マスク、成膜方法、発光装置および電子機器
【課題】例えば、陰極のような線状体を優れた寸法精度で形成することができる気相成膜法で用いられるマスク、かかるマスクを用いて線状体を形成する成膜方法、かかる成膜方法により形成された線状体を備える特性の高い発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】マスク４０は、基板の一方の面側を固定し、他方の面側より気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の線状体を、基板の表面に形成するのに用いられ、前記線状体のパターンに対応する複数の開口部４２を有するマスク本体４１と、開口部４２を横断するように設けられ、自重によるマスク本体５１の変形を防止する機能を有する補強梁４４とを備え、この補強梁４４は、開口部４２の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられている。
【解決手段】マスク４０は、基板の一方の面側を固定し、他方の面側より気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の線状体を、基板の表面に形成するのに用いられ、前記線状体のパターンに対応する複数の開口部４２を有するマスク本体４１と、開口部４２を横断するように設けられ、自重によるマスク本体５１の変形を防止する機能を有する補強梁４４とを備え、この補強梁４４は、開口部４２の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、成膜方法、発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物（発光材料）を含む発光層を有する有機半導体層を挟んだ構成となっており、この発光層に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ2程度の高輝度の面発光が可能であること、また、発光材料の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る表示装置（発光装置）が備える素子として注目を集めている。
【０００３】
このような発光装置して、例えば、特許文献１に示されているような、パッシブマトリクス型の発光装置が提案されている。このパッシブマトリクス型の発光装置では、複数の直線状の陽極と陰極とが互いにマトリクス状に交差するように対向するように設けられ、これらの電極同士が交差する位置に対応するように、電極同士の間に、それぞれ、有機半導体層が個別に設けられた構成となっている。そして、互いに交差する電極間のＯＮ／ＯＦＦをそれぞれ制御することにより、個別に設けられた有機半導体層を独立して発光させることによりフルカラー表示を実現している。
ここで、このような発光装置では、一般的に、基板上に陽極、有機半導体層および陰極とがこの順で積層された構成となっているが、直線状の陰極は、この陰極を形成するのに先立って基板上に設けられた絶縁性の隔壁部で規制することにより形成される。
【０００４】
ところが、この隔壁部は、主として感光性樹脂材料で構成され、この隔壁部を形成する際に用いられるフォトリソグラフィー法等により、水分等を含んだ状態で形成される。そのため、この水等により有機半導体層が経時的に変質・劣化して、有機ＥＬ素子の発光効率等の特性が低下するという問題がある。
このような問題を解決する方法として、前述したような隔壁部の形成を省略して、直線状の陰極の形状に対応した開口部を有するシャドーマスク（以下、単に「マスク」という。）を用いて、真空蒸着法のような気相成膜法により陰極を形成する方法がある。
【０００５】
ところが、陰極の形状に対応した開口部を備えるマスクを形成すると、マスクの基材の剛性が低下することに起因して、開口部に撓みや歪みが生じることとなる。そのため、このようなマスクを用いて形成された陰極は、その形状が開口部と同様に、撓みや歪みを有するものとなる。その結果、発光装置が備える各有機ＥＬ素子の発光効率等の特性に、バラツキが生じているのが実情である。
このような問題は、例えば、ほぼ平行に併設される複数の細幅の金属配線を、気相成膜法を用いて一括して形成する場合においても同様に生じている。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、例えば、陰極のような線状体を優れた寸法精度で形成することができる気相成膜法で用いられるマスク、かかるマスクを用いて線状体を形成する成膜方法、かかる成膜方法により形成された線状体を備える特性の高い発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のマスクは、基板に一方の面側を固定し、他方の面側より膜材料を気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の細幅の線状体を、前記基板の表面に形成するのに用いられるマスクであって、
前記線状体のパターンに対応する複数の開口部を有するマスク本体と、前記開口部を横断するように設けられ、自重による前記マスク本体の変形を防止する機能を有する補強梁とを備え、
前記補強梁は、前記開口部の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられていることを特徴とする。
これにより、例えば、陰極のような線状体を優れた寸法精度で形成することができる気相成膜法で用いられるマスクとすることができる。
【０００９】
本発明のマスクでは、前記マスク本体と前記補強梁とは、一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、マスク本体と補強梁とを一括して形成することができるとともに、寸法精度に優れたマスクを形成することができる。すなわち、マスクを形成する際の製造工程の削減を図るとともに、寸法精度に優れたマスクを確実に得ることができる。
本発明のマスクは、主としてシリコンで構成されていることが好ましい。
これにより、マスクを比較的容易に形成することができる。
【００１０】
本発明のマスクでは、前記一方の面には、金属層が形成されていることが好ましい。
かかる構成のマスクとすれば、マスクを基板に装着する際に、マスクと基板との間に磁界を付与することにより、マスクの基板への密着性の向上を図ることができる。これにより、マスク本体の自重により、マスクと基板との間に空間（隙間）が形成されるようになるのを確実に防止することができる。
【００１１】
本発明のマスクでは、前記金属層は、無電解メッキ法を用いて形成されたものであることが好ましい。
無電解メッキ法によれば、均一な膜厚の金属層をマスク本体上に比較的容易に形成することができる。
本発明のマスクでは、前記金属層は、コバルト、鉄およびニッケルのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
かかる材料で金属層を構成することにより、基板にマスクを密着性よく装着（付着）させることができる。また、無電解メッキ法により、比較的容易に均一な膜厚の金属層を形成することができる。
【００１２】
本発明のマスクでは、前記補強梁は、前記開口部の長手方向に沿って、ほぼ等しい間隔で複数設けられていることが好ましい。
これにより、隔壁部の強度がその長手方向に沿って均一な大きさで増大することから、隔壁部の各部において撓みや歪みが生じるのを確実に防止することができる。
本発明のマスクでは、前記開口部は、その長手方向の途中に、幅が増大した拡幅部を有し、
該拡幅部に前記補強梁が設けられていることが好ましい。
これにより、形成される線状体において、断線が生じるのが確実に防止されるとともに、その膜厚の均一化を図ることができる。
【００１３】
本発明のマスクでは、前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かってほぼ一定となっていることが好ましい。
これにより、形成される線状体において、断線が生じるのが防止される。
本発明のマスクでは、前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かって漸増する部分を有することが好ましい。
これにより、形成される線状体において、断線が生じるのが確実に防止されるとともに、その膜厚の均一化を図ることができる。
【００１４】
本発明の成膜方法は、前記膜材料を供給する膜材料供給源に対向し、回転可能に設けられた基板ホルダーに保持された前記基板に本発明のマスクを装着する工程と、
前記膜材料供給源と前記基板との距離とが最大となる第１の位置と、前記第１の位置に対して、前記基板ホルダーの回転中心を中心とした点対称な第２の位置の間で、前記基板を少なくとも１回変位させて、前記膜材料供給源から供給された前記膜材料を、前記開口部を通過させて前記線状体を形成する工程とを有する成膜方法であって、
前記基板ホルダーの回転中心の軸と前記膜材料供給源の中心軸との離間距離をＡ［ｃｍ］とし、前記マスクと前記膜材料供給源の開口部との離間距離をＢ［ｃｍ］とし、前記補強梁の前記開口部の長手方向に沿った方向の最大長さをｐ［μｍ］とし、前記基板と前記補強梁との離間距離をｒ［μｍ］としたとき、ｐ／ｒ＜２Ａ／Ｂなる関係を満足するように設定したことを特徴とする。
かかる関係を満足することにより、膜材料が補強梁をより確実に周り込むようになり断線のない線状体を基板の表面により確実に形成することができる。
【００１５】
本発明の成膜方法では、前記基板の前記第１の位置と前記第２の位置との間での変位は、前記基板ホルダーを回転させることにより行われることが好ましい。
これにより、第１の位置と第２の位置との間を、少なくとも１回変位させて、断線のない線状体を基板の表面により確実に形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記基板の回転は、連続的または間歇的に行われることが好ましい。
これにより、第１の位置と第２の位置との間を、少なくとも１回変位させて、断線のない線状体を基板の表面により確実に形成することができる。
【００１６】
本発明の発光装置は、本発明の成膜方法を用いて形成された線状体を備えることを特徴とする。
これにより、断線のない線状体を備える発光装置とすることができる。
本発明の発光装置では、前記線状体は、陰極であることが好ましい。
これにより、断線のない陰極を備える発光装置とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のマスク、成膜方法、発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜マスク＞
まず、本発明のマスクについて説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明のマスクの第１実施形態について説明する。
図１は、本発明のマスクの第１実施形態を示す斜視図であり、図２は、開口部の他の構成を示す平面図であり、図３は、補強梁の他の構成を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１および図３中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００１８】
本発明のマスクは、基板に一方の面側を固定し、他方の面側より、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法およびイオンプレーティング法等の物理的気相成膜（ＰＶＤ）法や、化学的気相成膜（ＣＶＤ）法のような気相成膜法を用いた気相プロセスにより膜材料を供給して、ほぼ平行に併設される複数の細幅の線状体（以下、単に「線状体」という。）を前記基板の表面に形成する際に用いられるものである。
【００１９】
このようなマスク４０は、マスク本体４１と、補強梁４４とで構成されている。
マスク本体４１には、図１に示すように、形成すべき線状体のパターン（形状）に対応する複数の開口部４２が設けられている。
本実施形態では、各開口部４２は、平面視で細幅な直線状をなし、互いにほぼ平行、かつ、ほぼ一定間隔で設けられている。これにより、各開口部４２同士は、薄板状の隔壁部４３により区画されている。
【００２０】
ここで、本発明のマスクでは、開口部４２を横断するように補強梁４４が設けられている。そのため、マスク４０を基板に装着した際に、その自重により薄板状に形成された隔壁部４３（マスク本体４１）に撓みや歪みが生じること、すなわち、隔壁部４３の形状に変形が生じることが防止される。その結果、開口部４２の変形をも防止できることから、このマスク４０を用いることにより、寸法精度の高い線状体が形成されることとなる。
さらに、本発明のマスクでは、この補強梁４４は、その厚さが開口部４２の高さに対して小さくなっており、このマスク４０の一方の面側を前記基板に固定した際に、マスク４０の他方の面側に偏在（位置）するように設けたことに特徴を有する。すなわち、補強梁４４と前記基板との間に空間を設けたことに特徴を有する。
【００２１】
補強梁４４をかかる構成とする（開口部４２に設ける）ことにより、マスク４０を用いて基板上に線状体を形成する際に、形成される線状体が断線することなく連続的に形成することができる。
すなわち、基板の線状体を形成する面から補強梁４４を離間させることにより、気相成膜法で線状体を形成する際に用いられる膜材料が、他方の面側から開口部４２を通過して前記面に被着する際に、補強梁４４の周囲から斜め方向に入射して周り込むことができる。そのため、線状体を断線させることなく連続的に形成することができる。なお、この線状体の成膜方法（成膜条件等）については、後に詳述する。
【００２２】
ところで、補強梁４４の数および設置位置等は、隔壁部４３の強度等に応じて隔壁部４３の変形が防止されるように任意に設定するようにすればよいが、本実施形態のように、複数（２つ以上）の補強梁４４を設ける場合には、補強梁４４は、開口部４２の長手方向に沿って、ほぼ等しい間隔で設けられているのが好ましい。これにより、隔壁部４３の強度がその長手方向に沿って均一な大きさで増大することから、隔壁部４３の各部において撓みや歪みが生じるのを確実に防止することができる。
【００２３】
また、本実施形態では、マスク本体４１と補強梁４４とは一体的に形成されている。かかる構成とすることにより、後述するマスクの形成方法により、マスク本体４１と補強梁４４とを一括して形成することができるとともに、寸法精度に優れたマスク４０を形成することができる。すなわち、マスク４０を形成する際の製造工程の削減を図るとともに、寸法精度に優れたマスク４０を確実に得ることができる。
なお、開口部４２は、本実施形態で説明したように、開口部４２の長手方向に沿ってその幅が一定となっているものの他、例えば、図２に示すように、開口部４２の長手方向の途中に、幅が増大した拡幅部４５を有し、この拡幅部４５に補強梁４４が設けられている構成のものであってもよい。
【００２４】
開口部４２をかかる構成とすることにより、前記基板の表面の補強梁４４に対応する領域に確実に膜材料を供給する（被着させる）ことができる。すなわち、補強部４４と前記基板との離間距離によっては、前記領域における線状体の膜厚が薄くなる恐れが有るが、補強梁４４の位置に対応して拡幅部４５を設けることにより、この拡幅部４５からの膜材料の周り込みを生じさせることができる。その結果、補強梁４４が設けられていることによる障害を相殺して、確実に前記領域に膜材料を供給することができる。これにより、形成される線状体において、断線が生じるのを確実に防止できるとともに、その膜厚の均一化を図ることができる。
【００２５】
さらに、補強梁４４は、本実施形態で説明したように、その幅（開口部４２の長手方向に沿った補強梁４４の長さ）がほぼ一定となっているものの他、例えば、図３に示すように、その幅が前記一方の面側から前記他方の面側に向かって漸増している半円状のものであってもよい。すなわち、前記幅が、前記一方の面側から前記他方の面側に向かって、漸増する部分を有しているものであってもよい。補強梁４４をかかる構成のもの、すなわち、テーパー面を有するものとすることにより、補強梁４４の周囲から斜め方向に入射した膜材料のうち、補強梁４４に付着する膜材料の量を減少させることができる。その結果、補強梁４４をかかる構成のものとすることによっても、前述したような効果を確実に得ることができる。なお、このような補強梁４４の形状としては、開口部４２の長手方向に沿った縦断面が、図３に示したような半円状のものであってもよいし、台形状、三角形状、六角形状または円状のものであってもよい。
【００２６】
以上のような開口部４２および補強梁４４の構成は、任意の２以上のものと組み合わせることができる。これにより、前述したような効果を相乗的に得ることができる。
また、本実施形態では、マスク本体４１の外周部に、マスク４０の使用時におけるマスク４０の位置決めのためのマスク位置決めマーク４６が形成されている。このマスク位置決めマーク４６は、結晶異方性エッチング等でマスク本体４１の一部を除去することにより得ることができる他、クロムのような金属膜で構成することもできる。
また、マスク４０の構成材料としては、各種のものが挙げられ、例えば、シリコンや、石英ガラスのようなガラス材料を用いることができるが、これらの中でも、主としてシリコンで構成されているのが好ましい。これにより、前述したような構成のマスク４０を比較的容易に形成することができる。
【００２７】
以下、マスク４０の形成方法として、マスク４０の構成材料が主としてシリコンである場合を一例に説明する。
図４および図５は、図１に示すマスクの形成方法を示す図である。なお、図４は、図１中のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示す縦断面図である。また、図５は、図１中のＢ−Ｂ線断面に対応する断面を示す縦断面図である。また、以下の説明では、図４および図５中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２８】
［１Ａ］まず、シリコン単結晶で構成されたマスク基材５０を用意し、このマスク基材５０の外表面全体に耐ドライエッチングマスク材料で構成された耐ドライエッチング膜５１を形成する。
マスク基材５０の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．０２〜０．２ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２９】
耐ドライエッチングマスク材料としては、後述するドライエッチングに対して耐性を有するものであればよく、特に限定されないが、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン、炭化シリコン、アルミニウムおよびクロム等を好適に用いることができる。
また、耐ドライエッチング膜５１の形成方法としては、各種の成膜方法を用いることができるが、例えば、耐ドライエッチングマスク材料として、二酸化シリコンを用いる場合には、例えば、８００〜１２００℃程度の水蒸気中にマスク基材５０を放置するスチーム熱酸化法を好適に用いることができる。また、耐ドライエッチングマスク材料として、窒化シリコンおよび炭化シリコンを用いる場合には、化学的気相成膜（ＣＶＤ）法を好適に用いることができる。さらに、耐ドライエッチングマスク材料として、アルミニウムおよびクロムを用いる場合には、真空蒸着法、スパッタリング法のような物理的気相成膜（ＰＶＤ）法やメッキ法を好適に用いることができる。
このような耐ドライエッチング膜５１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ程度であるのが好ましい。
【００３０】
［２Ａ］次に、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、形成されたマスク４０を基板に装着した際に、基板と接触する側の面５０ａにおいて、形成すべき開口部４２に対応する領域に存在する耐ドライエッチング膜５１を除去してマスク基材５０の表面を露出させる。
具体的には、フォトリソグラフィー技術等を用いて、面５０ａ側の開口部４２に対応する領域に開口部を備えるレジスト層を形成した後、この開口部で露出する耐ドライエッチング膜５１を緩衝フッ酸溶液のような酸エッチング液を用いた酸ウェットエッチングにより除去することにより、形成すべき開口部４２に対応する領域において、マスク基材５０の表面を露出させることができる。
なお、図２に示したような、開口部４２に拡幅部４５が設けられた構成とする場合には、マスク基材５０の表面を、その形状に対応するように、露出させるようにすればよい。
【００３１】
［３Ａ］次に、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術等を用いて、前記工程［２Ａ］においてマスク基材５０の表面を露出させた領域のうち、補強梁４４を形成する領域にレジスト層５２を形成する。
これにより、開口部４２を形成する領域のうち、補強梁４４を形成しない領域において、マスク基材５０の表面が露出することとなる。
【００３２】
レジスト層５２の構成材料としては、各種感光性樹脂材料を用いることができ、例えば、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【００３３】
なお、図３に示したように、補強梁４４の開口部４２の長手方向に沿った縦断面を半円状のものとする場合には、このレジスト層５２を、その形状が形成すべき補強梁４４の形状に対応するように設けるようにすればよい。このような半円状のレジスト層５２は、本工程で形成された四角形状のレジスト層５２を、１５０〜２００℃程度の温度でポストベークして半固形状とした後、再固化させることにより得ることができる。
【００３４】
［４Ａ］次に、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、マスク基材５０の表面が露出する領域、すなわち、開口部４２を形成する領域のうち、補強梁４４を形成しない領域のマスク基材（シリコン）５０を所定の深さまで均一に除去する。
このシリコンの除去には、特定の方向、すなわち、本実施形態では、マスク基材５０の厚さ方向に対してほほ平行な方向に対してシリコンを除去し得る異方性エッチングが好適に用いられる。
【００３５】
異方性エッチングとしては、異方性ウェットエッチングや、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching； RIE）、反応性イオンビームエッチング（Reactive Ion Beam Etching; RIBE）、高速原子線エッチング（Fast Atom Beam; FAB）のような異方性ドライエッチングが挙げられるが、これらの中でも、方向選択性および生産性に優れる点から反応性イオンエッチングが好適に用いられる。
【００３６】
［５Ａ］次に、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示すように、レジスト層５２を除去（剥離）する。これにより、開口部４２を形成する領域において、マスク基材５０の表面が露出することとなる。
このレジスト層５２の除去は、レジスト層５２の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、酸素プラズマやオゾンによる大気圧下または減圧下でのアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層５２を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【００３７】
［６Ａ］次に、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様にして、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示すように、マスク基材５０の表面が露出する領域、すなわち、開口部４２を形成する領域のマスク基材（シリコン）５０を、さらに所定の深さ分だけ均一に除去する。
これにより、前記工程［４Ａ］によりシリコンが除去された（補強梁４４を形成しない）領域は、マスク基材５０の厚さ方向に対してさらに深く、均一にシリコンが除去される。また、レジスト層５２が除去された補強梁４４を形成する領域も同様に均一にシリコンが除去される。
すなわち、開口部４２を形成する領域において、前記工程［４Ａ］で形成された補強梁４４を形成する領域と、補強梁４４を形成しない領域とのマスク基材５０の表面に設けられた深さの差を維持した状態で、均一にシリコンが除去される。これにより、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示すように、マスク基材５０に２段階の凹凸が形成される。
【００３８】
なお、本工程［６Ａ］において新たにシリコンが除去された領域は、補強梁４４が形成される領域であり、面５０ａから所定の深さまで除去される。そのため、異方性エッチングにより除去されたマスク基材５０の深さが、前記基板にマスク４０を装着した際の前記基板から補強梁４４までの距離と等しくなる。この深さは、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。この深さが、前記下限値未満の場合には、膜材料が補強梁４４の周囲から周り込み難くなり、形成される線状体が分断されるおそれがある。また、この深さを、前記上限値を超えて深くすると、前記基板と補強梁４４との距離が必要以上に大きくなり、膜材料が前記基板に到達できなくなるおそれがあり、好ましくない。
【００３９】
［７Ａ］次に、マスク基材５０の外表面に形成された耐ドライエッチング膜５１を除去（剥離）し、再度、図４（ｆ）および図５（ｆ）に示すように、マスク基材５０の外表面全体に耐ウエットエッチング膜５３を形成する。
この耐ドライエッチング膜５１の除去は、前記工程［２Ａ］で説明した、緩衝フッ酸溶液のような酸エッチング液を用いた酸ウェットエッチングにより行うことができる。
また、耐ウエットエッチング膜５３は、前記工程［１Ａ］で説明した耐ドライエッチング膜５１と同様にして形成することができる。
【００４０】
［８Ａ］次に、図４（ｇ）および図５（ｇ）に示すように、面５０ａと反対側の面５０ｂに形成された耐ウエットエッチング膜５３のうち、マスク基材５０の外周部を除く領域を除去してマスク基材５０の表面を露出させる。
このマスク基材５０の外周部を除く領域において、耐ウエットエッチング膜５３を除去する方法としては、フォトリソグラフィー技術等を用いて、この領域に対応する開口部を有するレジスト層を形成した後、前記工程［２Ａ］で説明した酸ウェットエッチングによりこの開口部で露出する耐ウエットエッチング膜５３を除去する方法を用いることができる。
【００４１】
［９Ａ］次に、図４（ｈ）および図５（ｈ）に示すように、耐ウエットエッチング膜５３から露出するマスク基材（シリコン）５０を、面５０ｂから所定の深さまで、マスク基材５０の厚さ方向に対して均一に取り除く。
これにより、開口部４２を形成する領域のうち補強梁４４を形成しない領域において、面５０ａ側から面５０ｂ側まで空間が形成されて、連通することとなる。
【００４２】
このシリコンの除去には、ウェットエッチング液としてＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等を用いる異方性ウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、シリコンを均一な速さでかつ面粗れ無く比較的短時間で一括して除去することができる。
【００４３】
なお、シリコンの除去は、このような異方性ウェットエッチングによって行うものに限らず、前述したような異方性ドライエッチングを用いて行うものであってもよい。
また、マスク基材５０を面５０ｂ側からシリコンを除去するのは、マスク４０の厚さを必要最小限に抑えるためであり、マスク基材５０の外周部を厚くするのは、マスク４０の強度を確保するためである。
【００４４】
［１０Ａ］次に、図４（ｉ）および図５（ｉ）に示すように、マスク基材５０の外表面に形成された耐ウエットエッチング膜５３を除去（剥離）する。
これにより、線状体のパターンに対応する開口部４２と、この開口部４２を横断する補強梁４４とを備えるマスク４０が形成される。
この耐ウエットエッチング膜５３の除去は、前記工程［２Ａ］で説明した、緩衝フッ酸溶液のようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより行うことができる。
【００４５】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明のマスクの第２実施形態について説明する。
図６は、本発明のマスクの第２実施形態を示す斜視図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」という。
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図６に示すマスク４０は、上側の面に金属層４７が設けられている以外は、前記第１実施形態のマスク４０と同様である。
【００４６】
本実施形態では、図６に示すように、上側の面に、すなわち、基板にマスク４０を装着する際に、マスク本体４１の基板と接触させる側の面に、金属層４７が設けられている。その結果、マスク４０を基板に装着する際に、マスク４０と基板との間に磁界を付与することにより、マスク４０の基板への密着性の向上を図ることができる。これにより、マスク本体４１（特に、隔壁部４３）の自重により、マスク４０と基板との間に空間（隙間）が形成されるようになるのを確実に防止することができる。
【００４７】
また、金属層４７の構成材料（金属材料）としては、特に限定されないが、例えば、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、基板にマスク４０を密着性よく装着（付着）させることができるとともに、後述する無電解メッキ法により、比較的容易に均一な膜厚の金属層を形成することができる。
【００４８】
金属層４７の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
このような本実施形態のマスク４０は、前記第１実施形態のマスク４０に対し、マスク本体４１上に金属層４７を形成することにより得ることができる。
金属層４７を形成する方法としては、各種方法を用いることができ、例えば、無電解メッキ法、電解メッキ法、真空蒸着法およびスパッタ等が挙げられるが、これらの中でも、無電解メッキ法を用いるのが好ましい。無電解メッキ法によれば、均一な膜厚の金属層４７をマスク本体４１上に比較的容易に形成することができる。
【００４９】
以下、金属層４７を形成する方法として、無電解メッキ法を一例に説明する。
［１Ｂ］まず、第１実施形態で得られたマスク４０を用意し、このマスク４０の外表面全体に耐無電解メッキ材料で構成された耐無電解メッキ膜を形成する。
この耐無電解メッキ膜は、前記工程［１Ａ］で説明した、耐ドライエッチング膜５１の形成方法と同様にして形成することができる。耐無電解メッキ膜を形成することにより、後工程［３Ｂ］において、マスク４０を無電解メッキ液中に浸漬する際に、マスク４０の構成材料であるシリコンが無電解メッキ液中に溶解するのを確実に防止することができる。
【００５０】
［２Ｂ］次に、形成されたマスク４０を基板に装着した際に、基板と接触する側の面、すなわち、図４および図５で説明した面５０ａ側に、下地層を形成する。
この下地層の構成材料としては、形成する金属層４７の構成材料の種類等に応じて適宜選択され、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
またこの下地層は、上述したような構成材料を主材料とする単層体であってもよいし、積層体であってもよい。
具体的には、金属層４７が主としてＣｏで構成される場合、下地層としては、面５０ａ側からＣｒ層とＡｕ層とがこの順で積層された積層体が好適である。
【００５１】
［３Ｂ］次に、主として金属塩と還元剤とにより構成されるメッキ液中にマスク４０を浸漬することにより、下地層上、すなわち面５０ａ側に、金属元素を析出させることにより金属層４７を形成する。
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
還元剤としては、例えば、次亜燐酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム、ヒドラジン等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜燐酸ナトリウムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、金属層４７の成膜速度が適正なものとなり、金属層４７の膜厚を比較的容易に制御できるようになる。
【００５２】
メッキ液における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｍｏｌ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、金属層４７を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
【００５３】
また、メッキ液における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、０．０５〜２．０ｍｏｌ／Ｌ程度であるのが好ましく、０．５〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度であるのがより好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
このようなメッキ液には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下を効果的に防止することができる。
【００５４】
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
【００５５】
また、メッキ液のｐＨは、８．０〜１３．０程度であるのが好ましく、９．５〜１０．５程度であるのがより好ましい。
さらに、メッキ液の温度は、７０〜９５℃程度であるのが好ましく、８０〜８５℃程度であるのがより好ましい。
メッキ液のｐＨ、温度を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚の金属層４７を高い精度で形成することができる。
【００５６】
＜成膜方法＞
次に、本発明のマスクを用いて、基板の表面に、線状体を気相成膜法で形成する成膜方法について説明する。
図７は、本発明のマスクを用いて線状体を気相成膜法で形成する成膜方法を示す図である。
なお、基板６０の表面に、線状体６１を形成する際に用いられる気相成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相成膜（ＰＶＤ）法やＣＶＤ法等の化学的気相成膜（ＣＶＤ）法が挙げられるが、以下では、真空蒸着法を用いて線状体６１を形成する場合を一例として説明する。
【００５７】
図７に示す真空蒸着装置６００は、チャンバ（真空チャンバ）６０１と、このチャンバ６０１内に設置され、基板６０を保持する基板ホルダー６０２と、チャンバ６０１内に設置され、線状体６１を構成する膜材料６２を気化させることにより基板６０に供給するルツボ（膜材料供給源）６０３とを有している。
また、チャンバ６０１には、その内部の気体を排出して圧力を制御する排気ポンプ（減圧手段）６０４が接続されている。
【００５８】
基板ホルダー６０２は、チャンバ６０１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー６０２は、その端部において回転軸６０５に固定された状態で設置されており、回転軸６０５を中心軸として、基板ホルダー６０２は、回転（回動）可能となっている。
また、基板ホルダー６０２と対向する位置、すなわち、チャンバ６０１の底部には、ルツボ６０３が設置されている。
【００５９】
また、このルツボ６０３は、加熱手段（図示せず）を備えており、これにより、ルツボ６０３内に保持（収納）された膜材料６２が加熱、気化（蒸発または昇華）する。
なお、加熱手段による加熱方式は、特に限定されず、例えば、抵抗加熱、電子ビーム加熱等いずれでもよい。
膜材料６２としては、形成する線状体６１の種類に応じて適宜選択され、特に限定されるものではないが、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｇのような金属材料、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３のような金属酸化物材料および銅フタロシアニン、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）のような金属錯体等が挙げられる。
【００６０】
このような構成の真空蒸着装置６００を用いて、以下のようにして線状体６１が形成（成膜）される。
［１Ｃ］まず、マスク４０の一方の面を基板６０側に向けて、マスク４０を基板６０に装着する。この際、補強梁４４が、マスク４０の他方の面側に位置するように装着する。すなわち、マスク４０の面５０ａが基板６０と接触するようにする。
そして、マスク４０が装着された基板６０を、チャンバ６０１内に搬入し、基板ホルダー６０２に、基板６０とルツボ６０３との間にマスク４０が介在するように設置（セット）する。すなわち、マスク４０とルツボ６０３とが対向するようにマスク４０が装着された基板６０を基板ホルダー６０２に設置する。
［２Ｃ］次に、排気ポンプ６０４を動作させ、チャンバ６０１内を減圧状態にする。
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−３Ｐａ程度であるのがより好ましい。
【００６１】
［３Ｃ］次に、回転軸６０５を回転させることにより基板６０を回転させる。
これにより、ルツボ６０３と基板ホルダー６０２に装着された基板６０（マスク４０）との距離が最大となる第１の位置と、前記距離が最小となる第２の位置とにマスク４０を連続的に変位（配置）させることができる。なお、この第１の位置に配置したマスク４０と第２の位置に配置したマスク４０とは、回転軸６０５（基板６０の回転中心）を中心とした点対称な関係となっている。
また、回転軸６０５の回転数は、１〜５０回転／分程度であるのが好ましく、１０〜２０回転／分程度であるのがより好ましい。これにより、次工程［４Ｃ］において、より均一な膜厚の線状体６１を形成することができる。
【００６２】
［４Ｃ］次に、基板６０を回転させた状態で、膜材料６２が保持されたルツボ６０３を加熱して、膜材料６２を気化（蒸発または昇華）させる。
そして、図７に示すように、気化した膜材料６２が、前記他方の面側からマスク４０の開口部４２を通過して、基板６０の表面に被着（到達）することにより線状体６１が形成される。
【００６３】
ここで、前述したように補強梁４４は、開口部４２の厚さ方向において、基板６０の他方の面側、すなわち、基板６０と反対側に位置するように設けられている。そのため、膜材料６２は、開口部４２を通過する際に、この補強梁４４を周り込むことができる。その結果、基板６０の開口部４２に対応する領域の全面に膜材料６２が被着することができ、断線のない線状体６１が形成される。
換言すれば、開口部４２を横断するように補強梁４４を設けたことによる影響を受けることなく成膜し得ることから、基板６０の表面に断線のない線状体６１を形成することができる。
【００６４】
また、図７に示すように、基板ホルダー６０２の回転軸（基板６０の回転中心の軸）６０５とルツボ６０３の中心軸との離間距離をＡ［ｃｍ］とし、マスク４０とルツボ６０３の開口部との離間距離をＢ［ｃｍ］とし、補強梁４４の開口部４２の長手方向に沿った方向の最大長さをｐ［μｍ］とし、基板６０と補強梁４４との離間距離をｒ［μｍ］としたとき、下記式１なる関係を満足するように設定するのが好ましい。
ｐ／ｒ＜２Ａ／Ｂ ……式１
【００６５】
かかる関係を満足させることにより、膜材料６２が補強梁４４をより確実に周り込むようになり断線のない線状体６１を基板６０の表面により確実に形成することができる。その結果、線状体６１として、例えば金属配線を形成した場合、形成される線状体６１が薄くなることに起因して、その抵抗値が増大したり、断線したりするのを確実に防止することができる。
ここで、前記式１なる関係を満足するように設定することにより、線状体６１を断線させることなく形成し得るのは、以下のような関係式から導き出すことができる。
【００６６】
前述したように、線状体６１を断線させることなく形成し得るのは、膜材料６２が補強梁４４を周り込むことに起因する。
この膜材料６２が補強梁４４を周り込む距離が最大となるのは、前記第１の位置に基板６０（マスク４０）が配置しているときであり、その周り込む距離が最小となるのは、前記第２の位置に基板６０（マスク４０）が配置しているときである。
【００６７】
そのため、基板６０が第１の位置に配位しているときに補強梁４４を膜材料６２が周り込む距離をｓ［μｍ］とし、基板６０が第２の位置に配位しているときに補強梁４４を膜材料６２が周り込む距離をｔ［μｍ］としたとき、これらの距離の合計（ｓ＋ｔ）が、補強梁４４の開口部４２の長手方向に沿った方向の最大長さをｐよりも大きくなるように設定することにより、線状体６１を断線させることなく形成することができる。
すなわち、下記式２なる関係を満足することにより、線状体６１を断線させることなく形成することができる。なお、図７に示す拡大図では、図示の都合上、ｐ＞ｓ＋ｔとなり、線状体６１が断線している場合を例示している。
ｐ＜ｓ＋ｔ ……式２
【００６８】
したがって、膜材料６２が補強梁４４を周り込む距離がｔとなるときにおける膜材料６２のルツボ６０３の中心軸に対する入射角度をαとし、膜材料６２が補強梁４４を周り込む距離がｓとなるときにおける膜材料６２のルツボ６０３の中心軸に対する入射角度をβとしたとき、下記式３の関係が成立つことから、この下記式３を前記式２に代入すると、下記式４となる。
【００６９】
ｔ＝ｔ・ｔａｎα、ｓ＝ｒ・ｔａｎβ ……式３
ｐ＜ｒ・（ｔａｎα＋ｔａｎβ） ……式４
さらに、下記式５なる関係が成立つことから、この下記式５を前記式４に代入することにより、前記式１なる関係を導き出すことができる。
ｔａｎα＝（Ａ−Ｘ）／Ｂ、ｔａｎβ＝（Ａ＋Ｘ）／Ｂ ……式５
【００７０】
以上説明したように、式１なる関係を満足する場合、基板６０（マスク４０）を前記第１の位置と、前記第２の位置との間で少なくとも１回変位させることにより、線状体６１を断線させることなく形成することができる。そのため、基板６０の回転は、本実施形態で説明したように、連続的に行う場合に限定されず、例えば、基板６０を前記第１の位置と前記第２の位置との間の変位を間歇的に行うようにしてもよい。
【００７１】
なお、図２に示したように、マスク４０が開口部４２に拡幅部４５を備え、この拡幅部４５に補強梁４４が設けられたような構成である場合には、本実施形態で説明したように、基板６０を連続的に回転させるのが好ましい。これにより、膜材料６２が開口部４２を通過する際に、拡幅部４５側から補強梁４４を周り込むようになり、断線のない線状体６１を確実に形成することができる。
また、このマスク４０は、線状体６１を形成する際に、その基板６０と反対側の面に積層した膜材料を除去（剥離）することにより、繰り返して使用（再利用）することができる。このようにマスク４０を再利用することにより、線状体６１を形成（成膜）する際のコストの削減を図ることができる。
【００７２】
＜発光装置＞
次に、本発明の成膜方法により形成された線状体を備える本発明の発光装置として、パッシブマトリクス型表示装置を一例に説明する。
図８および図９は、本発明の発光装置を適用したパッシブマトリクス型表示装置の一例を示す図であり、図８は縦断面図、図９は斜視図である。なお、説明の都合上、図８では、制御回路の記載を、図９では、透明基板２、正孔輸送層４、電子輸送層６および封止部材８の記載をそれぞれ省略している。また、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００７３】
図８および図９に示すパッシブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」という。）１０は、透明基板２と、この透明基板２上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、透明基板２に対向して各有機ＥＬ素子１を封止するように設けられた封止部材８とを有している。
また、表示装置１０は、有機ＥＬ素子１が備える陽極３および陰極７のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御手段３１および制御手段７１とをそれぞれ有している。
【００７４】
透明基板２は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、この透明基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、透明基板２に透明性が要求される。
このような透明基板２には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００７５】
透明基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．２〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この透明基板２上に、一対の電極（陽極３および陰極７）と、これらの電極間に陽極３側から順次設けられた、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６とを備える有機ＥＬ素子（発光素子）１が複数設けられている。
【００７６】
本実施形態では、各陽極３および各陰極７は、それぞれ、直線状（帯状）に設けられ、これらの電極同士がマトリクス状に交差するように対向して配置されている。そして、各陽極３は制御手段３１と、各陰極７は制御手段７１とに配線により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の正孔輸送層４および電子輸送層６は、一体的に形成されており、発光層５は、陽極３と陰極７とが交差する交差領域に対応するようにそれぞれ個別に設けられている。
【００７７】
なお、有機ＥＬ素子１をかかる構成とすることにより、制御手段３１および制御手段７１により各陽極３および各陰極７のＯＮ／ＯＦＦを独立して制御でき、所望の位置の交差領域に電圧を印加することができる。そのため、交差領域に対応するように設けられた個別の発光層５を独立して発光させることができる。すなわち、各有機ＥＬ素子１を独立して発光させることができる。
また、このような有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０は、単色発光のモノカラー表示のものであってもよく、個別に設けられる発光層５の構成材料（発光材料）を選択することにより、カラー表示のものとすることも可能である。
【００７８】
以下、有機ＥＬ素子１を構成する各部について説明する。
陽極３は、正孔輸送層４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、表示装置１０が陽極３側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有し、仕事関数の大きい導電性材料が好適に選択される。
【００７９】
このような陽極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００８０】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
このような陽極３は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陽極３側から取り出すことができる。
【００８１】
一方、陰極７は、電子輸送層６に電子を注入する電極である。
陰極７の構成材料（陰極材料）としては、導電性に優れ、仕事関数の小さい材料が好適に選択される。
このような陰極材料としては、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極７の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
陰極７の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００８２】
陽極３と陰極７との間には、前述したように、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６とが陽極３側からこの順で積層するように設けられている。
正孔輸送層４は、陽極３から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
正孔輸送層４の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００８３】
電子輸送層６は、陰極７から注入された電子を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層６の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００８４】
陽極３と陰極７との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４中を正孔が、また、電子輸送層６中を電子が移動し、発光層５において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層５では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００８５】
この発光層５の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極７側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
具体的には、発光材料としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。
なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、積層体であってもよい。
【００８６】
発光層５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、陽極３と陰極７との間には、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６以外に、任意の目的の層が設けられていてもよい。
例えば、陽極３と正孔輸送層４との間に、陽極３から正孔輸送層４への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよいし、陰極７と電子輸送層６との間に、陰極７から電子輸送層６への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
【００８７】
正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ‐フェニル‐３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、および、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）や、ＬｉＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌのようなアルカリ金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００８８】
また、透明基板２と対向するように封止部材８が設けられている。この封止部材８は、凹部８１を備え、この凹部８１１内に上述したような構成の各有機ＥＬ素子１が収納されている。
この封止部材８は、有機ＥＬ素子１が備える各層３、４、５、６、７を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材８を設けることにより、表示装置１０の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
封止部材８の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス等が挙げられる。
【００８９】
また、封止部材８と透明基板２とは、透明基板２の縁部において、接着層（図示せず）を介して接合されている。
この接着層の構成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルエポキシ系樹脂のような硬化性樹脂等が挙げられる。
なお、有機ＥＬ素子１が備える各層３、４、５、６、７を気密的に封止する方法としては、上述したような封止部材８を設ける方法の他、透明基板２上で露出する各層（本実施形態では、正孔輸送層６および陰極７）に保護層を接触させて形成する方法を用いることもできる。保護層を形成する方法を用いることにより、発光装置１０のさらなる薄型化を実現することができる。
このような保護層の構成材料としては、例えば、窒化酸化シリコン、二酸化シリコンおよび各種樹脂材料等を用いることができる。
【００９０】
このような表示装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１Ｄ］まず、透明基板２を用意する。
［２Ｄ］次に、透明基板２上に、複数の陽極３を直線状に形成する。
この陽極３は、透明基板２上に、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより得ることができる。
【００９１】
［３Ｄ］次に、各陽極３および各陽極３同士の間で露出する透明基板２上に、正孔輸送層４を形成する。
この正孔輸送層４は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等により形成することができるが、これらの中でも、気相プロセスにより形成するのが好ましい。気相プロセスを用いて正孔輸送層４を形成することにより、得られる正孔輸送層４に水分等が混入するのを確実に防止または低減することができる。その結果、有機ＥＬ素子１の特性の経時的劣化が確実に防止または抑制される。
【００９２】
［４Ｄ］次に、陽極３と次工程［６Ｄ］で形成する陰極７とが交差する領域に対応するように、正孔輸送層４上にマトリクス状に複数の発光層５を形成する。
この発光層５も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、気相プロセスにより形成するのが好ましい。
また、発光層５のパターニングは、形成する発光層５の形状に対応する開口部を備えるマスク、すなわち、マトリクス状に開口部が設けられたマスクを、陽極３および正孔輸送層４を備える透明基板２に装着した状態で気相プロセスを施すことにより容易に行うことができる。
また、かかる方法を用いて発光層５のパターンニングを行うことにより、フォトリソグラフィー法等を用いる場合のように、各層３、４、５が水系溶媒等に晒されることがないため、これらの層３、４、５の変質・劣化を確実に防止することができる。
［５Ｄ］次に、各発光層５および各発光層５同士の間で露出する正孔輸送層４上に、電子輸送層６を形成する。
この電子輸送層６も、気相プロセスや液相プロセスにより形成し得るが、前述したのと同様の理由から、気相プロセスにより形成するのが好ましい。
【００９３】
［６Ｄ］次に、陽極３と交差し、かつ、この陽極３と交差する領域が、発光層５が設けられている領域と対応するように、電子輸送層６上に複数の陰極７を直線状に形成する。
この陰極７の形成に、上述した本発明の成膜方法が適用される。これにより、撓みや歪みの発生が確実に阻止された陰極７を形成することができる。
また、本発明の成膜方法を用いて陰極７を形成することにより、複数の細幅の陰極７を１回の気相成膜法で一括して形成し得ることから、気相成膜法を施す回数すなわち製造工程を削減することができ、さらには製造コストの削減を図ることができる。また、マスク位置決めマーク４６を用いたマスク４０の位置決めも１回行うだけでよいことから、形成される陰極７の位置決め（アライメント）の精度の向上を図ることができる。
【００９４】
なお、本実施形態のように、電子輸送層６のような有機層上に、陰極７のような金属配線（線状体）を形成する場合には、本発明の成膜方法に用いる気相成膜法として、真空蒸着法を用いるのが好ましい。真空蒸着法によれば、金属配線の構成材料（膜材料）を、比較的遅い速度で有機層上に被着（到達）させることができ、膜材料が被着する際に有機層が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。なお、金属層を形成する時間の短縮を図る場合には、真空蒸着法で有機層と接触する領域に下層を形成し、スパッタリング法等でこの下層上に上層を形成するようにすればよい。
【００９５】
また、マスク４０を、各層３、４、５、６を備える透明基板２に装着する際には、マスク４０が備える補強梁４４が、先に形成された陽極３に対応しないように位置決めするのが好ましい。これにより、形成される陰極（線状体）７の補強梁４４に対応する位置にその膜厚が薄くなっている薄膜部がたとえ形成されたとしても、この薄膜部が陽極３と交差する位置に形成されるのを確実に防止することができる。これにより、薄膜部における抵抗値が増大することに起因して、陰極７が発熱したとしても、この発熱により各層３、４、５、６が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
【００９６】
なお、本発明の成膜方法のように、陰極７の形成にマスク（シャドーマスク）を用いた気相成膜法を選択することにより、陰極７を形成するのに先立って設置される、透明基板２上への陰極７の形状を規制する隔壁部の形成を省略することができる。これにより、製造工程の削減を図ることができるとともに、発光装置１０の薄型化を実現することができる。
以上のようにして、透明基板２上に複数の有機ＥＬ素子１が形成される。
【００９７】
［７Ｄ］ 次に、凹部８１が設けられた封止部材８を用意する。
そして、凹部８１内に各有機ＥＬ素子１が収納されるように、封止部材８を透明基板２に対向させた状態で、透明基板２と封止部材８とを透明基板２の縁部において接着層を介して接合する。
これにより、各有機ＥＬ素子１が封止部材８により封止され、表示装置１０が完成される。
【００９８】
＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００９９】
図１１は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１００】
図１２は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１０２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１０３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１０４】
なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１１の携帯電話機、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１０５】
以上、本発明のマスク、成膜方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
また、本発明の成膜方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。
さらに、本発明の成膜方法は、上述したパッシブマトリクス型表示装置が備える陰極に適用できる他、例えば、配線基板が備える金属配線等に適用することができる。
【実施例】
【０１０６】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．マスクの形成
まず、以下に示すようにしてマスク（Ａ）およびマスク（Ｂ）を用意した。
＜マスク（Ａ）＞
＜１Ａ＞まず、厚さ０．４００ｍｍのシリコン単結晶基板を用意し、このシリコン単結晶基板を１０５０℃の水蒸気中に放置して、この基板の外表面に１μｍの二酸化シリコン膜を形成した。
＜２Ａ＞次に、図４（ａ）および図５（ａ）に示したように、フォトリソグラフィー技術を用いて、形成すべき開口部の形状に対応するレジスト層を形成した後、このレジスト層の開口部に存在する二酸化シリコン膜を、緩衝フッ酸溶液を用いて、除去してシリコン単結晶基板の表面を露出させた。
【０１０７】
＜３Ａ＞次に、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示したように、フォトリソグラフィー技術を用いて、開口部を形成する領域のうち、補強梁を形成する領域にレジスト層を形成した。
＜４Ａ＞次に、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示したように、ドライエッチング装置「Ｄｅｅｐ−Ｓｉ−ＲＩＥ」を用いて、開口部を形成する領域のうち、補強梁を形成しない領域のシリコン単結晶基板を所定の深さまで均一に除去した。
【０１０８】
＜５Ａ＞次に、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示したように、酸素プラズマによる大気圧下でのアッシングにより、レジスト層を除去して、開口部を形成する領域において、シリコン単結晶基板の表面を露出させた。
＜６Ａ＞次に、前記工程＜４Ａ＞と同様にして、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示したように、ドライエッチング装置を用いて、開口部を形成する領域のシリコン単結晶基板を、さらに所定の深さ分だけ均一に除去した。
【０１０９】
＜７Ａ＞次に、シリコン単結晶基板の外表面に形成された二酸化シリコン膜を、緩衝フッ酸溶液を用いて除去し、再度、図４（ｆ）および図５（ｆ）に示したように、前記工程＜１Ａ＞と同様にして、シリコン単結晶基板の外表面全体に二酸化シリコン膜を形成した。
＜８Ａ＞次に、図４（ｇ）および図５（ｇ）に示したように、前記工程＜２Ａ＞と同様にして、シリコン単結晶基板の前記工程＜２Ａ＞〜＜６Ａ＞の処理が施された面と反対側の面に形成された二酸化シリコン膜のうち、シリコン単結晶基板の外周部を除く領域を除去してシリコン単結晶基板の表面を露出させた。
【０１１０】
＜９Ａ＞次に、図４（ｈ）および図５（ｈ）に示したように、二酸化シリコン膜から露出するシリコン単結晶基板を、ＫＯＨをエッチング液として用いたウェットエッチングにより、シリコン単結晶基板の厚さ方向に対して所定の深さまで均一に取り除いた。
＜１０Ａ＞次に、図４（ｉ）および図５（ｉ）に示したように、緩衝フッ酸溶液により、シリコン単結晶基板の外表面に形成された二酸化シリコン膜を除去した。
以上のような工程を経て、開口部（長さ４０ｍｍ、幅１００μｍ）と、補強梁の幅ｐが５０μｍ、基板を装着する側の面から補強梁までの距離ｒが１００μｍとなっている補強梁とを備えるマスク（Ａ）を形成した。
【０１１１】
＜マスク（Ｂ）＞
前記工程＜３Ａ＞〜＜５Ａ＞を省略した以外は、前記マスク（Ａ）の形成工程と同様にして、補強梁の形成が省略されたマスク（Ｂ）を形成した。
【０１１２】
２．線状体の形成および評価
（実施例１）
＜１Ｂ＞まず、マスク（Ａ）を石英ガラス基板に装着した後、このマスク（Ａ）が装着された石英ガラス基板をチャンバ内の基板ホルダーにセットした。
そして、ルツボ内に膜材料としてＡｌをセットした。
この時、基板ホルダーの回転中止の軸とルツボの中心軸との離間距離Ａが１０．０ｃｍ、マスク（Ａ）とルツボの開口部との離間距離Ｂが２０．０ｃｍとなるように設定した。
【０１１３】
＜２Ｂ＞次に、排気ポンプを動作させて、チャンバ内の圧力を１×１０−３Ｐａに設定した。
＜３Ｂ＞次に、基板ホルダーが備える回転軸を回転させることにより石英ガラス基板（マスク（Ａ））を１０回転／分の回転数で回転させた。
＜４Ｂ＞次に、石英ガラス基板を回転させた状態で、ルツボを１２００℃にまで加熱して、Ａｌを気化させることにより、石英ガラス基板上にＡｌを主材料とする平均膜厚１５０ｎｍの線状体を形成した。
【０１１４】
（実施例２）
前記工程＜１Ｂ＞において、基板ホルダーの回転中止の軸とルツボの中心軸との離間距離Ａが６．５ｃｍ、マスク（Ａ）とルツボの開口部との離間距離Ｂが１０．０ｃｍとなるように設定した以外は、前記実施例１と同様にして、石英ガラス基板上に線状体を形成した。
【０１１５】
（比較例）
前記工程＜１Ｂ＞において、マスク（Ａ）に代えてマスク（Ｂ）を石英ガラス基板に装着した以外は、前記実施例１と同様にして、前記実施例１と同様にして、石英ガラス基板上に線状体を形成した。
各実施例および比較例において形成された線状体について、それぞれ、その形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した。
その結果、各実施例では、ほぼ均一な膜厚に線状体が形成されていた。これに対して、比較例では、線状体の形状に歪みが生じており、不均一な膜厚の線状体が形成されていた。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明のマスクの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】開口部の他の構成を示す平面図である。
【図３】補強梁の他の構成を示す縦断面図である。
【図４】図１に示すマスクの形成方法を示す縦断面図である。
【図５】図１に示すマスクの形成方法を示す縦断面図である。
【図６】本発明のマスクの第２実施形態を示す斜視図である。
【図７】本発明のマスクを用いて線状体を気相成膜法で形成する成膜方法を示す図である。
【図８】本発明の発光装置を適用したパッシブマトリクス型表示装置の一例を示す縦断面図である。
【図９】本発明の発光装置を適用したパッシブマトリクス型表示装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１７】
３１、７１……制御手段 ４０……マスク ４１……マスク本体 ４２……開口部 ４３……隔壁部 ４４……補強梁 ４５……拡幅部 ４６……マスク位置決めマーク ４７……金属層 ５０……マスク基材 ５０ａ、５０ｂ……面 ５１……耐ドライエッチング膜 ５２……レジスト層 ５３……耐ウエットエッチング膜 ６０……基板 ６１……線状体 ６２……膜材料 ６００……真空蒸着装置 ６０１……チャンバ ６０２……基板ホルダー ６０３……ルツボ ６０４……排気ポンプ ６０５……回転軸 １……有機ＥＬ素子 ２……透明基板 ３……陽極 ４……正孔輸送層 ５……発光層 ６……電子輸送層 ７……陰極 ８……封止部材 ８１……凹部 １０……表示装置 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、成膜方法、発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物（発光材料）を含む発光層を有する有機半導体層を挟んだ構成となっており、この発光層に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ2程度の高輝度の面発光が可能であること、また、発光材料の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る表示装置（発光装置）が備える素子として注目を集めている。
【０００３】
このような発光装置して、例えば、特許文献１に示されているような、パッシブマトリクス型の発光装置が提案されている。このパッシブマトリクス型の発光装置では、複数の直線状の陽極と陰極とが互いにマトリクス状に交差するように対向するように設けられ、これらの電極同士が交差する位置に対応するように、電極同士の間に、それぞれ、有機半導体層が個別に設けられた構成となっている。そして、互いに交差する電極間のＯＮ／ＯＦＦをそれぞれ制御することにより、個別に設けられた有機半導体層を独立して発光させることによりフルカラー表示を実現している。
ここで、このような発光装置では、一般的に、基板上に陽極、有機半導体層および陰極とがこの順で積層された構成となっているが、直線状の陰極は、この陰極を形成するのに先立って基板上に設けられた絶縁性の隔壁部で規制することにより形成される。
【０００４】
ところが、この隔壁部は、主として感光性樹脂材料で構成され、この隔壁部を形成する際に用いられるフォトリソグラフィー法等により、水分等を含んだ状態で形成される。そのため、この水等により有機半導体層が経時的に変質・劣化して、有機ＥＬ素子の発光効率等の特性が低下するという問題がある。
このような問題を解決する方法として、前述したような隔壁部の形成を省略して、直線状の陰極の形状に対応した開口部を有するシャドーマスク（以下、単に「マスク」という。）を用いて、真空蒸着法のような気相成膜法により陰極を形成する方法がある。
【０００５】
ところが、陰極の形状に対応した開口部を備えるマスクを形成すると、マスクの基材の剛性が低下することに起因して、開口部に撓みや歪みが生じることとなる。そのため、このようなマスクを用いて形成された陰極は、その形状が開口部と同様に、撓みや歪みを有するものとなる。その結果、発光装置が備える各有機ＥＬ素子の発光効率等の特性に、バラツキが生じているのが実情である。
このような問題は、例えば、ほぼ平行に併設される複数の細幅の金属配線を、気相成膜法を用いて一括して形成する場合においても同様に生じている。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、例えば、陰極のような線状体を優れた寸法精度で形成することができる気相成膜法で用いられるマスク、かかるマスクを用いて線状体を形成する成膜方法、かかる成膜方法により形成された線状体を備える特性の高い発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のマスクは、基板に一方の面側を固定し、他方の面側より膜材料を気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の細幅の線状体を、前記基板の表面に形成するのに用いられるマスクであって、
前記線状体のパターンに対応する複数の開口部を有するマスク本体と、前記開口部を横断するように設けられ、自重による前記マスク本体の変形を防止する機能を有する補強梁とを備え、
前記補強梁は、前記開口部の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられていることを特徴とする。
これにより、例えば、陰極のような線状体を優れた寸法精度で形成することができる気相成膜法で用いられるマスクとすることができる。
【０００９】
本発明のマスクでは、前記マスク本体と前記補強梁とは、一体的に形成されていることが好ましい。
これにより、マスク本体と補強梁とを一括して形成することができるとともに、寸法精度に優れたマスクを形成することができる。すなわち、マスクを形成する際の製造工程の削減を図るとともに、寸法精度に優れたマスクを確実に得ることができる。
本発明のマスクは、主としてシリコンで構成されていることが好ましい。
これにより、マスクを比較的容易に形成することができる。
【００１０】
本発明のマスクでは、前記一方の面には、金属層が形成されていることが好ましい。
かかる構成のマスクとすれば、マスクを基板に装着する際に、マスクと基板との間に磁界を付与することにより、マスクの基板への密着性の向上を図ることができる。これにより、マスク本体の自重により、マスクと基板との間に空間（隙間）が形成されるようになるのを確実に防止することができる。
【００１１】
本発明のマスクでは、前記金属層は、無電解メッキ法を用いて形成されたものであることが好ましい。
無電解メッキ法によれば、均一な膜厚の金属層をマスク本体上に比較的容易に形成することができる。
本発明のマスクでは、前記金属層は、コバルト、鉄およびニッケルのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
かかる材料で金属層を構成することにより、基板にマスクを密着性よく装着（付着）させることができる。また、無電解メッキ法により、比較的容易に均一な膜厚の金属層を形成することができる。
【００１２】
本発明のマスクでは、前記補強梁は、前記開口部の長手方向に沿って、ほぼ等しい間隔で複数設けられていることが好ましい。
これにより、隔壁部の強度がその長手方向に沿って均一な大きさで増大することから、隔壁部の各部において撓みや歪みが生じるのを確実に防止することができる。
本発明のマスクでは、前記開口部は、その長手方向の途中に、幅が増大した拡幅部を有し、
該拡幅部に前記補強梁が設けられていることが好ましい。
これにより、形成される線状体において、断線が生じるのが確実に防止されるとともに、その膜厚の均一化を図ることができる。
【００１３】
本発明のマスクでは、前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かってほぼ一定となっていることが好ましい。
これにより、形成される線状体において、断線が生じるのが防止される。
本発明のマスクでは、前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かって漸増する部分を有することが好ましい。
これにより、形成される線状体において、断線が生じるのが確実に防止されるとともに、その膜厚の均一化を図ることができる。
【００１４】
本発明の成膜方法は、前記膜材料を供給する膜材料供給源に対向し、回転可能に設けられた基板ホルダーに保持された前記基板に本発明のマスクを装着する工程と、
前記膜材料供給源と前記基板との距離とが最大となる第１の位置と、前記第１の位置に対して、前記基板ホルダーの回転中心を中心とした点対称な第２の位置の間で、前記基板を少なくとも１回変位させて、前記膜材料供給源から供給された前記膜材料を、前記開口部を通過させて前記線状体を形成する工程とを有する成膜方法であって、
前記基板ホルダーの回転中心の軸と前記膜材料供給源の中心軸との離間距離をＡ［ｃｍ］とし、前記マスクと前記膜材料供給源の開口部との離間距離をＢ［ｃｍ］とし、前記補強梁の前記開口部の長手方向に沿った方向の最大長さをｐ［μｍ］とし、前記基板と前記補強梁との離間距離をｒ［μｍ］としたとき、ｐ／ｒ＜２Ａ／Ｂなる関係を満足するように設定したことを特徴とする。
かかる関係を満足することにより、膜材料が補強梁をより確実に周り込むようになり断線のない線状体を基板の表面により確実に形成することができる。
【００１５】
本発明の成膜方法では、前記基板の前記第１の位置と前記第２の位置との間での変位は、前記基板ホルダーを回転させることにより行われることが好ましい。
これにより、第１の位置と第２の位置との間を、少なくとも１回変位させて、断線のない線状体を基板の表面により確実に形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記基板の回転は、連続的または間歇的に行われることが好ましい。
これにより、第１の位置と第２の位置との間を、少なくとも１回変位させて、断線のない線状体を基板の表面により確実に形成することができる。
【００１６】
本発明の発光装置は、本発明の成膜方法を用いて形成された線状体を備えることを特徴とする。
これにより、断線のない線状体を備える発光装置とすることができる。
本発明の発光装置では、前記線状体は、陰極であることが好ましい。
これにより、断線のない陰極を備える発光装置とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のマスク、成膜方法、発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜マスク＞
まず、本発明のマスクについて説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明のマスクの第１実施形態について説明する。
図１は、本発明のマスクの第１実施形態を示す斜視図であり、図２は、開口部の他の構成を示す平面図であり、図３は、補強梁の他の構成を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１および図３中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００１８】
本発明のマスクは、基板に一方の面側を固定し、他方の面側より、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法およびイオンプレーティング法等の物理的気相成膜（ＰＶＤ）法や、化学的気相成膜（ＣＶＤ）法のような気相成膜法を用いた気相プロセスにより膜材料を供給して、ほぼ平行に併設される複数の細幅の線状体（以下、単に「線状体」という。）を前記基板の表面に形成する際に用いられるものである。
【００１９】
このようなマスク４０は、マスク本体４１と、補強梁４４とで構成されている。
マスク本体４１には、図１に示すように、形成すべき線状体のパターン（形状）に対応する複数の開口部４２が設けられている。
本実施形態では、各開口部４２は、平面視で細幅な直線状をなし、互いにほぼ平行、かつ、ほぼ一定間隔で設けられている。これにより、各開口部４２同士は、薄板状の隔壁部４３により区画されている。
【００２０】
ここで、本発明のマスクでは、開口部４２を横断するように補強梁４４が設けられている。そのため、マスク４０を基板に装着した際に、その自重により薄板状に形成された隔壁部４３（マスク本体４１）に撓みや歪みが生じること、すなわち、隔壁部４３の形状に変形が生じることが防止される。その結果、開口部４２の変形をも防止できることから、このマスク４０を用いることにより、寸法精度の高い線状体が形成されることとなる。
さらに、本発明のマスクでは、この補強梁４４は、その厚さが開口部４２の高さに対して小さくなっており、このマスク４０の一方の面側を前記基板に固定した際に、マスク４０の他方の面側に偏在（位置）するように設けたことに特徴を有する。すなわち、補強梁４４と前記基板との間に空間を設けたことに特徴を有する。
【００２１】
補強梁４４をかかる構成とする（開口部４２に設ける）ことにより、マスク４０を用いて基板上に線状体を形成する際に、形成される線状体が断線することなく連続的に形成することができる。
すなわち、基板の線状体を形成する面から補強梁４４を離間させることにより、気相成膜法で線状体を形成する際に用いられる膜材料が、他方の面側から開口部４２を通過して前記面に被着する際に、補強梁４４の周囲から斜め方向に入射して周り込むことができる。そのため、線状体を断線させることなく連続的に形成することができる。なお、この線状体の成膜方法（成膜条件等）については、後に詳述する。
【００２２】
ところで、補強梁４４の数および設置位置等は、隔壁部４３の強度等に応じて隔壁部４３の変形が防止されるように任意に設定するようにすればよいが、本実施形態のように、複数（２つ以上）の補強梁４４を設ける場合には、補強梁４４は、開口部４２の長手方向に沿って、ほぼ等しい間隔で設けられているのが好ましい。これにより、隔壁部４３の強度がその長手方向に沿って均一な大きさで増大することから、隔壁部４３の各部において撓みや歪みが生じるのを確実に防止することができる。
【００２３】
また、本実施形態では、マスク本体４１と補強梁４４とは一体的に形成されている。かかる構成とすることにより、後述するマスクの形成方法により、マスク本体４１と補強梁４４とを一括して形成することができるとともに、寸法精度に優れたマスク４０を形成することができる。すなわち、マスク４０を形成する際の製造工程の削減を図るとともに、寸法精度に優れたマスク４０を確実に得ることができる。
なお、開口部４２は、本実施形態で説明したように、開口部４２の長手方向に沿ってその幅が一定となっているものの他、例えば、図２に示すように、開口部４２の長手方向の途中に、幅が増大した拡幅部４５を有し、この拡幅部４５に補強梁４４が設けられている構成のものであってもよい。
【００２４】
開口部４２をかかる構成とすることにより、前記基板の表面の補強梁４４に対応する領域に確実に膜材料を供給する（被着させる）ことができる。すなわち、補強部４４と前記基板との離間距離によっては、前記領域における線状体の膜厚が薄くなる恐れが有るが、補強梁４４の位置に対応して拡幅部４５を設けることにより、この拡幅部４５からの膜材料の周り込みを生じさせることができる。その結果、補強梁４４が設けられていることによる障害を相殺して、確実に前記領域に膜材料を供給することができる。これにより、形成される線状体において、断線が生じるのを確実に防止できるとともに、その膜厚の均一化を図ることができる。
【００２５】
さらに、補強梁４４は、本実施形態で説明したように、その幅（開口部４２の長手方向に沿った補強梁４４の長さ）がほぼ一定となっているものの他、例えば、図３に示すように、その幅が前記一方の面側から前記他方の面側に向かって漸増している半円状のものであってもよい。すなわち、前記幅が、前記一方の面側から前記他方の面側に向かって、漸増する部分を有しているものであってもよい。補強梁４４をかかる構成のもの、すなわち、テーパー面を有するものとすることにより、補強梁４４の周囲から斜め方向に入射した膜材料のうち、補強梁４４に付着する膜材料の量を減少させることができる。その結果、補強梁４４をかかる構成のものとすることによっても、前述したような効果を確実に得ることができる。なお、このような補強梁４４の形状としては、開口部４２の長手方向に沿った縦断面が、図３に示したような半円状のものであってもよいし、台形状、三角形状、六角形状または円状のものであってもよい。
【００２６】
以上のような開口部４２および補強梁４４の構成は、任意の２以上のものと組み合わせることができる。これにより、前述したような効果を相乗的に得ることができる。
また、本実施形態では、マスク本体４１の外周部に、マスク４０の使用時におけるマスク４０の位置決めのためのマスク位置決めマーク４６が形成されている。このマスク位置決めマーク４６は、結晶異方性エッチング等でマスク本体４１の一部を除去することにより得ることができる他、クロムのような金属膜で構成することもできる。
また、マスク４０の構成材料としては、各種のものが挙げられ、例えば、シリコンや、石英ガラスのようなガラス材料を用いることができるが、これらの中でも、主としてシリコンで構成されているのが好ましい。これにより、前述したような構成のマスク４０を比較的容易に形成することができる。
【００２７】
以下、マスク４０の形成方法として、マスク４０の構成材料が主としてシリコンである場合を一例に説明する。
図４および図５は、図１に示すマスクの形成方法を示す図である。なお、図４は、図１中のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示す縦断面図である。また、図５は、図１中のＢ−Ｂ線断面に対応する断面を示す縦断面図である。また、以下の説明では、図４および図５中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２８】
［１Ａ］まず、シリコン単結晶で構成されたマスク基材５０を用意し、このマスク基材５０の外表面全体に耐ドライエッチングマスク材料で構成された耐ドライエッチング膜５１を形成する。
マスク基材５０の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．０２〜０．２ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２９】
耐ドライエッチングマスク材料としては、後述するドライエッチングに対して耐性を有するものであればよく、特に限定されないが、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン、炭化シリコン、アルミニウムおよびクロム等を好適に用いることができる。
また、耐ドライエッチング膜５１の形成方法としては、各種の成膜方法を用いることができるが、例えば、耐ドライエッチングマスク材料として、二酸化シリコンを用いる場合には、例えば、８００〜１２００℃程度の水蒸気中にマスク基材５０を放置するスチーム熱酸化法を好適に用いることができる。また、耐ドライエッチングマスク材料として、窒化シリコンおよび炭化シリコンを用いる場合には、化学的気相成膜（ＣＶＤ）法を好適に用いることができる。さらに、耐ドライエッチングマスク材料として、アルミニウムおよびクロムを用いる場合には、真空蒸着法、スパッタリング法のような物理的気相成膜（ＰＶＤ）法やメッキ法を好適に用いることができる。
このような耐ドライエッチング膜５１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ程度であるのが好ましい。
【００３０】
［２Ａ］次に、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、形成されたマスク４０を基板に装着した際に、基板と接触する側の面５０ａにおいて、形成すべき開口部４２に対応する領域に存在する耐ドライエッチング膜５１を除去してマスク基材５０の表面を露出させる。
具体的には、フォトリソグラフィー技術等を用いて、面５０ａ側の開口部４２に対応する領域に開口部を備えるレジスト層を形成した後、この開口部で露出する耐ドライエッチング膜５１を緩衝フッ酸溶液のような酸エッチング液を用いた酸ウェットエッチングにより除去することにより、形成すべき開口部４２に対応する領域において、マスク基材５０の表面を露出させることができる。
なお、図２に示したような、開口部４２に拡幅部４５が設けられた構成とする場合には、マスク基材５０の表面を、その形状に対応するように、露出させるようにすればよい。
【００３１】
［３Ａ］次に、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術等を用いて、前記工程［２Ａ］においてマスク基材５０の表面を露出させた領域のうち、補強梁４４を形成する領域にレジスト層５２を形成する。
これにより、開口部４２を形成する領域のうち、補強梁４４を形成しない領域において、マスク基材５０の表面が露出することとなる。
【００３２】
レジスト層５２の構成材料としては、各種感光性樹脂材料を用いることができ、例えば、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【００３３】
なお、図３に示したように、補強梁４４の開口部４２の長手方向に沿った縦断面を半円状のものとする場合には、このレジスト層５２を、その形状が形成すべき補強梁４４の形状に対応するように設けるようにすればよい。このような半円状のレジスト層５２は、本工程で形成された四角形状のレジスト層５２を、１５０〜２００℃程度の温度でポストベークして半固形状とした後、再固化させることにより得ることができる。
【００３４】
［４Ａ］次に、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、マスク基材５０の表面が露出する領域、すなわち、開口部４２を形成する領域のうち、補強梁４４を形成しない領域のマスク基材（シリコン）５０を所定の深さまで均一に除去する。
このシリコンの除去には、特定の方向、すなわち、本実施形態では、マスク基材５０の厚さ方向に対してほほ平行な方向に対してシリコンを除去し得る異方性エッチングが好適に用いられる。
【００３５】
異方性エッチングとしては、異方性ウェットエッチングや、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching； RIE）、反応性イオンビームエッチング（Reactive Ion Beam Etching; RIBE）、高速原子線エッチング（Fast Atom Beam; FAB）のような異方性ドライエッチングが挙げられるが、これらの中でも、方向選択性および生産性に優れる点から反応性イオンエッチングが好適に用いられる。
【００３６】
［５Ａ］次に、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示すように、レジスト層５２を除去（剥離）する。これにより、開口部４２を形成する領域において、マスク基材５０の表面が露出することとなる。
このレジスト層５２の除去は、レジスト層５２の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、酸素プラズマやオゾンによる大気圧下または減圧下でのアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層５２を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【００３７】
［６Ａ］次に、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様にして、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示すように、マスク基材５０の表面が露出する領域、すなわち、開口部４２を形成する領域のマスク基材（シリコン）５０を、さらに所定の深さ分だけ均一に除去する。
これにより、前記工程［４Ａ］によりシリコンが除去された（補強梁４４を形成しない）領域は、マスク基材５０の厚さ方向に対してさらに深く、均一にシリコンが除去される。また、レジスト層５２が除去された補強梁４４を形成する領域も同様に均一にシリコンが除去される。
すなわち、開口部４２を形成する領域において、前記工程［４Ａ］で形成された補強梁４４を形成する領域と、補強梁４４を形成しない領域とのマスク基材５０の表面に設けられた深さの差を維持した状態で、均一にシリコンが除去される。これにより、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示すように、マスク基材５０に２段階の凹凸が形成される。
【００３８】
なお、本工程［６Ａ］において新たにシリコンが除去された領域は、補強梁４４が形成される領域であり、面５０ａから所定の深さまで除去される。そのため、異方性エッチングにより除去されたマスク基材５０の深さが、前記基板にマスク４０を装着した際の前記基板から補強梁４４までの距離と等しくなる。この深さは、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。この深さが、前記下限値未満の場合には、膜材料が補強梁４４の周囲から周り込み難くなり、形成される線状体が分断されるおそれがある。また、この深さを、前記上限値を超えて深くすると、前記基板と補強梁４４との距離が必要以上に大きくなり、膜材料が前記基板に到達できなくなるおそれがあり、好ましくない。
【００３９】
［７Ａ］次に、マスク基材５０の外表面に形成された耐ドライエッチング膜５１を除去（剥離）し、再度、図４（ｆ）および図５（ｆ）に示すように、マスク基材５０の外表面全体に耐ウエットエッチング膜５３を形成する。
この耐ドライエッチング膜５１の除去は、前記工程［２Ａ］で説明した、緩衝フッ酸溶液のような酸エッチング液を用いた酸ウェットエッチングにより行うことができる。
また、耐ウエットエッチング膜５３は、前記工程［１Ａ］で説明した耐ドライエッチング膜５１と同様にして形成することができる。
【００４０】
［８Ａ］次に、図４（ｇ）および図５（ｇ）に示すように、面５０ａと反対側の面５０ｂに形成された耐ウエットエッチング膜５３のうち、マスク基材５０の外周部を除く領域を除去してマスク基材５０の表面を露出させる。
このマスク基材５０の外周部を除く領域において、耐ウエットエッチング膜５３を除去する方法としては、フォトリソグラフィー技術等を用いて、この領域に対応する開口部を有するレジスト層を形成した後、前記工程［２Ａ］で説明した酸ウェットエッチングによりこの開口部で露出する耐ウエットエッチング膜５３を除去する方法を用いることができる。
【００４１】
［９Ａ］次に、図４（ｈ）および図５（ｈ）に示すように、耐ウエットエッチング膜５３から露出するマスク基材（シリコン）５０を、面５０ｂから所定の深さまで、マスク基材５０の厚さ方向に対して均一に取り除く。
これにより、開口部４２を形成する領域のうち補強梁４４を形成しない領域において、面５０ａ側から面５０ｂ側まで空間が形成されて、連通することとなる。
【００４２】
このシリコンの除去には、ウェットエッチング液としてＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等を用いる異方性ウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、シリコンを均一な速さでかつ面粗れ無く比較的短時間で一括して除去することができる。
【００４３】
なお、シリコンの除去は、このような異方性ウェットエッチングによって行うものに限らず、前述したような異方性ドライエッチングを用いて行うものであってもよい。
また、マスク基材５０を面５０ｂ側からシリコンを除去するのは、マスク４０の厚さを必要最小限に抑えるためであり、マスク基材５０の外周部を厚くするのは、マスク４０の強度を確保するためである。
【００４４】
［１０Ａ］次に、図４（ｉ）および図５（ｉ）に示すように、マスク基材５０の外表面に形成された耐ウエットエッチング膜５３を除去（剥離）する。
これにより、線状体のパターンに対応する開口部４２と、この開口部４２を横断する補強梁４４とを備えるマスク４０が形成される。
この耐ウエットエッチング膜５３の除去は、前記工程［２Ａ］で説明した、緩衝フッ酸溶液のようなエッチング液を用いたウェットエッチングにより行うことができる。
【００４５】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明のマスクの第２実施形態について説明する。
図６は、本発明のマスクの第２実施形態を示す斜視図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」という。
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図６に示すマスク４０は、上側の面に金属層４７が設けられている以外は、前記第１実施形態のマスク４０と同様である。
【００４６】
本実施形態では、図６に示すように、上側の面に、すなわち、基板にマスク４０を装着する際に、マスク本体４１の基板と接触させる側の面に、金属層４７が設けられている。その結果、マスク４０を基板に装着する際に、マスク４０と基板との間に磁界を付与することにより、マスク４０の基板への密着性の向上を図ることができる。これにより、マスク本体４１（特に、隔壁部４３）の自重により、マスク４０と基板との間に空間（隙間）が形成されるようになるのを確実に防止することができる。
【００４７】
また、金属層４７の構成材料（金属材料）としては、特に限定されないが、例えば、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、基板にマスク４０を密着性よく装着（付着）させることができるとともに、後述する無電解メッキ法により、比較的容易に均一な膜厚の金属層を形成することができる。
【００４８】
金属層４７の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
このような本実施形態のマスク４０は、前記第１実施形態のマスク４０に対し、マスク本体４１上に金属層４７を形成することにより得ることができる。
金属層４７を形成する方法としては、各種方法を用いることができ、例えば、無電解メッキ法、電解メッキ法、真空蒸着法およびスパッタ等が挙げられるが、これらの中でも、無電解メッキ法を用いるのが好ましい。無電解メッキ法によれば、均一な膜厚の金属層４７をマスク本体４１上に比較的容易に形成することができる。
【００４９】
以下、金属層４７を形成する方法として、無電解メッキ法を一例に説明する。
［１Ｂ］まず、第１実施形態で得られたマスク４０を用意し、このマスク４０の外表面全体に耐無電解メッキ材料で構成された耐無電解メッキ膜を形成する。
この耐無電解メッキ膜は、前記工程［１Ａ］で説明した、耐ドライエッチング膜５１の形成方法と同様にして形成することができる。耐無電解メッキ膜を形成することにより、後工程［３Ｂ］において、マスク４０を無電解メッキ液中に浸漬する際に、マスク４０の構成材料であるシリコンが無電解メッキ液中に溶解するのを確実に防止することができる。
【００５０】
［２Ｂ］次に、形成されたマスク４０を基板に装着した際に、基板と接触する側の面、すなわち、図４および図５で説明した面５０ａ側に、下地層を形成する。
この下地層の構成材料としては、形成する金属層４７の構成材料の種類等に応じて適宜選択され、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
またこの下地層は、上述したような構成材料を主材料とする単層体であってもよいし、積層体であってもよい。
具体的には、金属層４７が主としてＣｏで構成される場合、下地層としては、面５０ａ側からＣｒ層とＡｕ層とがこの順で積層された積層体が好適である。
【００５１】
［３Ｂ］次に、主として金属塩と還元剤とにより構成されるメッキ液中にマスク４０を浸漬することにより、下地層上、すなわち面５０ａ側に、金属元素を析出させることにより金属層４７を形成する。
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
還元剤としては、例えば、次亜燐酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム、ヒドラジン等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜燐酸ナトリウムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、金属層４７の成膜速度が適正なものとなり、金属層４７の膜厚を比較的容易に制御できるようになる。
【００５２】
メッキ液における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｍｏｌ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、金属層４７を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
【００５３】
また、メッキ液における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、０．０５〜２．０ｍｏｌ／Ｌ程度であるのが好ましく、０．５〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度であるのがより好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
このようなメッキ液には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下を効果的に防止することができる。
【００５４】
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
【００５５】
また、メッキ液のｐＨは、８．０〜１３．０程度であるのが好ましく、９．５〜１０．５程度であるのがより好ましい。
さらに、メッキ液の温度は、７０〜９５℃程度であるのが好ましく、８０〜８５℃程度であるのがより好ましい。
メッキ液のｐＨ、温度を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚の金属層４７を高い精度で形成することができる。
【００５６】
＜成膜方法＞
次に、本発明のマスクを用いて、基板の表面に、線状体を気相成膜法で形成する成膜方法について説明する。
図７は、本発明のマスクを用いて線状体を気相成膜法で形成する成膜方法を示す図である。
なお、基板６０の表面に、線状体６１を形成する際に用いられる気相成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相成膜（ＰＶＤ）法やＣＶＤ法等の化学的気相成膜（ＣＶＤ）法が挙げられるが、以下では、真空蒸着法を用いて線状体６１を形成する場合を一例として説明する。
【００５７】
図７に示す真空蒸着装置６００は、チャンバ（真空チャンバ）６０１と、このチャンバ６０１内に設置され、基板６０を保持する基板ホルダー６０２と、チャンバ６０１内に設置され、線状体６１を構成する膜材料６２を気化させることにより基板６０に供給するルツボ（膜材料供給源）６０３とを有している。
また、チャンバ６０１には、その内部の気体を排出して圧力を制御する排気ポンプ（減圧手段）６０４が接続されている。
【００５８】
基板ホルダー６０２は、チャンバ６０１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー６０２は、その端部において回転軸６０５に固定された状態で設置されており、回転軸６０５を中心軸として、基板ホルダー６０２は、回転（回動）可能となっている。
また、基板ホルダー６０２と対向する位置、すなわち、チャンバ６０１の底部には、ルツボ６０３が設置されている。
【００５９】
また、このルツボ６０３は、加熱手段（図示せず）を備えており、これにより、ルツボ６０３内に保持（収納）された膜材料６２が加熱、気化（蒸発または昇華）する。
なお、加熱手段による加熱方式は、特に限定されず、例えば、抵抗加熱、電子ビーム加熱等いずれでもよい。
膜材料６２としては、形成する線状体６１の種類に応じて適宜選択され、特に限定されるものではないが、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｇのような金属材料、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３のような金属酸化物材料および銅フタロシアニン、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）のような金属錯体等が挙げられる。
【００６０】
このような構成の真空蒸着装置６００を用いて、以下のようにして線状体６１が形成（成膜）される。
［１Ｃ］まず、マスク４０の一方の面を基板６０側に向けて、マスク４０を基板６０に装着する。この際、補強梁４４が、マスク４０の他方の面側に位置するように装着する。すなわち、マスク４０の面５０ａが基板６０と接触するようにする。
そして、マスク４０が装着された基板６０を、チャンバ６０１内に搬入し、基板ホルダー６０２に、基板６０とルツボ６０３との間にマスク４０が介在するように設置（セット）する。すなわち、マスク４０とルツボ６０３とが対向するようにマスク４０が装着された基板６０を基板ホルダー６０２に設置する。
［２Ｃ］次に、排気ポンプ６０４を動作させ、チャンバ６０１内を減圧状態にする。
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−５〜１×１０−２Ｐａ程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−３Ｐａ程度であるのがより好ましい。
【００６１】
［３Ｃ］次に、回転軸６０５を回転させることにより基板６０を回転させる。
これにより、ルツボ６０３と基板ホルダー６０２に装着された基板６０（マスク４０）との距離が最大となる第１の位置と、前記距離が最小となる第２の位置とにマスク４０を連続的に変位（配置）させることができる。なお、この第１の位置に配置したマスク４０と第２の位置に配置したマスク４０とは、回転軸６０５（基板６０の回転中心）を中心とした点対称な関係となっている。
また、回転軸６０５の回転数は、１〜５０回転／分程度であるのが好ましく、１０〜２０回転／分程度であるのがより好ましい。これにより、次工程［４Ｃ］において、より均一な膜厚の線状体６１を形成することができる。
【００６２】
［４Ｃ］次に、基板６０を回転させた状態で、膜材料６２が保持されたルツボ６０３を加熱して、膜材料６２を気化（蒸発または昇華）させる。
そして、図７に示すように、気化した膜材料６２が、前記他方の面側からマスク４０の開口部４２を通過して、基板６０の表面に被着（到達）することにより線状体６１が形成される。
【００６３】
ここで、前述したように補強梁４４は、開口部４２の厚さ方向において、基板６０の他方の面側、すなわち、基板６０と反対側に位置するように設けられている。そのため、膜材料６２は、開口部４２を通過する際に、この補強梁４４を周り込むことができる。その結果、基板６０の開口部４２に対応する領域の全面に膜材料６２が被着することができ、断線のない線状体６１が形成される。
換言すれば、開口部４２を横断するように補強梁４４を設けたことによる影響を受けることなく成膜し得ることから、基板６０の表面に断線のない線状体６１を形成することができる。
【００６４】
また、図７に示すように、基板ホルダー６０２の回転軸（基板６０の回転中心の軸）６０５とルツボ６０３の中心軸との離間距離をＡ［ｃｍ］とし、マスク４０とルツボ６０３の開口部との離間距離をＢ［ｃｍ］とし、補強梁４４の開口部４２の長手方向に沿った方向の最大長さをｐ［μｍ］とし、基板６０と補強梁４４との離間距離をｒ［μｍ］としたとき、下記式１なる関係を満足するように設定するのが好ましい。
ｐ／ｒ＜２Ａ／Ｂ ……式１
【００６５】
かかる関係を満足させることにより、膜材料６２が補強梁４４をより確実に周り込むようになり断線のない線状体６１を基板６０の表面により確実に形成することができる。その結果、線状体６１として、例えば金属配線を形成した場合、形成される線状体６１が薄くなることに起因して、その抵抗値が増大したり、断線したりするのを確実に防止することができる。
ここで、前記式１なる関係を満足するように設定することにより、線状体６１を断線させることなく形成し得るのは、以下のような関係式から導き出すことができる。
【００６６】
前述したように、線状体６１を断線させることなく形成し得るのは、膜材料６２が補強梁４４を周り込むことに起因する。
この膜材料６２が補強梁４４を周り込む距離が最大となるのは、前記第１の位置に基板６０（マスク４０）が配置しているときであり、その周り込む距離が最小となるのは、前記第２の位置に基板６０（マスク４０）が配置しているときである。
【００６７】
そのため、基板６０が第１の位置に配位しているときに補強梁４４を膜材料６２が周り込む距離をｓ［μｍ］とし、基板６０が第２の位置に配位しているときに補強梁４４を膜材料６２が周り込む距離をｔ［μｍ］としたとき、これらの距離の合計（ｓ＋ｔ）が、補強梁４４の開口部４２の長手方向に沿った方向の最大長さをｐよりも大きくなるように設定することにより、線状体６１を断線させることなく形成することができる。
すなわち、下記式２なる関係を満足することにより、線状体６１を断線させることなく形成することができる。なお、図７に示す拡大図では、図示の都合上、ｐ＞ｓ＋ｔとなり、線状体６１が断線している場合を例示している。
ｐ＜ｓ＋ｔ ……式２
【００６８】
したがって、膜材料６２が補強梁４４を周り込む距離がｔとなるときにおける膜材料６２のルツボ６０３の中心軸に対する入射角度をαとし、膜材料６２が補強梁４４を周り込む距離がｓとなるときにおける膜材料６２のルツボ６０３の中心軸に対する入射角度をβとしたとき、下記式３の関係が成立つことから、この下記式３を前記式２に代入すると、下記式４となる。
【００６９】
ｔ＝ｔ・ｔａｎα、ｓ＝ｒ・ｔａｎβ ……式３
ｐ＜ｒ・（ｔａｎα＋ｔａｎβ） ……式４
さらに、下記式５なる関係が成立つことから、この下記式５を前記式４に代入することにより、前記式１なる関係を導き出すことができる。
ｔａｎα＝（Ａ−Ｘ）／Ｂ、ｔａｎβ＝（Ａ＋Ｘ）／Ｂ ……式５
【００７０】
以上説明したように、式１なる関係を満足する場合、基板６０（マスク４０）を前記第１の位置と、前記第２の位置との間で少なくとも１回変位させることにより、線状体６１を断線させることなく形成することができる。そのため、基板６０の回転は、本実施形態で説明したように、連続的に行う場合に限定されず、例えば、基板６０を前記第１の位置と前記第２の位置との間の変位を間歇的に行うようにしてもよい。
【００７１】
なお、図２に示したように、マスク４０が開口部４２に拡幅部４５を備え、この拡幅部４５に補強梁４４が設けられたような構成である場合には、本実施形態で説明したように、基板６０を連続的に回転させるのが好ましい。これにより、膜材料６２が開口部４２を通過する際に、拡幅部４５側から補強梁４４を周り込むようになり、断線のない線状体６１を確実に形成することができる。
また、このマスク４０は、線状体６１を形成する際に、その基板６０と反対側の面に積層した膜材料を除去（剥離）することにより、繰り返して使用（再利用）することができる。このようにマスク４０を再利用することにより、線状体６１を形成（成膜）する際のコストの削減を図ることができる。
【００７２】
＜発光装置＞
次に、本発明の成膜方法により形成された線状体を備える本発明の発光装置として、パッシブマトリクス型表示装置を一例に説明する。
図８および図９は、本発明の発光装置を適用したパッシブマトリクス型表示装置の一例を示す図であり、図８は縦断面図、図９は斜視図である。なお、説明の都合上、図８では、制御回路の記載を、図９では、透明基板２、正孔輸送層４、電子輸送層６および封止部材８の記載をそれぞれ省略している。また、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００７３】
図８および図９に示すパッシブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」という。）１０は、透明基板２と、この透明基板２上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、透明基板２に対向して各有機ＥＬ素子１を封止するように設けられた封止部材８とを有している。
また、表示装置１０は、有機ＥＬ素子１が備える陽極３および陰極７のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御手段３１および制御手段７１とをそれぞれ有している。
【００７４】
透明基板２は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、この透明基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、透明基板２に透明性が要求される。
このような透明基板２には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００７５】
透明基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．２〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この透明基板２上に、一対の電極（陽極３および陰極７）と、これらの電極間に陽極３側から順次設けられた、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６とを備える有機ＥＬ素子（発光素子）１が複数設けられている。
【００７６】
本実施形態では、各陽極３および各陰極７は、それぞれ、直線状（帯状）に設けられ、これらの電極同士がマトリクス状に交差するように対向して配置されている。そして、各陽極３は制御手段３１と、各陰極７は制御手段７１とに配線により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の正孔輸送層４および電子輸送層６は、一体的に形成されており、発光層５は、陽極３と陰極７とが交差する交差領域に対応するようにそれぞれ個別に設けられている。
【００７７】
なお、有機ＥＬ素子１をかかる構成とすることにより、制御手段３１および制御手段７１により各陽極３および各陰極７のＯＮ／ＯＦＦを独立して制御でき、所望の位置の交差領域に電圧を印加することができる。そのため、交差領域に対応するように設けられた個別の発光層５を独立して発光させることができる。すなわち、各有機ＥＬ素子１を独立して発光させることができる。
また、このような有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０は、単色発光のモノカラー表示のものであってもよく、個別に設けられる発光層５の構成材料（発光材料）を選択することにより、カラー表示のものとすることも可能である。
【００７８】
以下、有機ＥＬ素子１を構成する各部について説明する。
陽極３は、正孔輸送層４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、表示装置１０が陽極３側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有し、仕事関数の大きい導電性材料が好適に選択される。
【００７９】
このような陽極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００８０】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
このような陽極３は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陽極３側から取り出すことができる。
【００８１】
一方、陰極７は、電子輸送層６に電子を注入する電極である。
陰極７の構成材料（陰極材料）としては、導電性に優れ、仕事関数の小さい材料が好適に選択される。
このような陰極材料としては、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極７の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
陰極７の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００８２】
陽極３と陰極７との間には、前述したように、正孔輸送層４と、発光層５と、電子輸送層６とが陽極３側からこの順で積層するように設けられている。
正孔輸送層４は、陽極３から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
正孔輸送層４の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００８３】
電子輸送層６は、陰極７から注入された電子を発光層５まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層６の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００８４】
陽極３と陰極７との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４中を正孔が、また、電子輸送層６中を電子が移動し、発光層５において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層５では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００８５】
この発光層５の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極７側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
具体的には、発光材料としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。
なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、積層体であってもよい。
【００８６】
発光層５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、陽極３と陰極７との間には、正孔輸送層４、発光層５および電子輸送層６以外に、任意の目的の層が設けられていてもよい。
例えば、陽極３と正孔輸送層４との間に、陽極３から正孔輸送層４への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよいし、陰極７と電子輸送層６との間に、陰極７から電子輸送層６への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
【００８７】
正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ‐フェニル‐３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、および、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）や、ＬｉＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌのようなアルカリ金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００８８】
また、透明基板２と対向するように封止部材８が設けられている。この封止部材８は、凹部８１を備え、この凹部８１１内に上述したような構成の各有機ＥＬ素子１が収納されている。
この封止部材８は、有機ＥＬ素子１が備える各層３、４、５、６、７を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材８を設けることにより、表示装置１０の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
封止部材８の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス等が挙げられる。
【００８９】
また、封止部材８と透明基板２とは、透明基板２の縁部において、接着層（図示せず）を介して接合されている。
この接着層の構成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルエポキシ系樹脂のような硬化性樹脂等が挙げられる。
なお、有機ＥＬ素子１が備える各層３、４、５、６、７を気密的に封止する方法としては、上述したような封止部材８を設ける方法の他、透明基板２上で露出する各層（本実施形態では、正孔輸送層６および陰極７）に保護層を接触させて形成する方法を用いることもできる。保護層を形成する方法を用いることにより、発光装置１０のさらなる薄型化を実現することができる。
このような保護層の構成材料としては、例えば、窒化酸化シリコン、二酸化シリコンおよび各種樹脂材料等を用いることができる。
【００９０】
このような表示装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１Ｄ］まず、透明基板２を用意する。
［２Ｄ］次に、透明基板２上に、複数の陽極３を直線状に形成する。
この陽極３は、透明基板２上に、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより得ることができる。
【００９１】
［３Ｄ］次に、各陽極３および各陽極３同士の間で露出する透明基板２上に、正孔輸送層４を形成する。
この正孔輸送層４は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等により形成することができるが、これらの中でも、気相プロセスにより形成するのが好ましい。気相プロセスを用いて正孔輸送層４を形成することにより、得られる正孔輸送層４に水分等が混入するのを確実に防止または低減することができる。その結果、有機ＥＬ素子１の特性の経時的劣化が確実に防止または抑制される。
【００９２】
［４Ｄ］次に、陽極３と次工程［６Ｄ］で形成する陰極７とが交差する領域に対応するように、正孔輸送層４上にマトリクス状に複数の発光層５を形成する。
この発光層５も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、気相プロセスにより形成するのが好ましい。
また、発光層５のパターニングは、形成する発光層５の形状に対応する開口部を備えるマスク、すなわち、マトリクス状に開口部が設けられたマスクを、陽極３および正孔輸送層４を備える透明基板２に装着した状態で気相プロセスを施すことにより容易に行うことができる。
また、かかる方法を用いて発光層５のパターンニングを行うことにより、フォトリソグラフィー法等を用いる場合のように、各層３、４、５が水系溶媒等に晒されることがないため、これらの層３、４、５の変質・劣化を確実に防止することができる。
［５Ｄ］次に、各発光層５および各発光層５同士の間で露出する正孔輸送層４上に、電子輸送層６を形成する。
この電子輸送層６も、気相プロセスや液相プロセスにより形成し得るが、前述したのと同様の理由から、気相プロセスにより形成するのが好ましい。
【００９３】
［６Ｄ］次に、陽極３と交差し、かつ、この陽極３と交差する領域が、発光層５が設けられている領域と対応するように、電子輸送層６上に複数の陰極７を直線状に形成する。
この陰極７の形成に、上述した本発明の成膜方法が適用される。これにより、撓みや歪みの発生が確実に阻止された陰極７を形成することができる。
また、本発明の成膜方法を用いて陰極７を形成することにより、複数の細幅の陰極７を１回の気相成膜法で一括して形成し得ることから、気相成膜法を施す回数すなわち製造工程を削減することができ、さらには製造コストの削減を図ることができる。また、マスク位置決めマーク４６を用いたマスク４０の位置決めも１回行うだけでよいことから、形成される陰極７の位置決め（アライメント）の精度の向上を図ることができる。
【００９４】
なお、本実施形態のように、電子輸送層６のような有機層上に、陰極７のような金属配線（線状体）を形成する場合には、本発明の成膜方法に用いる気相成膜法として、真空蒸着法を用いるのが好ましい。真空蒸着法によれば、金属配線の構成材料（膜材料）を、比較的遅い速度で有機層上に被着（到達）させることができ、膜材料が被着する際に有機層が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。なお、金属層を形成する時間の短縮を図る場合には、真空蒸着法で有機層と接触する領域に下層を形成し、スパッタリング法等でこの下層上に上層を形成するようにすればよい。
【００９５】
また、マスク４０を、各層３、４、５、６を備える透明基板２に装着する際には、マスク４０が備える補強梁４４が、先に形成された陽極３に対応しないように位置決めするのが好ましい。これにより、形成される陰極（線状体）７の補強梁４４に対応する位置にその膜厚が薄くなっている薄膜部がたとえ形成されたとしても、この薄膜部が陽極３と交差する位置に形成されるのを確実に防止することができる。これにより、薄膜部における抵抗値が増大することに起因して、陰極７が発熱したとしても、この発熱により各層３、４、５、６が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
【００９６】
なお、本発明の成膜方法のように、陰極７の形成にマスク（シャドーマスク）を用いた気相成膜法を選択することにより、陰極７を形成するのに先立って設置される、透明基板２上への陰極７の形状を規制する隔壁部の形成を省略することができる。これにより、製造工程の削減を図ることができるとともに、発光装置１０の薄型化を実現することができる。
以上のようにして、透明基板２上に複数の有機ＥＬ素子１が形成される。
【００９７】
［７Ｄ］ 次に、凹部８１が設けられた封止部材８を用意する。
そして、凹部８１内に各有機ＥＬ素子１が収納されるように、封止部材８を透明基板２に対向させた状態で、透明基板２と封止部材８とを透明基板２の縁部において接着層を介して接合する。
これにより、各有機ＥＬ素子１が封止部材８により封止され、表示装置１０が完成される。
【００９８】
＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００９９】
図１１は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１００】
図１２は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１０２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１０３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１０４】
なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１１の携帯電話機、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１０５】
以上、本発明のマスク、成膜方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
また、本発明の成膜方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。
さらに、本発明の成膜方法は、上述したパッシブマトリクス型表示装置が備える陰極に適用できる他、例えば、配線基板が備える金属配線等に適用することができる。
【実施例】
【０１０６】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．マスクの形成
まず、以下に示すようにしてマスク（Ａ）およびマスク（Ｂ）を用意した。
＜マスク（Ａ）＞
＜１Ａ＞まず、厚さ０．４００ｍｍのシリコン単結晶基板を用意し、このシリコン単結晶基板を１０５０℃の水蒸気中に放置して、この基板の外表面に１μｍの二酸化シリコン膜を形成した。
＜２Ａ＞次に、図４（ａ）および図５（ａ）に示したように、フォトリソグラフィー技術を用いて、形成すべき開口部の形状に対応するレジスト層を形成した後、このレジスト層の開口部に存在する二酸化シリコン膜を、緩衝フッ酸溶液を用いて、除去してシリコン単結晶基板の表面を露出させた。
【０１０７】
＜３Ａ＞次に、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示したように、フォトリソグラフィー技術を用いて、開口部を形成する領域のうち、補強梁を形成する領域にレジスト層を形成した。
＜４Ａ＞次に、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示したように、ドライエッチング装置「Ｄｅｅｐ−Ｓｉ−ＲＩＥ」を用いて、開口部を形成する領域のうち、補強梁を形成しない領域のシリコン単結晶基板を所定の深さまで均一に除去した。
【０１０８】
＜５Ａ＞次に、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示したように、酸素プラズマによる大気圧下でのアッシングにより、レジスト層を除去して、開口部を形成する領域において、シリコン単結晶基板の表面を露出させた。
＜６Ａ＞次に、前記工程＜４Ａ＞と同様にして、図４（ｅ）および図５（ｅ）に示したように、ドライエッチング装置を用いて、開口部を形成する領域のシリコン単結晶基板を、さらに所定の深さ分だけ均一に除去した。
【０１０９】
＜７Ａ＞次に、シリコン単結晶基板の外表面に形成された二酸化シリコン膜を、緩衝フッ酸溶液を用いて除去し、再度、図４（ｆ）および図５（ｆ）に示したように、前記工程＜１Ａ＞と同様にして、シリコン単結晶基板の外表面全体に二酸化シリコン膜を形成した。
＜８Ａ＞次に、図４（ｇ）および図５（ｇ）に示したように、前記工程＜２Ａ＞と同様にして、シリコン単結晶基板の前記工程＜２Ａ＞〜＜６Ａ＞の処理が施された面と反対側の面に形成された二酸化シリコン膜のうち、シリコン単結晶基板の外周部を除く領域を除去してシリコン単結晶基板の表面を露出させた。
【０１１０】
＜９Ａ＞次に、図４（ｈ）および図５（ｈ）に示したように、二酸化シリコン膜から露出するシリコン単結晶基板を、ＫＯＨをエッチング液として用いたウェットエッチングにより、シリコン単結晶基板の厚さ方向に対して所定の深さまで均一に取り除いた。
＜１０Ａ＞次に、図４（ｉ）および図５（ｉ）に示したように、緩衝フッ酸溶液により、シリコン単結晶基板の外表面に形成された二酸化シリコン膜を除去した。
以上のような工程を経て、開口部（長さ４０ｍｍ、幅１００μｍ）と、補強梁の幅ｐが５０μｍ、基板を装着する側の面から補強梁までの距離ｒが１００μｍとなっている補強梁とを備えるマスク（Ａ）を形成した。
【０１１１】
＜マスク（Ｂ）＞
前記工程＜３Ａ＞〜＜５Ａ＞を省略した以外は、前記マスク（Ａ）の形成工程と同様にして、補強梁の形成が省略されたマスク（Ｂ）を形成した。
【０１１２】
２．線状体の形成および評価
（実施例１）
＜１Ｂ＞まず、マスク（Ａ）を石英ガラス基板に装着した後、このマスク（Ａ）が装着された石英ガラス基板をチャンバ内の基板ホルダーにセットした。
そして、ルツボ内に膜材料としてＡｌをセットした。
この時、基板ホルダーの回転中止の軸とルツボの中心軸との離間距離Ａが１０．０ｃｍ、マスク（Ａ）とルツボの開口部との離間距離Ｂが２０．０ｃｍとなるように設定した。
【０１１３】
＜２Ｂ＞次に、排気ポンプを動作させて、チャンバ内の圧力を１×１０−３Ｐａに設定した。
＜３Ｂ＞次に、基板ホルダーが備える回転軸を回転させることにより石英ガラス基板（マスク（Ａ））を１０回転／分の回転数で回転させた。
＜４Ｂ＞次に、石英ガラス基板を回転させた状態で、ルツボを１２００℃にまで加熱して、Ａｌを気化させることにより、石英ガラス基板上にＡｌを主材料とする平均膜厚１５０ｎｍの線状体を形成した。
【０１１４】
（実施例２）
前記工程＜１Ｂ＞において、基板ホルダーの回転中止の軸とルツボの中心軸との離間距離Ａが６．５ｃｍ、マスク（Ａ）とルツボの開口部との離間距離Ｂが１０．０ｃｍとなるように設定した以外は、前記実施例１と同様にして、石英ガラス基板上に線状体を形成した。
【０１１５】
（比較例）
前記工程＜１Ｂ＞において、マスク（Ａ）に代えてマスク（Ｂ）を石英ガラス基板に装着した以外は、前記実施例１と同様にして、前記実施例１と同様にして、石英ガラス基板上に線状体を形成した。
各実施例および比較例において形成された線状体について、それぞれ、その形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した。
その結果、各実施例では、ほぼ均一な膜厚に線状体が形成されていた。これに対して、比較例では、線状体の形状に歪みが生じており、不均一な膜厚の線状体が形成されていた。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明のマスクの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】開口部の他の構成を示す平面図である。
【図３】補強梁の他の構成を示す縦断面図である。
【図４】図１に示すマスクの形成方法を示す縦断面図である。
【図５】図１に示すマスクの形成方法を示す縦断面図である。
【図６】本発明のマスクの第２実施形態を示す斜視図である。
【図７】本発明のマスクを用いて線状体を気相成膜法で形成する成膜方法を示す図である。
【図８】本発明の発光装置を適用したパッシブマトリクス型表示装置の一例を示す縦断面図である。
【図９】本発明の発光装置を適用したパッシブマトリクス型表示装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１７】
３１、７１……制御手段 ４０……マスク ４１……マスク本体 ４２……開口部 ４３……隔壁部 ４４……補強梁 ４５……拡幅部 ４６……マスク位置決めマーク ４７……金属層 ５０……マスク基材 ５０ａ、５０ｂ……面 ５１……耐ドライエッチング膜 ５２……レジスト層 ５３……耐ウエットエッチング膜 ６０……基板 ６１……線状体 ６２……膜材料 ６００……真空蒸着装置 ６０１……チャンバ ６０２……基板ホルダー ６０３……ルツボ ６０４……排気ポンプ ６０５……回転軸 １……有機ＥＬ素子 ２……透明基板 ３……陽極 ４……正孔輸送層 ５……発光層 ６……電子輸送層 ７……陰極 ８……封止部材 ８１……凹部 １０……表示装置 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に一方の面側を固定し、他方の面側より膜材料を気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の細幅の線状体を、前記基板の表面に形成するのに用いられるマスクであって、
前記線状体のパターンに対応する複数の開口部を有するマスク本体と、前記開口部を横断するように設けられ、自重による前記マスク本体の変形を防止する機能を有する補強梁とを備え、
前記補強梁は、前記開口部の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられていることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記マスク本体と前記補強梁とは、一体的に形成されている請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記マスクは、主としてシリコンで構成されている請求項２に記載のマスク。
【請求項４】
前記一方の面には、金属層が形成されている請求項３に記載のマスク。
【請求項５】
前記金属層は、無電解メッキ法を用いて形成されたものである請求項４に記載のマスク。
【請求項６】
前記金属層は、コバルト、鉄およびニッケルのうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項４または５に記載のマスク。
【請求項７】
前記補強梁は、前記開口部の長手方向に沿って、ほぼ等しい間隔で複数設けられている請求項１ないし６のいずれかに記載のマスク。
【請求項８】
前記開口部は、その長手方向の途中に、幅が増大した拡幅部を有し、
該拡幅部に前記補強梁が設けられている請求項１ないし７のいずれかに記載のマスク。
【請求項９】
前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かってほぼ一定となっている請求項１ないし８のいずれかに記載のマスク。
【請求項１０】
前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かって漸増する部分を有する請求項１ないし８のいずれかに記載のマスク。
【請求項１１】
前記膜材料を供給する膜材料供給源に対向し、回転可能に設けられた基板ホルダーに保持された前記基板に請求項１ないし１０のいずれかに記載のマスクを装着する工程と、
前記膜材料供給源と前記基板との距離とが最大となる第１の位置と、前記第１の位置に対して、前記基板ホルダーの回転中心を中心とした点対称な第２の位置の間で、前記基板を少なくとも１回変位させて、前記膜材料供給源から供給された前記膜材料を、前記開口部を通過させて前記線状体を形成する工程とを有する成膜方法であって、
前記基板ホルダーの回転中心の軸と前記膜材料供給源の中心軸との離間距離をＡ［ｃｍ］とし、前記マスクと前記膜材料供給源の開口部との離間距離をＢ［ｃｍ］とし、前記補強梁の前記開口部の長手方向に沿った方向の最大長さをｐ［μｍ］とし、前記基板と前記補強梁との離間距離をｒ［μｍ］としたとき、ｐ／ｒ＜２Ａ／Ｂなる関係を満足するように設定したことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
前記基板の前記第１の位置と前記第２の位置との間での変位は、前記基板ホルダーを回転させることにより行われる請求項１１に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記基板の回転は、連続的または間歇的に行われる請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかに記載の成膜方法を用いて形成された線状体を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
前記線状体は、陰極である請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板に一方の面側を固定し、他方の面側より膜材料を気相プロセスにより供給し、ほぼ平行に併設される複数の細幅の線状体を、前記基板の表面に形成するのに用いられるマスクであって、
前記線状体のパターンに対応する複数の開口部を有するマスク本体と、前記開口部を横断するように設けられ、自重による前記マスク本体の変形を防止する機能を有する補強梁とを備え、
前記補強梁は、前記開口部の厚さ方向において、前記他方の面側に偏在するように設けられていることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記マスク本体と前記補強梁とは、一体的に形成されている請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記マスクは、主としてシリコンで構成されている請求項２に記載のマスク。
【請求項４】
前記一方の面には、金属層が形成されている請求項３に記載のマスク。
【請求項５】
前記金属層は、無電解メッキ法を用いて形成されたものである請求項４に記載のマスク。
【請求項６】
前記金属層は、コバルト、鉄およびニッケルのうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項４または５に記載のマスク。
【請求項７】
前記補強梁は、前記開口部の長手方向に沿って、ほぼ等しい間隔で複数設けられている請求項１ないし６のいずれかに記載のマスク。
【請求項８】
前記開口部は、その長手方向の途中に、幅が増大した拡幅部を有し、
該拡幅部に前記補強梁が設けられている請求項１ないし７のいずれかに記載のマスク。
【請求項９】
前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かってほぼ一定となっている請求項１ないし８のいずれかに記載のマスク。
【請求項１０】
前記補強梁は、その幅が一方の面側から他方の面側に向かって漸増する部分を有する請求項１ないし８のいずれかに記載のマスク。
【請求項１１】
前記膜材料を供給する膜材料供給源に対向し、回転可能に設けられた基板ホルダーに保持された前記基板に請求項１ないし１０のいずれかに記載のマスクを装着する工程と、
前記膜材料供給源と前記基板との距離とが最大となる第１の位置と、前記第１の位置に対して、前記基板ホルダーの回転中心を中心とした点対称な第２の位置の間で、前記基板を少なくとも１回変位させて、前記膜材料供給源から供給された前記膜材料を、前記開口部を通過させて前記線状体を形成する工程とを有する成膜方法であって、
前記基板ホルダーの回転中心の軸と前記膜材料供給源の中心軸との離間距離をＡ［ｃｍ］とし、前記マスクと前記膜材料供給源の開口部との離間距離をＢ［ｃｍ］とし、前記補強梁の前記開口部の長手方向に沿った方向の最大長さをｐ［μｍ］とし、前記基板と前記補強梁との離間距離をｒ［μｍ］としたとき、ｐ／ｒ＜２Ａ／Ｂなる関係を満足するように設定したことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
前記基板の前記第１の位置と前記第２の位置との間での変位は、前記基板ホルダーを回転させることにより行われる請求項１１に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記基板の回転は、連続的または間歇的に行われる請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかに記載の成膜方法を用いて形成された線状体を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
前記線状体は、陰極である請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−１８６７４０（Ｐ２００７−１８６７４０Ａ）
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４２４９（Ｐ２００６−４２４９）
【出願日】平成１８年１月１１日（２００６．１．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月１１日（２００６．１．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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