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国際特許分類[B23K20/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 工作機械;他に分類されない金属加工 (71,475) | ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工 (42,379) | 加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法 (2,526)

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【課題】
低密度合金と高密度金属との異材接合界面をピール接合法によって接合し、流体軸受のような高回転部材に適した軽量化構造を提供すること。
【解決手段】
選択図は、ピール接合法によって異材継手を製作する過程を示す。同図(a)は、この異材継手を上方から見た図であり、(b)は、(a)のX−X線の矢視図であって、側方断面を示す。9Aはスラスト部素材4Aを保持する治具であって、この治具9A内に保持したスラスト部素材4Aには、あらかじめジャーナル部素材3Aの外径に対応した内径の貫通穴を設ける。そして、ジャーナル部素材3Aの端面に荷重Wを負荷することで、ジャーナル部素材のエッジ3Bでスラスト部4素材の内表面層4Bをピールしながら、新生面を生成させる。さらに、スラスト部素材4Aを拘束することによって荷重Wを側圧として作用するように工夫した治具9Aを用いることで、新生面を保持するものである。 (もっと読む)


【課題】無加圧ないしは自重圧下でもより高い接合強度を得ることができる接合用材料を提供する。
【解決手段】平均粒径の異なる2種以上の銀系粉末を含有する接合用材料であって、(1)第1粉末として、有機成分及び銀を含む銀系粒子からなり、平均粒径が10nm未満の銀系粉末、及び(2)第2粉末として、銀を含む銀系粒子からなり、平均粒径が40nm以上である銀系粉末を含むことを特徴とする接合用材料に係る。 (もっと読む)


【課題】1組の被接合基板から製造できる電子デバイスの歩留まりが高い、基板の接合方法および基板接合装置を提供する。
【解決手段】電子デバイスを備える成長用基板と支持基板との組基板を、上部治具および下部治具を用いて押圧し、接合基板を得る接合方法であって、同径を有する前記成長用基板と支持基板との1組以上の基板を、前記下部治具に設けられた、前記組基板の全てを内部に直列的に収納可能な円筒形状の凹部に装填する工程と、前記上部治具および下部治具を用いて、前記直列的に収納された組基板を押圧し、前記成長用基板と支持基板とを接合させて接合基板を得る工程とを、有することを特徴とする基板の接合方法を提供する。 (もっと読む)


横並び配置の少なくとも2つの異種の金属構造体間に複合物品を製造する方法が提供される。本方法は、溶接又は従来のクラッディングプロセスに適さない異種の材料から成る少なくとも2つの構造体を提供することを含む。第1構造体の端部の少なくとも一方には幾何プロファイルが設けられ、また、対応する幾何プロファイルの鏡像が第2構造体の対応端部に設けられる。2つの構造体は、一緒に位置付けられ、これにより、プロファイル端又は端らにより相補的な複合構造体が形成され、そして、固相接合され、複合物品が形成される。第1又は第2構造体の両方の端部の追加的構造に対してプロセスが繰り返され、複数の横並び物品を獲得することができる。ここに提示された方法及びこれに対応する製品により、様々な電気接続タイプ用途に適するエッジ間製品を製造することができる。
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【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の炭化珪素基板11の第1の側面S1と、第2の炭化珪素基板12の側面S2とが互いに面するように、処理室60内にベース部30および第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。処理室60の内面の少なくとも一部は、Ta原子およびC原子を含む吸収部52によって覆われている。第1および第2の側面S1、S2を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室60内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部52の少なくとも一部が炭化される。 (もっと読む)


【課題】接合すべきレール同士をクランプすると共に、接合部位をガスバーナーで加熱しながら一方側から加圧して圧接を行うレールガス圧接機において、目標圧接量が正確に得られるようにする。
【解決手段】レール同士の接合部位を加熱しながら圧接するレールの加熱圧接方法において、加熱により前記接合部位の塑性変形が始まる迄は、該接合部位に加わる圧接力が目標値となるように圧力制御を行い、加熱により前記接合部位の塑性変形が始まった後は、該接合部位の圧接量が目標値となるように変位制御を行う。 (もっと読む)


【課題】Au−Si共晶接合の接合信頼性を高めることができる接合方法を提供する。
【解決手段】2枚の基板1,2をAu−Si共晶接合により接合する接合方法であって、第1のシリコン基板10を用いて形成された第1の基板1と第2のシリコン基板20を用いて形成された第2の基板2とを用意する。接合装置のチャンバ内で第1の基板1のAu膜13と第2の基板2の第2のシリコン基板20とが接触するように両基板1,2を重ね合わせて荷重を印加した状態で、両基板1,2をAu−Siの共晶温度よりも高い規定温度まで昇温する昇温過程、両基板1,2の加熱温度を上記規定温度に所定時間だけ保持する温度保持過程、両基板1,2を室温まで降温させる降温過程を順次行うようにし、降温過程では、両基板1,2を上記規定温度から急速冷却する。 (もっと読む)


【課題】安価な加工コストにより製作することができ、かつ優れた耐久性と洗浄性を有する金属製フィルターを実現する。
【解決手段】比較的安価な加工であるエッチングにより表裏どちらか一方の面で孔径が最小となる孔を作製した複数枚の多孔板を、表裏の向きを揃え、各々の孔の位置が正確に揃うように積層し、さらにその積層体を焼結する。孔径の小さい面の側から被ろ過物を流すことで、異物粒子は表面で捕捉され、洗浄を容易にする。多孔板の積層数を増やすことにより、耐久性を増すことができる。さらに洗浄性を向上させるために、孔径を流れの方向にしたがって大きくする。各層の孔の中心軸をろ過面に対して傾けることにより、目詰まり抑制や流動抵抗の減少など、種々の機能も付加できる。 (もっと読む)


【課題】銅素材とアルミニウム素材との接触点を直接的にかつ短時間に所定温度(共晶温度〜+50℃)の範囲にまで加熱することができ、また、接触面の融液相を電極の変位可能性によって管理することができ、確実に精度よく銅素材とアルミニウム素材とを共晶反応を利用して拡散接合することができる銅・アルミニウム接合方法および装置を提供すること。
【解決手段】抵抗溶接用の2つの電極間に融点以下において共晶反応を生じる銅素材とアルミニウム素材とを相互の接合領域を接触させて一次加圧した状態において、前記両電極を通して前記両金属素材間に通電して前記接合領域における前記両金属の接触部を共晶温度以上融点未満の温度に加熱して共晶反応により当該接触部に融液相を形成させて前記両電極が変位可能となった時に通電を停止するとともに前記両金属素材を二次加圧して前記接触部から前記融液相を外部に排出させて前記両金属を前記接合領域において接合させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ウェハを加圧する加圧モジュールに流体を利用する場合、圧力伝達部材と圧力伝達部材に取り付けられている他の構造体との境界から、加圧された流体の漏出が問題となる。
【解決手段】上記課題を解決するために、外部から出入させる流体を制御することにより被加圧体を加圧する加圧モジュールは、被加圧体に流体による加圧圧力を伝達する圧力伝達板と、圧力伝達板との間に空間を形成するように圧力伝達板を支持する基台部と、流体が圧力伝達板に直接接触しないように空間に介在し、圧力伝達板に密着して流体による加圧圧力を伝達する圧力シートとを備える。 (もっと読む)


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