プラズマ洗浄方法
【課題】 被処理基板に設けられる有機物層のスパッタリングを抑え、導電部からの有機物の除去を効率的に行なうことのできるプラズマ洗浄方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線基板１７の配線１９にプラズマ１８を照射して洗浄するとき、洗浄すべき配線１９にプラズマを集中させるようにプリント配線基板１７にプラズマ集中処理を施し、配線１９に臨む領域でプラズマ１８を発生させ、発生させたプラズマ１８を配線１９に照射する。たとえば、プリント配線基板１７を下部電極１６に載置してスルーホール２１を介して下部電極１６と配線１９とを短絡させ、上部電極１５と下部電極１６との間に電圧を印加してプラズマ１８を発生させる。これによって、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を配線１９に与え、配線１９およびその周囲にプラズマ１８を集中して照射することができる。
【解決手段】 プリント配線基板１７の配線１９にプラズマ１８を照射して洗浄するとき、洗浄すべき配線１９にプラズマを集中させるようにプリント配線基板１７にプラズマ集中処理を施し、配線１９に臨む領域でプラズマ１８を発生させ、発生させたプラズマ１８を配線１９に照射する。たとえば、プリント配線基板１７を下部電極１６に載置してスルーホール２１を介して下部電極１６と配線１９とを短絡させ、上部電極１５と下部電極１６との間に電圧を印加してプラズマ１８を発生させる。これによって、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を配線１９に与え、配線１９およびその周囲にプラズマ１８を集中して照射することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板にプラズマを照射して洗浄するプラズマ洗浄方法および前記プラズマ洗浄方法によって洗浄される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品同士を電気的に接続するための配線、電極などの導電部が形成されたプリント配線基板などの基板に半導体素子、チップ部品などの電子部品を実装する際には、実装に先立って、基板表面部の導電部の洗浄が行なわれる。この導電部の洗浄は、導電部と電子部品との接続に使用されるワイヤ、バンプ、はんだなどの金属導体に対する導電部のボンディング性およびぬれ性を改善するために行なわれる。
【０００３】
たとえば、ボンディングに使用される電極の表面部に金めっきが施されている場合、この金めっき面には、金めっき工程で混入したニッケルに由来するニッケル化合物、製造過程で付着した有機物などが存在し、前述の金属導体との良好な電気的接続を阻害する。このような接合阻害物を洗浄によって除去することによって、金属導体に対するボンディング性およびぬれ性を向上させ、良好な接合を実現することができる。このように、導電部を洗浄することによって、半導体素子などの電子部品とプリント配線基板などの基板との接合強度を向上させることができる。
【０００４】
導電部の洗浄方法としては、プラズマを用いたプラズマ洗浄方法が多用されている。図７は、従来のプラズマ洗浄方法によってプリント配線基板５を洗浄する様子を簡略化して示す断面図である。従来技術によるプラズマ洗浄方法では、まずプラズマ洗浄装置１のチャンバ２の内方に対向して設けられる上部電極３および下部電極４のうち下部電極４に、洗浄対象となるプリント配線基板５を載置した後、チャンバ２の内方の空間を減圧して真空状態とする。次いで、チャンバ２の内方の上部電極３と下部電極４との間にプラズマ発生用ガスを導入し、マッチングボックス６を介して交流電源７から下部電極４に高周波の交流電力を供給する。これによって、上部電極３と下部電極４との間にプラズマ８が発生し、プラズマ８中のイオンがプリント配線基板５に照射される。プリント配線基板５は、イオンが衝突する際の衝撃によってスパッタリングされ、配線部５ａに付着した前述の接合阻害物などが除去される。
【０００５】
プラズマ発生用ガスとしては、アルゴンなどの希ガスが用いられる。希ガスを用いる従来のプラズマ洗浄方法では、プラズマ放電によって発生した希ガスのイオンが洗浄対象物に衝突することによる物理的なエッチング作用によって前述の接合阻害物などを除去する。この方法を用いて有機物が露出している基板を洗浄する場合には、洗浄対象部位である導電部の表面部にプラズマ洗浄後にも有機物が残留し、良好な洗浄品質を確保できないという問題が生じる。たとえば、プリント配線基板５の配線部５ａに設けられた図示しない電極の表面部のニッケル化合物などの無機物、電極の表面部に付着した有機物を除去対象とする場合、洗浄によって無機物は除去できるけれども、有機物は洗浄後にも電極の表面部に残存し、充分に除去することができないという問題が生じる。これは、以下のことが原因であると推察される。プラズマ洗浄過程において、プリント配線基板５の配線部５ａおよび樹脂部５ｂは、いずれもイオンの照射によってチャージアップされるので、配線部５ａと樹脂部５ｂとの間には大きな電位差が生じない。このため、プラズマ８中のイオンはプリント配線基板５に均一に照射されるので、配線部５ａだけでなく、樹脂部５ｂもスパッタリングされる。この樹脂部５ｂがスパッタリングされて飛散した有機物が配線部５ａの電極の表面部に再付着するので、電極の表面部には洗浄後にも有機物が残存するものと考えられる。
【０００６】
電極の表面部に残留する残留有機物を低減させるための技術としては、プラズマ発生用ガスとして、酸素ガスを含むガスを用いることが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２５９４１１（第１図，第３図，第３頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示の技術では、有機物層から飛散した有機物を酸素ガスから発生する酸素ラジカルと反応させてガス化させることによって、処理対象部位への有機物の再付着を防止し、残留有機物の低減を図っている。しかしながら、特許文献１に開示の技術においても有機物層のスパッタリングは生じ、飛散した有機物の電極表面部への再付着は起こるので、電極の表面部から有機物を充分に除去することはできない。また、特許文献１に開示の技術では、酸素ガスなどの新たなガスを使用するので、これらのガスをチャンバ内に導入するための供給手段などを新たに設ける必要があり、装置コスト、ランニングコストなどのコストの増大を招くという問題もある。
【０００９】
本発明の目的は、被処理基板に設けられる有機物層のスパッタリングを抑え、導電部からの有機物の除去を効率的に行なうことができ、コストを増大させることなく導電部に残存する有機物を低減し、良好な洗浄品質を実現することのできるプラズマ洗浄方法および前記プラズマ洗浄方法を実現可能な配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、導電性を有する導電部が形成される被処理基板の前記導電部にプラズマを照射して洗浄するプラズマ洗浄方法であって、
洗浄すべき前記導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、前記導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを前記導電部に照射することを特徴とするプラズマ洗浄方法である。
【００１１】
また本発明は、前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする。
【００１２】
また本発明は、前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に隣接するように被処理基板にプラズマ集中用電極部を設け、前記プラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部とを有することを特徴とする配線基板である。
【００１４】
また本発明は、厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に隣接して設けられ、厚み方向他方側に延びるプラズマ集中用電極部とを有することを特徴とする配線基板である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、被処理基板の洗浄すべき導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを導電部に照射することによって、導電部を洗浄する。被処理基板にはプラズマ集中処理が施されているので、プラズマは、被処理基板の洗浄すべき導電部およびその周囲に集中して照射される。これによって、被処理基板の洗浄すべき導電部以外の部分の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぐことができるので、導電部を効率的に洗浄することができる。たとえば被処理基板の導電部を除く部分に有機物層が形成されている場合、有機物層の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぎ、有機物層からの有機物の飛散量を低減することができるので、飛散した有機物の導電部への再付着を抑え、導電部から有機物を効率的に除去することができる。したがって、良好な洗浄品質を実現することができる。
【００１６】
また本発明によれば、被処理基板の洗浄すべき導電部は、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられるので、被処理基板の導電部以外の部分に比べて、プラズマとの間の電位差が大きくなる。これによって、被処理基板の導電部以外の部分に向かって照射されるプラズマの進路を、導電部に向かって屈曲させることができるので、プラズマを導電部およびその周囲に集中して照射することができる。したがって、洗浄すべき導電部以外の部分の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぐことができるので、導電部以外の部分からの飛散物の導電部への再付着を抑え、導電部を効率的に洗浄することができる。
【００１７】
また本発明によれば、被処理基板の洗浄すべき導電部に隣接して設けられるプラズマ集中用電極部は、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられるので、被処理基板のプラズマ集中用電極部以外の部分に比べて、プラズマとの間の電位差が大きくなる。これによって、被処理基板のプラズマ集中用電極部以外の部分に向かって照射されるプラズマの進路を、プラズマ集中用電極部に向かって屈曲させることができるので、プラズマをプラズマ集中用電極部およびプラズマ集中用電極部に隣接する導電部に集中して照射することができる。したがって、洗浄すべき導電部以外の部分の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぐことができるので、導電部以外の部分からの飛散物の導電部への再付着を抑え、導電部を効率的に洗浄することができる。また複数の導電部を洗浄する場合、複数の導電部に隣接してプラズマ集中用電極部を設けることによって、複数の導電部に集中してプラズマを照射することができるので、複数の導電部を容易に洗浄することができる。
【００１８】
また本発明によれば、配線基板は、厚み方向一方側に設けられる配線に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部を有するので、厚み方向他方側が接するように、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられる電極に支持させることによって、短絡用端子部を介して配線と電極とを短絡させることができる。したがって、本発明の配線基板は、配線に、照射するプラズマと逆極性の電位を容易に与えることができる。
【００１９】
また本発明によれば、配線基板は、厚み方向一方側に設けられる配線に隣接して設けられ、厚み方向他方側に延びるプラズマ集中用電極部を有するので、厚み方向他方側が接するように、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられる電極に支持させることによって、プラズマ集中用電極部と電極とを短絡させることができる。したがって、本発明の配線基板は、配線に隣接して設けられるプラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を容易に与えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のプラズマ洗浄方法は、導電性を有する導電部が形成される被処理基板の洗浄すべき導電部にプラズマを照射して導電部を洗浄する方法であり、洗浄すべき導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを導電部に照射することを特徴とする。
【００２１】
本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法として、図１に示す本発明の実施の他の形態であるプリント配線基板１７を洗浄する場合を例示する。被処理基板であるプリント配線基板１７は、基板本体２０と、基板本体２０の厚み方向一方側の表面部に設けられる導電部である配線１９と、配線１９に電気的に接続される短絡用端子部であるスルーホール２１とを含む。配線１９は、プリント配線基板１７の厚み方向一方側に設けられ、スルーホール２１は、プリント配線基板１７の厚み方向他方に延びて設けられる。本実施形態では、基板本体２０は、絶縁性材料、たとえばエポキシ樹脂などの樹脂などで形成される。基板本体２０を絶縁性材料で形成することによって、配線１９同士の間の基板本体２０に導電性の異物が付着することによるリークを防ぐことができる。
【００２２】
プリント配線基板１７は、その厚み方向一方側の表面部１７ａで配線１９が露出しており、この表面部１７ａで露出する配線１９が洗浄される。この配線１９が露出する表面部（以後、洗浄面と称する）１７ａのうち、配線１９が形成されていない部分では、基板本体２０が露出している。以後、基板本体が露出している部分を基部と称する。基板本体２０の厚みは、たとえば０．１〜２ｍｍ程度である。配線１９は、たとえば、基板本体２０の配線１９となるべく予め定められる部分を除去して溝を形成した後、溝に銅などの導電性材料を埋め込むことによって形成される。配線１９を構成する導電性材料層の厚みは、たとえば５〜４０μｍ程度である。
【００２３】
スルーホール２１は、プリント配線基板１７を厚み方向に貫通するように設けられる。本実施の形態においてスルーホール２１は、プリント配線基板１７を厚み方向に貫通する貫通孔２１ａに銅などの導電性材料を充填することによって形成される。スルーホール２１は、軸線方向の一端部が配線１９に電気的に接続され、他端部がプリント配線基板１７の洗浄面１７ａの反対側の表面部である厚み方向他方側の表面部（以後、下面部と称する）１７ｂにおいて露出するように形成される。本実施形態では、配線１９は複数本が設けられており、スルーホール２１も配線１９と同数が形成され、各配線１９にそれぞれ電気的に接続されている。本実施形態とは異なるけれども、スルーホール２１は、貫通孔２１ａの軸線に対して交差する方向に臨む基板本体２０の表面部（以後、貫通孔２１ａの側壁部と称する）に、金属めっきなどによって前述の導電性材料が成膜されて形成されたものであってもよい。
【００２４】
本実施形態のプラズマ洗浄方法によるプリント配線基板１７の洗浄は、たとえば図１に示すプラズマ洗浄装置１０を用いて実施することができる。図１は、本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるプラズマ洗浄装置１０の構成を簡略化して示す断面図である。プラズマ洗浄装置１０は、容量結合プラズマを用いるプラズマ洗浄装置である。プラズマ洗浄装置１０は、基本的に、チャンバ１１と、一対の電極１２と、マッチングボックス１３と、交流電源１４とを含んで構成される。一対の電極１２および交流電源１４は、プラズマを発生させるプラズマ発生手段に相当する。
【００２５】
チャンバ１１は、真空槽とも呼ばれ、内方に空間（以後、反応室と称する）１１ａを有する。チャンバ１１には、図示しない真空ポンプおよびガス供給装置が接続される。チャンバ１１の内方の反応室１１ａは、真空ポンプによって真空吸引可能に形成される。チャンバ１１は、反応室１１ａ内の気体が真空ポンプによって吸引されて反応室１１ａが真空状態になっても大気圧に耐え得るように形成される。ここで、真空状態とは、標準大気圧（１．０１３×１０５Ｐａ）よりも低い圧力の気体で満たされた状態のことである。反応室１１ａは、たとえば圧力１×１０−５Ｐａ以上１×１０２Ｐａ以下の真空状態で使用される。またチャンバ１１は、電気的に接地されており、その内側の内側壁面部１１ｂには接地電位が与えられる。チャンバ１１は、たとえばステンレス鋼またはガラスなどによって形成される。
【００２６】
反応室１１ａは、ガス供給装置から供給されるプラズマ発生用ガスを貯留可能に形成される。反応室１１ａには、ガス供給装置によってプラズマ発生用ガスが供給される。これによって、反応室１１ａにプラズマ発生用ガスを散在させることができる。反応室１１ａに供給されるプラズマ発生用ガスの圧力は、たとえば０．０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下である。プラズマ発生用ガスとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオンなどの希ガスなどが挙げられ、これらの中でもアルゴンが好適に用いられる。プラズマ発生用ガスとして希ガスを用いる場合、希ガスは、１種が単独で使用されてもよく、また２種以上が混合されて使用されてもよい。また、希ガスと窒素などの不活性ガスとの混合ガス、希ガスと酸素との混合ガスなどを用いることもできる。
【００２７】
一対の電極１２は、チャンバ１１の内方の反応室１１ａに設けられる。一対の電極１２は、互いに対向するように離隔して並設される。本実施の形態において一対の電極１２は、鉛直方向に並んで設けられる。一対の電極１２には、上部電極１５と、上部電極１５の鉛直下方に設けられる下部電極１６とが含まれる。本実施形態では、下部電極１６が、被処理基板であるプリント配線基板１７を支持する支持電極である。
【００２８】
上部電極１５は、略平板形状の導電体である。本実施の形態において上部電極１５は、略円板形状に形成される。上部電極１５は、チャンバ１１の内側壁面部１１ｂに電気的に接続され、チャンバ１１を介して電気的に接地される。
【００２９】
下部電極１６は、略平板形状の導電体である。本実施の形態において下部電極１６は、略円板形状に形成される。下部電極１６は、その平坦な一表面部である載置面部１６ａに、被処理基板であるプリント配線基板１７を載置できるように形成される。下部電極１６は、載置面部１６ａが上部電極１５の平坦な一表面部である対向面部１５ａに略平行になるように配設される。ここで、略平行とは平行を含む。また下部電極１６は、載置面部１６ａから突出するように設けられる図示しない位置決めピンを有し、該位置決めピンによってプリント配線基板１７を位置決めする。下部電極１６は、マッチングボックス１３および交流電源１４を介して電気的に接地される。
【００３０】
交流電源１４は、マッチングボックス１３を介して下部電極１６に交流電力、具体的には周波数１３．５６ＭＨｚなどの高周波の交流電力を供給する。このような高周波の交流電力を下部電極１６に供給することによって、一対の電極１２間すなわち上部電極１５と下部電極１６との間に、高周波の交流電圧を印加することができる。これによって、上部電極１５と下部電極１６との間に放電が発生する。このとき、上部電極１５と下部電極１６との間にプラズマ発生用ガスが貯留されていると、放電によってプラズマ発生用ガスが電離され、上部電極１５と下部電極１６との間にプラズマ１８が発生する。
【００３１】
マッチングボックス１３は、インピーダンス整合器とも呼ばれ、交流電源１４のインピーダンスと、交流電源１４に接続された負荷であるプラズマ洗浄装置１０のインピーダンスとを整合させるために設けられる。マッチングボックス１３を設けることによって、交流電源１４から供給される電力の損失を最小限に抑えることができる。またマッチングボックス１３には、図示しない直流電流阻止コンデンサが含まれる。直流電流阻止コンデンサは、ブロッキングコンデンサとも呼ばれ、交流電源１４から供給される交流電力の直流成分を排除し、交流成分のみを下部電極１６に供給するために設けられる。また直流電流阻止コンデンサを設けることによって、下部電極１６を負の直流バイアス電位に自己バイアスすることができる。
【００３２】
マッチングボックス１３および交流電源１４は、本実施形態では下部電極１６に電気的に接続されるけれども、これに限定されず、上部電極１５に電気的に接続されてもよい。この場合、プリント配線基板１７を下部電極１６に載置してアノードカップリングとしてもよく、プリント配線基板１７を上部電極１５に支持させてカソードカップリングとしてもよいが、カソードカップリングとした方がよい。このようにプリント配線基板１７を交流電源１４に接続される電極に支持させることによって、より高い洗浄効果が得られる。上部電極１５を、プリント配線基板１７を保持する保持電極として用いる場合、上部電極１５に図示しない真空吸着手段を設け、真空吸着手段によってプリント配線基板１７を保持させる構成とする。
【００３３】
プラズマ洗浄装置１０を用いる本実施形態のプラズマ洗浄方法は、たとえば以下のようにして実施される。まず、チャンバ１１の内方の下部電極１６にプリント配線基板１７を載置する。このとき、プリント配線基板１７は、洗浄面１７ａの反対側の表面部である下面部１７ｂが下部電極１６の載置面１６ａに接するように載置される。これによって、下面部１７ｂで露出するスルーホール２１が下部電極１６に電気的に接続され、スルーホール２１を介して配線１９と下部電極１６とが短絡される。
【００３４】
次いで、チャンバ１１の内方の反応室１１ａを真空ポンプによって真空吸引して反応室１１ａから気体を排気し、反応室１１ａを真空状態にする。真空状態にされた反応室１１ａにガス供給装置を用いてプラズマ発生用ガスを供給し、貯留させる。次いで、交流電源１４によってマッチングボックス１３を介して下部電極１６に交流電力を供給し、一対の電極１２間に交流電圧を印加する。本実施形態では、交流電力として高周波電力を供給する。これによって、上部電極１５と下部電極１６との間にプラズマ放電が発生する。この放電によって、上部電極１５と下部電極１６との間に供給されたプラズマ発生用ガスがプラスイオン（以後、単にイオンとも称する）と電子とに電離され、上部電極１５と下部電極１６との間であって、配線１９に臨む領域にプラズマ１８が発生する。たとえばプラズマ発生用ガスとしてアルゴンガスを用いる場合、プラズマ１８中にはプラスイオンとしてアルゴンイオン（Ａｒ＋）が生成される。発生したプラズマ１８に含まれる荷電粒子、たとえばアルゴンイオンなどのプラスイオンは、プラズマ１８と下部電極１６との間の電位差によって下部電極１６に向かって加速され、下部電極１６に載置されるプリント配線基板１７の洗浄面１７ａに照射される。
【００３５】
このとき、前述の図７に示すようにプリント配線基板５の配線部５ａが装置内のいずれの箇所にも短絡されていないと、配線部５ａおよび樹脂部５ｂはいずれも電気的に浮いた状態になる。よって、配線部５ａおよび樹脂部５ｂは、アルゴンイオンなどのプラスイオンの照射によっていずれも表面がチャージアップ（帯電）されるので、配線部５ａと樹脂部５ｂとの間には電位差がほとんど生じない。このため、プリント配線基板５に向かって照射されるプラスイオンの進路９は配線部５ａおよび樹脂部５ｂのいずれにおいても屈曲されず、プラスイオンは配線部５ａおよび樹脂部５ｂの双方に一様に照射される。
【００３６】
これに対し、本実施形態では、プリント配線基板１７の洗浄面１７ａで露出する配線１９は、スルーホール２１を介して下部電極１６に短絡されているので、下部電極１６と同電位になる。プラズマが照射されるとき、下部電極１６の電位は、照射されるプラズマと逆極性の電位になっているので、配線１９には、照射されるプラズマと逆極性の電位が与えられることになる。これによって、配線１９は、配線１９以外の部分である基部２０ａに比べて、プラズマ１８との間の電位差が大きくなる。これによって、基部２０ａに向かって照射されるプラズマ１８の進路を、配線１９に向かって屈曲させることができるので、プラズマ１８を配線１９および配線１９の周囲に集中して照射することができる。このように本実施形態では、配線１９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与える処理が施されており、この処理がプラズマ集中処理に相当する。
【００３７】
このようにプラズマ集中処理が施されていると、たとえばプラズマ１９中のプラスイオンが照射されるとき、配線１９はプラスイオンが入射してもチャージアップされず、配線１９と下部電極１６との間にはプラスイオンによる電流が流れる。一方、プリント配線基板１７の基部２０ａは、絶縁性材料で形成されて絶縁体となっており、下部電極１６とは電気的に絶縁されているので、照射されるプラズマ１８と逆極性の電位が与えられず、プラスイオンの照射によって表面にチャージアップが起こる。これによって配線１９と基部２０ａとの間には電位差が生じ、配線１９の電位は、基部２０ａの電位よりも低くなるので、プラズマ１８と配線１９との間の電位差は、プラズマ１８と基部２０ａとの間の電位差よりも大きくなる。したがって基部２０ａに向かって照射されるプラスイオンの進路２２は、プラスイオンと逆極性の電位が与えられている配線１９に向かって大きく曲げられる。その結果、プラスイオンは、下部電極１６に短絡されている配線１９およびその周囲に集中して照射されることになる。
【００３８】
プラスイオンが集中して照射される配線１９の表面部では、プラスイオンのスパッタリング効果によって有機物および無機物の除去が進み、電子部品との接続に使用されるはんだなどの金属導体に対するボンディング性およびぬれ性が向上する。一方、基部２０ａは、配線１９の周囲の一部分にはプラスイオンが照射されるけれども、プラズマ集中処理が施されない場合に比べて、プラスイオンが照射される領域は狭くなる。このようにプラスイオンが基部２０ａの広範囲にわたって照射されることを防ぐことができるので、基部２０ａにおけるスパッタリングを抑えることができる。これによって、本実施形態のように基部２０ａが樹脂などの有機物で形成されている場合、基部２０ａを構成する有機物の飛散量を低減することができるので、基部２０ａから飛散した有機物が配線１９に再付着することを抑制し、配線１９から有機物を効率的に除去することができる。したがって、飛散した有機物の再付着による洗浄品質の低下を防止し、良好な洗浄品質を実現することができる。
【００３９】
以上のように、本実施形態によるプラズマ洗浄方法によれば、スパッタリング洗浄に優れた効果を発揮するアルゴンイオンなどのプラスイオンを配線１９およびその周囲に集中して照射させ、基部２０ａの広範囲にわたってプラスイオンが照射されることを防ぐことができるので、基部２０ａにおけるスパッタリングを抑え、基部２０ａからの有機物の飛散量を低減することができる。これによって、飛散した有機物の配線１９への再付着を抑えることができるので、洗浄すべき配線１９から有機物を効率的に除去し、配線１９を効率的に洗浄することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、プラズマ発生用ガスとして特殊なガスを用いる必要がなく、該ガスを反応室１１ａに導入するための新たな装置を設ける必要もないので、コストの増大を抑えることができる。
【００４１】
また、本実施形態で使用される本発明の他の形態であるプリント配線基板１７は、厚み方向一方側に設けられる配線１９に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部であるスルーホール２１を有する。このようにスルーホール２１は、プリント配線基板１７を厚み方向に貫通して設けられているので、プリント配線基板１７は、下面部１７ｂが下部電極１６に接するように下部電極１６に載置することによって、スルーホール２１を介して配線１９と下部電極１６とを短絡させることができる。したがって、プリント配線基板１７は、配線１９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与えるプラズマ集中処理を容易に施すことができる。
【００４２】
以上に述べたように、図１に示すプリント配線基板１７では、基部２０ａを構成する基板本体２０は、樹脂などの絶縁性材料で形成される。基体本体２０は、絶縁性材料に限定されず、絶縁性材料以外の材料、たとえば導電性セラミックスなどの導電性材料などで形成されてもよいが、本実施形態のように絶縁性材料で形成される方が好ましい。
【００４３】
本実施形態のように基板本体２０を絶縁性材料で形成することによって、プリント配線基板１７を下部電極１６に載置するだけで、導電部である配線１９を下部電極１６と短絡するとともに、プリント配線基板１７の導電部を除く部分である基部２０ａを下部電極１６と電気的に絶縁することができる。これによって、配線１９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与え、プラズマ１８と配線１９との間の電位差を、プラズマ１８と基部２０ａとの間の電位差よりも大きくすることができる。したがって、プラズマ集中処理をより容易に施すことができる。これに対し、基板本体２０が導電性材料で形成される場合、基体本体２０と下部電極１６との間に絶縁層を介在させる必要があるので、基板本体２０は絶縁性材料で形成される方が好ましい。
【００４４】
また、本実施形態では、短絡用端子部であるスルーホール２１を下部電極１６に直接接触させることによって電気的に接続するけれども、短絡用端子部と下部電極１６との接続方法は、これに限定されるものではない。たとえば、短絡用端子部として貫通孔２１ａの側壁部に導電性材料を成膜して成るスルーホールを設けるとともに、導電性材料で形成される位置決めピンを下部電極１６に結線されるように設け、スルーホールの内方の空間に位置決めピンを差し込むことによって接続させてもよい。これによって、プリント配線基板１７の位置決めと、スルーホールを介しての配線１９と下部電極１６との短絡とを同時に行なうことができるので、製造工程を簡略化することができる。位置決めピンが投影される位置に配線１９が形成されていない場合には、位置決めピンが投影される位置にスルーホールを形成しておき、この位置決めピンを差し込むスルーホールに対して、配線１９をプリント配線基板１７の内部で結線しておけばよい。
【００４５】
また、本実施形態では、プリント配線基板１７に短絡用端子部としてスルーホール２１を設け、スルーホール２１を介して導電部である配線１９と下部電極１６とを短絡させるけれども、導電部と下部電極１６との短絡方法は、これに限定されない。たとえば、プリント配線基板１７の厚み方向一方側に、配線１９に電気的に接続される端子部を設けておき、プラズマ洗浄装置１０に、導電性材料で形成される基板保持用治具を下部電極１６に結線されるように設け、該基板保持用治具の先端部が端子部に接するように基板保持用治具にプリント配線基板１７を保持させることによって、基板保持用治具および端子部を介して配線１９と下部電極１６とを短絡させてもよい。
【００４６】
また、本実施形態では、プリント配線基板１７に設けられる複数の配線１９の全てを洗浄するけれども、複数の配線１９のうち、一部の配線１９を洗浄してもよい。この場合、プリント配線基板１７は、洗浄すべき一部の配線１９に電気的に接続されるスルーホール２１のみを有していればよい。このようなプリント配線基板１７を用いることによって、洗浄すべき一部の配線のみを下部電極１６に短絡させ、残余の配線１９と下部電極１６とを電気的に絶縁することができるので、下部電極１６に短絡させた配線１９のみを選択的に洗浄することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、図１に示すプリント配線基板１７に対してプラズマ洗浄を行なうけれども、本発明のプラズマ洗浄方法によって洗浄される被処理基板の構成は、プリント配線基板１７の構成に限定されるものではなく、他の異なる構成であってもよい。たとえば、図２に示すプリント配線基板３０であってもよい。
【００４８】
図２は、本発明の実施のさらに他の形態であるプリント配線基板３０の構成を簡略化して示す平面図である。図３は、図２に示すプリント配線基板３０の切断面線Ｉ−Ｉにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。図４は、図２に示すボンディング部３３を拡大して示す図である。図５は、図４に示すボンディング部３３の切断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。なお図２では、図４および図５に示す配線部３８および導電エリア３９は、図が錯綜して理解が困難になるので、記載を省略する。
【００４９】
プリント配線基板３０は、基板本体３１と、基板本体３１の厚み方向一方側の表面部に設けられる部品搭載部３２およびボンディング部３３とを含んで構成される。部品搭載部３２には、たとえば半導体素子などの回路素子などが実装される。ボンディング部３３には、たとえば集積回路（略称ＩＣ）チップなどが実装される。プリント配線基板３０では、部品搭載部３２およびボンディング部３３のリード配線４０が導電部であり、洗浄対象となる。プリント配線基板３０の部品搭載部３２およびボンディング部３３が露出する表面部（以後、洗浄面と称する）３０ａのうち、部品搭載部３２およびボンディング部３３が形成されていない部分では、基板本体３１が露出しており、基部３１ａが形成されている。本実施形態では、基板本体３１は、絶縁性材料、たとえばエポキシ樹脂などの樹脂などで形成される。基板本体３１の厚みは、たとえば０．１〜２ｍｍ程度である。
【００５０】
部品搭載部３２は、本実施形態では複数個がマトリックス状に並べて設けられる。部品搭載部３２は、たとえば、洗浄面３０ａとなる基板本体３１の厚み方向一方側の表面部に銅箔などの導電性薄膜を張り付けた後、部品搭載部３２となるべく予め定められる部分以外の導電性薄膜をエッチングなどで除去することによって形成される。部品搭載部３２を構成する導電性薄膜の厚みは、たとえば５〜４０μｍ程度である。
【００５１】
部品搭載部３２には、図３に示すように第１スルーホール３４が電気的に接続されている。第１スルーホール３４は、プリント配線基板３０を厚み方向に貫通するように設けられている。本実施形態では第１スルーホール３４は、部品搭載部３２と同数が設けられ、各部品搭載部３２にそれぞれ電気的に接続されている。第１スルーホール３４は、前述の図１に示すプリント配線基板１７に設けられるスルーホール２１と同様に、基板本体３１を厚み方向に貫通する貫通孔３４ａに導電性材料が充填されたものである。第１スルーホール３４は、貫通孔３４ａの側壁部に導電性材料が成膜されたものであってもよい。また第１スルーホール３４は、本実施形態とは異なるけれども、複数の部品搭載部３２同士が図示しない配線パターンによって電気的に接続されている場合には、各部品搭載部３２に対して設けずに、結線された複数の部品搭載部３２のいずれか１つまたは複数に電気的に接続されるように設けられてもよい。
【００５２】
プリント配線基板３０は、部品搭載部３２が設けられる洗浄面３０ａの反対側の表面部である厚み方向他方側の表面部（以後、下面部と称する）３０ｂに下面配線３５を有する。本実施形態において下面配線３５は、基板本体３１から突出するように設けられる。下面配線３５は、第１スルーホール３４に電気的に接続されるように設けられる。第１スルーホール３４は部品搭載部３２に電気的に接続されるので、部品搭載部３２は、第１スルーホール３４を介して下面配線３５に電気的に接続される。下面配線３５は、たとえば、下面部３０ｂとなる基板本体３１の厚み方向他方側の表面部に銅箔などの導電性薄膜を張り付けた後、下面配線３５となるべく予め定められる部分以外の導電性薄膜をエッチングなどで除去することによって形成される。下面配線３５を構成する導電性薄膜の厚みは、たとえば５〜４０μｍ程度である。
【００５３】
基板本体３１は、より詳細には、図４および図５に示すように、プリント配線基板３０の洗浄面３０ａ側に設けられる第１基体層３６と、下面部３０ｂ側に設けられる第２基体層３７とを含む。第１基体層３６の厚みは、たとえば０．１〜５０μｍである。第１基体層３６は、ボンディング部３３が形成される部分において開口されている。本実施形態では、第１基体層３６の開口縁部３６ａの形状は、略正方形状である。
【００５４】
ボンディング部３３は、配線部３８と導電エリア３９と第２スルーホール４１とを含む。配線部３８および導電エリア３９は、プリント配線基板３０の厚み方向一方側に設けられる。第２スルーホール４１は、導電エリア３９に電気的に接続され、プリント配線基板３０の厚み方向他方側に延びて設けられる。導電エリア３９および第２スルーホール４１は、プラズマ集中用電極部を構成する。配線部３８は、ＩＣチップなどとのボンディングに使用される複数のリード配線４０を含む。リード配線４０は、第１基体層３６の開口縁部３６ａの外方から内方に向かって延びるように直線状に設けられる。本実施形態では、リード配線４０は、開口縁部３６ａの各辺部に対して直交するように設けられる。第１基体層３６の開口縁部３６ａの内方に向かうリード配線４０の先端部には、図示しないけれども、無電解めっきなどによって金めっき、ニッケルめっきなどの金属めっきが施されている。この金属めっきが施されたリード配線４０の先端部が、ボンディング部３３において、本発明のプラズマ洗浄方法によってプラズマ洗浄されるプラズマ洗浄対象部位である。
【００５５】
導電エリア３９は、第１基体層３６の開口縁部３６ａの内方であって、第２基体層３７の第１基体層３６と接する側の表面部に設けられる。導電エリア３９は、リード配線４０の先端部に隣接して設けられる。本実施形態において導電エリア３９は、プリント配線基板３０の洗浄面３０ａに略平行な仮想平面に投影したときに、リード配線４０によって囲繞されるように形成されている。導電エリア３９には、第２スルーホール４１が電気的に接続されている。第２スルーホール４１は、第２基体層３７を厚み方向に貫通するように設けられており、プリント配線基板３０の下面部３０ｂで露出している。第２スルーホール４１は、部品搭載部３２に電気的に接続される第１スルーホール３４と同様に、第２基体層３７を厚み方向に貫通する貫通孔４０ａに導電性材料が充填されたものである。第２スルーホール４１は、貫通孔４１ａの側壁部に導電性材料が成膜されたものであってもよい。
【００５６】
導電エリア３９は、たとえば、第１基体層３６と第２基体層３７とを積層して基板本体３１を形成した後、導電エリア３９を形成するべく予め定められる部分の第１基体層３６に開口を形成して第２基体層３７を露出させ、第２基体層３７の厚み方向一方側の表面部にスパッタなどで導電性材料、たとえば銅などを堆積させることによって形成することができる。この場合、導電エリア３９を形成した後に、第１基体層３６の厚み方向一方側の表面部にリード配線４０が形成される。
【００５７】
前述の図１に示すプラズマ洗浄装置１０を用いてプリント配線基板３０を洗浄する場合、プリント配線基板３０は、下面部３０ｂが下部電極１６に接するように載置される。部品搭載部３２が形成されている部分では、図３に示すようにプリント配線基板３０の下面部３０ｂには下面配線３５が形成されているので、下面配線３５が下部電極１６に接触し、電気的に接続される。下面配線３５は第１スルーホール３４に電気的に接続され、第１スルーホール３４は部品搭載部３２に電気的に接続されているので、部品搭載部３２は、第１スルーホール３４および下面配線３５を介して下部電極１６と短絡される。つまり、本実施形態では、第１スルーホール３４および下面配線３５が短絡用端子部である。
【００５８】
このように部品搭載部３２と下部電極１６とを短絡させることによって、前述の実施形態と同様に、部品搭載部３２に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与えることができるので、部品搭載部３２およびその周囲にプラズマ１８を集中して照射させることができる。このように本実施形態では、部品搭載部３２に、照射するプラズマと逆極性の電位を与えるプラズマ集中処理が施されている。このプラズマ集中処理を施すことによって、部品搭載部３２およびその周囲にプラスイオンを集中して照射させ、基部３１ａが広範囲にわたってスパッタリングされることを抑えることができる。したがって、基部３１ａが樹脂などの有機物で形成される場合であっても、基部３１ａからの有機物の飛散および飛散した有機物の部品搭載部３２への再付着を抑えることができるので、部品搭載部３２を効率的に洗浄することができる。
【００５９】
また本実施形態では、短絡用端子部は第１スルーホール３４および下面配線３５で構成され、下面配線３５は基板本体３１から突出して設けられているので、部品搭載部３２と下部電極１６とをより確実に短絡することができる。たとえば前述のプリント配線基板１７のように短絡用端子部がスルーホール２１のみで構成される場合、プリント配線基板１７の反りなどで、プリント配線基板１７の端部に設けられるスルーホール２１が下部電極１６に接触せず、配線１９と下部電極１６とが短絡しない恐れがある。これに対し、本実施形態では、下面配線３５が基体本体３１から突出して設けられているので、下面配線３５を下部電極１６に接触させ、下面配線３５を介して第１スルーホール３４と下部電極１６とを電気的に接続することができる。したがって、部品搭載部３２と下部電極１６とをより確実に短絡することができる。
【００６０】
また、ボンディング部３３では、図５に示すように、プリント配線基板３０の下面部３０ｂで第２スルーホール４１が露出しているので、第２スルーホール４１は下部電極１６に接触し、電気的に接続される。第２スルーホール４１は、導電エリア３９に電気的に接続されているので、導電エリア３９は、第２スルーホール４１を介して下部電極１６と短絡される。このように導電エリア３９と下部電極１６とを短絡させることによって、前述の部品搭載部３２と同様に、導電エリア３９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与えることができる。導電エリア３９は、リード配線４０に隣接して設けられているので、導電エリア３９と下部電極１６とを短絡させてプラズマ洗浄を行なうことによって、導電エリア３９およびその周囲のリード配線４０の先端部に集中してプラズマ１８を照射させることができる。このように本実施形態では、リード配線４０に隣接するようにプラズマ集中用電極部である導電エリア３９および第２スルーホール４１を設け、プラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理が施されており、この処理もプラズマ集中処理に相当する。このプラズマ集中処理を施すことによって、導電エリア３９およびその周囲のリード配線４０の先端部にプラスイオンを集中して照射させ、リード配線４０の周囲の基部３１ａである第１基体層３６が広範囲にわたってスパッタリングされることを抑えることができる。したがって、第１基体層３６からの有機物の飛散および飛散した有機物のリード配線４０への付着を抑制することができるので、リード配線４１の先端部を効率良くプラズマ洗浄することができる。
【００６１】
リード配線４０の先端部を充分に洗浄するためには、導電エリア３９を、プリント配線基板３０の洗浄面３０ａに略平行な仮想平面に投影したときのリード配線４０の先端部からの距離Ｄが１００μｍ以下になるように形成することが好ましい。リード配線４０からの距離Ｄが１００μｍを超えると、リード配線４０の先端部にプラズマ１８が充分に照射されず、リード配線４０の洗浄を充分に行なうことができなくなる恐れがある。前記距離Ｄを１００μｍ以下にすることによって、リード配線４０の先端部により確実にプラズマ１８を照射させることができるので、リード配線４０を充分に洗浄することができる。導電エリア３９とリード配線４０の先端部との距離Ｄの下限値は、特に制限されないけれども、３０μｍ以上であることが好ましい。前記距離Ｄが３０μｍ未満であると、ＩＣチップなどの電子部品をリード配線４０に実装するときに、導電性の異物の混入などで、リード配線４０と導電エリア３９とが短絡する恐れがある。前記距離Ｄを３０μｍ以上にすることによって、リード配線４０と導電エリア３９との短絡を防ぐことができる。
【００６２】
このようにして洗浄されたリード配線４０には、ＩＣチップなどの電子部品が実装される。たとえば、リード配線４０と電子部品のバンプ電極とを合わせながら、加熱および加圧してフリップチップボンディングして電子部品が実装される。このようにして電子部品が実装された後、導電エリア３９と電子部品との間には、絶縁性樹脂などの絶縁性材料からなるアンダーフィルが充填される。これによって、導電エリア３９との短絡による電子部品の誤作動を防止することができる。
【００６３】
以上に述べたように、図２に示すプリント配線基板３０では、リード配線４０の洗浄すべき先端部に隣接して導電エリア３９および第２スルーホール４１で構成されるプラズマ集中用電極部を設け、導電エリア３９および第２スルーホール４１を下部電極１６と短絡させて、リード配線４０の先端部を洗浄するけれども、部品搭載部３２と同様に、リード配線４０毎にそれぞれスルーホールを形成し、下部電極１６と短絡させて洗浄してもよい。しかしながら、配線部３８に形成されるリード配線４０は、多い場合には数百本となることがあるので、このような場合にリード配線４０毎にスルーホールを形成することは非常に困難である。このように多数のリード配線４０が設けられる場合には、本実施形態のように、リード配線４０の洗浄すべき先端部に隣接して導電エリア３９および第２スルーホール４１で構成されるプラズマ集中用電極部を設け、プラズマ集中用電極部を下部電極１６と短絡させてリード配線４０を洗浄することが好ましい。これによって、各リード配線４０に対してスルーホールを設けることなく、導電エリア３９およびその周囲のリード配線４０の先端部にプラズマ１８を集中して照射させることができるので、リード配線４０の先端部を容易に洗浄することができる。このように本実施形態のプリント配線基板３０を用いることによって、複数のリード配線４０の先端部を容易に洗浄することができる。
【００６４】
またプラズマ集中用電極部は、導電エリア３９および第２スルーホール４１で構成されるけれども、これに限定されず、導電エリアがプリント配線基板３０の厚み方向他方側に延びるように形成されたものであってもよい。この場合、第２スルーホール４１は設けられず、導電エリアがプラズマ集中用電極部を構成する。
【００６５】
また本実施形態では、プラズマ洗浄装置として、容量結合プラズマを用いるプラズマ洗浄装置（以後、容量結合型プラズマ洗浄装置とも称する）１０を用いるけれども、これに限定されず、たとえば誘導結合プラズマ（Inductive Coupled Plasma；略称ＩＣＰ）を用いるＩＣＰ型プラズマ洗浄装置を用いてもよい。図６は、本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０の構成を簡略化して示す断面図である。ＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０は、前述の図１に示す容量結合型プラズマ洗浄装置１０と類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。ＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０は、基本的に、チャンバ５３と、載置電極５４と、プラズマ励起用コイル５１と、高周波電源５２とを含んで構成される。
【００６６】
チャンバ５３は、たとえば石英、セラミックなどの絶縁性材料で形成される。チャンバ５３は、材料が異なること以外は、図１に示す容量結合型プラズマ洗浄装置１０のチャンバ１１と同様に形成される。チャンバ５３には、図１に示すチャンバ１１と同様に、図示しない真空ポンプおよびガス供給装置が接続される。
【００６７】
プラズマ励起用コイル５１は、本実施の形態では、平面渦巻状アンテナであるスパイラルアンテナである。プラズマ励起用コイル５１は、たとえば銅などの導電性材料で形成される。プラズマ励起用コイル５１には、図示しないインピーダンス整合器を介して高周波電源５２が電気的に接続される。高周波電源５２は、プラズマ励起用コイル５１の両端部に接続される。高周波電源５２は、たとえば１３．５６ＭＨｚの高周波の交流電力をプラズマ励起用コイル５１に供給することができる。高周波電源５２によってプラズマ励起用コイル５１に高周波の交流電力を供給することによって、チャンバ５３の内方の空間にプラズマ１８を発生させることができる。プラズマ励起用コイル５１は、スパイラルアンテナに限定されるものではなく、チャンバ５３の内方の空間にプラズマ３６を発生させることのできるものであればよい。
【００６８】
載置電極５４は、チャンバ５３の内方に設けられる。載置電極５４は、略平板形状の導電体である。本実施形態において載置電極５４は、略円板形状に形成される。載置電極５４は、その平坦な一表面部に、被処理基板であるプリント配線基板１７を載置できるように形成される。載置電極５４は、前述の容量結合型プラズマ洗浄装置１０の下部電極５４と同様に、インピーダンス整合器１３および交流電源１４を介して電気的に接地される。交流電源１４は、インピーダンス整合器１３を介して載置電極５４に交流電力、たとえば１３．５６ＭＨｚなどの高周波の交流電力を供給することができる。このように載置電極５４に交流電力を供給することによって、プラズマ１８をプリント配線基板１７に照射することができる。
【００６９】
図６に示すＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０を用いて、たとえばプリント配線基板１７を洗浄する場合、プリント配線基板１７は、厚み方向一方側が載置電極５４に接するように載置される。これによって、スルーホール２１を介して配線１９が載置電極５４に短絡されるので、配線１９に、照射されるプラズマと逆極性の電位を与えることができる。したがって、前述の容量結合型プラズマ洗浄装置１０を用いる場合と同様に、配線１９およびその周囲に集中してプラズマ１８を照射することができるので、配線１９を効率的に洗浄することができる。前述の図２に示すプリント配線基板３０を洗浄する場合も同様に、プリント配線基板３０を厚み方向他方側が接するように載置電極５４に載置することによって、部品搭載部３２およびリード配線４０を効率的に洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるプラズマ洗浄装置１０の構成を簡略化して示す断面図である。
【図２】本発明の実施のさらに他の形態であるプリント配線基板３０の構成を簡略化して示す平面図である。
【図３】図２に示すプリント配線基板３０の切断面線Ｉ−Ｉにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。
【図４】図２に示すボンディング部３３を拡大して示す図である。
【図５】図４に示すボンディング部３３の切断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。
【図６】本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０の構成を簡略化して示す断面図である。
【図７】従来のプラズマ洗浄方法によってプリント配線基板５を洗浄する様子を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０，５０ プラズマ洗浄装置
１１，５３ チャンバ
１１ａ 反応室
１２ 一対の電極
１３ マッチングボックス
１４ 交流電源
１５ 上部電極
１６ 下部電極
１７，３０ プリント配線基板
１８ プラズマ
１９ 配線
２０，３１ 基板本体
２０ａ，３１ａ 基部
２１ スルーホール
３２ 部品搭載部
３３ ボンディング部
３４ 第１スルーホール
３５ 下面配線
３８ 配線部
３９ 導電エリア
４０ リード配線
４１ 第２スルーホール
５１ プラズマ励起用コイル
５２ 高周波電源
５４ 載置電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板にプラズマを照射して洗浄するプラズマ洗浄方法および前記プラズマ洗浄方法によって洗浄される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品同士を電気的に接続するための配線、電極などの導電部が形成されたプリント配線基板などの基板に半導体素子、チップ部品などの電子部品を実装する際には、実装に先立って、基板表面部の導電部の洗浄が行なわれる。この導電部の洗浄は、導電部と電子部品との接続に使用されるワイヤ、バンプ、はんだなどの金属導体に対する導電部のボンディング性およびぬれ性を改善するために行なわれる。
【０００３】
たとえば、ボンディングに使用される電極の表面部に金めっきが施されている場合、この金めっき面には、金めっき工程で混入したニッケルに由来するニッケル化合物、製造過程で付着した有機物などが存在し、前述の金属導体との良好な電気的接続を阻害する。このような接合阻害物を洗浄によって除去することによって、金属導体に対するボンディング性およびぬれ性を向上させ、良好な接合を実現することができる。このように、導電部を洗浄することによって、半導体素子などの電子部品とプリント配線基板などの基板との接合強度を向上させることができる。
【０００４】
導電部の洗浄方法としては、プラズマを用いたプラズマ洗浄方法が多用されている。図７は、従来のプラズマ洗浄方法によってプリント配線基板５を洗浄する様子を簡略化して示す断面図である。従来技術によるプラズマ洗浄方法では、まずプラズマ洗浄装置１のチャンバ２の内方に対向して設けられる上部電極３および下部電極４のうち下部電極４に、洗浄対象となるプリント配線基板５を載置した後、チャンバ２の内方の空間を減圧して真空状態とする。次いで、チャンバ２の内方の上部電極３と下部電極４との間にプラズマ発生用ガスを導入し、マッチングボックス６を介して交流電源７から下部電極４に高周波の交流電力を供給する。これによって、上部電極３と下部電極４との間にプラズマ８が発生し、プラズマ８中のイオンがプリント配線基板５に照射される。プリント配線基板５は、イオンが衝突する際の衝撃によってスパッタリングされ、配線部５ａに付着した前述の接合阻害物などが除去される。
【０００５】
プラズマ発生用ガスとしては、アルゴンなどの希ガスが用いられる。希ガスを用いる従来のプラズマ洗浄方法では、プラズマ放電によって発生した希ガスのイオンが洗浄対象物に衝突することによる物理的なエッチング作用によって前述の接合阻害物などを除去する。この方法を用いて有機物が露出している基板を洗浄する場合には、洗浄対象部位である導電部の表面部にプラズマ洗浄後にも有機物が残留し、良好な洗浄品質を確保できないという問題が生じる。たとえば、プリント配線基板５の配線部５ａに設けられた図示しない電極の表面部のニッケル化合物などの無機物、電極の表面部に付着した有機物を除去対象とする場合、洗浄によって無機物は除去できるけれども、有機物は洗浄後にも電極の表面部に残存し、充分に除去することができないという問題が生じる。これは、以下のことが原因であると推察される。プラズマ洗浄過程において、プリント配線基板５の配線部５ａおよび樹脂部５ｂは、いずれもイオンの照射によってチャージアップされるので、配線部５ａと樹脂部５ｂとの間には大きな電位差が生じない。このため、プラズマ８中のイオンはプリント配線基板５に均一に照射されるので、配線部５ａだけでなく、樹脂部５ｂもスパッタリングされる。この樹脂部５ｂがスパッタリングされて飛散した有機物が配線部５ａの電極の表面部に再付着するので、電極の表面部には洗浄後にも有機物が残存するものと考えられる。
【０００６】
電極の表面部に残留する残留有機物を低減させるための技術としては、プラズマ発生用ガスとして、酸素ガスを含むガスを用いることが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２５９４１１（第１図，第３図，第３頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示の技術では、有機物層から飛散した有機物を酸素ガスから発生する酸素ラジカルと反応させてガス化させることによって、処理対象部位への有機物の再付着を防止し、残留有機物の低減を図っている。しかしながら、特許文献１に開示の技術においても有機物層のスパッタリングは生じ、飛散した有機物の電極表面部への再付着は起こるので、電極の表面部から有機物を充分に除去することはできない。また、特許文献１に開示の技術では、酸素ガスなどの新たなガスを使用するので、これらのガスをチャンバ内に導入するための供給手段などを新たに設ける必要があり、装置コスト、ランニングコストなどのコストの増大を招くという問題もある。
【０００９】
本発明の目的は、被処理基板に設けられる有機物層のスパッタリングを抑え、導電部からの有機物の除去を効率的に行なうことができ、コストを増大させることなく導電部に残存する有機物を低減し、良好な洗浄品質を実現することのできるプラズマ洗浄方法および前記プラズマ洗浄方法を実現可能な配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、導電性を有する導電部が形成される被処理基板の前記導電部にプラズマを照射して洗浄するプラズマ洗浄方法であって、
洗浄すべき前記導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、前記導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを前記導電部に照射することを特徴とするプラズマ洗浄方法である。
【００１１】
また本発明は、前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする。
【００１２】
また本発明は、前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に隣接するように被処理基板にプラズマ集中用電極部を設け、前記プラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部とを有することを特徴とする配線基板である。
【００１４】
また本発明は、厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に隣接して設けられ、厚み方向他方側に延びるプラズマ集中用電極部とを有することを特徴とする配線基板である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、被処理基板の洗浄すべき導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを導電部に照射することによって、導電部を洗浄する。被処理基板にはプラズマ集中処理が施されているので、プラズマは、被処理基板の洗浄すべき導電部およびその周囲に集中して照射される。これによって、被処理基板の洗浄すべき導電部以外の部分の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぐことができるので、導電部を効率的に洗浄することができる。たとえば被処理基板の導電部を除く部分に有機物層が形成されている場合、有機物層の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぎ、有機物層からの有機物の飛散量を低減することができるので、飛散した有機物の導電部への再付着を抑え、導電部から有機物を効率的に除去することができる。したがって、良好な洗浄品質を実現することができる。
【００１６】
また本発明によれば、被処理基板の洗浄すべき導電部は、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられるので、被処理基板の導電部以外の部分に比べて、プラズマとの間の電位差が大きくなる。これによって、被処理基板の導電部以外の部分に向かって照射されるプラズマの進路を、導電部に向かって屈曲させることができるので、プラズマを導電部およびその周囲に集中して照射することができる。したがって、洗浄すべき導電部以外の部分の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぐことができるので、導電部以外の部分からの飛散物の導電部への再付着を抑え、導電部を効率的に洗浄することができる。
【００１７】
また本発明によれば、被処理基板の洗浄すべき導電部に隣接して設けられるプラズマ集中用電極部は、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられるので、被処理基板のプラズマ集中用電極部以外の部分に比べて、プラズマとの間の電位差が大きくなる。これによって、被処理基板のプラズマ集中用電極部以外の部分に向かって照射されるプラズマの進路を、プラズマ集中用電極部に向かって屈曲させることができるので、プラズマをプラズマ集中用電極部およびプラズマ集中用電極部に隣接する導電部に集中して照射することができる。したがって、洗浄すべき導電部以外の部分の広範囲にわたってプラズマが照射されることを防ぐことができるので、導電部以外の部分からの飛散物の導電部への再付着を抑え、導電部を効率的に洗浄することができる。また複数の導電部を洗浄する場合、複数の導電部に隣接してプラズマ集中用電極部を設けることによって、複数の導電部に集中してプラズマを照射することができるので、複数の導電部を容易に洗浄することができる。
【００１８】
また本発明によれば、配線基板は、厚み方向一方側に設けられる配線に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部を有するので、厚み方向他方側が接するように、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられる電極に支持させることによって、短絡用端子部を介して配線と電極とを短絡させることができる。したがって、本発明の配線基板は、配線に、照射するプラズマと逆極性の電位を容易に与えることができる。
【００１９】
また本発明によれば、配線基板は、厚み方向一方側に設けられる配線に隣接して設けられ、厚み方向他方側に延びるプラズマ集中用電極部を有するので、厚み方向他方側が接するように、照射するプラズマと逆極性の電位が与えられる電極に支持させることによって、プラズマ集中用電極部と電極とを短絡させることができる。したがって、本発明の配線基板は、配線に隣接して設けられるプラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を容易に与えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のプラズマ洗浄方法は、導電性を有する導電部が形成される被処理基板の洗浄すべき導電部にプラズマを照射して導電部を洗浄する方法であり、洗浄すべき導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを導電部に照射することを特徴とする。
【００２１】
本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法として、図１に示す本発明の実施の他の形態であるプリント配線基板１７を洗浄する場合を例示する。被処理基板であるプリント配線基板１７は、基板本体２０と、基板本体２０の厚み方向一方側の表面部に設けられる導電部である配線１９と、配線１９に電気的に接続される短絡用端子部であるスルーホール２１とを含む。配線１９は、プリント配線基板１７の厚み方向一方側に設けられ、スルーホール２１は、プリント配線基板１７の厚み方向他方に延びて設けられる。本実施形態では、基板本体２０は、絶縁性材料、たとえばエポキシ樹脂などの樹脂などで形成される。基板本体２０を絶縁性材料で形成することによって、配線１９同士の間の基板本体２０に導電性の異物が付着することによるリークを防ぐことができる。
【００２２】
プリント配線基板１７は、その厚み方向一方側の表面部１７ａで配線１９が露出しており、この表面部１７ａで露出する配線１９が洗浄される。この配線１９が露出する表面部（以後、洗浄面と称する）１７ａのうち、配線１９が形成されていない部分では、基板本体２０が露出している。以後、基板本体が露出している部分を基部と称する。基板本体２０の厚みは、たとえば０．１〜２ｍｍ程度である。配線１９は、たとえば、基板本体２０の配線１９となるべく予め定められる部分を除去して溝を形成した後、溝に銅などの導電性材料を埋め込むことによって形成される。配線１９を構成する導電性材料層の厚みは、たとえば５〜４０μｍ程度である。
【００２３】
スルーホール２１は、プリント配線基板１７を厚み方向に貫通するように設けられる。本実施の形態においてスルーホール２１は、プリント配線基板１７を厚み方向に貫通する貫通孔２１ａに銅などの導電性材料を充填することによって形成される。スルーホール２１は、軸線方向の一端部が配線１９に電気的に接続され、他端部がプリント配線基板１７の洗浄面１７ａの反対側の表面部である厚み方向他方側の表面部（以後、下面部と称する）１７ｂにおいて露出するように形成される。本実施形態では、配線１９は複数本が設けられており、スルーホール２１も配線１９と同数が形成され、各配線１９にそれぞれ電気的に接続されている。本実施形態とは異なるけれども、スルーホール２１は、貫通孔２１ａの軸線に対して交差する方向に臨む基板本体２０の表面部（以後、貫通孔２１ａの側壁部と称する）に、金属めっきなどによって前述の導電性材料が成膜されて形成されたものであってもよい。
【００２４】
本実施形態のプラズマ洗浄方法によるプリント配線基板１７の洗浄は、たとえば図１に示すプラズマ洗浄装置１０を用いて実施することができる。図１は、本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるプラズマ洗浄装置１０の構成を簡略化して示す断面図である。プラズマ洗浄装置１０は、容量結合プラズマを用いるプラズマ洗浄装置である。プラズマ洗浄装置１０は、基本的に、チャンバ１１と、一対の電極１２と、マッチングボックス１３と、交流電源１４とを含んで構成される。一対の電極１２および交流電源１４は、プラズマを発生させるプラズマ発生手段に相当する。
【００２５】
チャンバ１１は、真空槽とも呼ばれ、内方に空間（以後、反応室と称する）１１ａを有する。チャンバ１１には、図示しない真空ポンプおよびガス供給装置が接続される。チャンバ１１の内方の反応室１１ａは、真空ポンプによって真空吸引可能に形成される。チャンバ１１は、反応室１１ａ内の気体が真空ポンプによって吸引されて反応室１１ａが真空状態になっても大気圧に耐え得るように形成される。ここで、真空状態とは、標準大気圧（１．０１３×１０５Ｐａ）よりも低い圧力の気体で満たされた状態のことである。反応室１１ａは、たとえば圧力１×１０−５Ｐａ以上１×１０２Ｐａ以下の真空状態で使用される。またチャンバ１１は、電気的に接地されており、その内側の内側壁面部１１ｂには接地電位が与えられる。チャンバ１１は、たとえばステンレス鋼またはガラスなどによって形成される。
【００２６】
反応室１１ａは、ガス供給装置から供給されるプラズマ発生用ガスを貯留可能に形成される。反応室１１ａには、ガス供給装置によってプラズマ発生用ガスが供給される。これによって、反応室１１ａにプラズマ発生用ガスを散在させることができる。反応室１１ａに供給されるプラズマ発生用ガスの圧力は、たとえば０．０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下である。プラズマ発生用ガスとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオンなどの希ガスなどが挙げられ、これらの中でもアルゴンが好適に用いられる。プラズマ発生用ガスとして希ガスを用いる場合、希ガスは、１種が単独で使用されてもよく、また２種以上が混合されて使用されてもよい。また、希ガスと窒素などの不活性ガスとの混合ガス、希ガスと酸素との混合ガスなどを用いることもできる。
【００２７】
一対の電極１２は、チャンバ１１の内方の反応室１１ａに設けられる。一対の電極１２は、互いに対向するように離隔して並設される。本実施の形態において一対の電極１２は、鉛直方向に並んで設けられる。一対の電極１２には、上部電極１５と、上部電極１５の鉛直下方に設けられる下部電極１６とが含まれる。本実施形態では、下部電極１６が、被処理基板であるプリント配線基板１７を支持する支持電極である。
【００２８】
上部電極１５は、略平板形状の導電体である。本実施の形態において上部電極１５は、略円板形状に形成される。上部電極１５は、チャンバ１１の内側壁面部１１ｂに電気的に接続され、チャンバ１１を介して電気的に接地される。
【００２９】
下部電極１６は、略平板形状の導電体である。本実施の形態において下部電極１６は、略円板形状に形成される。下部電極１６は、その平坦な一表面部である載置面部１６ａに、被処理基板であるプリント配線基板１７を載置できるように形成される。下部電極１６は、載置面部１６ａが上部電極１５の平坦な一表面部である対向面部１５ａに略平行になるように配設される。ここで、略平行とは平行を含む。また下部電極１６は、載置面部１６ａから突出するように設けられる図示しない位置決めピンを有し、該位置決めピンによってプリント配線基板１７を位置決めする。下部電極１６は、マッチングボックス１３および交流電源１４を介して電気的に接地される。
【００３０】
交流電源１４は、マッチングボックス１３を介して下部電極１６に交流電力、具体的には周波数１３．５６ＭＨｚなどの高周波の交流電力を供給する。このような高周波の交流電力を下部電極１６に供給することによって、一対の電極１２間すなわち上部電極１５と下部電極１６との間に、高周波の交流電圧を印加することができる。これによって、上部電極１５と下部電極１６との間に放電が発生する。このとき、上部電極１５と下部電極１６との間にプラズマ発生用ガスが貯留されていると、放電によってプラズマ発生用ガスが電離され、上部電極１５と下部電極１６との間にプラズマ１８が発生する。
【００３１】
マッチングボックス１３は、インピーダンス整合器とも呼ばれ、交流電源１４のインピーダンスと、交流電源１４に接続された負荷であるプラズマ洗浄装置１０のインピーダンスとを整合させるために設けられる。マッチングボックス１３を設けることによって、交流電源１４から供給される電力の損失を最小限に抑えることができる。またマッチングボックス１３には、図示しない直流電流阻止コンデンサが含まれる。直流電流阻止コンデンサは、ブロッキングコンデンサとも呼ばれ、交流電源１４から供給される交流電力の直流成分を排除し、交流成分のみを下部電極１６に供給するために設けられる。また直流電流阻止コンデンサを設けることによって、下部電極１６を負の直流バイアス電位に自己バイアスすることができる。
【００３２】
マッチングボックス１３および交流電源１４は、本実施形態では下部電極１６に電気的に接続されるけれども、これに限定されず、上部電極１５に電気的に接続されてもよい。この場合、プリント配線基板１７を下部電極１６に載置してアノードカップリングとしてもよく、プリント配線基板１７を上部電極１５に支持させてカソードカップリングとしてもよいが、カソードカップリングとした方がよい。このようにプリント配線基板１７を交流電源１４に接続される電極に支持させることによって、より高い洗浄効果が得られる。上部電極１５を、プリント配線基板１７を保持する保持電極として用いる場合、上部電極１５に図示しない真空吸着手段を設け、真空吸着手段によってプリント配線基板１７を保持させる構成とする。
【００３３】
プラズマ洗浄装置１０を用いる本実施形態のプラズマ洗浄方法は、たとえば以下のようにして実施される。まず、チャンバ１１の内方の下部電極１６にプリント配線基板１７を載置する。このとき、プリント配線基板１７は、洗浄面１７ａの反対側の表面部である下面部１７ｂが下部電極１６の載置面１６ａに接するように載置される。これによって、下面部１７ｂで露出するスルーホール２１が下部電極１６に電気的に接続され、スルーホール２１を介して配線１９と下部電極１６とが短絡される。
【００３４】
次いで、チャンバ１１の内方の反応室１１ａを真空ポンプによって真空吸引して反応室１１ａから気体を排気し、反応室１１ａを真空状態にする。真空状態にされた反応室１１ａにガス供給装置を用いてプラズマ発生用ガスを供給し、貯留させる。次いで、交流電源１４によってマッチングボックス１３を介して下部電極１６に交流電力を供給し、一対の電極１２間に交流電圧を印加する。本実施形態では、交流電力として高周波電力を供給する。これによって、上部電極１５と下部電極１６との間にプラズマ放電が発生する。この放電によって、上部電極１５と下部電極１６との間に供給されたプラズマ発生用ガスがプラスイオン（以後、単にイオンとも称する）と電子とに電離され、上部電極１５と下部電極１６との間であって、配線１９に臨む領域にプラズマ１８が発生する。たとえばプラズマ発生用ガスとしてアルゴンガスを用いる場合、プラズマ１８中にはプラスイオンとしてアルゴンイオン（Ａｒ＋）が生成される。発生したプラズマ１８に含まれる荷電粒子、たとえばアルゴンイオンなどのプラスイオンは、プラズマ１８と下部電極１６との間の電位差によって下部電極１６に向かって加速され、下部電極１６に載置されるプリント配線基板１７の洗浄面１７ａに照射される。
【００３５】
このとき、前述の図７に示すようにプリント配線基板５の配線部５ａが装置内のいずれの箇所にも短絡されていないと、配線部５ａおよび樹脂部５ｂはいずれも電気的に浮いた状態になる。よって、配線部５ａおよび樹脂部５ｂは、アルゴンイオンなどのプラスイオンの照射によっていずれも表面がチャージアップ（帯電）されるので、配線部５ａと樹脂部５ｂとの間には電位差がほとんど生じない。このため、プリント配線基板５に向かって照射されるプラスイオンの進路９は配線部５ａおよび樹脂部５ｂのいずれにおいても屈曲されず、プラスイオンは配線部５ａおよび樹脂部５ｂの双方に一様に照射される。
【００３６】
これに対し、本実施形態では、プリント配線基板１７の洗浄面１７ａで露出する配線１９は、スルーホール２１を介して下部電極１６に短絡されているので、下部電極１６と同電位になる。プラズマが照射されるとき、下部電極１６の電位は、照射されるプラズマと逆極性の電位になっているので、配線１９には、照射されるプラズマと逆極性の電位が与えられることになる。これによって、配線１９は、配線１９以外の部分である基部２０ａに比べて、プラズマ１８との間の電位差が大きくなる。これによって、基部２０ａに向かって照射されるプラズマ１８の進路を、配線１９に向かって屈曲させることができるので、プラズマ１８を配線１９および配線１９の周囲に集中して照射することができる。このように本実施形態では、配線１９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与える処理が施されており、この処理がプラズマ集中処理に相当する。
【００３７】
このようにプラズマ集中処理が施されていると、たとえばプラズマ１９中のプラスイオンが照射されるとき、配線１９はプラスイオンが入射してもチャージアップされず、配線１９と下部電極１６との間にはプラスイオンによる電流が流れる。一方、プリント配線基板１７の基部２０ａは、絶縁性材料で形成されて絶縁体となっており、下部電極１６とは電気的に絶縁されているので、照射されるプラズマ１８と逆極性の電位が与えられず、プラスイオンの照射によって表面にチャージアップが起こる。これによって配線１９と基部２０ａとの間には電位差が生じ、配線１９の電位は、基部２０ａの電位よりも低くなるので、プラズマ１８と配線１９との間の電位差は、プラズマ１８と基部２０ａとの間の電位差よりも大きくなる。したがって基部２０ａに向かって照射されるプラスイオンの進路２２は、プラスイオンと逆極性の電位が与えられている配線１９に向かって大きく曲げられる。その結果、プラスイオンは、下部電極１６に短絡されている配線１９およびその周囲に集中して照射されることになる。
【００３８】
プラスイオンが集中して照射される配線１９の表面部では、プラスイオンのスパッタリング効果によって有機物および無機物の除去が進み、電子部品との接続に使用されるはんだなどの金属導体に対するボンディング性およびぬれ性が向上する。一方、基部２０ａは、配線１９の周囲の一部分にはプラスイオンが照射されるけれども、プラズマ集中処理が施されない場合に比べて、プラスイオンが照射される領域は狭くなる。このようにプラスイオンが基部２０ａの広範囲にわたって照射されることを防ぐことができるので、基部２０ａにおけるスパッタリングを抑えることができる。これによって、本実施形態のように基部２０ａが樹脂などの有機物で形成されている場合、基部２０ａを構成する有機物の飛散量を低減することができるので、基部２０ａから飛散した有機物が配線１９に再付着することを抑制し、配線１９から有機物を効率的に除去することができる。したがって、飛散した有機物の再付着による洗浄品質の低下を防止し、良好な洗浄品質を実現することができる。
【００３９】
以上のように、本実施形態によるプラズマ洗浄方法によれば、スパッタリング洗浄に優れた効果を発揮するアルゴンイオンなどのプラスイオンを配線１９およびその周囲に集中して照射させ、基部２０ａの広範囲にわたってプラスイオンが照射されることを防ぐことができるので、基部２０ａにおけるスパッタリングを抑え、基部２０ａからの有機物の飛散量を低減することができる。これによって、飛散した有機物の配線１９への再付着を抑えることができるので、洗浄すべき配線１９から有機物を効率的に除去し、配線１９を効率的に洗浄することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、プラズマ発生用ガスとして特殊なガスを用いる必要がなく、該ガスを反応室１１ａに導入するための新たな装置を設ける必要もないので、コストの増大を抑えることができる。
【００４１】
また、本実施形態で使用される本発明の他の形態であるプリント配線基板１７は、厚み方向一方側に設けられる配線１９に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部であるスルーホール２１を有する。このようにスルーホール２１は、プリント配線基板１７を厚み方向に貫通して設けられているので、プリント配線基板１７は、下面部１７ｂが下部電極１６に接するように下部電極１６に載置することによって、スルーホール２１を介して配線１９と下部電極１６とを短絡させることができる。したがって、プリント配線基板１７は、配線１９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与えるプラズマ集中処理を容易に施すことができる。
【００４２】
以上に述べたように、図１に示すプリント配線基板１７では、基部２０ａを構成する基板本体２０は、樹脂などの絶縁性材料で形成される。基体本体２０は、絶縁性材料に限定されず、絶縁性材料以外の材料、たとえば導電性セラミックスなどの導電性材料などで形成されてもよいが、本実施形態のように絶縁性材料で形成される方が好ましい。
【００４３】
本実施形態のように基板本体２０を絶縁性材料で形成することによって、プリント配線基板１７を下部電極１６に載置するだけで、導電部である配線１９を下部電極１６と短絡するとともに、プリント配線基板１７の導電部を除く部分である基部２０ａを下部電極１６と電気的に絶縁することができる。これによって、配線１９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与え、プラズマ１８と配線１９との間の電位差を、プラズマ１８と基部２０ａとの間の電位差よりも大きくすることができる。したがって、プラズマ集中処理をより容易に施すことができる。これに対し、基板本体２０が導電性材料で形成される場合、基体本体２０と下部電極１６との間に絶縁層を介在させる必要があるので、基板本体２０は絶縁性材料で形成される方が好ましい。
【００４４】
また、本実施形態では、短絡用端子部であるスルーホール２１を下部電極１６に直接接触させることによって電気的に接続するけれども、短絡用端子部と下部電極１６との接続方法は、これに限定されるものではない。たとえば、短絡用端子部として貫通孔２１ａの側壁部に導電性材料を成膜して成るスルーホールを設けるとともに、導電性材料で形成される位置決めピンを下部電極１６に結線されるように設け、スルーホールの内方の空間に位置決めピンを差し込むことによって接続させてもよい。これによって、プリント配線基板１７の位置決めと、スルーホールを介しての配線１９と下部電極１６との短絡とを同時に行なうことができるので、製造工程を簡略化することができる。位置決めピンが投影される位置に配線１９が形成されていない場合には、位置決めピンが投影される位置にスルーホールを形成しておき、この位置決めピンを差し込むスルーホールに対して、配線１９をプリント配線基板１７の内部で結線しておけばよい。
【００４５】
また、本実施形態では、プリント配線基板１７に短絡用端子部としてスルーホール２１を設け、スルーホール２１を介して導電部である配線１９と下部電極１６とを短絡させるけれども、導電部と下部電極１６との短絡方法は、これに限定されない。たとえば、プリント配線基板１７の厚み方向一方側に、配線１９に電気的に接続される端子部を設けておき、プラズマ洗浄装置１０に、導電性材料で形成される基板保持用治具を下部電極１６に結線されるように設け、該基板保持用治具の先端部が端子部に接するように基板保持用治具にプリント配線基板１７を保持させることによって、基板保持用治具および端子部を介して配線１９と下部電極１６とを短絡させてもよい。
【００４６】
また、本実施形態では、プリント配線基板１７に設けられる複数の配線１９の全てを洗浄するけれども、複数の配線１９のうち、一部の配線１９を洗浄してもよい。この場合、プリント配線基板１７は、洗浄すべき一部の配線１９に電気的に接続されるスルーホール２１のみを有していればよい。このようなプリント配線基板１７を用いることによって、洗浄すべき一部の配線のみを下部電極１６に短絡させ、残余の配線１９と下部電極１６とを電気的に絶縁することができるので、下部電極１６に短絡させた配線１９のみを選択的に洗浄することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、図１に示すプリント配線基板１７に対してプラズマ洗浄を行なうけれども、本発明のプラズマ洗浄方法によって洗浄される被処理基板の構成は、プリント配線基板１７の構成に限定されるものではなく、他の異なる構成であってもよい。たとえば、図２に示すプリント配線基板３０であってもよい。
【００４８】
図２は、本発明の実施のさらに他の形態であるプリント配線基板３０の構成を簡略化して示す平面図である。図３は、図２に示すプリント配線基板３０の切断面線Ｉ−Ｉにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。図４は、図２に示すボンディング部３３を拡大して示す図である。図５は、図４に示すボンディング部３３の切断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。なお図２では、図４および図５に示す配線部３８および導電エリア３９は、図が錯綜して理解が困難になるので、記載を省略する。
【００４９】
プリント配線基板３０は、基板本体３１と、基板本体３１の厚み方向一方側の表面部に設けられる部品搭載部３２およびボンディング部３３とを含んで構成される。部品搭載部３２には、たとえば半導体素子などの回路素子などが実装される。ボンディング部３３には、たとえば集積回路（略称ＩＣ）チップなどが実装される。プリント配線基板３０では、部品搭載部３２およびボンディング部３３のリード配線４０が導電部であり、洗浄対象となる。プリント配線基板３０の部品搭載部３２およびボンディング部３３が露出する表面部（以後、洗浄面と称する）３０ａのうち、部品搭載部３２およびボンディング部３３が形成されていない部分では、基板本体３１が露出しており、基部３１ａが形成されている。本実施形態では、基板本体３１は、絶縁性材料、たとえばエポキシ樹脂などの樹脂などで形成される。基板本体３１の厚みは、たとえば０．１〜２ｍｍ程度である。
【００５０】
部品搭載部３２は、本実施形態では複数個がマトリックス状に並べて設けられる。部品搭載部３２は、たとえば、洗浄面３０ａとなる基板本体３１の厚み方向一方側の表面部に銅箔などの導電性薄膜を張り付けた後、部品搭載部３２となるべく予め定められる部分以外の導電性薄膜をエッチングなどで除去することによって形成される。部品搭載部３２を構成する導電性薄膜の厚みは、たとえば５〜４０μｍ程度である。
【００５１】
部品搭載部３２には、図３に示すように第１スルーホール３４が電気的に接続されている。第１スルーホール３４は、プリント配線基板３０を厚み方向に貫通するように設けられている。本実施形態では第１スルーホール３４は、部品搭載部３２と同数が設けられ、各部品搭載部３２にそれぞれ電気的に接続されている。第１スルーホール３４は、前述の図１に示すプリント配線基板１７に設けられるスルーホール２１と同様に、基板本体３１を厚み方向に貫通する貫通孔３４ａに導電性材料が充填されたものである。第１スルーホール３４は、貫通孔３４ａの側壁部に導電性材料が成膜されたものであってもよい。また第１スルーホール３４は、本実施形態とは異なるけれども、複数の部品搭載部３２同士が図示しない配線パターンによって電気的に接続されている場合には、各部品搭載部３２に対して設けずに、結線された複数の部品搭載部３２のいずれか１つまたは複数に電気的に接続されるように設けられてもよい。
【００５２】
プリント配線基板３０は、部品搭載部３２が設けられる洗浄面３０ａの反対側の表面部である厚み方向他方側の表面部（以後、下面部と称する）３０ｂに下面配線３５を有する。本実施形態において下面配線３５は、基板本体３１から突出するように設けられる。下面配線３５は、第１スルーホール３４に電気的に接続されるように設けられる。第１スルーホール３４は部品搭載部３２に電気的に接続されるので、部品搭載部３２は、第１スルーホール３４を介して下面配線３５に電気的に接続される。下面配線３５は、たとえば、下面部３０ｂとなる基板本体３１の厚み方向他方側の表面部に銅箔などの導電性薄膜を張り付けた後、下面配線３５となるべく予め定められる部分以外の導電性薄膜をエッチングなどで除去することによって形成される。下面配線３５を構成する導電性薄膜の厚みは、たとえば５〜４０μｍ程度である。
【００５３】
基板本体３１は、より詳細には、図４および図５に示すように、プリント配線基板３０の洗浄面３０ａ側に設けられる第１基体層３６と、下面部３０ｂ側に設けられる第２基体層３７とを含む。第１基体層３６の厚みは、たとえば０．１〜５０μｍである。第１基体層３６は、ボンディング部３３が形成される部分において開口されている。本実施形態では、第１基体層３６の開口縁部３６ａの形状は、略正方形状である。
【００５４】
ボンディング部３３は、配線部３８と導電エリア３９と第２スルーホール４１とを含む。配線部３８および導電エリア３９は、プリント配線基板３０の厚み方向一方側に設けられる。第２スルーホール４１は、導電エリア３９に電気的に接続され、プリント配線基板３０の厚み方向他方側に延びて設けられる。導電エリア３９および第２スルーホール４１は、プラズマ集中用電極部を構成する。配線部３８は、ＩＣチップなどとのボンディングに使用される複数のリード配線４０を含む。リード配線４０は、第１基体層３６の開口縁部３６ａの外方から内方に向かって延びるように直線状に設けられる。本実施形態では、リード配線４０は、開口縁部３６ａの各辺部に対して直交するように設けられる。第１基体層３６の開口縁部３６ａの内方に向かうリード配線４０の先端部には、図示しないけれども、無電解めっきなどによって金めっき、ニッケルめっきなどの金属めっきが施されている。この金属めっきが施されたリード配線４０の先端部が、ボンディング部３３において、本発明のプラズマ洗浄方法によってプラズマ洗浄されるプラズマ洗浄対象部位である。
【００５５】
導電エリア３９は、第１基体層３６の開口縁部３６ａの内方であって、第２基体層３７の第１基体層３６と接する側の表面部に設けられる。導電エリア３９は、リード配線４０の先端部に隣接して設けられる。本実施形態において導電エリア３９は、プリント配線基板３０の洗浄面３０ａに略平行な仮想平面に投影したときに、リード配線４０によって囲繞されるように形成されている。導電エリア３９には、第２スルーホール４１が電気的に接続されている。第２スルーホール４１は、第２基体層３７を厚み方向に貫通するように設けられており、プリント配線基板３０の下面部３０ｂで露出している。第２スルーホール４１は、部品搭載部３２に電気的に接続される第１スルーホール３４と同様に、第２基体層３７を厚み方向に貫通する貫通孔４０ａに導電性材料が充填されたものである。第２スルーホール４１は、貫通孔４１ａの側壁部に導電性材料が成膜されたものであってもよい。
【００５６】
導電エリア３９は、たとえば、第１基体層３６と第２基体層３７とを積層して基板本体３１を形成した後、導電エリア３９を形成するべく予め定められる部分の第１基体層３６に開口を形成して第２基体層３７を露出させ、第２基体層３７の厚み方向一方側の表面部にスパッタなどで導電性材料、たとえば銅などを堆積させることによって形成することができる。この場合、導電エリア３９を形成した後に、第１基体層３６の厚み方向一方側の表面部にリード配線４０が形成される。
【００５７】
前述の図１に示すプラズマ洗浄装置１０を用いてプリント配線基板３０を洗浄する場合、プリント配線基板３０は、下面部３０ｂが下部電極１６に接するように載置される。部品搭載部３２が形成されている部分では、図３に示すようにプリント配線基板３０の下面部３０ｂには下面配線３５が形成されているので、下面配線３５が下部電極１６に接触し、電気的に接続される。下面配線３５は第１スルーホール３４に電気的に接続され、第１スルーホール３４は部品搭載部３２に電気的に接続されているので、部品搭載部３２は、第１スルーホール３４および下面配線３５を介して下部電極１６と短絡される。つまり、本実施形態では、第１スルーホール３４および下面配線３５が短絡用端子部である。
【００５８】
このように部品搭載部３２と下部電極１６とを短絡させることによって、前述の実施形態と同様に、部品搭載部３２に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与えることができるので、部品搭載部３２およびその周囲にプラズマ１８を集中して照射させることができる。このように本実施形態では、部品搭載部３２に、照射するプラズマと逆極性の電位を与えるプラズマ集中処理が施されている。このプラズマ集中処理を施すことによって、部品搭載部３２およびその周囲にプラスイオンを集中して照射させ、基部３１ａが広範囲にわたってスパッタリングされることを抑えることができる。したがって、基部３１ａが樹脂などの有機物で形成される場合であっても、基部３１ａからの有機物の飛散および飛散した有機物の部品搭載部３２への再付着を抑えることができるので、部品搭載部３２を効率的に洗浄することができる。
【００５９】
また本実施形態では、短絡用端子部は第１スルーホール３４および下面配線３５で構成され、下面配線３５は基板本体３１から突出して設けられているので、部品搭載部３２と下部電極１６とをより確実に短絡することができる。たとえば前述のプリント配線基板１７のように短絡用端子部がスルーホール２１のみで構成される場合、プリント配線基板１７の反りなどで、プリント配線基板１７の端部に設けられるスルーホール２１が下部電極１６に接触せず、配線１９と下部電極１６とが短絡しない恐れがある。これに対し、本実施形態では、下面配線３５が基体本体３１から突出して設けられているので、下面配線３５を下部電極１６に接触させ、下面配線３５を介して第１スルーホール３４と下部電極１６とを電気的に接続することができる。したがって、部品搭載部３２と下部電極１６とをより確実に短絡することができる。
【００６０】
また、ボンディング部３３では、図５に示すように、プリント配線基板３０の下面部３０ｂで第２スルーホール４１が露出しているので、第２スルーホール４１は下部電極１６に接触し、電気的に接続される。第２スルーホール４１は、導電エリア３９に電気的に接続されているので、導電エリア３９は、第２スルーホール４１を介して下部電極１６と短絡される。このように導電エリア３９と下部電極１６とを短絡させることによって、前述の部品搭載部３２と同様に、導電エリア３９に、照射するプラズマ１８と逆極性の電位を与えることができる。導電エリア３９は、リード配線４０に隣接して設けられているので、導電エリア３９と下部電極１６とを短絡させてプラズマ洗浄を行なうことによって、導電エリア３９およびその周囲のリード配線４０の先端部に集中してプラズマ１８を照射させることができる。このように本実施形態では、リード配線４０に隣接するようにプラズマ集中用電極部である導電エリア３９および第２スルーホール４１を設け、プラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理が施されており、この処理もプラズマ集中処理に相当する。このプラズマ集中処理を施すことによって、導電エリア３９およびその周囲のリード配線４０の先端部にプラスイオンを集中して照射させ、リード配線４０の周囲の基部３１ａである第１基体層３６が広範囲にわたってスパッタリングされることを抑えることができる。したがって、第１基体層３６からの有機物の飛散および飛散した有機物のリード配線４０への付着を抑制することができるので、リード配線４１の先端部を効率良くプラズマ洗浄することができる。
【００６１】
リード配線４０の先端部を充分に洗浄するためには、導電エリア３９を、プリント配線基板３０の洗浄面３０ａに略平行な仮想平面に投影したときのリード配線４０の先端部からの距離Ｄが１００μｍ以下になるように形成することが好ましい。リード配線４０からの距離Ｄが１００μｍを超えると、リード配線４０の先端部にプラズマ１８が充分に照射されず、リード配線４０の洗浄を充分に行なうことができなくなる恐れがある。前記距離Ｄを１００μｍ以下にすることによって、リード配線４０の先端部により確実にプラズマ１８を照射させることができるので、リード配線４０を充分に洗浄することができる。導電エリア３９とリード配線４０の先端部との距離Ｄの下限値は、特に制限されないけれども、３０μｍ以上であることが好ましい。前記距離Ｄが３０μｍ未満であると、ＩＣチップなどの電子部品をリード配線４０に実装するときに、導電性の異物の混入などで、リード配線４０と導電エリア３９とが短絡する恐れがある。前記距離Ｄを３０μｍ以上にすることによって、リード配線４０と導電エリア３９との短絡を防ぐことができる。
【００６２】
このようにして洗浄されたリード配線４０には、ＩＣチップなどの電子部品が実装される。たとえば、リード配線４０と電子部品のバンプ電極とを合わせながら、加熱および加圧してフリップチップボンディングして電子部品が実装される。このようにして電子部品が実装された後、導電エリア３９と電子部品との間には、絶縁性樹脂などの絶縁性材料からなるアンダーフィルが充填される。これによって、導電エリア３９との短絡による電子部品の誤作動を防止することができる。
【００６３】
以上に述べたように、図２に示すプリント配線基板３０では、リード配線４０の洗浄すべき先端部に隣接して導電エリア３９および第２スルーホール４１で構成されるプラズマ集中用電極部を設け、導電エリア３９および第２スルーホール４１を下部電極１６と短絡させて、リード配線４０の先端部を洗浄するけれども、部品搭載部３２と同様に、リード配線４０毎にそれぞれスルーホールを形成し、下部電極１６と短絡させて洗浄してもよい。しかしながら、配線部３８に形成されるリード配線４０は、多い場合には数百本となることがあるので、このような場合にリード配線４０毎にスルーホールを形成することは非常に困難である。このように多数のリード配線４０が設けられる場合には、本実施形態のように、リード配線４０の洗浄すべき先端部に隣接して導電エリア３９および第２スルーホール４１で構成されるプラズマ集中用電極部を設け、プラズマ集中用電極部を下部電極１６と短絡させてリード配線４０を洗浄することが好ましい。これによって、各リード配線４０に対してスルーホールを設けることなく、導電エリア３９およびその周囲のリード配線４０の先端部にプラズマ１８を集中して照射させることができるので、リード配線４０の先端部を容易に洗浄することができる。このように本実施形態のプリント配線基板３０を用いることによって、複数のリード配線４０の先端部を容易に洗浄することができる。
【００６４】
またプラズマ集中用電極部は、導電エリア３９および第２スルーホール４１で構成されるけれども、これに限定されず、導電エリアがプリント配線基板３０の厚み方向他方側に延びるように形成されたものであってもよい。この場合、第２スルーホール４１は設けられず、導電エリアがプラズマ集中用電極部を構成する。
【００６５】
また本実施形態では、プラズマ洗浄装置として、容量結合プラズマを用いるプラズマ洗浄装置（以後、容量結合型プラズマ洗浄装置とも称する）１０を用いるけれども、これに限定されず、たとえば誘導結合プラズマ（Inductive Coupled Plasma；略称ＩＣＰ）を用いるＩＣＰ型プラズマ洗浄装置を用いてもよい。図６は、本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０の構成を簡略化して示す断面図である。ＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０は、前述の図１に示す容量結合型プラズマ洗浄装置１０と類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。ＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０は、基本的に、チャンバ５３と、載置電極５４と、プラズマ励起用コイル５１と、高周波電源５２とを含んで構成される。
【００６６】
チャンバ５３は、たとえば石英、セラミックなどの絶縁性材料で形成される。チャンバ５３は、材料が異なること以外は、図１に示す容量結合型プラズマ洗浄装置１０のチャンバ１１と同様に形成される。チャンバ５３には、図１に示すチャンバ１１と同様に、図示しない真空ポンプおよびガス供給装置が接続される。
【００６７】
プラズマ励起用コイル５１は、本実施の形態では、平面渦巻状アンテナであるスパイラルアンテナである。プラズマ励起用コイル５１は、たとえば銅などの導電性材料で形成される。プラズマ励起用コイル５１には、図示しないインピーダンス整合器を介して高周波電源５２が電気的に接続される。高周波電源５２は、プラズマ励起用コイル５１の両端部に接続される。高周波電源５２は、たとえば１３．５６ＭＨｚの高周波の交流電力をプラズマ励起用コイル５１に供給することができる。高周波電源５２によってプラズマ励起用コイル５１に高周波の交流電力を供給することによって、チャンバ５３の内方の空間にプラズマ１８を発生させることができる。プラズマ励起用コイル５１は、スパイラルアンテナに限定されるものではなく、チャンバ５３の内方の空間にプラズマ３６を発生させることのできるものであればよい。
【００６８】
載置電極５４は、チャンバ５３の内方に設けられる。載置電極５４は、略平板形状の導電体である。本実施形態において載置電極５４は、略円板形状に形成される。載置電極５４は、その平坦な一表面部に、被処理基板であるプリント配線基板１７を載置できるように形成される。載置電極５４は、前述の容量結合型プラズマ洗浄装置１０の下部電極５４と同様に、インピーダンス整合器１３および交流電源１４を介して電気的に接地される。交流電源１４は、インピーダンス整合器１３を介して載置電極５４に交流電力、たとえば１３．５６ＭＨｚなどの高周波の交流電力を供給することができる。このように載置電極５４に交流電力を供給することによって、プラズマ１８をプリント配線基板１７に照射することができる。
【００６９】
図６に示すＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０を用いて、たとえばプリント配線基板１７を洗浄する場合、プリント配線基板１７は、厚み方向一方側が載置電極５４に接するように載置される。これによって、スルーホール２１を介して配線１９が載置電極５４に短絡されるので、配線１９に、照射されるプラズマと逆極性の電位を与えることができる。したがって、前述の容量結合型プラズマ洗浄装置１０を用いる場合と同様に、配線１９およびその周囲に集中してプラズマ１８を照射することができるので、配線１９を効率的に洗浄することができる。前述の図２に示すプリント配線基板３０を洗浄する場合も同様に、プリント配線基板３０を厚み方向他方側が接するように載置電極５４に載置することによって、部品搭載部３２およびリード配線４０を効率的に洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるプラズマ洗浄装置１０の構成を簡略化して示す断面図である。
【図２】本発明の実施のさらに他の形態であるプリント配線基板３０の構成を簡略化して示す平面図である。
【図３】図２に示すプリント配線基板３０の切断面線Ｉ−Ｉにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。
【図４】図２に示すボンディング部３３を拡大して示す図である。
【図５】図４に示すボンディング部３３の切断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面構成を簡略化して示す断面図である。
【図６】本発明の実施の一形態であるプラズマ洗浄方法に好適に用いられるＩＣＰ型プラズマ洗浄装置５０の構成を簡略化して示す断面図である。
【図７】従来のプラズマ洗浄方法によってプリント配線基板５を洗浄する様子を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０，５０ プラズマ洗浄装置
１１，５３ チャンバ
１１ａ 反応室
１２ 一対の電極
１３ マッチングボックス
１４ 交流電源
１５ 上部電極
１６ 下部電極
１７，３０ プリント配線基板
１８ プラズマ
１９ 配線
２０，３１ 基板本体
２０ａ，３１ａ 基部
２１ スルーホール
３２ 部品搭載部
３３ ボンディング部
３４ 第１スルーホール
３５ 下面配線
３８ 配線部
３９ 導電エリア
４０ リード配線
４１ 第２スルーホール
５１ プラズマ励起用コイル
５２ 高周波電源
５４ 載置電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する導電部が形成される被処理基板の前記導電部にプラズマを照射して洗浄するプラズマ洗浄方法であって、
洗浄すべき前記導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、前記導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを前記導電部に照射することを特徴とするプラズマ洗浄方法。
【請求項２】
前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ洗浄方法。
【請求項３】
前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に隣接するように被処理基板にプラズマ集中用電極部を設け、前記プラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ洗浄方法。
【請求項４】
厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に隣接して設けられ、厚み方向他方側に延びるプラズマ集中用電極部とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項１】
導電性を有する導電部が形成される被処理基板の前記導電部にプラズマを照射して洗浄するプラズマ洗浄方法であって、
洗浄すべき前記導電部にプラズマを集中させるように被処理基板にプラズマ集中処理を施し、前記導電部に臨む領域でプラズマを発生させ、発生させたプラズマを前記導電部に照射することを特徴とするプラズマ洗浄方法。
【請求項２】
前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ洗浄方法。
【請求項３】
前記プラズマ集中処理は、
前記導電部に隣接するように被処理基板にプラズマ集中用電極部を設け、前記プラズマ集中用電極部に、照射するプラズマと逆極性の電位を与える処理であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ洗浄方法。
【請求項４】
厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に電気的に接続され、厚み方向他方側に延びる短絡用端子部とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
厚み方向一方側に設けられる配線と、
前記配線に隣接して設けられ、厚み方向他方側に延びるプラズマ集中用電極部とを有することを特徴とする配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−１９６１２２（Ｐ２００７−１９６１２２Ａ）
【公開日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１６８８９（Ｐ２００６−１６８８９）
【出願日】平成１８年１月２５日（２００６．１．２５）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月２５日（２００６．１．２５）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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