと。
【解決手段】カートリッジと、そのカートリッジが載せられるキャリッジと、静電チャックと、その静電チャックを駆動する圧接機構とを備えている。そのカートリッジは、所定領域の表面粗さが所定の表面粗さより大きくなるように、形成されている。このとき、そのカートリッジは、ウェハがその所定領域に接している場合で、ウェハが静電引力によりその静電チャックに吸着されているときに、ウェハとともにその静電チャックに吸着されないで、その静電チャックが移動しても移動しない。この結果、このような接合装置は、その静電チャックの吸着力を変化させることなく、かつ、ウェハに所定の加工を施すことなく、ウェハをより安定して取り扱うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

金属本体または容器（１０）に補強繊維（１４）から成るインサートを圧密化することによって複合金属部品を実現する間に、圧密化に使用されるガスが、インサート（１４）を覆う蓋（１６）と容器（１０）との間でインサート（１４）を受け入れるために容器（１０）に形成されるキャビティ（１２）に入ることがある。この種の侵入は、圧密化、ならびに、それらの間で、および／またはキャビティ（１２）の壁（１０ａ）に対してインサート（１４）の繊維シースの拡散溶接を妨げ、または低下させる場合がある。前記問題を解決するために、本発明は、容器（１０）の上に蓋（１６）を事前溶接することを含む。本発明は、温度を上昇させ、維持することを含む段階の後に、加圧ガスを加熱供給し、前記部品を得るためにアセンブリを機械加工することを含む段階によって、等静水圧圧密化を開始させることを含む。温度上昇段階は、調圧された蓋の壁（１６ａ）および容器の壁（１０ａ）を硬く接続する材料の拡散事前溶接を行うように調整される。本発明は、航空機の着陸装置用の部品などの、引張圧縮抵抗を有する部品を設計するために使用され得る。
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【課題】封止時における不要なガスの発生を抑えた低コストで信頼性の高い気密封止型電子部品、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤、緑、青の各レーザーダイオード（ＬＤ）素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを支持基板２に実装してキャップ３で気密封止した気密封止型電子部品において、支持基板２にガス抜き用の貫通孔８を設け、そこを介して内部に存在する不要なガス成分を外部へ排出うえで、支持基板２に表面活性化接合法を用いて平板状の封止部材１２を接合して貫通孔８を閉塞する。 （もっと読む）

【課題】従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。
【解決手段】 高荷重ディーゼルエンジンの用途のために特に適合されるピストンは、円周上に延在する接合面を有する別個の部分から製作され、接合面は、結合前に、接合面の結合が可能なほど十分な高温に加熱され、その後、接合面が互いに接触して捻じられ、接合面のインターフェイスにおいて恒常的な金属溶接を達成する。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスに強く、スパッタを発生させることなく大きな接合面積を確保することができる接合構造及び接合方法を提供すること。
【解決手段】パワー半導体素子１３に備わる放熱ブロック１４に対して配線テープ１８を接合している接合部２０において、放熱ブロック１４と配線テープ１８が、拡散接合部材３１ａによって接合されている拡散接合部３０と、放熱ブロック１４と配線テープ１８とが溶融接合された溶融接合部４０と、を備え、拡散接合部４０を囲むように溶融接合部４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
各々の部品が有する形状や特性を接合後も損なうことなく、かつ接合の信頼性が高く実用に耐えうる接合体を提供すること。
【解決手段】
接合されている２つ以上の精密部品のうち、少なくとも１つが非晶質相を主相とする合金からなる場合において、非晶質相を主相とする合金の結晶化温度以下の温度帯で溶解する、一般式（１）にて示される組成式によって構成された接合母材を接合界面に用いた精密部品の接合体及び非晶質相を主相とする合金からなる部材の接合界面側にＡｕ, Ｐｔ, Ｐｄ及びＮｉのうち少なくとも何れか１種を含有する箔層と、一般式（１）にて示される組成式によって構成された接合母材を接合界面に用いた精密部品の接合体
一般式（１）：Ａｕ_100-xＭ_x
但し、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎのうち少なくとも１種を必ず含む任意の元素群であり、ｘは原子％で、１７．５≦ｘ≦４０である。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】少ない接合エネルギーで高い接合強度を確保する。
【解決手段】第１金属部材（１）の第１、第２内径部４，５に、第２金属部材（１０）の第１、第２外径部１１，１２をそれぞれ当接させるとともに、上記第１金属部材（１）と第２金属部材（１０）とを一対の電極２１，２２を用いて軸方向に加圧しつつ通電することにより、上記両部材（１，１０）の間に、上記第１内径部４と第１外径部１１とが接合された第１接合部Ｐ１と、上記第２内径部５と第２外径部１２とが接合された第２接合部Ｐ２とを形成し、かつこれら両接合部Ｐ１，Ｐ２の間に、金属どうしが接触しない間隙部１５を、所定の軸方向長さにわたって形成する。 （もっと読む）