ひとつの側面から見ると、本発明は、キニンおよびキニジンに基づく触媒に関する。別の側面から見ると、本発明は、キニンまたはキニジンの誘導体に基づく触媒の調製法に関し：1）キニンまたはキニジンに5当量の塩基および適切な脱離基を有する化合物を反応させ、さらに、2）環状メトキシ基を水酸基に転換させる段階を含む。さらに別の側面から見ると、本発明は、プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンからキラル非ラセミ化合物を調製する方法に関し、：触媒の存在下、プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンに求核剤を反応させ、それによってキラル非ラセミ化合物を生成させるが、ここで、該触媒はキニンまたはキニジンの誘導体である。また別の側面から見ると、本発明は動力学的分割法に関し、キニンまたはキニジン誘導体の存在下、ラセミキラルアルケンを求核剤と反応させる段階を含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の構造式Iで表される化合物。
【化１】

（ここで、それぞれ別異に、
Rは、置換または未置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、複素環もしくはヘテロシクロアルキルを表し；
R₁は、置換または未置換のアルキルもしくはアルケニルを表し；
R₂およびR₃は、アルキル、アルケニル、アリール、シクロアルキル、アラルキル、ヘテロアルキル、ハロゲン、水酸基、シアノ、アミノ、アシル、アルコキシル、シリルオキシ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホナート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒドまたはエステルを表し；
nは、0〜5までの整数であり；
ｍは、0〜8までの整数であり；さらに、
R₄は、−OH、−OTf、−ONf、−SH、−NH₂、−NHR₂、−NH(C=O)NR₂R₃、−NH(SO₂)R₂、−NH(C=O)OR₂または−NH(C=O)R₂を表す。）
【請求項２】
R₄は−OHを表すことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Rは、アリールまたはアラルキルを表すことを特徴とする請求項２記載の化合物。
【請求項４】
nは0であることを特徴とする請求項２記載の化合物。
【請求項５】
ｍは0であることを特徴とする請求項２記載の化合物。
【請求項６】
下記の構造式IIで表される化合物。
【化２】

（ここで、それぞれ別異に、
Rは、置換または未置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、複素環もしくはヘテロシクロアルキルを表し；
R₁は、置換または未置換のアルキルもしくはアルケニルを表し；
R₂およびR₃は、アルキル、アルケニル、アリール、シクロアルキル、アラルキル、ヘテロアルキル、ハロゲン、水酸基、シアノ、アミノ、アシル、アルコキシル、シリルオキシ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホナート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒドまたはエステルを表し；
nは、0〜5までの整数であり；
ｍは、0〜8までの整数であり；さらに、
R₄は、−OH、−OTf、−ONf、−SH、−NH₂、−NHR₂、−NH(C=O)NR₂R₃、−NH(SO₂)R₂、−NH(C=O)OR₂または−NH(C=O)R₂を表す。）
【請求項７】
R₄は−OHを表すことを特徴とする請求項６記載の化合物。
【請求項８】
Rは、アリールまたはアラルキルを表すことを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項９】
nは0であることを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項１０】
ｍは0であることを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項１１】
下記のスキーム1で表されるシンコナアルカロイド誘導体触媒の調製法。
【化３】

（ここで、それぞれ別異に、
Xは、Cl、Br、I、OSO₂CH₃またはOSO₂CF₃を表し；
Rは、置換または未置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、複素環もしくはヘテロシクロアルキルを表し；
R₁は、置換または未置換のアルキルもしくはアルケニルを表し；
R₂およびR₃は、アルキル、アルケニル、アリール、シクロアルキル、アラルキル、ヘテロアルキル、ハロゲン、水酸基、シアノ、アミノ、アシル、アルコキシル、シリルオキシ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホナート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒドまたはエステルを表し；
nは、0〜5までの整数であり；
ｍは、0〜8までの整数であり；
塩基はブレンステッド塩基である。）
【請求項１２】
Rは、アリールまたはアラルキルを表すことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
下記のスキーム2で表されるシンコナアルカロイド誘導体触媒の調製法。
【化４】

（ここで、それぞれ別異に、
Xは、Cl、Br、I、OSO₂CH₃またはOSO₂CF₃を表し；
Rは、置換または未置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、複素環もしくはヘテロシクロアルキルを表し；
R₁は、アルキルもしくはアルケニルを表し；
R₂およびR₃は、アルキル、アルケニル、アリール、シクロアルキル、アラルキル、ヘテロアルキル、ハロゲン、水酸基、シアノ、アミノ、アシル、アルコキシル、シリルオキシ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホナート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒドまたはエステルを表し；
nは、0〜5までの整数であり；
ｍは、0〜8までの整数であり；
塩基はブレンステッド塩基である。）
【請求項１４】
Rは、アリールまたはアラルキルを表すことを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンからキラル非ラセミ化合物を調製する方法であって：
触媒の存在下、プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンを求核剤と反応させ；それによってキラル非ラセミ化合物を生成する工程を含み；前記触媒は下記の構造式Ｉで表されることを特徴とする方法。
【化５】

（ここで、それぞれ別異に、
Rは、H、あるいは、置換または未置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、複素環もしくはヘテロシクロアルキルを表し；
R₁は、置換または未置換のアルキルもしくはアルケニルを表し；
R₂およびR₃は、アルキル、アルケニル、アリール、シクロアルキル、アラルキル、ヘテロアルキル、ハロゲン、水酸基、シアノ、アミノ、アシル、アルコキシル、シリルオキシ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホナート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒドまたはエステルを表し；
nは、0〜5までの整数であり；
ｍは、0〜8までの整数であり；さらに、
R₄は、−OH、−OTf、−ONf、−SH、−NH₂、−NHR₂、−NH(C=O)NR₂R₃、−NH(SO₂)R₂、−NH(C=O)OR₂または−NH(C=O)R₂を表す。）
【請求項１６】
R₄は−OHを表すことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
Rは、H、アリールまたはアラルキルを表すことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記求核剤は、二級または三級求核剤であることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記求核剤は、マロネートまたはβ−ケトエステルであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記求核剤は、アルキル2−シアノ−2−アルキルアセタートであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記求核剤は、アルキル2−シアノ−2−アリールアセタートであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、ニトロアルケンであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、ジアルキルアゾジカルボキシラートであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、アルケニルスルホンであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２５】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、アルケニルケトンであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２６】
プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンからキラル非ラセミ化合物を調製する方法であって：
触媒の存在下、プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンを求核剤と反応させ；それによってキラル非ラセミ化合物を生成する；工程を含み、前記触媒は下記の構造式IIで表されることを特徴とする方法。
【化６】

（ここで、それぞれ別異に、
Rは、H、あるいは、置換または未置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、複素環もしくはヘテロシクロアルキルを表し；
R₁は、アルキルもしくはアルケニルを表し；
R₂およびR₃は、アルキル、アルケニル、アリール、シクロアルキル、アラルキル、ヘテロアルキル、ハロゲン、水酸基、シアノ、アミノ、アシル、アルコキシル、シリルオキシ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホナート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒドまたはエステルを表し；
nは、0〜5までの整数であり；
ｍは、0〜8までの整数であり；さらに、
R₄は、−OH、−OTf、−ONf、−SH、−NH₂、−NHR₂、−NH(C=O)NR₂R₃、−NH(SO₂)R₂、−NH(C=O)OR₂または−NH(C=O)R₂を表す。）
【請求項２７】
R₄は−OHを表すことを特徴とする請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
Rは、H、アリールまたはアラルキルを表すことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記求核剤は、二級または三級求核剤であることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
前記求核剤は、マロネートまたはβ−ケトエステルであることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３１】
前記求核剤は、アルキル2−シアノ−2−アルキルアセタートであることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３２】
前記求核剤は、アルキル2−シアノ−2−アリールアセタートであることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３３】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、ニトロアルケンであることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３４】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、ジアルキルアゾジカルボキシラートであることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３５】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、アルケニルスルホンであることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３６】
前記プロキラル電子欠損アルケンもしくはアゾ化合物、あるいはプロキラルアルデヒドまたはプロキラルケトンは、アルケニルケトンであることを特徴とする請求項２７記載の方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【公表番号】特表２００８−５０１６８９（Ｐ２００８−５０１６８９Ａ）
【公表日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５１５４６３（Ｐ２００７−５１５４６３）
【出願日】平成１７年５月２７日（２００５．５．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０１８９７３
【国際公開番号】ＷＯ２００５／１２１１３７
【国際公開日】平成１７年１２月２２日（２００５．１２．２２）
【出願人】（５０２３６１５１１）ブランデイス　ユニヴァーシティー (8)
【Ｆターム（参考）】