本発明の一態様は、メソ構造化ゼオライトに関する。また、本発明は、メソ構造化ゼオライトの製造方法並びにこれらのものを有機化合物用の分解触媒及び重合体用の分解触媒として使用する方法に関するものでもある。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本願は、２００４年４月２３日に出願された米国特許出願第１０／８３０７１４号（発明の名称「Mesostructured Zeolitic Materials, and Methods of Making and Using the Same」）に基づく優先権を主張する。
米国政府による資金供与
本発明は、米国陸軍研究所によって与えられる認可番号ＤＡＡＤ１９−０２−Ｄ０００２の下での支援によってなされた。従って、米国政府は、本発明において一定の権利を有する。
本発明は、メソ構造に組織化された結晶性無機材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
ゼオライト及び関連する結晶性モレキュラーシーブは、それらの規則的な微孔構造、強い酸性度及びイオン交換能力のため、幅広く使用されている（ｖａｎ Ｂｅｋｋｕｍ，Ｈ．，Ｆｌａｎｉｇｅｎ，Ｅ．Ｍ．，Ｊａｃｏｂｓ，Ｐ．Ａ．，Ｊａｎｓｅｎ，Ｊ．Ｃ（著者），ゼオライト科学及び実践の序論，第２版，表面科学及び触媒における研究，第１３７巻（２００１）；Ｃｏｒｍａ，Ａ．，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９７，９７，２３７３−２４１９；Ｄａｖｉｓ，Ｍ．Ｅ．，Ｎａｔｕｒｅ，２００２，４１７，８１３−８２１）。しかしながら、それらの用途は、典型的には１ｎｍよりも狭いそれらの小さな気孔の大きさによって制限される。２〜１０ｎｍの調節可能なメソ細孔を有するＭＣＭ−４１の発見によって、ゼオライトに関連する制限のうちいくつかが克服される。Ｃｏｒｍａ，Ａ．，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９７，９７，２３７３−２４１９；Ｋｒｅｓｇｅ，Ｃ．Ｔ．，外，Ｎａｔｕｒｅ，１９９２，２５９，７１０−７１２；Ｋｏｓｓｌｉｃｋ，Ｈ．，外，Ａｐｐｌ．Ｃａｔａｌ．Ａ：Ｇｅｎ．，１９９９，１８４，４９−６０；Ｌｉｎｓｓｅｎ，Ｔ．，Ｃａｓｓｉｅｒｓ，Ｋ．，Ｃｏｏｌ，Ｐ．，Ｖａｎｓａｎｔ，Ｅ．Ｆ．，Ａｄｖ．Ｃｏｌｌ．Ｉｎｔｅｒｆ．Ｓｃｉ．，２００３，１０３，１２１−１４７。しかしながら、ゼオライトとは異なり、ＭＣＭ−４１型の材料は結晶質ではなく、しかも所定の触媒用途に重要な強い酸性度、高い熱水安定性及び高いイオン交換能力を有しない。Ｃｏｒｍａ，Ａ．，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９７，９７，２３７３−２４１９。
【０００３】
過去１０年にわたって、ＭＣＭ−４１の構造的特徴を理解し及び改良することに多大な努力が払われてきた。Ａｌ−ＭＣＭ−４１の特性は、（ｉ）表面のシリル化、（ii）酸性度を増大させるための細孔壁上へのＡｌグラフト、（iii）アルミノシリケート基の縮合を促進させるための、合成中における塩の付加、（iv）ＭＣＭ−４１の壁部をゼオライト様構造に部分的に変化させるための、ゼオライト合成において典型的に使用される有機物質の使用、（ｖ）ゼオライト／ＭＣＭ−４１複合材の製造、（vi）壁部を厚くするための、トリブロック共重合体及び双性アミン界面活性剤による陽イオン性界面活性剤の置換、及び（vii）規則性メソ細孔構造へのゼオライトナノ結晶の集成によって改善され得ることが分かった。Ｌｉｕ，Ｙ．，Ｐｉｎｎａｖａｉａ，Ｔ．Ｊ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００２，１２，３１７９−３１９０。後者のアプローチにおいて、Ｌｉｕ外は、基礎単位としてゼオライトＹナノクラスターを使用して第１蒸気安定六方アルミノシリケート（ＭＳＵ−Ｓと命名された）を製造することができた。また、ペンタシルゼオライトナノクラスターを使用してＭＳＵ−Ｓ_(MFI)及びＭＳＵ−Ｓ_(BEA)も製造した。
【０００４】
米国特許第５８４９２５８号（Ｌｕｊａｎｏ外）は、結晶性微孔質モレキュラーシーブの核（ゼオライトの核）を凝集させてメソ細孔寸法の細孔容量の限られた寸法分布を与え、多結晶質材料を形成させている。図１Ａは、例えば、Ｌｕｊａｎｏ及びＰｉｎｎａｖａｉａによって説明されている先行技術の非晶質メソ細孔材料１００の概略図である。米国特許第５８４９２５８号（Ｌｕｊａｎｏ外）及びＬｉｕ，Ｙ．，Ｐｉｎｎａｖａｉａ，Ｔ．Ｊ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００２，１２，３１７９−３１９０。図１Ａに示すように、ゼオライト核１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃは、制御された条件下で界面活性剤のミセル周辺で凝集して固形物を形成した。その後、これらの凝集した核１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃを水で洗浄し、乾燥させ、そして界面活性剤を抽出して所望のメソ細孔寸法の細孔容量１１０を与え、非晶質メソ細孔ゼオライト核材料１００を形成させる。ゼオライト核、例えば、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃのそれぞれは、ナノ寸法の結晶である。これらのものが凝集するときに、材料１００は、該核材料が結晶状態の広範囲規則格子構造を欠いているため、多結晶質である（すなわち、これらの凝集した核は、完全には結晶質ではない又は正確には結晶質でない）。
【０００５】
Ａｌ−ＭＣＭ−４１材料の酸性特性をかなりの程度改善させるために、いくつかの戦略がとられてきた。Ｌｉｕ，Ｙ．，Ｐｉｎｎａｖａｉａ，Ｔ．Ｊ．，Ｊ．Ｍａｓｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００２，１２，３１７９−３１９０；ｖａｎ Ｄｏｎｋ，Ｓ．，外，Ｃａｔａｌ．Ｒｅｖ．，２００３，４５，２９７−３１９；Ｋｌｏｅｔｓｔｒａ，Ｋ．Ｒ．，外，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９７，２３，２２８１−２２８２；Ｃｏｒｍａ，Ａ．，Ｎａｔｕｒｅ，１９９８，３９６，３５３−３５６；Ｋａｒｌｓｓｏｎ，Ａ．，外，Ｍｉｃｒｏｐｏｒｏｕｓ Ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ Ｍａｔｅｒ，１９９９，２７，１８１−１９２；Ｊａｃｏｂｓｅｎ，Ｃ．Ｊ．Ｈ．，外，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０００，１２２，７１１６−７１１７；Ｈｕａｎｇ Ｌ．，外，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ．，２０００，１０４，２８１７−２８２３；Ｏｎ，Ｄ．Ｊ．外，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２００１，１７，３２４８−３２５１；Ｌｉｕ，Ｙ．，外，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２００１，７，１２５５−１２５８。しかしながら、これらの材料には広範囲の結晶性が欠如しているため、それらの酸性度は、ゼオライトが示すものほど強くない。Ｃｏｒｍａ，Ａ．，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９７，９７，２３７３−２４１９。例えば、慣用のＡｌ−ＭＣＭ−４１よりもさらに活性なナノ結晶性アルミノシリケートＰＮＡ及びＡｌ−ＭＳＵ−Ｓ_(MFI)のような半結晶性メソ細孔材料は、クメン分解に対してＨ−ＺＳＭ−５よりも有意に低い活性を示した。この反応についての触媒活性は、通常、該触媒のブレンステッド酸の強度に相関している。Ｃｏｒｍａ，Ａ．，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９７，９７，２３７３−２４１９；Ｌｉｕ，Ｙ．，Ｐｉｎｎａｖａｉａ，Ｔ．Ｊ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００２，１２，３１７９−３１９０；Ｋｌｏｅｔｓｔｒａ，Ｋ．Ｒ．，外，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９７，２３，２２８１−２２８２；Ｊａｃｏｂｓｅｎ，Ｃ．Ｊ．Ｈ．，外，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０００，１２２，７１１６−７１１７。
【０００６】
メソ構造化ゼオライト材料を製造する先の試みは効果的ではなく、別個のゼオライト相と非晶質メソ細孔相とを生じさせた。Ｋａｒｌｓｓｏｎ，Ａ，外，Ｍｉｃｒｏｐｏｒｏｕｓ Ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ Ｍａｔｅｒ，１９９９，２７，１８１−１９２；Ｈｕａｎｇ Ｌ．，外，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ．，２０００，１０４，２８１７−２８２３。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さらに、数名の著者は、該メソ構造の高い曲率に関わる表面張力のため、ゼオライト構造を有するＭＣＭ−４１のような薄壁メソ細孔材料を合成することが困難であることを指摘した。Ｌｉｕ，Ｙ．，Ｐｉｎｎａｖａｉａ，Ｔ．Ｊ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００２，１２，３１７９−３１９０。従って、規則メソ多孔性を有するゼオライト単結晶並びにそれらの製造方法及び使用方法に対する要望が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
発明の概要
一態様では、本発明は、メソ構造で組織化された結晶性無機材料に関する。さらなる具体例では、該無機材料は、金属酸化物である。さらなる具体例では、該無機材料はゼオライトである。さらなる具体例では、該無機材料は、ゼオタイプ（Zeotype）である。さらなる具体例では、該無機材料は、フォージャサイト、モルデナイト又はＺＳＭ−５（ＭＦＩ）構造を有する。さらなる具体例では、該メソ構造は、ＭＣＭ−４１の六方細孔配置を有する。さらなる具体例では、該メソ構造は、ＭＣＭ−４８の立方細孔配置を有する。さらなる具体例では、該メソ構造は、ＭＣＭ−５０の層状細孔配置を有する。さらなる具体例では、該メソ構造は、フォーム配置で組織化された細孔を有する。さらなる具体例では、該メソ構造は、ランダムに配置された細孔である。
【０００９】
さらなる具体例では、該メソ構造は、一次元ナノ構造である。さらなる具体例では、該ナノ構造は、ナノチューブ、ナノロッド又はナノワイヤーである。
【００１０】
さらなる具体例では、該メソ構造は、二次元ナノ構造である。さらなる具体例では、該ナノ構造は、ナノスラブ、ナノレイヤー又はナノディスクである。
【００１１】
さらなる具体例では、該結晶性無機材料は、Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］又はＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］である。
【００１２】
さらなる具体例では、メソ構造内の平均細孔直径は、約２〜約５ｎｍである。さらなる具体例では、該メソ構造内の平均細孔直径は、約２〜約３ｎｍである。さらなる具体例では、該メソ構造内の壁厚は、約１〜約５ｎｍである。さらなる具体例では、該メソ構造内の壁厚は、約１〜約３ｎｍである。
【００１３】
別の態様では、本発明は、次の工程：（ａ）ゼオライトを酸又は塩基及び随意に界面活性剤を含む媒体に添加し、（ｂ）前記界面活性剤がまだ存在しない場合には工程（ａ）からの媒体に界面活性剤を添加し、（ｃ）随意に工程（ｂ）からの媒体に膨張剤を添加し、（ｄ）随意に工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体を熱水反応させ、及び（ｅ）得られた材料を洗浄し、そして乾燥させることを含む、メソ構造化ゼオライトの製造方法に関する。
【００１４】
さらなる具体例では、得られた材料を高温でさらに焼成させる。さらなる具体例では、この焼成工程を空気又は酸素中で実行する。さらなる具体例では、該焼成工程を不活性ガス中で実行する。さらなる具体例では、該不活性ガスはＮ₂である。さらなる具体例では、最大の高温は、約５００〜６００℃である。さらなる具体例では、最大の高温は、約５５０℃である。
【００１５】
さらなる具体例では、ゼオライトは、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）及びＺＳＭ−５（ＭＦＩ）よりなる群から選択される。さらなる具体例では、工程（ａ）の媒体は、塩基を含む。さらなる具体例では、該塩基は、アルカリ水酸化物、アルカリ土類水酸化物、ＮＨ₄ＯＨ又は水酸化テトラアルキルアンモニウムである。さらなる具体例では、該塩基は、ＮａＯＨ、ＮＨ₄ＯＨ又は水酸化テトラメチルアンモニウムである。さらなる具体例では、工程（ａ）の媒体は酸を含む。さらなる具体例では、該酸はＨＦである。さらなる具体例では、界面活性剤は、ハロゲン化アルキルアンモニウムである。さらなる具体例では、該界面活性剤は、臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）界面活性剤である。さらなる具体例では、工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体のを熱水処理は、約１００〜約２００℃で行う。さらなる具体例では、工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体の熱水処理は、約１２０〜１８０℃で行う。さらなる具体例では、工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体の熱水処理は、約１４０〜約１６０℃で行う。さらなる具体例では、工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体を熱水処理することは、約１５０℃で行う。さらなる具体例では、工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体の熱水処理は一晩行う。さらなる具体例では、工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体の熱水処理は、約２０時間にわたって行う。
【００１６】
別の態様では、本発明は、上記方法のうち任意のものによって製造されたメソ構造化ゼオライトに関する。
【００１７】
別の態様では、本発明は、次の工程：（ａ）酸性の形態にあるゼオライトを、塩基及び随意に界面活性剤を含む媒体に添加し、ここで、該ゼオライトは部分的に溶解して懸濁液を生じ、（ｂ）前記界面活性剤がまだ存在していない場合には工程（ａ）からの媒体に界面活性剤を添加し、（ｃ）随意に工程（ｂ）からの媒体に膨張剤を添加し、（ｄ）随意に工程（ｂ）又は（ｃ）からの媒体を熱水処理し、（ｅ）得られた材料を洗浄し、そして乾燥させ、及び（ｆ）該得られた材料から該界面活性剤を高温での焼成又は溶媒抽出のいずれかによって除去することを含む、メソ構造化ゼオライトの製造方法に関する。
【００１８】
別の態様では、本発明は、上記方法によって製造されたメソ構造化ゼオライトであって、該メソ構造化ゼオライトがナノチューブ、ナノロッド又はナノワイヤーの形態にあるものに関する。
【００１９】
別の態様では、本発明は、上記方法によって製造されたメソ構造化ゼオライトであって、該メソ構造化ゼオライトがナノスラブ、ナノレイヤー又はナノディスクの形態にあるものに関する。
【００２０】
別の態様では、本発明は、正に荷電した化学種をメソ構造化ゼオライトに固定させる方法であって、該メソ構造化ゼオライトと該正に荷電した化学種とを媒体中で接触させることを含むものに関する。さらなる具体例では、該正に荷電した種は、ある種の元素の陽イオン、第四アミン、アンモニウムイオン、ピリジニウムイオン、ホスホニウムイオン及びそれらの混合物よりなる群から選択される。
【００２１】
別の態様では、本発明は、化学種をメソ構造化ゼオライトに固定させる方法であって、酸性形態のメソ構造化ゼオライトと塩基性化学種とを媒体中で接触させることを含むものに関する。さらなる具体例では、該塩基性化学種は、無機塩基又は有機塩基である。さらなる具体例では、該塩基性化学種は、水酸化物、アミン、ピリジン、ホスフィン及びそれらの混合物よりなる群から選択される。
【００２２】
別の態様では、本発明は、メソ構造化ゼオライトであってその上に固定される化学種を含むものと均一系触媒とを媒体中で接触させることを含む、メソ構造化ゼオライト上に均一系触媒を固定させる方法において、該固定される化学種が該均一系触媒に対する配位子として作用することができる該方法に関する。
【００２３】
別の態様では、本発明は、メソ構造化ゼオライト上に不均一系触媒を担持させる方法であって、該メソ構造化ゼオライトと該不均一系触媒とを、物理的混合法、乾式含浸法、湿式含浸法、初期湿式含浸法、イオン交換法及び蒸発法よりなる群から選択される方法によって接触させることを含むものに関する。さらなる具体例では、該不均一系触媒は、金属又はその混合物を含む。さらなる具体例では、該不均一系触媒は、金属酸化物又はその混合物を含む。さらなる具体例では、該不均一系触媒は、ナノ粒子、クラスター又はコロイドを含む。
【００２４】
別の態様では、本発明は、有機化合物を接触分解させる方法であって、該有機化合物とメソ構造化ゼオライトとを接触させることを含むものに関する。さらなる具体例では、該有機化合物は炭化水素である。さらなる具体例では、該有機化合物は不飽和炭化水素である。さらなる具体例では、該有機化合物は芳香族炭化水素である。さらなる具体例では、該有機化合物はアルキル化ベンゼンである。さらなる具体例では、該有機化合物は１，３，５−トリイソプロピルベンゼンである。さらなる具体例では、該有機化合物は原油である。さらなる具体例では、該有機化合物は軽油である。さらなる具体例では、該有機化合物は減圧軽油である。さらなる具体例では、該メソ構造化ゼオライトは、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）又はＺＳＭ−５（ＭＦＩ）のゼオライト構造を有する。さらなる具体例では、該メソ構造化ゼオライトは、ＭＣＭ−４１の六方細孔配置を有する。さらなる具体例では、該メソ構造化ゼオライトは、Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］又はＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］である。
【００２５】
別の態様では、本発明は、原油の精製方法であって、該原油とメソ構造化ゼオライトとを接触させることを含むものに関する。さらなる具体例では、該原油と該メソ構造化ゼオライトとの接触は、流動接触分解ユニット内で行う。さらなる具体例では、ガソリンの生成量が、メソ構造化ゼオライトの非存在下で生成されるガソリンの量に対して増加する。さらなる具体例では、形質オレフィンの生成量は、該メソ構造化ゼオライトの非存在下で生成される形質オレフィンの量に対して増加する。
【００２６】
別の具体例では、本発明は、重合体を接触分解させる方法であって、該重合体とメソ構造化ゼオライトとを接触させることを含むものに関する。さらなる具体例では、該重合体は炭化水素重合体である。さらなる具体例では、該重合体は、ポリアルキレン、ポリアルキニル又はポリスチレンである。さらなる具体例では、該重合体はポリエチレン（ＰＥ）である。さらなる具体例では、該メソ構造化ゼオライトは、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）又はＺＳＭ−５（ＭＦＩ）のゼオライト構造を有する。さらなる具体例では、該メソ構造化ゼオライトは、ＭＣＭ−４１の六方細孔配置を有する。さらなる具体例では、該メソ構造化ゼオライトは、Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］又はＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］である。
【００２７】
別の態様では、本発明は、完全結晶性メソ構造を有する無機材料に関する。この完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。一具体例では、該材料は所定の細孔容量を有する。例えば、該複数のメソ細孔は、該材料の細孔容量を有し、しかも該複数のメソ細孔の細孔容量は制御される。該細孔容量は、約０．０５ｃｃ／ｇ〜約２ｃｃ／ｇであることができ、別の具体例では、該細孔容量は、約０．５ｃｃ／ｇ〜約１ｃｃ／ｇである。該完全結晶性無機材料は、例えば、単一結晶質（mono crystalline）、多結晶質又は単結晶質であることができる。
【００２８】
該複数のメソ細孔のそれぞれの領域は、制御された断面積の範囲を有する。該制御された断面積は、例えば、制御された分布範囲を有する。随意に、該制御された断面積は所定の直径を有し、そして該直径は、約２ｎｍ〜約６０ｎｍを範囲とする。一具体例では、それぞれのメソ細孔直径は、制御された分布範囲を有し、例えば、それぞれのメソ細孔直径は、１ｎｍの分布範囲内にある。或いは、該制御された断面積は、約２ｎｍ〜約５ｎｍ又は約２ｎｍ〜約３ｎｍの範囲の直径を有する。
【００２９】
該無機材料は、例えば、該複数のメソ細孔を画定する前に、１Ｄ細孔構造、２Ｄ細孔構造又は３Ｄ細孔構造を有することができる。該材料は、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）、ＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せであることができる。
【００３０】
該完全結晶性メソ構造は、制御された細孔配置を有することができる。該メソ構造細孔配置は、組織化された細孔配置、ＭＣＭ−４１の六方細孔配置、ＭＣＭ−４８の立方細孔配置、ＭＣＭ−５０の層状細孔配置、ＳＢＡ−１５の六方細孔配置又はフォーム様配置であることができる。或いは、該メソ構造は、ランダムに配置された細孔を有することができる。該完全結晶性メソ構造は、例えば、Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］、ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］、Ｙ［ＭＣＭ−４８］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］、ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４８］、Ｙ［ＭＣＭ−５０］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−５０］又はＺＳＭ−５［ＭＣＭ−５０］であることができる。隣接するメソ細孔間の壁厚は、約１ｎｍから約５ｎｍ、又は約１ｎｍ〜３ｎｍと測定できる。
【００３１】
荷電した化学種、例えば、正に荷電した化学種は、該完全結晶性メソ構造に固定できる。該荷電した化学種は、元素の陽イオン、第四アミン、アンモニウムイオン、ピリジニウムイオン若しくはホスホニウムイオン又はそれらの任意の組合せであることができる。或いは、所定の化学種は、該完全結晶性メソ構造に固定及び／又は共有結合できる。これらの化学種は、塩基性の化学種、無機塩基、有機塩基、水酸化物、アミン、ピリジン若しくはホスフィン又はそれらの任意の組合せであることができる。別の具体例では、均一系触媒が無機材料に付着し、しかも化学種が該均一系触媒に結合する。不均一系触媒は、該完全結晶性メソ構造によって担持されることができる。該不均一系触媒は、金属、金属酸化物、ナノ粒子、クラスター若しくはコロイド又はそれらの任意の組合せであることができる。
【００３２】
別の態様では、本発明は、無機材料であって、複数のメソ細孔を画定する前の材料の外部表面の外形と実質的に同一の外部表面の外形を有する無機材料に関する。別の態様では、本発明は、所定の材料であって、複数のメソ細孔を画定する前の材料の化学組成骨格と実質的に同一の化学組成骨格を有する材料に関する。例えば、該骨格は、該メソ細孔が画定された後でも化学量論が変化しない。
【００３３】
別の態様では、本発明は、所定の材料であって、複数のメソ細孔を画定する前の材料の結合性と実質的に同一の結合性を有する材料に関する。別の態様では、本発明は、所定の材料であって、複数のメソ細孔を画定する前の材料の結晶内拡散と比較して改善された結晶内拡散を有する材料に関する。
【００３４】
別の態様では、本発明は、次の工程：（ａ）完全結晶性無機材料を準備し、（ｂ）該完全結晶性無機材料を第１の時間及び温度条件セット下でｐＨ制御媒体にさらし、（ｃ）該完全結晶性無機材料を第２の時間及び温度条件セット下で界面活性剤にさらし、（ｄ）該無機材料を、該第１及び第２の時間及び温度条件セットを制御することによって処理して該完全結晶性無機材料内に制御された断面積を有する複数のメソ細孔を形成させる工程を含む、無機材料の製造方法に関する。随意に、該方法は、該第１及び第２の時間及び温度条件セットを、該複数のメソ細孔が該完全結晶性無機材料において六方［ＭＣＭ−４１］細孔配置、立方［ＭＣＭ−４８］細孔配置、層状［ＭＣＭ−５０］細孔配置、六方［ＳＢＡ−１５］細孔配置、フォーム様細孔配置、ランダム細孔配置、組織化細孔配置又は制御された細孔配置で配置されるように調節する工程（ｅ）を含む。
【００３５】
一具体例では、工程（ｂ）は、該ｐＨ制御媒体を選択して、該完全結晶性無機材料における該完全結晶性無機材料の細孔容量を制御し、該複数のメソ細孔のそれぞれの直径を制御し、又は複数のメソ細孔のそれぞれの断面積を制御することを含む。別の具体例では、工程（ｃ）は、該界面活性剤の量を選択して、該完全結晶性無機材料における該完全結晶性無機材料の細孔容量を制御し、該複数のメソ細孔のそれぞれの直径を制御し、又は複数のメソ細孔のそれぞれの断面積を制御することを含む。別の具体例では、該方法は、該ｐＨ制御媒体に膨張剤及び／又はトリブロック共重合体を添加する工程をさらに含む。
【００３６】
別の具体例では、工程（ｄ）で製造された材料を洗浄し、そして乾燥させる。別法として、又はそれに加えて、界面活性剤を、工程（ａ）〜（ｄ）を実施した後に、工程（ｄ）で製造された材料から、例えば、該界面活性剤を抽出し及び／又は該界面活性剤を焼成させることによって除去する。
【００３７】
別の具体例では、第１の又は第２の温度条件としては熱水条件を挙げることができる。該第１の又は第２の温度条件としては室温条件を挙げることができ、及び／又はこれは、約１００〜２００℃の範囲にあることができる。該第１の又は第２の時間条件は、約１時間〜約２週間の範囲にあることができる。
【００３８】
該完全結晶性無機材料は、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）、ＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せであることができる。ｐＨ制御媒体は、少なくとも約８〜約１２、少なくとも約１０〜約１４、少なくとも約２〜約６、又は少なくとも約−２〜約２のｐＨ制御設定値を含むことができる。
【００３９】
界面活性剤は、陽イオン性界面活性剤、イオン性界面活性剤若しくは中性界面活性剤又はそれらの任意の組合せであることができる。例えば、該界面活性剤は、臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）であることができる。
【００４０】
また、無機材料の製造方法は、工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料に荷電化学種を導入することを含むこともできる。該荷電化学種は、正に荷電したものであることができる。さらに、該荷電化学種は、元素の陽イオン、第四アミン、アンモニウムイオン、ピリジニウムイオン若しくはホスホニウムイオン又はそれらの任意の組合せであることができる。
【００４１】
また、該無機材料の製造方法は、工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料に所定の化学種を導入することを含むこともできる。該化学種は、塩基性化学種、無機塩基、有機塩基、水酸化物、アミン、ピリジン若しくはホスフィン又はそれらの任意の組合せであることができる。均一系触媒を該化学種が該均一系触媒に結合するように添加することができる。不均一系触媒と、工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料とを接触させることができる。該不均一系触媒は、金属、金属酸化物、ナノ粒子、クラスター若しくはコロイド又は任意の組合せであることができる。
【００４２】
別の態様では、本発明は、（ａ）完全結晶性無機材料を準備し、（ｂ）該完全結晶性無機材料を第１の時間及び温度条件セット下でｐＨ制御媒体にさらし、（ｃ）該完全結晶性無機材料を第２の時間及び温度条件セット下で界面活性剤にさらし、（ｄ）該無機材料を、該第１及び第２の時間及び温度条件セットを制御することによって処理して該完全結晶性無機材料内に制御された断面積を有する複数のメソ細孔を形成させる方法によって作られた無機材料に関する。
【００４３】
別の態様では、本発明は、完全結晶性メソ構造を有する無機材料を含む触媒の存在下で大きな炭化水素材料を反応させる方法によって製造された炭化水素材料に関する。該完全結晶性ナノ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。この方法によって製造された炭化水素材料は、１，３−ジイソプロピルベンゼン、ガソリン、プロピレン、ブテン、コークス、全乾性ガス若しくは液化石油ガス又はそれらの組合せであることができる。
【００４４】
別の態様では、本発明は、有機化合物を接触分解させる方法に関する。該方法は、該有機化合物と、完全結晶性メソ構造を有する無機材料とを接触させる工程を含む。該完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。該有機化合物は、炭化水素、不飽和炭化水素、芳香族炭化水素、アルキル化ベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、原油、軽油又は減圧軽油の少なくとも一つであることができる。随意に、該断面積は、分解される有機化合物の直径よりも大きい直径を有する。
【００４５】
別の態様では、本発明は、原油の処理方法に関する。該方法は、原油と、完全結晶性メソ構造を有する無機材料とを接触させることを含む。該完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。該原油を、該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応させる。該原油は、流動接触分解ユニット内で無機材料の存在下に反応できる。一具体例では、生じたガソリン留分は、完全結晶性無機材料を使用して生成されるガソリンの量に対して増加する。別の具体例では、軽質オレフィン生成量は、完全結晶性無機材料を使用して生成された軽質オレフィンの量に対して増加する。
【００４６】
別の態様では、本発明は、重合体の処理加工方法に関する。該方法は、重合体と、完全結晶性メソ構造を有する無機材料とを接触させることを含む。該完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。該重合体は、該無機材料の存在下で熱処理できる。該重合体は、炭化水素重合体、ポリアルキレン、ポリアルキニル、ポリスチレン若しくはポリエチレン（ＰＥ）又はそれらの任意の組合せであることができる。
【００４７】
別の態様では、本発明は、原油と完全結晶性メソ構造を有する無機材料とを接触させる方法によって作られたベンゼン化合物に関する。該完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。該原油は、該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応される。該ベンゼン化合物としては、例えば、トルエン及びキシレンのようなベンゼン誘導体を挙げることができる。一具体例では、完全結晶性メソ構造を有する無機材料で生成されるベンゼン化合物の量は、従来型の改質されていない完全結晶性ゼオライトで生成される量よりも少ない。
【００４８】
別の態様では、本発明は、原油と完全結晶性メソ構造を有する無機材料とを接触させる方法によって作られたにガソリン化合物関する。該完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。該原油は、該無機材料の存在下で制御された温度及び圧力の条件下で反応される。一具体例では、完全結晶性メソ構造を有する無機材料で生成されるガソリンの量は、従来型の改質されていない完全結晶性ゼオライトで生成される量よりも多い。
【００４９】
別の態様では、本発明は、汚染水と完全結晶性メソ構造を有する無機材料とを接触させることを含む水処理の方法に関する。該完全結晶性メソ構造は、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する。該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は、実質的に同一である。水からの汚染物は、無機材料で除去される。一具体例では、除去される汚染物は染料である。
【００５０】
別の態様では、本発明は、複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料に関する。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。一具体例では、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、約３ｎｍ〜約２０ｎｍである。一具体例では、該無機材料は、半結晶又は多結晶である。該ナノ構造は、一次元、二次元又は三次元であることができる。該ナノ構造は、ナノチューブ、ナノリング、ナノロッド、ナノワイヤー、ナノスラブ、ナノレイヤー又はナノディスクであることができる。一具体例では、ある要素はあるナノ構造を有し、そして別の要素は別のナノ構造を有し、例えば、ナノロッドはナノチューブに隣接する。該無機材料としては、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）及びＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せを挙げることができる。該ナノ構造は、例えば、Ｙ［ＺＮＲ］、ＭＯＲ［ＺＮＲ］又はＺＳＭ−５［ＺＮＲ］であることができる。
【００５１】
別の態様では、本発明は、次の工程：（ａ）結晶性無機材料を準備し、（ｂ）該結晶性無機材料をｐＨ制御媒体にさらして結晶性無機材料を部分的に溶解させ、それにより非晶質無機材料を生じさせ、（ｃ）該非晶質無機材料のｐＨを調整し、（ｄ）該非晶質材料を界面活性剤にさらし、そして（ｅ）工程（ｂ）〜（ｄ）の時間及び温度条件を制御することによって該無機材料を処理してナノ構造を形成させることを含む無機材料の製造方法に関する。随意に、該方法は、該時間及び温度条件を制御することによって該無機材料を処理して、まず［ＭＣＭ−５０］メソ構造を形成させ、次いでナノ構造を形成させることをさらに含む。
【００５２】
該方法の一具体例では、該ｐＨ制御媒体は、少なくとも約１０〜約１４以下、少なくとも約２〜約６以下、又は少なくとも約−２〜約２以下であるｐＨ制御設定点を有する。別の具体例では、該非晶質無機材料は、約８〜約１２を範囲とするｐＨを有する。該温度条件は、約１００〜約２００℃を範囲とすることができる。該時間は、約１２時間〜約２週間を範囲とすることができる。該温度条件は、熱水温度条件であることができる。
【００５３】
一具体例では、該方法に従って使用される界面活性剤は、陽イオン性界面活性剤、イオン性界面活性剤又は中性界面活性剤又はそれらの任意の組合せである。例えば、臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）が界面活性剤として使用できる。完全結晶性無機材料は、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）及びＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せであることができる。
【００５４】
別の態様では、本発明は、（ａ）結晶性無機材料を準備し、（ｂ）該結晶性無機材料をｐＨ制御媒体にさらして結晶性無機材料を部分的に溶解させ、それによって非晶質無機材料を生じさせ、（ｃ）該非晶質無機材料のｐＨを調整し、（ｄ）該非晶質材料を界面活性剤にさらし、そして（ｅ）工程（ｂ）〜（ｄ）の時間及び温度条件を制御することによって該無機材料を処理してナノ構造を形成させる方法によって作られた無機材料に関する。
【００５５】
別の態様では、本発明は、有機化合物と、複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させる方法によって作られた分解有機化合物に関する。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。一具体例では、該炭化水素材料は、１，３−ジイソプロピルベンゼン、ガソリン、プロピレン、ブテン、コークス、全乾性ガス若しくは液化石油ガス又はそれらの組合せである。
【００５６】
別の態様では、本発明は、有機化合物を接触分解させる方法に関する。該方法は、該有機化合物と複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させることを含む。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。一具体例では、該有機化合物は、炭化水素、不飽和炭化水素、芳香族炭化水素、アルキル化ベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、原油、軽油又は減圧軽油のうちの少なくとも一つである。
【００５７】
別の態様では、本発明は、原油を処理する方法に関する。該方法は、原油と複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させることを含む。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。該原油は、該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応する。随意に、該原油は、該無機材料の存在下で流動接触分解ユニット内において反応する。一具体例では、生じるガソリン留分は、完全結晶性無機材料を使用して生成されるガソリンの量に対して増加する。別の具体例では、軽質オレフィンの生成量は、完全結晶性無機材料を使用して生成される軽質オレフィンの量に対して増加する。
【００５８】
別の態様では、本発明は、重合体の処理加工方法に関する。該方法は、重合体と複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させることを含む。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。該重合体は、該無機材料の存在下で熱処理できる。該重合体は、炭化水素重合体、ポリアルキレン、ポリアルキニル、ポリスチレン若しくはポリエチレン（ＰＥ）又はそれらの任意の組合せであることができる。
【００５９】
別の態様では、本発明は、原油と複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させる方法によって作られたベンゼン化合物に関する。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。該原油は、該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応する。ベンゼン化合物としては、例えば、トルエン及びキシレンのようなベンゼン誘導体を挙げることができる。一具体例では、結晶性ナノ構造材料で生成されるベンゼン化合物の量は、従来型の改質されていない完全結晶性ゼオライトで生成される量よりも少ない。
【００６０】
別の態様では、本発明は、原油と複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させる方法によって作られたガソリン化合物に関する。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。該原油は、該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応する。一具体例では、結晶性ナノ構造を有する無機材料で生成されるガソリンの量は、従来型の改質されていない完全結晶性ゼオライトで生成される量よりも多い。
【００６１】
別の態様では、本発明は、汚染水と複数の要素を有する結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させることを含む水処理の方法に関する。それぞれの要素は、複数の細孔を画定し、そして隣接する要素は、それらの間に空隙を画定する。該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法は、１００ｎｍ以下である。水からの汚染物は、無機材料で除去される。一具体例では、除去される汚染物は染料である。
【００６２】
本発明のこれらの具体例、他の具体例並びにそれらの特徴及び特性は、次の説明、図面及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６３】
図面の簡単な説明
図１Ａは、先行技術の多結晶メソ多孔性材料の概略図である。
図１Ｂは、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトの略図である。
図１Ｃは、ナノ構造形状がナノロッドを含む本発明のメソ構造化ゼオライトのＴＥＭ画像を示す図である。
図１Ｄは、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示す図である。規則性メソ構造ＭＣＭ−４１（低角度でのＸＲＤピークによって明らかにされる）と、非改質ゼオライト完全結晶性構造Ｈ−Ｙの両方が存在する。
図２は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示す図である。規則性メソ構造ＭＣＭ−４１（低角度でのＸＲＤピークによって明らかにされる）と、非改質ゼオライト完全結晶性構造Ｈ−ＭＯＲの両方が存在する。
図３は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示す図である。規則性メソ構造ＭＣＭ−４１（低角度でのＸＲＤピークによって明らかにされる）及び非改質ゼオライト結晶構造Ｈ−ＺＳＭ−５の両方が存在する。
図４は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）及び非改質ゼオライトＹについてのＦＴＩＲキャラクタリゼーションのピークを示す図である。
図５は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（上段上線）、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（中段上線）、Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（下段上線）のＦＴＩＲスペクトル及びそれらの非改質完全結晶性ゼオライト変種Ｈ−Ｙ（上段下線）、Ｈ−ＭＯＲ（中段下線）、Ｈ−ＺＳＭ−５（下段下線）のＦＴＩＲスペクトルを示す図である。それぞれの完全結晶性メソ構造化ゼオライトとその相当する非改質ゼオライトとの間の一致が観察されるが、これは、完全結晶性メソ構造化ゼオライトには完全ゼオライト系の結合性が存在していることを示している。
図６は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−Ｙの７７ＫでのＮ₂の物理吸着等温線を示す図である。完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細孔径分布（ＢＪＨ方法）を差し込み図に含めている。メソ構造化試料におけるよく発達した狭い細孔寸法のメソ多孔性の存在は、Ｐ／Ｐ₀〜０．３での急激な取り込みによって明白である。
図７は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−ＭＯＲという）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＭＯＲの７７ＫでのＮ₂の物理吸着等温線を示している。完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細孔径分布（ＢＪＨ方法）を差し込み図に含めている。メソ構造化試料におけるよく発達した狭い細孔寸法のメソ多孔性の存在は、Ｐ／Ｐ₀〜０．３での急激な取り込みによって明白である。
図８は、完全結晶性メソ構造Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−ＺＳＭ−５という）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＺＳＭ−５の７７ＫでのＮ₂の物理吸着等温線を示している。完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細孔径分布（ＢＪＨ方法）を差し込み図に含めている。メソ構造化試料におけるよく発達した狭い細孔寸法のメソ多孔性の存在は、Ｐ／Ｐ₀〜０．３での急激な取り込みによって明白である。
図９は、次のものの細孔容量（黒い柱）：完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（左）、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（中央）及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（右）並びにそれらの非改質ゼオライト変種（明るい方の柱）：Ｈ−Ｙ（左）、Ｈ−ＭＯＲ（中央）及びＨ−ＺＳＭ−５（右）を示す。
図１０は、異なる焦点でのａ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細部、及びｂ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細部の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって得られた画像を示している。この電子回折像を差し込み図として含めている。
図１１は、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトのＴＥＭ画像を示している。
図１２は、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトのＴＥＭ画像を示している。
図１３は、非改質の従来型ゼオライトＨ−Ｙによる１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解の略図を示している。
図１４は、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトによる１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解の略図を示している。
図１５は、転化率対時間として示された、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−ＨＹという）、その非改質ゼオライト変種Ｈ−Ｙ及び従来型のＡｌ−ＭＣＭ−４１についての１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示している。１２０℃で１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより飽和された５０ｍＬ／分のＨｅ流れを５０ｍｇの触媒に対して２００℃で流した。
図１６は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）による１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの、ジイソプロピルベンゼン及びクメンへの接触分解を示している。該Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］の結果を、非改質完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙの商用試料からの基準化された結果と比較している。完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］による接触分解は、高い選択性及びベンゼン生成量の減少を生じさせる。
図１７は、従来型の非メソ分解性ゼオライトＡｌ−ＭＣＭ−４１と比較した、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）熱水安定性を示している。
図１８は、転化率対時間として示された、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］（メソ−ＨＭＯＲという）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＭＯＲについての１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示している。１２０℃での１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより飽和された５０ｍＬ／分のＨｅ流れを５０ｍｇのそれぞれの触媒Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］及びＨ−ＭＯＲに対して２００℃で流した。
図１９は、転化率対時間として示された、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−ＺＳＭ−５という）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＺＳＭ−５についての１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示している。１２０℃での１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより飽和された５０ｍＬ／分のＨｅ流れを、２００℃で５０ｍｇのそれぞれの触媒Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］及びＨ−ＺＳＭ−５に対して流した。
図２０Ａは、左側のＹ軸に、該ナノ構造Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］及び非改質完全結晶性ゼオライトＨ−ＭＯＲについての１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの転化率対時間を示している。また、時間の関数としてのＨ−ＭＯＲによって生成されるベンゼン／Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］によって生成されるベンゼンの比も右側のＹ軸上に示している。１２０℃での１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより飽和された５０ｍＬ／分のヘリウム流れを、２００℃で５０ｍｇのそれぞれの触媒Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］及びＨ−ＭＯＲに対して導入した。
図２０Ｂは、従来型の完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙ（Ｓｉ／Ａｌ＝１５）及びその完全結晶性メソ構造化変種Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のマイクロ活性試験（ＭＡＴ）の結果を示している。
図２０Ｃは、従来型の完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙ（Ｓｉ／Ａｌ＝１５）及びその完全結晶性メソ構造化変種Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のマイクロ活性試験（ＭＡＴ）によって得られたＬＰＧ留分の組成を示している。
図２１は、触媒の混合物についてのポリエチレン（ＰＥ）の損失重量対温度のパーセンテージを標識されたＰＥに対する重量比で表している：（Ａ）：触媒なし、（Ｂ）：Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ１：２、（Ｃ）：Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ１：２、（Ｄ）：Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ１：１、（Ｅ）Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ２：１、（Ｆ）：Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ１：１及び（Ｇ）Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ２：１。
図２２は、ａ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｂ）ＮＨ₄−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｃ）ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃Ｃｌ、ｄ）ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｄ）Ｒｈ（ＰＰｈ₃）₃Ｃｌ及びｅ）Ｒｈ（ＰＰｈ₃）₃ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＦＴＩＲスペクトルを示している。
【００６４】
発明の詳細な説明
定義
便宜上、本発明をさらに説明する前に、本明細書、実施例及び特許請求の範囲において使用した所定の用語をここに集める。これらの定義は、これ以後の開示を考慮して解釈すべきであり、かつ、当業者として理解すべきである。
【００６５】
不定冠詞「ａ」及び「ａｎ」は、該冠詞の文法上の対象の１以上（すなわち、少なくとも１）をいうために使用する。例えば、「要素（an element）」は、１の要素又は２以上の要素を意味する。
【００６６】
用語「触媒」とは、技術的に認識されているものであり、そして化学反応速度に著しく影響を与える任意の物質であって、それ自体は消費されず又は有意に変化しないものをいう。
【００６７】
用語「含む」は、包括的で制限のない意味で使用され、追加の要素を含むことができることを意味する。
【００６８】
用語「分解」とは、技術的に認識されているものであり、そして有機化合物をさらに小分子に分解させる任意の方法をいう。
【００６９】
用語「を含め」は、「を含め・・・これらに限定されない」を意味する。「を含め」及び「を含め・・・これらに限定されない」は、区別なく使用する。
【００７０】
「ＭＣＭ−４１」は、Ｍｏｂｉｌ複合物を表し、そして六方細孔配置を有する非晶質メソ多孔性シリカであって、その平均孔径が約２〜１０ｎｍの範囲にあるものをいう。
【００７１】
「ＭＣＭ−４８」は、Ｍｏｂｉｌ複合物を表し、そして立方細孔配置を有する非晶質メソ多孔性シリカであって、その平均孔径が約２〜１０ｎｍの範囲にあるものをいう。
【００７２】
「ＭＣＭ−５０」は、Ｍｏｂｉｌ複合物を表し、そして層状細孔配置を有する非晶質メソ多孔性シリカであって、その平均孔径が約２〜１０ｎｍの範囲にあるものをいう。
【００７３】
用語「メソ多孔体」とは、技術的に認識されているものであり、そして約２〜約５０ナノメートルのいずれかを範囲とする中間寸法の細孔を含む多孔性材料をいう。
【００７４】
用語「メソ構造」とは、技術的に認識されているものであり、そして規則性及び非規則性メソ構造化材料並びにナノ構造化材料、すなわち、それらの寸法の少なくとも一つがナノメートル寸法の範囲にある材料、例えば、ナノチューブ、ナノリング、ナノロッド、ナノワイヤー、ナノスラブなどを含め、該材料の構造をメゾスコピック又はナノメートルスケールで制御するメソ細孔を含む構造をいう。
【００７５】
ここで使用するときに、用語「メソ構造化ゼオライト」には、結晶メソ多孔性材料、例えば、ゼオライト、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェートなどの全てが含まれる。そのメソ構造は、規則性メソ多孔体（例えばＭＣＭ−４１、ＭＣＭ−４８又はＳＢＡ−１５のような）、非規則性メソ多孔体（メソ気泡フォーム（ＭＣＦ）のような）又はメソスケール形態（ナノロッド及びナノチューブ）の形であるかもしれない。表記ゼオライト［メソ構造］は、異なるタイプのメソ構造化ゼオライトを示すために使用する。
【００７６】
「ＭＯＲ」は、その斜方晶構造内にほぼ２モルのナトリウム及びカリウムと、ほぼ１モルのカルシウムとを含むゼオライトであるモルデナイトを表す。また、この用語には、「Ｈ−ＭＯＲ」として表すこともできるＭＯＲの酸性形態も含まれる。
【００７７】
「ＭＳＵ−Ｓ（ＭＦＩ）」は、約２〜１５ｎｍの細孔範囲を有するナノ寸法ゼオライトで作られたメソ多孔性材料を表す。該（ＭＦＩ）はその構造を指す。
【００７８】
「ＭＳＵ−Ｓ（ＢＥＡ）」は、約１〜１５ｎｍの細孔範囲を有するナノ寸法ゼオライトで作られたメソ多孔性材料を表す。該（ＢＥＡ）はその構造を指す。
【００７９】
「ＰＮＡ」は、ＭＣＭ−４１の半結晶化形態を表す。
【００８０】
「ＳＢＡ−１５」は、六方晶の態様で配置される３０ｎｍまでの細孔直径と、6ｎｍまでの厚さの孔壁とを有するメソ多孔性（アルミノ）シリカを表す。
【００８１】
用語「界面活性剤」とは、技術的に認識されているものであり、そして表面の性質を改変させ、多くの場合水の表面張力を減少させる任意の表面活性剤又は物質をいう。臭化セチルトリメチルアンモニウムが界面活性剤の限定されない例である。
【００８２】
「Ｙ」は、その八面結晶構造内に２モルのナトリウムと１モルのカルシウムを含むゼオライトであるフォージャサイトを表す。また、この用語には、「Ｈ−Ｙ」としても表すことができるＹの酸性形態が含まれる。
【００８３】
用語「ゼオライト」は、国際ゼオライト学会規約（第１．３条）と同様に、天然ゼオライト及び合成ゼオライトの両方並びにモレキュラーシーブ並びに関連する特性及び／又は構造を有する他の微孔性材料及びメソ多孔性材料を包含するように定義される。また、用語「ゼオライト」とは、ナトリウム及びカルシウム又は一般的ではないが、バリウム、ベリリウム、リチウム、カリウム、マグネシウム及びストロンチウムのような陽イオンを含む構造化アルミノシリケート無機物からなる群又はこれらからなる群の任意の一員であって、比（Ａｌ＋Ｓｉ）：Ｏ＝ほぼ１：２、イオン交換が可能な開４面体骨格構造及び可逆的脱水を可能にする緩く保持された水によって特徴付けられるものをもいう。また、用語「ゼオライト」には、アルミノホスフェート（例えば、ＭｅＡＰＯ、ＳＡＰＯ、ＥｌＡＰＯ、ＭｅＡＰＳＯ及びＥｌＡＰＳＯ）、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノシリケートなどの場合と同様にＳｉ⁴⁺又はＡｌ³⁺を他の元素で置き換えることによって製造される「ゼオライト関連材料」又は「ゼオタイプ」も含まれる。
【００８４】
「ＺＳＭ−５」又は「ＺＳＭ−５（ＭＦＩ）」は、Ｍｏｂｉｌ合成ゼオライト−５を表す。また、この用語には、「Ｈ−ＺＳＭ−５」として表すこともできるＺＳＭ−５の酸性形態も含まれる。該（ＭＦＩ）は、その構造に関連する。
【００８５】
当該技術分野において通常の知識を有する有機化学者によって利用されている略語の総覧は、「Journal of Organic Chemistry」の各巻の創刊号に出ている。このリストは、典型的には、「Standard List of Abbreviations」という題名がつけられた表に与えられている。
【００８６】
本発明の目的上、化学元素は、元素の周期律表（ＣＡＳバージョン, Handbook of Chemistry and Physics, 第６７版,１９８６−８７,内表紙）に従って特定される。
【００８７】
上記のゼオライト構造、サブユニット及び他の組成物の意図される均等物としては、さもなくばそれに相当し、かつ、その同一の一般的特性（例えば、生体適合性）を有するこのような材料であって、１以上の単純な置換基変化があるが、それがその意図される目的を達成するためのこのような分子の有効性に悪影響を及ぼさないものが挙げられる。一般に、本発明の化合物は、例えば、以下に記載するような一般的な反応スキームで例示される方法によって又はその改変法によって、容易に入手できる出発材料、試薬及び慣用の合成手順を使用して製造できる。これらの反応において、それら自体公知であるが、ここには挙げていない様々なものを使用することも可能である。
【００８８】
完全結晶性メソ構造化ゼオライトの合成
近年、構造指向剤（ＳＤＡ）として使用される有機分子の選択、合成条件の制御及び合成後処理によって、所望の特性を有するゼオライトを合成するに際しての専門的知識が得られた。van Bekkum, H.,Flanigen, E. M., Jacobs, P. A., Jansen, J. C.（著者）「ゼオライト科学及び応用入門」第２版，Studies in Surface Science and Catalysis, 2001, 137; Corma, A., Chem. Rev., 1997, 97, 2373-2419; Davis, M. E., Nature, 2002, 417, 813-821; Davis, M.E.,外, Chem. Mater., 1992, 4, 756-768; de Moor P-P.E.A.外, Chem. Eur. J., 1999, 5（7），2083-2088; Galo, J. de A. A.,外, Chem. Rev., 2002, 102, 4093-4138。同時に、規則性メソ多孔材料の一群は、異なる界面活性剤及び合成条件の使用によって大きく拡大した。Corma, A., Chem. Rev., 1997, 97, 2373-2419; Davis, M. E., Nature, 2002, 417, 813 - 821; Galo, J. de A. A.,外, Chem. Rev., 2002, 102, 4093-4138; Ying, J. Y.,外, Angew. Chem. Int. Ed., 1999, 38, 56-77。ここに開示した完全結晶性メソ構造化ゼオライトの一群は、結晶質メソ多孔性材料と非晶質メソ多孔性材料との間の間隙を架橋する、制御されたメソ多孔性を有するゼオライト構造からなる１相ハイブリッド材料である。本発明にしたがって、界面活性剤は、細孔を形成する、より具体的には完全結晶性ゼオライト構造の容量の少なくとも一部分にわたって複数のメソ細孔を形成する完全結晶性ゼオライト構造を貫通させるために使用される。メソ細孔表面は、該メソ構造内の各メソ細孔の周囲を取り囲んでいる。完全結晶性には、少なくとも１０ｎｍにわたって所定の間隔で反復する、単位格子と呼ばれる反復構造を有する１以上の相を有する全ての固体が含まれる。完全結晶性ゼオライト構造は、例えば、単結晶、単一結晶又は多結晶を有することができる。多結晶には、少なくとも１０ｎｍにわたって所定の間隔で反復する、単位格子と呼ばれる反復構造を有する１以上の相を有する固体の全てが含まれる。完全結晶性ゼオライトは、所定の時間にわたって、完全結晶性ゼオライトの容量の全て又は一部分にわたって所望のメソ細孔構造を達成するのに好適な温度及びｐＨ条件下で該界面活性剤にさらされる。いかなる完全結晶性無機材料も、例えば、ゼオライト、完全結晶性ゼオライト又はゼオライト類について記載するのと同様の構造を有し、同様に製造でき、及び／又は同様に使用できるであろうことが予期される。
【００８９】
図１Ａとは対照的に、図１Ｂは本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライト２００の略図であるが、これは、ゼオライト構造２０５の容量にわたって貫通するメソ細孔２１０を有する完全結晶性ゼオライト構造２０５を特徴とする。メソ細孔２１０を取り囲む該メソ構造２１５は完全結晶性である。隣接するメソ細孔間の孔壁又は内壁は、壁厚２３０を有する。図１Ｂに示すように、メソ構造２１５及びメソ細孔２１０は、ゼオライト構造２０５の側部２００から見ている。この略図には示されていないが、該メソ構造及び該メソ細孔は、メソ構造化ゼオライト２００の他の側面から見ることもできる。
【００９０】
ここで、図１Ａ及び１Ｂを参照すると、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライト２００の完全結晶性メソ構造２１５とは異なり、凝集した結晶性メソ多孔性ゼオライト核材料１００において、メソ細孔寸法の細孔容量１１０を取り囲む孔壁は不連続であり、これはゼオライト核の多結晶、例えば、１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃを特徴付ける。
【００９１】
完全結晶性メソ構造化ゼオライトの合成は、様々な材料に適用できる。この第１の戦略は、ゼオライトの完全結晶性を失うことなくメソ多孔性を与えるために界面活性剤の存在下でゼオライト構造を狭い範囲で再編成させることに基づく。ゼオライトは、界面活性剤を含有するｐＨ制御溶液に添加される。或いは、ゼオライトはｐＨ制御溶液に添加され、そしてその後界面活性剤が添加される。該ｐＨ制御溶液は、例えば、約８〜約１２又は約９〜約１１を範囲とするｐＨを有する塩基性溶液であることができ、或いは、該塩基性溶液のｐＨは約１０であることができる。該塩基の強さ及び該塩基性溶液の濃度は、所望の範囲内のｐＨを与えるように選択される。所望のｐＨ範囲内にある任意の好適な塩基を使用することができる。
【００９２】
本発明に従って使用できる好適な界面活性剤としては、陽イオン性、イオン性、中性界面活性剤及び／又はそれらの組合せが挙げられる。界面活性剤の量は、例えば、混合される界面活性剤及びゼオライトに従って変更される。例えば、一具体例では、この界面活性剤の重量は、該溶液に添加されるゼオライトの重量にほぼ等しい。或いは、該界面活性剤の重量は、該溶液に添加されるゼオライトの重量の約半分であることができる。
【００９３】
混合物は、該完全結晶性ゼオライトが所望のメソ構造を得るように選択される所定期間にわたて熱水処理され、例えば、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］は、六方細孔配置を取り囲む完全結晶性メソ構造を有するフォージャサイトの完全結晶性酸性型である。同様に、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４８］は、立方細孔配置を取り囲む完全結晶性メソ構造を有するフォージャサイトの完全結晶性酸性型であり、そしてＨ−Ｙ［ＭＣＭ−５０］は、層状細孔配置を取り囲む完全結晶性メソ構造を有するフォージャサイトの完全結晶性酸性型などである。一般に、その時間及び温度は、温度をさらに高くすると、所望のメソ多孔性及び所定のメソ構造を達成するためには、それよりも低い温度と比較してさらに短い時間が必要となるように関連している（低温では、同一のメソ多孔性を得るために比較的長い時間を必要とするであろう。）。時間と温度は関連しているため、混合物を熱水処理するときに、任意の好適な時間及び温度の組合せが使用できる。例えば、該温度は、約室温〜約６０℃の範囲にあり、或いは、該温度は１００〜約２００℃の範囲にある。該温度が約６０℃以上である場合には、この制御された温度条件は、例えば、密閉反応器内で、熱水条件下で生じる。該時間は、約１時間〜約２週間を範囲とする。
【００９４】
２種の合成実験では、時間、温度、ゼオライトのタイプと量及び界面活性剤のタイプと量のパラメーターを一定に保持するが、ただし、該第１合成におけるｐＨは９であり、第２合成におけるｐＨは１１である。該２種の合成実験における異なるｐＨ値の結果として、該２種の完全結晶性ゼオライトメソ構造は、互いに異なる。具体的には、ｐＨ９の溶液で合成された該完全結晶性ゼオライトメソ構造は、ｐＨ１１で合成された完全結晶性ゼオライトメソ構造（高塩基濃度によりメソ多孔性が増大したため、さらに多くのメソ細孔表面を有する）と比較して、少数のメソ細孔が従来型の完全結晶性ゼオライトに取り入れられたため、さらに少数のメソ細孔表面を特徴とする。
【００９５】
代表的な合成では、ゼオライトは、臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）界面活性剤を含有する希釈ＮＨ₄ＯＨ溶液に添加される。この混合物を、約１００〜約２００℃、約１２０〜約１８０℃、約１４０〜約１６０℃又は約１５０℃で約２０時間又は一晩にわたって熱水処理し、その間に、該ゼオライト構造は狭い範囲の再構成を受けてＭＣＭ−４１型のメソ構造に適応する。さらに高い界面活性剤濃度及び長い熱水処理は、ＭＣＭ−４８型のメソ構造を有するメソ構造化ゼオライトを生じさせるであろう。洗浄及び乾燥後に、該界面活性剤を、例えば、焼成又は界面活性剤抽出によって除去される。一具体例では、得られた材料をＮ₂雰囲気中で約５００〜６００℃又は約５５０℃の最大温度で焼成し、次いで界面活性剤除去のために空気中で焼成する。該界面活性剤除去技術は、例えば、該メソ構造化ゼオライトから該界面活性剤の全てを除去するのに必要な時間に基づき選択される。この合成スキームを使用して様々なゼオライト構造を有するメソ構造化ゼオライトを製造することができた。
【００９６】
任意の一つの理論に拘泥されることを望まないが、この制御ｐＨ溶液が従来型の完全結晶性ゼオライト表面を軟化させ、該界面活性剤がゼオライトに浸透し、該メソ構造化ゼオライトを生じさせるものと思われる。より具体的にいえば、使用される該ｐＨ条件は、界面活性剤がゼオライトの構造に浸透するのを可能するが、ただし、該ｐＨ条件では、該ゼオライトは溶解しない。該界面活性剤がゼオライトに浸透し、メソ細孔を形成するときに、この浸透した部分は、制御ｐＨ溶液にさらされ、そして軟化し、該界面活性剤によるさらなる浸透を可能にする。該浸透は、該ゼオライトの容量全体にわたってこの態様で続く。ゼオライト容量を介した浸透は、任意の単一の方向又は方向の組合せであることができ、例えば、該浸透は、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向又はそれらの任意の組合せを介することができる。該浸透方向又は速度は、必ずしも直線的ではない。浸透は規則的であり、又は随意に該浸透、しかしてメソ細孔は不規則若しくはランダムであることができる。随意に、該メソ細孔の一つ以上は、交差し、相互に連絡し、集中し及び／又は整列しているが、これは、得られるメソ多孔性完全結晶性メソ構造の配置に影響を与える。該界面活性剤は、完全結晶性ゼオライトへの浸透を可能にし、メソ細孔を生じさせる。界面活性剤のタイプは、少なくとも部分的に、例えば、メソ細孔直径の寸法及び／又はメソ細孔断面の寸法を含め、メソ細孔の寸法を決める。従来型の完全結晶性ゼオライトへの浸透は、制御された時間及び温度条件で保持された制御ｐＨ溶液、例えば、１０のｐＨを有する塩基が界面活性剤なしでゼオライトと混合される場合には観察されない。
【００９７】
ある種の従来型の完全結晶性ゼオライトが非常に安定であり（例えば、ＺＳＭ−５、ＭＯＲ、ＣＨＡなど）、これらのゼオライトにメソ多孔性を取り入れるのは困難である。このような場合には、例えば、約１１〜約１４若しくは約１２〜約１３の範囲のｐＨを有する強塩基又は酸、例えば、例えば約２〜約６若しくは約３〜約５を範囲とするｐＨ若しくは約４のｐＨを有するＨＦが、シリカを溶解させ、そして従来型の完全結晶性ゼオライト表面を軟化させて界面活性剤が浸透しそして完全結晶性ゼオライトにメソ細孔を生じさせるために必要である。
【００９８】
高密度構造を有する従来型の完全結晶性ゼオライト（例えばＺＳＭ−５）は、高密度構造が少ない完全結晶性ゼオライトよりも酸及び塩基に対して抵抗性がある。低い溶解度を有するゼオライト（例えばＺＳＭ−５）及び／又は高密度構造を有するゼオライトは、酸及び塩基による浸透に対して比較的安定であるため、約１０〜約１４の範囲のｐＨを有する希釈水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ−ＯＨ）又は酸溶液、例えば約２〜約６を範囲とするｐＨを有する弗化水素酸ＨＦを、合成スキームにおいて、約９〜約１０を範囲とするｐＨを有する希釈ＮＨ₄ＯＨ溶液の代わりに使用できる。より具体的にいえば、塩基処理単独では、非常に高いｐＨであったとしても、非常に安定なゼオライトを軟化させるのには十分でない。該酸のＨＦは、シリカを溶解させ、そして稠密に構造化された従来型の完全結晶性ゼオライト（例えば、ＺＳＭ−５）の構造を軟化させる。該従来型の完全結晶性ゼオライトをＨＦにさらすことによってこれを軟化させた後に、そのｐＨを、約９〜約１１のｐＨを有する塩基溶液を含めることによって増加させ、そして好適な界面活性剤を、例えば、ゼオライトの量及び所望のメソ多孔容量に従って選択される量で添加する。該混合物を好適な時間及び温度条件に付して完全結晶性メソ構造化ゼオライト内に所望のメソ多孔性を及び得られるメソ構造を与える。
【００９９】
別の代表的な合成では、完全結晶性ゼオライトを、約−２〜約２又は約−１〜約１又は約０のｐＨを有し、中性界面活性剤、例えば、ＰＬＵＲＯＮＩＣ（Ｃ）（ＢＡＳＦ（ニュージャージー州フローハムパーク）から入手可能）を含有する酸溶液に添加する。該混合物を好適な温度条件に所望のメソ構造を得るために選択される時間にわたって暴露する。該混合物を室温で保持し、そして約１日〜約１週間にわたって撹拌することができる。或いは、該混合物を熱水処理する。一具体例では、混合物を約１２０℃で約４時間〜約１週間にわたって熱水処理する。得られたメソ細孔は、約５〜６０ｎｍの細孔直径を有する。メソ細孔表面は、それぞれのメソ構造のメソ細孔を取り囲む。
【０１００】
また、該メソ細孔の寸法及び構造は、異なる脂肪族鎖長を有する界面活性剤、非イオン性界面活性剤、トリブロック共重合体、膨張剤などの使用のような周知技術によっても都合よく調整できる。例えば、さらに長い鎖長の界面活性剤を使用すると細孔寸法が増大するが、逆にさらに短い鎖長の界面活性剤を使用すると細孔寸法が減少する。例えば、膨張剤を使用すると界面活性剤のミセルが膨張するであろう。これらのメソ細孔寸法及びメソ構造の構造改変特性のうち任意のものを単独で又は組み合わせて使用できる。また、合成後処理（例えば、シラン化、グラフト、表面官能化、イオン交換、均一系触媒の固定及び金属ナノクラスターの付着）を使用して該材料の組織上の特性をさらに改善させ及び／又はそれらの表面化学的性質を改変させることができる。
【０１０１】
本発明の別の態様は、例えば、図１Ｃに示すように、メソ構造を特徴とする。このようなメソ構造は、ｐＨ制御媒体、すなわち酸性媒体又は塩基性媒体のいずれかでゼオライトを溶解させ、その後界面活性剤の存在下で熱水処理することに基づき達成できる。使用できる好適な界面活性剤としては、陽イオン性、イオン性、中性界面活性剤及び／又は該陽イオン性、イオン性及び中性界面活性剤の組合せが挙げられる。該界面活性剤の量は、例えば、選択される界面活性剤及び選択されるゼオライトに従って変更される。例えば、該界面活性剤の重量は、該溶液に添加されるゼオライトの重量にほぼ等しく、或いは該界面活性剤の重量は、該溶液に添加されるゼオライトの重量の約半分に等しいことができる。該ｐＨ制御媒体が塩基性である場合には、ゼオライトを溶解させるｐＨは、約1０〜約１４の範囲にある。該ｐＨ制御媒体が酸性である場合には、ゼオライトを溶解させるｐＨは、約−２〜約２の範囲にあり、ＨＦを使用するときには、該ｐＨ範囲は約２〜約６である。これらのさらに厳しいｐＨ条件下で、孔壁が初めのうちは非晶質であるメソ多孔性固体が得られた。該孔壁は、メソ多孔性構造に影響を与えることによって又は与えることなく、その後ゼオライト相に変換され得る。より具体的にいえば、該ゼオライトがこの攻撃的なｐＨ処理に付された後に、該ｐＨを、例えばＮＨ₄ＯＨ及び界面活性剤（例えば、ＣＴＡＢ）を添加することによって約１０に調整して自己集合性の部分溶解ゼオライトを生じさせる。この合成混合物を所定時間にわたって熱水処理し又は室温で撹拌して非常に安定なメソ多孔性非晶質アルミノシリケートを得ることができる。より具体的にいえば、該合成混合物を、例えば、約１００〜約１５０℃で熱水処理する場合には、非常に安定なメソ多孔性非晶質アルミノシリケートが得られる。或いは、該合成混合物を室温で非常に安定なメソ多孔性非晶質アルミノシリケートを得るのに十分な時間（約４時間〜約１日）にわたって撹拌する。該メソ多孔性非晶質アルミノシリケートは、還流条件下で４８時間にわたって沸騰させた後でもそのメソ多孔性を保持する。製造される材料の酸性度は、非ゼオライト系シリカ及びアルミナ源から得られた非晶質メソ多孔性材料の酸性度よりも高い。該合成混合物を長時間（約１２時間〜約２週間）にわたって熱水処理する場合には、ゼオライト系のメソ構造が得られる。該合成条件（例えば、ｐＨ、時間、温度、ゼオライトのタイプ、界面活性剤濃度）を調節することによって、異なるゼオライトナノ構造、例えば、ナノチューブ、ナノリング、ナノロッド、ナノワイヤー、ナノスラブ、ナノファイバー、ナノディスクなどが製造できる。再度図１Ｃを参照すると、例えばナノロッドを含めたナノ構造は隣接する要素（例えば、第２ナノロッドに隣接する第１ナノロッド）から作られる。隣接する要素（例えば、隣接するナノロッド）間には間隙が形成され得る。それぞれのナノ構造要素は、複数の細孔を画定する（例えば、それぞれのナノロッドは、その構造内に細孔を有する）。異なる要素は単一のナノ構造内で互いに連結でき、例えば、ナノロッドはナノリングに隣接し得る。
【０１０２】
ゼオライトナノロッド（ＺＮＲ）は、このアプローチによって、次の３工程：（ｉ）ｐＨ制御媒体中でゼオライトを塩基処理して該ゼオライトを部分的に溶解させ、そして非晶質アルミノシリケートの懸濁液を生じさせること、（ii）ｐＨを調整し、そして界面活性剤を添加してＭＣＭ−４１を生じさせること、及び（iii）得られた固形物を典型的には約１００〜約２００℃の範囲の温度で約１２時間〜約２週間にわたって熱水処理すること
で製造されている。この最後の工程中に、まず該ＭＣＭ−４１（六方細孔配置）メソ構造をＭＣＭ−４８（立方細孔配置）に転換させ、次いでＭＣＭ−５０（層状細孔配置）に転換させると共に、該非晶質孔壁を結晶質ゼオライト相に転換させる。ＭＣＭ−５０は層状構造であり、しかも例えば、ナノチューブ、ナノリング、ナノロッド、ナノワイヤー、ナノスラブなどを含むゼオライトナノ構造に対する先駆物質である。工程（i）〜（iii）を使用することによって形成されたこの特定のナノ構造は、選択されるゼオライト、界面活性剤、温度、時間及びｐＨによって決定される。該ゼオライト及び他の条件を選択して単一のナノ構造形状（例えば、全てナノロッド）或いは複数のナノ構造形状を達成することができる。任意の一つの理論に拘泥されないが、ナノ構造は、ｐＨ制御溶液によって非晶質アルミノシリケートの懸濁液に溶解した該ゼオライトがゼオライト出発材料の特徴たるある程度のゼオライト結合性を保持するため、少なくとも部分的に達成されるように思われる。ゼオライトのＩＲスペクトル特性のうちいくらかは、該溶解溶液、すなわち、非晶質アルミノシリケートの懸濁液中に存在したままであることが予期される。対照的に、ゼオライトを溶解させて非晶質アルミノシリケートの懸濁液を生じさせるのではなく、アルミナ、シリカ又は非晶質アルミノシリケートを上記工程（ii）〜（iii）に付した場合には、該ナノ構造は形成しない。該溶解ゼオライト溶液中に存在するこれら結合性成分は、ナノ構造の形成に関与するように思われる。
【０１０３】
該ナノ構造は結晶性ではあるが、完全結晶性ではない。これらのものは、一方向に数個の単位を有し、かつ、半結晶質であり、又は多結晶質である。半結晶質及び多結晶質とは、例えば、凝集して固形物を形成する、例えばナノ寸法の結晶、結晶核又は晶子をいう。単位格子は、結晶性構造又は結晶性材料内の最も単純な反復単位である。ナノ構造は開いた構造を有する。これらのものは、空間内での拡張した構造のため並びに該構造そのものの内部にある多数の構造又は空隙間の空間のため、高い表面積を有する。一般に、これらのナノ構造は高い外部表面積も有する。一具体例では、一方のナノ構造は、別のナノ構造に隣接する。図１Ｃは、ナノ構造形状がナノロッドを含む本発明のナノ構造ゼオライトのＴＥＭ画像を示している。該ナノロッドは、約５ｎｍの厚さを有する。示されるように、該ナノロッドは互いに隣接してあり、しかも該ナノロッドは湾曲している。該ＴＥＭ画像で見られる該湾曲ロッドの背景はノイズであり、これは無視されるべきである。
【０１０４】
また、成長を続ける無機及び有機/無機モレキュラーシーブの一群を表すゼオライト様材料もメソ構造化ゼオライトの合成用先駆物質として使用できる。というのは、上記合成アプローチが様々な材料に適合できるからである。
【０１０５】
本発明のメソ構造化ゼオライト及び該メソ構造化ゼオライトの製造方法は、入手可能で、安価な、非毒性の、廃棄物を生じさせない材料を使用する。ゼオライトの多孔性を改善させようとする先の試みは、さらに多くの工程を必要とし、最終構造に制限された制御を及ぼし、しかもさらに高価でかつ毒性の材料を使用した。該方法は、材料のコスト及び先行技術の方法の生産効率に改良を加えているが、ゼオライトにおいて改善された多孔性を達成するために２、３の工程しか必要としない。さらに、本発明の方法は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトを生じさせる。また、本発明の方法は、高い表面積を有するナノ構造化ゼオライトも製造する。
【０１０６】
メソ構造化ゼオライトの構造
該メソ構造化ゼオライトのハイブリッド構造をＸＲＤによって検討した。図１Ｄ〜３は、それぞれ、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］のＸＲＤパターンを示している。ここで使用するときに、メソ構造化ゼオライト、例えば、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］についての命名規則は、最初に出発ゼオライト構造、例えば、Ｈ−Ｙ、そして次に、その隣の角括弧内にあるメソ構造の名称、例えば、［ＭＣＭ−４１］を包含する。該メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］は、該ゼオライトＨ−Ｙの完全結晶性を保持し、かつ、六方細孔［ＭＣＭ−４１］を特徴とする。該完全結晶性メソ構造は、本発明によって形成されたこれらの六方メソ細孔を取り囲む。従って、得られた構造は、［ＭＣＭ−４１］型のメソ構造を特徴とする完全結晶性Ｈ−Ｙ材料である。便宜上、これをＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］と表す。
【０１０７】
図１Ｄは、メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示しており、そして規則性メソ構造ＭＣＭ−４１（低角度でのＸＲＤピークによって明らかにされる）及びゼオライト系の完全結晶性構造Ｈ−Ｙの両方が存在する。図２は、メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示しており、そして規則性メソ構造ＭＣＭ−４１（低角度でのＸＲＤピークによって明らかにされる）及びゼオライト結晶構造Ｈ−ＭＯＲの両方が存在する。図３は、メソ構造化ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示しており、そして規則性メソ構造ＭＣＭ−４１（低角度でのＸＲＤピークによって明らかにされる）及びゼオライト結晶構造Ｈ−ＺＳＭ−５の両方が存在する。ここで、図１Ｄ〜３を参照すると、低及び高２θ°値の両方での非常に強いピークは、この材料群の規則性メソ構造及びゼオライト結晶性の両方を示している。全ての場合において、低２θ°値でのこれらのピークは、ＭＣＭ−４１の存在を示す六方対称に対する指標となり得るが、高２θ°値での明確なＸＲＤピークは、それぞれ、ゼオライトＹ、ＭＯＲ及びＺＳＭ−５に相当する。この観察は注目すべきものである。というのは、長距離結晶性はメソ多孔性金属酸化物ではこれまでに観察されておらず、しかも半結晶性しか（ゼオライトナノクラスターの存在のため）、トリブロック共重合体を使用して生成される厚壁メソ多孔性材料では達成されなかったからである。Kloetstra, K. R.外，Chem. Commun, 1997, 23, 2281-2282; Liu, Y.外, Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 7, 1255-1258; On, D. T., 外，Angew. Chem. Int. Ed., 2001, 17, 3248-3251。
【０１０８】
メソ構造化ゼオライトの結合性を赤外分光法（ＦＴＩＲ）によって検討した（図４〜５参照）。図４は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）及びゼオライトＹについてのＦＴＩＲキャラクタリゼーションピークを示している。さらに図４を参照すると、該完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）のＦＴＩＲスペクトルは上にあり、非改質の従来型完全結晶性ゼオライトＨ−ＹのＦＴＩＲスペクトルは下にある。図５は、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（上段上線）、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（中段上線）、Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（下段上線）のＦＴＩＲスペクトル及び従来型の非改質形態にあるそれらの完全結晶性ゼオライト変種、Ｈ−Ｙ（上段下線）、Ｈ−ＭＯＲ（中段下線）、Ｈ−ＺＳＭ−５（下段下線）のＦＴＩＲスペクトルを示している。完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のスペクトルは上段上線のスペクトルであり、非改質完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙのスペクトルは上段下線のスペクトルである。完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］のスペクトルは中段上線のスペクトルであり、非改質完全結晶性ゼオライトＨ−ＭＯＲのスペクトルは中段下線のスペクトルである。完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］のスペクトルは下段上線のスペクトルであり、非改質完全結晶性ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５のスペクトルは下段下線スペクトルである。図５では、それぞれの完全結晶性メソ構造化ゼオライトとその相当する非改質完全結晶性ゼオライトとの一致が観察されるが、これはゼオライト結合性が完全結晶性メソ構造化ゼオライト内に存在することを示している。図５は、不十分なゼオライト結合性のために一つの広いピークのみを与える非常に安定なＡｌ−ＭＣＭ−４１に反して、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］のＩＲスペクトルと、それらの対応する非改質完全結晶性ゼオライト変種であるＨ−Ｙ、Ｈ−ＭＯＲ、Ｈ−ＺＳＭ−５のＩＲスペクトルとの間の注目すべき一致を示している。Liu, Y., Pinnavaia, T.J., J. Mater. Chem., 2002, 12, 3179-3190; Kloetstra, K. R.,外, Chem. Commun, 1997, 23, 2281-2282; Liu, Y.外, Angew. Chem. Int. Ed., 2001, 7, 1255-1258。壁表面上のシラノール基の特徴である、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］ メソ構造化ゼオライト試料における９６０ｃｍ^-1でのピークは、メソ構造化ゼオライトのメソ多孔性/ゼオライトのハイブリッドの性質についての追加の証拠である。Geidel, E.,外, Microporous and Mesoporous Materials, 2003, 65, 31-42。
【０１０９】
メソ構造化ゼオライトにおける明確なメソ多孔性の存在は、７７Ｋでの窒素物理吸着によって好適に試験できる。Storck,S.外, Applied Catalysis A： General, 1998, 17, 137-146。図６〜８は、それぞれ、完全結晶性メソ構造化ゼオライトであるＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］並びにそれらの非改質ゼオライト変種であるＨ−Ｙ、Ｈ−ＭＯＲ及びＨ−ＺＳＭ−５の７７Ｋでの窒素等温線を示している。よく発達した狭い細孔寸法直径分布のメソ多孔体の存在は、それぞれのメソ構造化試料において明白である。該メソ多孔体の細孔寸法は、特定の完全結晶性メソ構造化ゼオライトにおけるメソ細孔のそれぞれの直径及び／又は断面積が狭い細孔寸法直径分布の範囲に含まれるように制御される。本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトによれば、一具体例では、メソ細孔の９５％以上が平均細孔寸法のプラス又はマイナス１０％の範囲に収まる細孔寸法（例えば、直径及び／又は断面積）を有する。別の具体例では、メソ細孔の９５％以上が平均細孔寸法のプラス又はマイナス３０％の範囲に収まる細孔寸法（例えば、直径及び／又は断面積）を有する。さらに別の具体例では、メソ細孔の９５％以上が平均細孔寸法のプラス又はマイナス７５％の範囲に収まる細孔寸法（例えば、直径及び／又は断面積）を有する。直径制御メソ細孔を取り囲むそれぞれの孔壁又はメソ細孔表面は、実質的に同等の寸法である。本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、制御されたメソ多孔性細孔寸法の断面積を有する。メソ細孔が、細孔寸法断面積を有することに加えて、実質的に円筒の形状である場合には、これらの細孔は細孔寸法直径を有する。しかしながら、メソ細孔の形状が円筒様ではなく、例えば、代表的なメソ細孔を取り囲むメソ細孔表面の深さの少なくとも一部分にわたって変化する直径を有する、例えばスリット形状であったりウォーム様であったりする場合又は定まらない形状の場合には、このようなメソ細孔表面の少なくとも一部分は、制御されたメソ細孔断面積を有する。メソ細孔の寸法は、例えば、従来型の改質されていない完全結晶性ゼオライトから完全結晶性メソ構造化ゼオライトを作るときに使用される選択された界面活性剤及び／又は界面活性剤の量によって制御される。メソ構造をゼオライト取り入れようとする先の試みは、実質的に同様の寸法（例えば、直径及び／又は断面積）及び制御された細孔配置（例えば、六方細孔配置を有する［ＭＣＭ−４１］）を有するゼオライトにおいて実質的に全てメソ細孔を生じさせるこのような制御されたメソ多孔性を達成することができなかった。むしろ、ゼオライトにメソ構造を形成させる先の試みは、小さい〜中程度〜大きいという寸法の細孔を範囲とする広い細孔径分布、異なる形状の細孔及び制御されていない配置のうち任意のもの又はそれらの組合せを生じさせる。
【０１１０】
かなりの容量のメソ多孔性が該試料に導入できる。例えば、図６を参照すると、該ゼオライトがメソ構造化されるときに該メソ細孔の容量はおよそ２倍である。本発明の原理によれば、この例において、該非改質ゼオライトＨ−Ｙは３０ｃｃ／ｇのメソ細孔容量を有していたが、ＨＹ［ＭＣＭ−４１］である完全結晶性メソ構造化ゼオライト（メソ−ＨＹという）は、０．６５ｃｃ／ｇのメソ細孔容量を有する。従来のゼオライトは、低圧でのみ窒素を吸着し、微孔性材料の特徴であるＩ型等温線を生じる。Storck, S.,外, Applied Catalysis A： General, 1998, 17, 137-146。しかしながら、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、狭い細孔径分布（細孔直径〜２．５ｎｍ）を有するメソ構造化材料の特徴的な性質である、さらに高い分圧（Ｐ／Ｐ₀〜０．３）での際立った窒素の取り込みを示す。Storck, S.,外, Applied Catalysis A： General, 1998, 17, 137-146。図６〜８は、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］並びにそれらの非改質の従来型ゼオライト変種Ｈ−Ｙ、Ｈ−ＭＯＲ及びＨ−ＺＳＭ−５についての同様の結果を示している。図９は、次のもののメソ構造化ゼオライト細孔容量（黒い柱）：Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（左）、Ｈ−Ｍ０Ｒ［ＭＣＭ−４１］（中央）及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（右）並びにそれらのゼオライト変種（明るい方の柱）：Ｈ−Ｙ（左）、Ｈ−ＭＯＲ（中央）及びＨ−ＺＳＭ−５（右）を示している。従来のゼオライトと比較すると、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、細孔寸法直径のメソ多孔性のよく発達した狭い分布の取り込みのため、２倍以上の細孔容量（図９参照）を有していた。さらに図９を参照すると、メソ多孔性の取り込み量は制御できる。該完全結晶性メソ構造化ゼオライトのメソ多孔性容量は、例えば、ゼオライトの量のパーセンテージとして添加される界面活性剤の量によって制御される。メソ多孔性容量に寄与する他の要因としては、使用されるｐＨ、時間及び温度条件が挙げられる。一具体例では、添加される制御ｐＨ媒体の容量は、ゼオライトの量を考慮して、所望の界面活性剤濃度を達成するのに好適な量である。該細孔容量は、ｃｃ／ｇで表される、ゼオライトのグラムに対する細孔の立方センチメートルである。該完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細孔容量は、約０．０５ｃｃ／ｇ〜約２ｃｃ／ｇ、又は約０．５ｃｃ／ｇ〜約１ｃｃ／ｇの範囲にあることができる。メソ細孔の寸法を制御し、そしてメソ細孔容量を使用される界面活性剤のタイプと量によって制御してゼオライトから該ゼオライトメソ構造を創り出す。また、時間及び温度条件は、メソ細孔寸法及び／又はメソ細孔容量にも寄与する。
【０１１１】
該メソ構造化ゼオライトは、低い分圧でさらに際立った取り込みを有するが、これは微孔性及び僅かに大きい細孔寸法の存在を示している。界面活性剤をテンプレートとするメソ多孔性固体合成においてよく知られているように、メソ構造化ゼオライトにおけるメソ細孔の寸法は、該界面活性剤の脂肪族鎖の長さを変化させることによって容易に調整又は制御できる。Corma, A., Chem. Rev. 1997, 97, 2373-2419；Linssen, T., Cassiers, K., Cool, P., Vansant, E. F., Advances in Colloid and Interface Science, 2003, 103, 121-147; Ying, J. Y.,外, Angew. Chem. Int. Ed., 1999, 38, 56-77。随意に、メソ細孔の細孔寸法直径は、例えば、界面活性剤の選択及び／又は界面活性剤の量によっても制御できる。
【０１１２】
ゼオライト系のメソ構造化材料を製造する他の者による従前の試みは、ゼオライト及び非晶質メソ多孔性固体への相分離に至った。Karlsson, A.,外,Microporous and Mesoporous Materials, 1999, 27, 181-192; Huang L.,外, J. Phys. Chem. B. 2000, 104, 2817-2823。さらに、数名の著者は、ゼオライト系の壁を有する薄壁性メソ多孔性材料、例えばＭＣＭ−４１を作るのは、該構造の高度な湾曲によって生じる表面張力のため、困難であることを指摘した。Yang, P.,外, Nature, 1998, 396, 152-155。
【０１１３】
本発明の一態様では、完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、上記のように、従来型のゼオライトを、好適な濃度の選択された界面活性剤を含有する好適なｐＨ制御溶液に、所望のメソ細孔寸法及びメソ細孔容量を得るのに望ましい時間及び温度条件下でさらすことによって製造される。該完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、完全結晶性メソ構造化ゼオライトを作るために使用される非改質の従来型完全結晶性ゼオライトと実質的に同一の外部表面外形を有し（例えば、実質的に同一の外寸及び外部形状を有する）、しかも実質的にそれと同一の外周を有する。好適な非改質従来型ゼオライトは、寸法が約４００ｎｍ〜約５ミクロンの範囲にあることができる。メソ細孔を形成させるために使用される条件は、実質的に該非改質ゼオライトの外寸、外部形状又は外周を変化させない。完全結晶性メソ構造化ゼオライトの密度は、非改質ゼオライトの密度未満であるが、該密度の相違は、メソ細孔が形成されたときに除去された該ゼオライトによるものである。さらに、該完全結晶性メソ構造化ゼオライトが完全結晶性の従来型非改質ゼオライトから製造される場合には、該完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、該非改質従来型ゼオライトの完全結晶性を保持する。
【０１１４】
該非改質従来型ゼオライトが、メソ細孔が該従来型ゼオライトに形成された後に、その骨格内にある種の化学組成を有する場合に、得られた完全結晶性メソ構造化ゼオライト骨格における該化学組成は、原材料として使用された非改質従来型ゼオライト骨格と実質的に同一の化学組成を保持するであろう。非改質従来型ゼオライトの化学組成は、外部表面（例えば、ほぼ該ゼオライトの外周）からその内部コアにまで変化し得る。しかしながら、非改質従来型ゼオライト骨格の化学組成は、一貫しているか又は該ゼオライトの外周から内部コアまで変動し得るかどうかを問わず、メソ細孔が該ゼオライト内に形成されるときには変化しない。従って、メソ細孔を形成させて完全結晶性メソ構造化ゼオライトを創り出しても、従来型ゼオライトの骨格は化学的に変化しない。該ゼオライトの化学量論は、非改質従来型完全結晶性ゼオライトから完全結晶性メソ構造化ゼオライトに至るまで変化しない。
【０１１５】
ゼオライト内にメソ構造を形成させる他の者による従前の試みは、非改質従来型ゼオライト骨格の化学組成の変化を生じさせた。例えば、Ｓｉ及びＡｌを含有するゼオライトにおいて、従来の方法は、該ゼオライトと、該ゼオライトからＳｉよりもＡｌを除去するように選択された塩基とを反応させる。脱アルミニウム方法を使用する場合には、該ゼオライトの骨格の化学組成の少なくとも一部分が変化し、具体的には、四配位アルミナ比が変化する。本発明の方法をＳｉ及びＡｌを含有するゼオライトで使用する場合には、本発明のメソ構造化ゼオライトにおいて、メソ構造化ゼオライト骨格内の該アルミナは四配位状態を保持する。
【０１１６】
メソ構造化ゼオライトのハイブリッド単一層の性質についての直接の証拠が透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって得られた。図１０ａ及び１０ｂは、結晶性と規則性メソ多孔性の両方が単一の相で観察できる異なる焦点でのＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］メソ構造化ゼオライト微小構造の２つの細部を示している。メソ構造化ゼオライトの追加のＴＥＭ画像を図１１〜１２に示している。
【０１１７】
メソ構造化ゼオライトのハイブリッド性についてのさらなる証拠は触媒作用によってもたらされる。メソ細孔、高い表面積が存在し、隣接するメソ細孔間の細孔壁及び内壁の厚さは（〜２ｎｍ）である。これは、従来型の非改質ゼオライトと比較して、さらに嵩高な分子に近づけ、かつ、本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトにおける結晶内拡散抵抗性を減少させなければならない。そのため、ゼオライトと比較して、嵩高分子に対して向上した触媒活性がメソ構造化ゼオライト内で観察されなければならない。
【０１１８】
例えば、ナノ結晶性アルミノシリケートＰＮＡ及びＡｌ-ＭＳＵ−Ｓ_(MFI)のような半結晶質メソ多孔性材料は、従来のＨ−ＺＳＭ−５よりも有意に低いクメン分解活性（これは、通常、強いブレステッド酸性度と相関関係がある）を示す。しかしながら、メソ構造化ゼオライトは、恐らくそれらの完全ゼオライト構造及びメソ細孔の存在のため、ゼオライトよりもさらに大きい活性を示す。例えば、Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］は３００℃でクメンの９８％を変換するのに対し、商用のＨ−ＺＳＭ−５は同様の条件で９５％を変換する。
【０１１９】
メソ構造化ゼオライト上での化学種の固定を赤外分光法（ＦＴＩＲ）で確認した。固定されるべき純粋な化学種、メソ構造化ゼオライト及びここに記載される方法に従って製造された種改質メソ構造化ゼオライトを全てＦＴＩＲで解析した。この種改質メソ構造化ゼオライトは、これらの試料を洗浄した後でも消失しない該化学種のＦＴＩＲバンドを示した。
【０１２０】
メソ構造化ゼオライト上に固定される化学種のいくつかを均一系触媒様の配位子として使用した。均一系触媒が固定されていることを赤外分光法（ＦＴＩＲ）及び均一系触媒と該メソ構造化ゼオライト上に固定された均一系触媒との両方の触媒試験によって確認した。これらの実験をこれらの試料の洗浄後に繰り返し、そして大きな変化は全く観察されなかったが、これは、この方法が化学種及び均一系触媒の両方を固定するのに好適であることを示している。
【０１２１】
応用
該メソ構造化ゼオライトのユニークな構造は、様々な分野に有用であり、また従来型のゼオライトに関連する所定の制限に対処するであろう。触媒作用は、ゼオライトについての最も重要な適用分野であるため、メソ構造化ゼオライトを触媒として応用することに特別に重点が置かれる。van Bekkum, H., Flanigen, E. M., Jacobs, P. A., Jansen, J. C.（著者）。ゼオライト科学及び応用入門, 第2版, Studies in Surface Science and Catalysis, 2001, Vol. 137; Corma, A., Chem. Rev. 1997, 97, 2373-2419; Davis, M. E., Nature 2002, 417, 813-821。
【０１２２】
メソ構造、高表面積、及び隣接するメソ細孔間で測定されるような制御された細孔又は内部厚さ（〜２ｎｍ）の組合せは、嵩高分子へのアクセスを提供し、かつ、結晶内拡散の障害を低減させるはずである。従って、従来型ゼオライトと比較して、嵩高分子に対する向上した触媒活性がメソ構造化ゼオライトについて観察されるはずである。図１３〜１４を参照されたい。図１３〜２０は、１，３，５−トリイソプロピルベンゼンを接触分解させて１，３−ジイソプロピルベンゼンを形成させる反応を包含する。該１，３，５−トリイソプロピルベンゼンは、原油中に存在する分子を代表するものであり、そして１，３−ジイソプロピルベンゼンは、ガソリン範囲内の生成物を代表するものである。これらの実験は、ガソリンを形成するように分解される原油中に存在する分子の代わりとなる。
【０１２３】
図１３は、ゼオライトＨ−Ｙによる１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解方法を示している。接触分解は選択的であり及び／又は効率が制限される。というのは、拡散は、該ゼオライトＨ−Ｙの小さな細孔寸法によって制限されるからである。従来型の非転換ゼオライト結晶は拡散が限られており、その反応生成物、例えば、１，３−ジイソプロピルベンゼンが該ゼオライトを出るのは困難である。結果として、過剰分解が起こり、そして軽質化合物が形成され、望ましくない生成物であるクメン、ベンゼン及びコークスが過剰に形成される。図１４は、本発明のメソ構造化ゼオライトによる１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解の方法を示している。非改質従来型ゼオライトＨ−Ｙによる接触分解とは対照的に、完全結晶性メソ構造化ゼオライト内に存在するより大きな細孔寸法、制御されたメソ細孔容量及び制御された内部又は孔壁厚さは、該メソ構造から所望の生成物、例えば１，３−ジイソプロピルベンゼンが出るのを促進させ、そしてクメン、ベンゼン及びコークスを生じさせる過剰分解が回避される。結果として、所望の生成物１，３−ジイソプロピルベンゼンの接触分解転化率がさらに高くなる。
【０１２４】
明確な巨大細孔を有する酸触媒は、多くの用途、特に石油の軽油留分の接触分解にとって極めて望ましく、それによって触媒活性又は選択性の僅かな改善がかなりの経済的利益へと変わるであろう。Venuto, P. B., Habib, E. T., Jr.「ゼオライト触媒による流動性接触分解。」Marcel Dekker, New York, 1979; Harding, R. H.,外, Appl. Catal. A： Gen., 2001, 221, 389-396; Degnan, T. F.,外, Microporous Mesoporous Mater., 2000, 35-36, 245-252。試験反応として、本出願人は、１，３，５− トリイソプロピルベンゼン（限界寸法〜０．９５ｎｍ）を接触分解させて１，３−ジイソプロピルベンゼンを生じさせることを試験した。図１５は、メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（これを「メソ−Ｈ−Ｙ」という）、ゼオライトＨ−Ｙ及び従来型のＡｌ−ＭＣＭ−４１についての１，３−ジイソプロピルベンゼンへの転化率（％）対時間として示した１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示している。接触分解は、１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより１２０℃で飽和させたＨｅの５０ｍＬ／分を２００℃で５０ｍｇのそれぞれの触媒について流したときに実行した。該Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］メソ構造化ゼオライトは、Ｈ−Ｙゼオライト（７１％転化率）及びメソ多孔性Ａｌ−ＭＣＭ−４１（３９％転化率）と比較して、２００℃で４００分後にこの分解反応に対して優れた触媒活性を示した（９３％転化率）（図１５参照）。この結果は、強い酸性度とメソ構造化性質とのその組み合わせによるものである。該メソ細孔及び該メソ細孔を取り囲むメソ構造は、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］触媒内で炭化水素拡散を大きく促進させ、それによって転化率が改善された。該Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］メソ構造化ゼオライトは安定であり、しかも過酷な条件下でさえもメソ構造の完全性を保持する。図１７は、非メソ分解性ゼオライトＡｌ−ＭＣＭ−４１と比較した、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）の熱水安定性を示している。例えば、沸騰したメソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）は、数日間にわたって沸騰させた後でさえも、その物理化学的完全性を保持し、このような過酷な処理後でさえも高い１，３，５−トリイソプロピルベンゼン活性を示した（４００分後に８７％の１，３−ジイソプロピルベンゼンへの転化率）。用語沸騰は便宜上使用するが、該材料に対するこの特定の処理は、該固形物を水中で懸濁すること及び該水と固形物材料とを還流条件下で加熱することを包含する。図１７を参照されたい。この結果は、非晶質Ａｌ−ＭＣＭ−４１触媒（同様の条件にさらされた後にその活性及び規則性メソ構造を喪失する）に対するＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］の優れた熱水安定性を例示する。これらの結果は、熱水に安定なＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］が結晶材料であり、しかもその結晶性が、沸騰後に構造的に崩壊し、接触分解によってかなりの量を変換することをできなくする非晶質Ａｌ−ＭＣＭ−４１触媒とは対照的であることを示している。
【０１２５】
図１９は、Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（メソ-Ｈ−ＺＳＭ−５という）及びそのゼオライト変種であるＨ−ＺＳＭ−５についての転化率（％）対時間として示される１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を図示している。１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより１２０℃で飽和された５０ｍＬ／分のＨｅ流れを２００℃で５０ｍｇのそれぞれの触媒Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］及びＨ−ＺＳＭ−５に対して流した。Ｈ−ＺＳＭ−５を分解触媒における重要な添加剤として使用してプロピレン生産量を増加させ、そしてガソリンにおけるオクタン価を改善させる。Degnan, T. F.,外,Microporous Mesoporous Mater., 2000, 35-36, 245-252。しかしながら、その小さな細孔のため、Ｈ−ＺＳＭ−５は、２００℃での１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解において不活性である（４００分後に＜１％の１，３−ジイソプロピルベンゼンへの転化率）。このゼオライトにおけるＭＣＭ−４１メソ構造の取り込み（Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］）は、４００分後に１，３，５−トリイソプロピルベンゼンから１，３−ジイソプロピルベンゼンへの４０％の転化率で、実質的な活性を成功裏に達成した（図１９参照）。この場合に、該活性は、該メソ構造化ゼオライトのメソ細孔及び強い酸性度によるものであった。
【０１２６】
今日までに１３５種以上の異なるゼオライト構造が報告されているが、これらのうち１２種のみが商業的に適用されており、そのほとんどが３Ｄ細孔構造を有するゼオライトである。Corma, A., Chem. Rev., 1997, 97, 2373-2419; Davis, M. E., Nature, 2002, 417, 813-821。３Ｄメソ細孔の取り込みは、結晶内拡散を大きく促進させるため、１Ｄ及び２Ｄ細孔構造を有するゼオライトにとって特に有益であろう。１Ｄ及び２Ｄ細孔構造を有するゼオライトは、その細孔構造がさほど最適ではないため、広くは使用されていない。低い細孔相互結合性を有するゼオライトのメソ構造処理能力を例示するために、１Ｄ細孔を有するＨ−ＭＯＲを、ＭＣＭ−４８メソ構造を使用して、該１Ｄ細孔を有するＨ−ＭＯＲゼオライトを上記好適な時間及び温度条件下で界面活性剤の存在下にｐＨ制御溶液にさらすことによって調製した。得られた３Ｄメソ構造化構造を有するＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］を２００℃で１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解について試験した。図１８は、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］（メソ−ＨＭＯＲという）及びそのゼオライト変種であるＨ−ＭＯＲについての１，３−ジイソプロピルベンゼン転化率対時間として示される１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示している。１２０℃で１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより飽和された５０ｍＬ／分のＨｅ流れを、２００℃で５０ｍｇのそれぞれの触媒Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］及びＨ−ＭＯＲに対して流した。Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］による接触分解は、４００分後に５０％転化率を示したが、これは、Ｈ−ＭＯＲで達成された７％転化率と比較して有意に高かった（図１８参照）。１Ｄ細孔構造を有するゼオライトは、１Ｄ細孔構造ゼオライトがさらに制限された拡散から始まるため予期されることであるが、２Ｄ細孔構造を有するゼオライトと比較してメソ構造処理に付されたときにさらに劇的な改善を示す。メソ構造処理に付されたときに、２Ｄ細孔構造を有するゼオライトは３Ｄメソ構造を生じる。完全結晶性無機材料、例えばゼオライト中にメソ構造を形成させるために１Ｄ及び２Ｄ細孔構造ゼオライトを即時の処理に付すと、そうでなければ十分に使用されていないこれらのゼオライト有用性を上げることができる。
【０１２７】
メソ構造化ゼオライトは、さらに高い触媒活性を示すだけでなく、ゼオライトを超えて向上した選択性を示す。ここで、図１６を参照すると、市販のゼオライトＨ−Ｙを使用して１，３，５−トリイソプロピルベンゼンを接触分解させた。得られた生成物は、１，３−ジイソプロピルベンゼン、ベンゼン及びクメンであり、そしてそれらの留分組成の結果を１００％となるように一般化した。メソ−ＨＹと示された該メソ構造化ゼオライト（これはＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］である）を使用してＨ−Ｙで使用したのと同一の条件下で１，３，５−トリイソプロピルベンゼンを接触分解させた。１，３−ジイソプロピルベンゼンの生成量の増加（該ゼオライトＨ−Ｙで製造された１，３−ジイソプロピルベンゼンの約１１０％）及びベンゼンとクメンの生成量の減少（該ゼオライトＨ−Ｙで製造されたベンゼン及びクメンの約７５％）が観察された。この例では、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］メソ構造化ゼオライトは、Ｈ−Ｙゼオライトによって生成されるベンゼンの７５％しか生成しなかった。図１６を参照されたい。ベンゼンは毒性化合物であり、ガソリン中におけるその存在は法令によってますます制限されつつある。Degnan, T. F.,外,Microporous Mesoporous Mater., 2000, 35-36, 245-252。ベンゼン生成量は、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］の場合にさらに低くなり、そしてＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］の場合に最小になる。ベンゼン生成量の減少は、小さなゼオライト結晶で観察されており、そしてこれはさらに高い表面積を有する結晶が有する連続的な分解反応を制限する固有の能力に関連していた。Al-Khattaf, S.,外, Appl. Catal. A： Gen. 2002, 226, 139-153。また、このものは、触媒失活に関与する分解プロセスの望ましくない最終生成物であるコークスの形成も減少させた。したがって、該メソ構造化ゼオライトは、さらに高い触媒活性及び選択性を提供するだけでなく、さらに長い触媒寿命を与える。
【０１２８】
また、メソ構造化ゼオライトの別の形態であるゼオライトナノロッド（ＺＮＲ）も、活性部位の接近性を増大させることによって触媒活性を向上させる。このロッド形状ＺＮＲは、わずかナノメートル寸法の直径しかないため、内部拡散抵抗性は最小である。これらの新規なメソ構造化ゼオライト（ナノ構造ともいう。）を石油の軽油留分用の分解触媒として試験してそれらの能力を評価した。図２０Ａは、左側のＹ軸に、Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］及びＨ−ＭＯＲについての１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの１，３−ジイソプロピルベンゼンへの転化率（％）対時間を示している。また、時間の関数としての、Ｈ−ＭＯＲによって生成されるベンゼン/Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］によって生成されるベンゼンの比率も、図２０Ａの右側に位置する２次Ｙ軸上に示しており、そして矢印は、このデータをつなぐ線上に存在している。１，３，５−トリイソプロピルベンゼンにより１２０℃で飽和された５０ｍＬ／分のヘリウム流れを５０ｍｇのそれぞれの触媒Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］及びＨ−ＭＯＲに対して２００℃で導入した。
【０１２９】
１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの分解の際に、従来型のＨ−ＭＯＲゼオライトは、その媒体寸法（０．６５×０．７０ｎｍ）の１Ｄ細孔のため、低い活性（４００分後に７％の１，３−ジイソプロピルベンゼンへの転化率）を示した。対照的に、Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］は、同様の条件下でさらに高い触媒活性（〜５２％の１，３−ジイソプロピルベンゼンへの転化率）を達成した（図２０Ａ参照）。この触媒活性の有意な増加は、ＺＮＲの高い表面積、容易に接近できる活性部位及び改善された内部結晶拡散率によるものである。
【０１３０】
活性の増加のほかに、ＺＮＲは、それらのナノ構造化ロッド形状形態のため、改善された選択性も示した。例えば、Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］は、商用のゼオライトＨ−ＭＯＲと比較して、３倍少ない転化された１，３，５−トリイソプロピルの１モル当たりのベンゼンを生成した（図２０Ａの右側の２次Ｙ軸を参照）。ベンゼンとしては、例えば、ベンゼン誘導体、例えば、トルエン、キシレン及び他の関連する誘導体化合物のようなものが挙げられる。また、この選択性の有意な増大は、コークス形成（これは、従来型の分解触媒、特にモルデナイトのような１Ｄ細孔を含有するものに関連する大きな問題であった。）を低減させるのに役立つ。
【０１３１】
ここで説明した単純で、安価で、しかも一般化された合成戦略は、僅か数ナノメートルの厚さ（３〜２０ｎｍ）の壁を有する結晶性材料であってナノリングとジャンクションが共通するものであるＺＮＲを製造することが可能になる。この新規な合成戦略は、ナノスケールのゼオライト合成の典型的な欠点（例えば、低い収率、分離の困難さ及び高い圧力降下）を回避する、メソ多孔性材料の「プログラムされた」ゼオライト変換に基づいており、かつ、層状先駆物質の使用を必要としなかった。このユニークなＺＮＲ結晶構造は、その微孔性に対する接近性を増大させることによって嵩高な分子の触媒的変換を改善させると共に、粒子間及び粒子内の拡散障壁を減少させた。
【０１３２】
ここで、図２０Ｂ及び２０Ｃを参照すると、メソ構造化ゼオライトをマイクロ活性試験（ＡＳＴＭ Ｄ−３９０７）によって原油精製について試験した。これは、ＦＣＣ（流動接触分解）触媒の性能を予測するための周知で且つ広く受け入れられている技術である。減圧軽油を流動床ステンレス鋼反応器内で供給物として使用した。この実験は、メソ構造化ゼオライト及びそれらの従来型ゼオライト相当物と同一の条件下で実行した。
【０１３３】
図２０Ｂは、従来型の完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙ（Ｓｉ／Ａｌ＝１５）及びその完全結晶性メソ構造化変種Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のマイクロ活性試験（ＭＡＴ）結果を示している。マイクロ活性試験条件は、５００℃の反応温度を包含し、触媒接触時間は６０秒であり、触媒装填量は１グラムであり、触媒/減圧軽油比は２であり、ＷＨＳＶは３０ｇ／ｈ／ｇであった。転化率、特に、減圧軽油供給物が生成物に転化した量（全ての収率は、比較のために１００％に一般化される）は、非改質完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙについては６１．２２％であり、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］については６７．２０％であった。図２０Ｂには示していないが、この試験の結果は、１７．４５％のＨ−ＹのＬＰＧ留分及び１５．２７％のＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＬＰＧ留分を与える。
【０１３４】
図２０Ｃは、図２０Ｂと併せて、上記した従来型の完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙ（Ｓｉ／Ａｌ＝１５）及びその完全結晶性メソ構造化変種Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のマイクロ活性試験（ＭＡＴ）によって得られたＬＰＧ留分の組成を示している。該ＬＰＧ留分の組成を分析してＬＰＧ留分の成分を決定した。完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙを使用した場合には、該ＬＰＧ留分は１７．４５％であった。完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨＹ［ＭＣＭ−４１］を使用した場合には、ＬＰＧ留分は１５．２７％であった。さらに、完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、望ましい生成物であるオレフィンをさらに多く生成した。ここで、図２０ＣのＸ軸を参照すると、符号Ｃ３はプロパンを示し、符号Ｃ３＝はプロペンを示し、符号ｉ−Ｃ４はイソブタンを示し、符号ｎ−Ｃ４は通常のブタンを示し、符号ｉ−Ｃ４＝はイソブテンを示し、符号ｎ−Ｃ４＝は通常のブテンを示す。特に、完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、ＬＰＧ留分において、非改質完全結晶性ゼオライトよりも増加したプロペン、イソブテン及び通常のブテンを生成した。さらに、該完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、その相当物である従来型の非改質完全結晶性ゼオライトよりも少ないＬＰＧ留分を生成した。該完全結晶性メソ構造化ゼオライトの内部壁厚は、非改質完全結晶性ゼオライトの内部壁厚よりも小さい。したがって、該完全結晶性メソ構造化ゼオライトにおけるさらに薄い内部壁は、オレフィンからパラフィンへの望ましくない転化に関与する水素転移反応を低減させる。したがって、完全結晶性メソ構造化ゼオライトを従来型の非改質完全結晶性ゼオライトの代わりに使用すると、多数の所望のオレフィンが生成される。
【０１３５】
ＭＥＴでは、一般に、これらの試料を流動床ステンレス鋼反応器内でディスプレイした。反応温度は５００℃であり、触媒の量は３．０ｇであり、触媒/オイル比は２．０であり、ＷＨＳＶは３０ｇ／ｈ／ｇであり、接触時間は６０秒であった。これらの試験は、従来のＨ−Ｙの代わりにＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］を使用すると、ガソリン生成量が４３％増加し、プロピレンが７５％増加し、そしてブテンが１１０％増加することを示した。さらに、コークス形成が３２％減少し、全乾性ガスが２３％減少し、そしてＬＰＧ（液化石油ガス）が１２％減少する。Ｈ−Ｙの表面積の少なくとも２倍を有するＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］におけるメソ細孔の存在は、従来型ゼオライトの微細孔内では変換できない、原油中に存在するさらに大きな分子の分解に有利である。典型的には、従来型ゼオライトは、約０．７ｎｍの細孔を有するが、これは、重質原油留分中に含まれる望ましい生成物、例えばアルキルベンゼンを効率的に処理するのには小さすぎる。それよりも大きな細孔寸法は、該炭化水素材料との表面積接触（孔壁又はメソ細孔表面内にあるものを含む）の改善を促進させるために必要である。比較のために、本発明の完全結晶性メソ構造のメソ細孔表面によって取り囲まれるメソ細孔のそれぞれの直径は、例えば、約２ｎｍに達し得る。この軽質オレフィン生成量の増加は、従来型ゼオライトの厚い結晶（〜１０００ｎｍ）とは対照的な完全結晶性メソ構造化ゼオライトの有利な内部又は孔壁厚さ（〜２ｎｍ）の存在のため、水素転移反応の減少に関連していた。また、この内部又は孔壁厚さは、過剰分解の減少を生じさせ、コークス形成を有意に減少させ、そして全乾性ガス及びＬＰＧの生成量を減少させる。
【０１３６】
プラスチックの熱分解が、これらの豊富な廃棄物を価値のある化学物質に変換すると共にエネルギーをも生成することができるため、再び注目を集めている。Williams, P. T. 「廃棄物の処理と処分」; John Wiley and Sons, Chichester, UK,1998。ゼオライトのような酸性触媒は、プラスチックの分解温度を有意に減少させ、かつ、生成される生成物の範囲を制御することができることが示されている。Williams, P. T. 「廃棄物の処理と処分」 John Wiley and Sons, Chichester, UK, 1998; Park, D. W.,外,Polym. Degrad. Stabiliry 1999, 65, 193-198; Bagri, R.,外, J. Anal. Pyrolysis, 2002, 63, 29-41。しかしながら、プラスチックの分解中に生成される嵩高分子の接近性は、ゼオライトの微細孔によって大幅に制限された。
【０１３７】
市販のゼオライト及びそれらの相当するメソ構造化ゼオライトによるポリエチレン（ＰＥ）の接触分解を熱重量分析（ＴＧＡ）によって検討した。図２１は、ポリエチレン（ＰＥ）に対する重量比で表す次の触媒混合物についてのＰＥの損失重量（％）対温度を示している。符号（Ａ）〜（Ｇ）の曲線は、次の分解曲線の結果を示す：（Ａ）：触媒なし、（Ｂ）：Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ１：２、（Ｃ）：Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ１：２、（Ｄ）：Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ１：１、（Ｅ）Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ２：１、（Ｆ）：Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ１：１及び（Ｇ）Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ２：１。全ての場合において、完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、高い触媒：ＰＥ比であっても、非改質の商用ゼオライトと比較して低い分解温度（（Ｃ）Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］対（Ｂ）Ｈ−ＺＳＭ−５の場合には〜３５℃）を可能にする（図２１参照）。事実、符号（Ｆ）の曲線を参照すると、１：１のＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ重量比で、２：１のＺＳＭ−５：ＰＥ重量比で必要な分解温度（符号（Ｅ）の曲線を参照）と比較してさらに低い分解温度を達成した。
【０１３８】
また、完全結晶性メソ構造化ゼオライトの接近可能な大きな表面積及びイオン交換特性は、表面の官能化、均一系触媒の固定及び金属クラスターの付着も促進させるであろう。したがって、完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、様々な反応用の非常に有用な触媒担体としての役割も果たす。
【０１３９】
従来のゼオライトと比較してそれらの改善された接近性及び拡散率により、完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、気相及び液相吸着、分離、触媒作用、接触分解、接触水素化分解、接触異性化、接触水素化、接触ヒドロホルミル化、接触アルキル化、接触アシル化、イオン交換、水処理、汚染改善などのような他の用途にも非改質従来型ゼオライトの代わりに使用できる。今のところ、これらの用途の多くは、特に嵩高分子が包含されるときに、ゼオライトの小さな細孔に関わる制限がある。van Bekkum, H., Flanigen, E. M., Jacobs, P. A., Jansen, J. C.（著者），ゼオライト科学及び応用入門, 第2版. Studies in Surface Science and Catalysis, Vol. 137, 2001; Corma, A., Chem. Rev., 1997, 97, 2373-2419; Davis, M. E., Nature, 2002, 417, 813-821。メソ構造化ゼオライトは、このような用途においてゼオライトを超える魅力的な利益を与える。
【０１４０】
水からの有機染料及び汚染物質の除去は、環境上の重要性が大きいものであり、かつ、ゼオライトの第３の主たる用途を示す（１年当たり８０トンのゼオライトに当たる）。GaIo, J. de A. A.,外, Chem. Rev. 2002, 102, 4093-4138。しかしながら、有機染料の大部分は嵩高であり、このことは、それらの除去を遅くし又は不完全にするため、このプロセスにおいて非常に過剰のゼオライトを必要とする。完全結晶性メソ構造化ゼオライトは、それらの大きな表面積及び細孔寸法により、有機染料及び汚染物質の除去の際に非改質の従来型ゼオライトを超える顕著な利益を与える。
【０１４１】
キット
また、本発明は、本発明の方法を都合よく且つ効果的に実施するためのキットも提供する。このようなキットは、本発明の該ゼオライト構造のうち任意のもの又はそれらの組み合わせと、本発明の方法と調和してそれらを使用するのを容易にするための手段とを含む。このようなキットは、該方法を効果的な態様で実施することを保証する便利で効果的な手段を提供する。このようなキットのコンプライアンス手段は、本発明の方法を実施するのを容易にする任意の手段を包含する。このようなコンプライアンス手段は、説明書、包装及び小分け手段並びにそれらの組み合わせを含む。キットの構成要素は、前記の方法の手作業又は部分的に若しくは完全に自動化された手法のためにパッケージ化できる。キットに関する他の具体例では、本発明は、本発明のブロック共重合体及び随意にそれらの使用説明書を含むキットを意図する。
【実施例】
【０１４２】
例示
本発明を一般的に説明してきたが、本発明は、次の実施例を参照することによってさらに容易に理解されるであろう。これらの実施例は、単に本発明のある種の態様及び具体例を例示する目的で含めるものであり、本発明を限定することを目的とするものではない。
【０１４３】
例１
Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］の合成
０．７９ｇのゼオライトＨ−Ｙ（Ｚｅｏｌｙｓｔ ＣＢＶ−７２０ Ｓｉ／Ａｌ＝１５）を、０．５５ｇのＣＴＡＢを含有する０．３７ＭのＮＨ₄ＯＨ溶液の５０ｍＬ中で２０分にわたって撹拌し、その後、該合成混合物を１５０℃で１０時間にわたって熱水処理した。この固形物を濾過し、洗浄し、そして最終的に窒素雰囲気中で５℃／分で５５０℃まで上昇させ、次いで４時間にわたって空気に切り替えた。同様の条件を使用してこれらの試料の全てを焼成した。別法として、１ｇのＨ−Ｙ（Ｚｅｏｌｙｓｔ ＣＢＶ−７２０ Ｓｉ／Ａｌ＝１５）を０．０９Ｍの水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ−ＯＨ）溶液の３０ｍＬ中で撹拌した。次いで、０．５ｇの臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）を添加した。撹拌の３０分後に、該懸濁液２０時間にわたって１５０℃で熱水処理した。構造パラメーターを表１に与えている。
【０１４４】
例２
Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］の合成
２．０ｇのゼオライトＨ−ＭＯＲ（焼成されたＺｅｏｌｙｓｔ ＣＢＶ２１Ａ Ｓｉ／Ａｌ＝１０）を０．２７ＭのＴＭＡ−ＯＨ溶液の５０ｍＬ中で撹拌した。その後、１．０ｇのＣＴＡＢを添加した。撹拌の３０分後に、該合成溶液を１５０℃で２０時間にわたって熱水処理した。構造パラメーターを表１に与えている。
【０１４５】
例３
Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］の合成
１．０ｇのＮＨ₄−ＺＳＭ−５（Ｚｅｏｌｙｓｔ ＣＢＶ３０２４Ｅ Ｓｉ／Ａｌ＝１５）を０．８ＭのＨＦ溶液の５０ｍＬ中で４時間にわたって撹拌した。この懸濁液を０．６９ｇのＣＴＡＢを含有する溶液に添加し、そして３０分にわたって撹拌した。得られた合成混合物を、２．５ｇの３０％ＮＨ₄ＯＨ溶液をゆっくりと添加することによって塩基性化させた。最後に、これを１５０℃で２０時間にわたって熱水処理した。構造パラメーターを表１に与えている。壁厚を、２個の細孔中心間の間隔（Ｘ線回折によって得られるａ₀）から細孔寸法（Ｎ₂吸着によって決定される）を引くことによる技術常識内の標準的な方法によって決定した。
【０１４６】
【表１】

【０１４７】
例４
クメン及び１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解
接触試験を、ＤＢガソリン（５０ｍ×０．２ｍｍ×０．５ミクロン）カラムを有するガスクロマトグラフ（ヒューレット・パッカード社製ＨＰ６８９０シリーズ）に連結された実験室規模の充填床反応器内で実施した。全ての場合において、５０ｍＬ／分のＨｅを５０ｍｇの触媒を通して流した。クメン分解については、該ガス流れをクメンにより室温で飽和させ、その反応温度は３００℃であった。１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解については、該ガス流れを１２０℃で飽和させ、その反応温度は３００℃であった。
【０１４８】
例５
ポリエチレン（ＰＥ）分解
１：２、１：１及び２：１の比率を有する触媒：ＰＥ試料の〜１０ｍｇの初期重量を熱重量分析器（パーキンエルマーＴＧＡ７）内において１０℃／分で２５０ｍＬ／分のＨｅ流れ中で６００℃まで増温させた。結果を図２１に示す。
【０１４９】
例６
化学種及びメソ構造化ゼオライト上への均一な固定
フォージャサイト構造及びＭＣＭ−４１構造Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（Ｓｉ／Ａｌ〜１５）を有する完全結晶性メソ構造化ゼオライトの酸性形態を、０．１ＭのＮＨ₄ＯＨ溶液中で２４時間にわたってイオン交換させてＮＨ₄−Ｙ［ＭＣＭ−４１］を生成させた。得られた材料を７．０ｍＭのＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃Ｃｌ溶液中で２４時間にわたって再度イオン交換させた。濾過及び完全に洗浄した後に、該試料を一晩６０℃で乾燥させた。最後に、このアミン官能化メソ構造化ゼオライトを２．０ｍＭのＲｈ（ＰＰｈ₃）₃溶液（ウィルキンソン触媒）に２４時間にわたって添加した。濾過及び完全に洗浄した後に、該試料を一晩６０℃で乾燥させた。全ての生成物並びに第四アミン及びウィルキンソン触媒をＦＴＩＲで分析して完全な洗浄後でもメソ構造化ゼオライト上に異なる種が存在することを確認した（図２２参照）。図２２は、ａ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｂ）ＮＨ₄−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｃ）ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃Ｃｌ、ｄ）ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｄ）Ｒｈ（ＰＰｈ₃）₃Ｃｌ及びｅ）Ｒｈ（ＰＰｈ₃）₃ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＦＴＩＲスペクトルを示している。
【０１５０】
例７
ゼオライトナノロッド（ＺＮＲ）の合成
ナノ構造化ゼオライトの合成では、０．３６ｇのＮａＯＨを３０ｍＬの水に溶解させて１３．５のｐＨを有する塩基性溶液を生じさせる。その後〜１５の初期Ｓｉ／Ａｌ比を有する１ｇのＨ−Ｙ（Ｚｅｏｌｙｓｔ ＣＢＶ７２０）を該塩基性溶液に添加する。室温で１２時間撹拌した後に、該ゼオライトと塩基の混合物は、１１．５のｐＨを有していた。その後、０．５ｇのＣＴＡＢ（臭化セチルトリメチルアンモニウム）を該ゼオライト・塩基混合物に添加して濁った懸濁液を生じさせた。この濁った懸濁液をテフロン被覆ステンレス鋼オートクレーブに移し、そして自然圧力下において１５０℃で熱水処理した。これらの試料を異なる時点で集め、洗浄し、乾燥させ、そしてＸ線回折法、ＩＲ分光分析法、ＴＥＭ、７７ＫでのＮ₂吸着、ＴＧＡ及び元素分析によって分析した。同様の合成手順で、Ｈ−ＺＳＭ−５［ＺＮＲ］を、Ｈ−Ｙ（Ｚｅｏｌｙｓｔ Ｓｉ／Ａｌ〜８０）を使用して生成させた。
【０１５１】
参照による援用
本明細書において引用した全ての特許文献及び論文は、参照によって援用するものとする。
【０１５２】
均等
当業者であれば、ここに説明した本発明の特定の具体例に対する多くの均等物を認識し又は慣例的に過ぎない実験を使用して確認できるであろう。このような均等物は、特許請求の範囲に包含されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１Ａ】先行技術の多結晶メソ多孔性材料の概略図である。
【図１Ｂ】本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトの略図である。
【図１Ｃ】ナノ構造形状がナノロッドを含む本発明のナノ構造ゼオライトのＴＥＭ画像を示す図である。
【図１Ｄ】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示す図である。
【図２】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示す図である。
【図３】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］のＸ線回折パターンを示す図である。
【図４】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）及び非改質ゼオライトＹについてのＦＴＩＲキャラクタリゼーションのピークを示す図である。
【図５】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（上段上線）、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（中段上線）、Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（下段上線）のＦＴＩＲスペクトル及びそれらの非改質完全結晶性ゼオライト変種Ｈ−Ｙ（上段下線）、Ｈ−ＭＯＲ（中段下線）、Ｈ−ＺＳＭ−５（下段下線）のＦＴＩＲスペクトルを示す図である。
【図６】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−Ｙの７７ＫでのＮ₂の物理吸着等温線を示す図である。
【図７】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−ＭＯＲという）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＭＯＲの７７ＫでのＮ₂の物理吸着等温線を示す図である。
【図８】完全結晶性メソ構造Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−ＺＳＭ−５という）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＺＳＭ−５の７７ＫでのＮ₂の物理吸着等温線を示す図である。
【図９】次のものの細孔容量（黒い柱）：完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（左）、Ｈ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］（中央）及びＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（右）並びにそれらの非改質ゼオライト変種（明るい方の柱）：Ｈ−Ｙ（左）、Ｈ−ＭＯＲ（中央）及びＨ−ＺＳＭ−５（右）を示す図である。
【図１０】異なる焦点でのａ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細部及びｂ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］完全結晶性メソ構造化ゼオライトの細部の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって得られた画像図である。
【図１１】本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトのＴＥＭ画像図である。
【図１２】本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトのＴＥＭ画像図である。
【図１３】非改質の従来型ゼオライトＨ−Ｙによる１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解の略図である。
【図１４】本発明の完全結晶性メソ構造化ゼオライトによる１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの接触分解の略図である。
【図１５】転化率対時間として示された、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−ＨＹという）、その非改質ゼオライト変種Ｈ−Ｙ及び従来型のＡｌ−ＭＣＭ−４１についての１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示す図である。
【図１６】完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）による１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの、ジイソプロピルベンゼン及びクメンへの接触分解を示す図である。
【図１７】従来型の非メソ分解性ゼオライトＡｌＭＣＭ−４１と比較した、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−Ｙ、Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−Ｙという）の熱水安定性を示す図である。
【図１８】転化率対時間として示された、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］（メソ−ＨＭＯＲという）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＭＯＲについての１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示す図である。
【図１９】転化率対時間として示された、完全結晶性メソ構造化ゼオライトＨ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］（メソ−Ｈ−ＺＳＭ−５という）及びその非改質ゼオライト変種Ｈ−ＺＳＭ−５についての１，３，５−トリイソプロピルベンゼン分解に対する触媒活性を示す図である。
【図２０Ａ】左側のＹ軸に、該ナノ構造Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］及び非改質完全結晶性ゼオライトＨ−ＭＯＲについての１，３，５−トリイソプロピルベンゼンの転化率対時間を、また、右側のＹ軸上に、時間の関数としてのＨ−ＭＯＲによって生成されるベンゼン/Ｈ−ＭＯＲ［ＺＮＲ］によって生成されるベンゼンの比を示している。
【図２０Ｂ】従来型の完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙ（Ｓｉ／Ａｌ＝１５）及びその完全結晶性メソ構造化変種Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のマイクロ活性試験（ＭＡＴ）の結果を示す図である。
【図２０Ｃ】従来型の完全結晶性ゼオライトＨ−Ｙ（Ｓｉ／Ａｌ＝１５）及びその完全結晶性メソ構造化変種Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のマイクロ活性試験（ＭＡＴ）によって得られたＬＰＧ留分の組成を示す図である。
【図２１】触媒の混合物についてのポリエチレン（ＰＥ）の損失重量対温度のパーセンテージを標識されたＰＥに対する重量比で表している：（ａ）：触媒なし、（ｂ）：Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ１：２、（ｃ）：Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ１：２、（ｄ）：Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ１：１、（ｅ）Ｈ−ＺＳＭ−５：ＰＥ２：１、（Ｆ）：Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ１：１及び（Ｇ）Ｈ−ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］：ＰＥ２：１。
【図２２】ａ）Ｈ−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｂ）ＮＨ₄−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｃ）ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃Ｃｌ、ｄ）ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃−Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ｄ）Ｒｈ（ＰＰｈ₃）₃Ｃｌ及びｅ）Ｒｈ（ＰＰｈ₃）₃ＮＨ₂（ＣＨ₂）₂ＮＭｅ₃−Ｙ［ＭＣＭ−４１］のＦＴＩＲスペクトルを示す図である。
【符号の説明】
【０１５４】
１００ 結晶性メソ多孔性ゼオライト核材料
１１０ 細孔容量
１０５ａ ゼオライト核多結晶
２００ 完全結晶性メソ構造化ゼオライト
２０５ ゼオライト構造
２１０ メソ細孔
２１５ メソ構造
２３０ 壁厚

【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料であって、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積が実質的に同一である無機材料。
【請求項２】
前記複数のメソ細孔が前記材料の細孔容量を有し、しかも該細孔容量が制御されている、請求項１に記載の無機材料。
【請求項３】
前記細孔容量が約０．０５ｃｃ／ｇ〜約２ｃｃ／ｇである、請求項２に記載の無機材料。
【請求項４】
前記細孔容量が約０．５ｃｃ／ｇ〜約１ｃｃ／ｇである、請求項２に記載の無機材料。
【請求項５】
前記材料が単結晶質である、請求項１に記載の無機材料。
【請求項６】
前記材料が単一結晶質（mono crystalline）である、請求項１に記載の無機材料。
【請求項７】
前記材料が多結晶質である、請求項１に記載の無機材料。
【請求項８】
前記材料が、前記複数のメソ細孔を画定する前の材料の外部表面外形と実質的に同一の外部表面外形を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項９】
前記材料が、前記複数のメソ細孔を画定する前の材料の化学組成骨格と実質的に同一の化学組成骨格を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項１０】
前記材料が、前記複数のメソ細孔を画定する前の材料の結合性と実質的に同一の結合性を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項１１】
前記材料が、前記複数のメソ細孔を画定する前の材料の結晶内拡散と比較して改善された結晶内拡散を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項１２】
前記複数のメソ細孔のそれぞれの領域が、制御された断面積範囲を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項１３】
制御された断面積が、制御された分布範囲を有する、請求項１２に記載の無機材料。
【請求項１４】
制御された断面積が約２ｎｍ〜約６０ｎｍの範囲の直径を有する、請求項１２に記載の無機材料。
【請求項１５】
制御された断面積が所定の直径を有し、しかもそれぞれのメソ細孔の直径が制御された分布範囲を有する、請求項１２に記載の無機材料。
【請求項１６】
制御された断面積が所定の直径を有し、しかもそれぞれのメソ細孔の直径が１ｎｍの分布範囲内にある、請求項１２に記載の無機材料。
【請求項１７】
制御された断面積が約２ｎｍ〜約５ｎｍの範囲の直径を有する、請求項１２に記載の無機材料。
【請求項１８】
制御された断面積が約２ｎｍ〜約３ｎｍの範囲の直径を有する、請求項１２に記載の無機材料。
【請求項１９】
前記材料が前記複数のメソ細孔を画定する前に１Ｄ細孔構造を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２０】
前記材料が前記複数のメソ構造を画定する前に２Ｄ細孔構造を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２１】
前記材料が前記複数のメソ細孔を画定する前に３Ｄ細孔構造を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２２】
前記無機材料が、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）、ＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せを含む、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２３】
メソ構造が所定の細孔配置を有し、該細孔配置が制御されている、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２４】
メソ構造が組織化された細孔配置を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２５】
メソ構造が、
（ａ）ＭＣＭ−４１の六方細孔配置
（ｂ）ＭＣＭ−４８の立方細孔配置
（ｃ）ＭＣＭ−５０の層状細孔配置、及び
（ｄ）ＳＢＡ−１５の六方細孔配置
から選択される細孔配置を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２６】
メソ構造がフォーム様配置で組織化された細孔を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２７】
メソ細孔がランダムに配置された細孔を有する、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２８】
メソ構造が、Ｙ［ＭＣＭ−４１］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４１］、ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４１］、Ｙ［ＭＣＭ−４８］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−４８］、ＺＳＭ−５［ＭＣＭ−４８］、Ｙ［ＭＣＭ−５０］、ＭＯＲ［ＭＣＭ−５０］又はＺＳＭ−５［ＭＣＭ−５０］である、請求項１に記載の無機材料。
【請求項２９】
隣接するメソ細孔間の壁厚が約１ｎｍ〜約５ｎｍである、請求項１に記載の無機材料。
【請求項３０】
隣接するメソ細孔間の壁厚が約１ｎｍ〜約３ｎｍである、請求項１に記載の無機材料。
【請求項３１】
前記メソ構造に固定された荷電化学種をさらに含む、請求項１に記載の無機材料。
【請求項３２】
荷電化学種が正に荷電している、請求項３１に記載の無機材料。
【請求項３３】
荷電化学種が、元素の陽イオン、第四アミン、アンモニウムイオン、ピリジニウムイオン若しくはホスホニウムイオン又はそれらの任意の組合せを含む、請求項３１に記載の無機材料。
【請求項３４】
完全結晶性メソ構造に固定された化学種をさらに含む、請求項１に記載の無機材料。
【請求項３５】
完全結晶性メソ構造に共有結合した化学種をさらに含む、請求項１に記載の無機材料。
【請求項３６】
化学種が塩基性化学種を含む、請求項３５に記載の無機材料。
【請求項３７】
化学種が、無機塩基、有機塩基、水酸化物、アミン、ピリジン若しくはホスフィン又はそれらの任意の組合せを含む、請求項３５に記載の無機材料。
【請求項３８】
前記無機材料に付着する均一系触媒をさらに含み、しかも前記化学種が該均一系触媒に結合している、請求項３４に記載の無機材料。
【請求項３９】
前記完全結晶性メソ構造によって担持された不均一系触媒をさらに含む、請求項１に記載の無機材料。
【請求項４０】
不均一系触媒が、金属、金属酸化物、ナノ粒子、クラスター若しくはコロイド又はそれらの任意の組合せを含む、請求項３９に記載の無機材料。
【請求項４１】
次の工程：
（ａ）完全結晶性無機材料を準備し、
（ｂ）該完全結晶性無機材料を第１の時間及び温度条件セット下でｐＨ制御媒体にさらし、
（ｃ）該完全結晶性無機材料を第２の時間及び温度条件セット下で界面活性剤にさらし、
（ｄ）該無機材料を、該第１及び第２の時間及び温度条件セットを制御することによって処理して該完全結晶性無機材料内に制御された断面積を有する複数のメソ細孔を形成させること
を含む、無機材料の製造方法。
【請求項４２】
次の工程：
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料において六方［ＭＣＭ−４１］細孔配置で配置されるように調節すること、
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料において立方［ＭＣＭ−４８］細孔配置で配置されるように調節すること、
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料において層状［ＭＣＭ−５０］細孔配置で配置されるように調節すること、
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料において六方［ＳＢＡ−１５］細孔配置で配置されるように調節すること、
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料においてフォーム様細孔配置で配置されるように調節すること、
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料においてランダム細孔配置で配置されるように調節すること、
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料において組織化細孔配置で配置されるように調節すること、又は
（ｅ）前記第１及び第２の時間及び温度条件セットを、前記複数のメソ細孔が前記完全結晶性無機材料において制御された細孔配置で配置されるように調節すること
をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
次の工程：
（ｂ）前記ｐＨ制御媒体を選択して前記完全結晶性無機材料の細孔容量を制御し、そして
（ｃ）前記界面活性剤の量を選択して前記完全結晶性無機材料の細孔容量を制御すること
をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
次の工程：
（ｂ）前記ｐＨ制御媒体を選択して前記完全結晶性無機材料内にある複数のメソ細孔のそれぞれの直径を制御し、そして
（ｃ）前記界面活性剤を選択して前記完全結晶性無機材料内にある複数のメソ細孔のそれぞれの直径を制御すること
をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
次の工程：
（ｂ）前記ｐＨ制御媒体を選択して前記完全結晶性無機材料内にある複数のメソ細孔のそれぞれの断面積を制御し、そして
（ｃ）前記界面活性剤を選択して前記完全結晶性無機材料内にある複数のメソ細孔のそれぞれの断面積を制御すること
をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記ｐＨ制御媒体に膨張剤を添加する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
前記ｐＨ制御媒体にトリブロック共重合体を添加する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料を洗浄し、そして乾燥させる工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料から界面活性剤を除去する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５０】
工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料から界面活性剤を抽出する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５１】
工程（ａ）〜（ｄ）を実行した後に界面活性剤を焼成する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５２】
前記第１温度条件又は第２温度条件が熱水条件を含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５３】
前記第１温度条件又は第２温度条件が約１００〜約２００℃の範囲にある、請求項４１に記載の方法。
【請求項５４】
前記第１温度条件又は第２温度条件が室温条件である、請求項４１に記載の方法。
【請求項５５】
前記第１時間条件又は第２時間条件が約１時間〜約２週間の範囲にある、請求項４１に記載の方法。
【請求項５６】
前記完全結晶性無機材料が、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）、ＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５７】
前記ｐＨ制御媒体が少なくとも約８〜約１２までのｐＨ制御設定点を有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項５８】
前記ｐＨ制御媒体が少なくとも約１０〜約１４までのｐＨ制御設定点を有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項５９】
前記ｐＨ制御媒体が少なくとも約２〜約６までのｐＨ制御設定点を有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項６０】
前記ｐＨ制御媒体が少なくとも約−２〜約２までのｐＨ制御設定点を有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項６１】
界面活性剤が、陽イオン性界面活性剤、イオン性界面活性剤若しくは中性界面活性剤又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項６２】
界面活性剤が臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）を含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項６３】
工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料に荷電化学種を導入する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項６４】
荷電化学種が正に荷電している、請求項６３に記載の方法。
【請求項６５】
荷電化学種が、元素の陽イオン、第四アミン、アンモニウムイオン、ピリジニウムイオン若しくはホスホニウムイオン又はそれらの任意の組合せを含む、請求項６３に記載の方法。
【請求項６６】
工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料に化学種を導入する工程をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項６７】
化学種が塩基性化学種を含む、請求項６６に記載の方法。
【請求項６８】
化学種が、無機塩基、有機塩基、水酸化物、アミン、ピリジン若しくはホスフィン又はそれらの任意の組合せを含む、請求項６６に記載の方法。
【請求項６９】
均一系触媒をさらに含み、しかも化学種が該均一系触媒に結合している、請求項６６に記載の方法。
【請求項７０】
次の工程（ｅ）：
（ｅ）不均一系触媒と、工程（ｄ）で製造された完全結晶性無機材料とを接触させること
をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項７１】
不均一系触媒が、金属、金属酸化物、ナノ粒子、クラスター若しくはコロイド又はそれらの任意の組合せを含む、請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
次の方法：
（ａ）完全結晶性無機材料を準備し、
（ｂ）該完全結晶性無機材料を第１の時間及び温度条件セット下でｐＨ制御媒体にさらし、
（ｃ）該完全結晶性無機材料を第２の時間及び温度条件セット下で界面活性剤にさらし、
（ｄ）該無機材料を、該第１及び第２の時間及び温度条件セットを制御することによって処理して該完全結晶性無機材料内に制御された断面積を有する複数のメソ細孔を形成させること
によって作られた無機材料。
【請求項７３】
複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料を含む触媒の存在下で高分子炭化水素材料を反応させる方法によって製造された炭化水素材料であって、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積が実質的に同一である、炭化水素材料。
【請求項７４】
炭化水素材料が、１，３−ジイソプロピルベンゼン、ガソリン、プロピレン、ブテン、コークス、全乾性ガス若しくは液化石油ガス又はそれらの組合せを含む、請求項７３に記載の方法によって製造された炭化水素材料。
【請求項７５】
有機化合物と、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させる工程を含む有機化合物の接触分解方法であって、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積が実質的に同一である、有機化合物の接触分解方法。
【請求項７６】
有機化合物が、炭化水素、不飽和炭化水素、芳香族炭化水素、アルキル化ベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、原油、軽油又は減圧軽油の少なくとも一つである、請求項７５に記載の方法。
【請求項７７】
前記断面積が、分解される有機化合物の直径よりも大きい直径を有する、請求項７５に記載の方法。
【請求項７８】
次の工程：
原油と、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は実質的に同一であるものとし、
該原油を該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応させること
を含む、原油の処理方法。
【請求項７９】
前記原油を流動接触分解ユニット内で無機材料の存在下に反応させることをさらに含む、請求項７８に記載の方法。
【請求項８０】
生成されるガソリンの留分が、完全結晶性無機材料を使用して生成されるガソリンの量に対して増加する、請求項７８に記載の方法。
【請求項８１】
軽質オレフィンの生産量が、完全結晶性無機材料を使用して生成される軽質オレフィンの量に対して増加する、請求項７８に記載の方法。
【請求項８２】
次の工程：
重合体と、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は実質的に同一であるものとし、及び
該重合体を該無機材料の存在下で熱処理すること
を含む、重合体の処理方法。
【請求項８３】
前記重合体が、炭化水素重合体、ポリアルキレン、ポリアルキニル、ポリスチレン若しくはポリエチレン（ＰＥ）又はそれらの任意の組合せを含む、請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
次の方法：
原油と、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は実質的に同一であるものとし、及び
該原油を該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応させること
を含む方法によって製造されたベンゼン化合物。
【請求項８５】
次の方法：
原油と、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は実質的に同一であるものとし、及び
該原油を該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応させること
を含む方法によって製造されたガソリン化合物。
【請求項８６】
次の工程：
汚染された水と、複数のメソ細孔を画定するメソ細孔表面を有する完全結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数のメソ細孔のそれぞれの断面積は実質的に同一であるものとし、及び
該無機材料によって該水から汚染物を除去すること
を含む、水処理方法。
【請求項８７】
除去される汚染物が染料を含む、請求項８６に記載の方法。
【請求項８８】
複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性ナノ構造を備える無機材料であって、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下である、無機材料。
【請求項８９】
前記複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が約３ｎｍ〜約２０ｎｍである、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９０】
無機材料が半結晶質である、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９１】
無機材料が多結晶質である、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９２】
ナノ構造が一次元である、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９３】
ナノ構造が二次元である、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９４】
ナノ構造が三次元である、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９５】
ナノ構造がナノチューブ、ナノリング、ナノロッド又はナノワイヤーである、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９６】
ナノ構造がナノスラブ、ナノレイヤー又はナノディスクである、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９７】
前記材料が、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）及びＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せを含む、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９８】
ナノ構造がＹ［ＺＮＲ］、ＭＯＲ［ＺＮＲ］又はＺＳＭ−５［ＺＮＲ］である、請求項８８に記載の無機材料。
【請求項９９】
次の工程：
（ａ）結晶質無機材料を準備し、
（ｂ）該結晶質無機材料をｐＨ制御媒体にさらして結晶質無機材料を部分的に溶解させ、それによって非晶質無機材料を生じさせ、
（ｃ）該非晶質無機材料のｐＨを調整し、
（ｄ）該非晶質材料を界面活性剤にさらし、及び
（ｅ）工程（ｂ）〜（ｄ）の時間及び温度条件を制御することによって該無機材料を処理してナノ構造を形成させること
を含む無機材料の製造方法。
【請求項１００】
時間及び温度条件を制御することによって前記無機材料を処理して、まず［ＭＣＭ−５０］メソ構造を形成させ、次いでナノ構造を形成させることをさらに含む、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０１】
前記ｐＨ制御媒体が、少なくとも約１０〜約１４以下のｐＨ制御設定点を有する、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０２】
前記ｐＨ制御媒体が、少なくとも約２〜約６以下のｐＨ制御設定点を有する、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０３】
前記ｐＨ制御媒体が、少なくとも約−２〜約２以下であるｐＨ制御設定点を有する、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０４】
前記非晶質無機材料が、約８〜約１２を範囲とするｐＨを有する、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０５】
前記温度条件が、約１００〜約２００℃を範囲とする、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０６】
前記時間が約１２時間〜約２週間を範囲とし、しかも前記温度条件が熱水温度条件である、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０７】
前記界面活性剤が陽イオン性界面活性剤、イオン性界面活性剤又は中性界面活性剤又はそれらの任意の組合せを含む、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０８】
前記界面活性剤が臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）を含む、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０９】
前記完全結晶性無機材料が、金属酸化物、ゼオライト、ゼオタイプ、アルミノホスフェート、ガロホスフェート、ジンコホスフェート、チタノホスフェート、フォージャサイト（ＦＡＵ）、モルデナイト（ＭＯＲ）及びＺＳＭ−５（ＭＦＩ）若しくはＣＨＡ又はそれらの任意の組合せを含む、請求項９９に記載の方法。
【請求項１１０】
次の方法：
（ａ）結晶質無機材料を準備し、
（ｂ）該結晶質無機材料をｐＨ制御媒体にさらして結晶質無機材料を部分的に溶解させ、それによって非晶質無機材料を生じさせ、
（ｃ）該非晶質無機材料のｐＨを調整し、
（ｄ）該非晶質材料を界面活性剤にさらし、そして
（ｅ）工程（ｂ）〜（ｄ）の時間及び温度条件を制御することによって該無機材料を処理してナノ構造を形成させること
によって作られた無機材料。
【請求項１１１】
複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させる方法によって作られた分解有機化合物であって、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下である、分解有機化合物。
【請求項１１２】
前記炭化水素材料が、１，３−ジイソプロピルベンゼン、ガソリン、プロピレン、ブテン、コークス、全乾性ガス若しくは液化石油ガス又はそれらの組合せを含む、請求項１１１の方法によって製造された炭化水素材料。
【請求項１１３】
有機化合物と、複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性メソ構造を備える無機材料とを接触させる工程を含む有機化合物の接触分解方法であって、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下である、有機化合物の接触分解方法。
【請求項１１４】
前記有機化合物が、炭化水素、不飽和炭化水素、芳香族炭化水素、アルキル化ベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、原油、軽油又は減圧軽油のうちの少なくとも一つである、請求項１１３に記載の方法。
【請求項１１５】
原油と、複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に間隙を画定するものを含む結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つが１００ｎｍ以下であるものとし、及び
該原油を該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力の条件下で反応させること
を含む、原油の処理方法。
【請求項１１６】
前記原油を前記無機材料の存在下で流動接触分解ユニット内において反応させることをさらに含む、請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１７】
生成されるガソリンの留分が、完全結晶性無機材料を使用して生成されるガソリンの量に対して増加する、請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１８】
軽質オレフィン生成量が、完全結晶性無機材料を使用して生成された軽質オレフィンの量に対して増加する、請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１９】
次の工程：
重合体と、複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下であるものとし、及び
該重合体を該無機材料の存在下で熱処理すること
を含む、重合体の処理方法。
【請求項１２０】
該重合体が、炭化水素重合体、ポリアルキレン、ポリアルキニル、ポリスチレン若しくはポリエチレン（ＰＥ）又はそれらの任意の組合せを含む、請求項１１９に記載の方法。
【請求項１２１】
次の方法：
原油と、複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下であるものとし、及び
該原油を該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力条件下で反応させること
によって製造されたベンゼン化合物。
【請求項１２２】
次の方法：
原油と、複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下であるものとし、及び
該原油を該無機材料の存在下に制御された温度及び圧力条件下で反応させること
によって製造されたガソリン化合物。
【請求項１２３】
次の工程：
汚染水と、複数の要素であってそれぞれの要素が複数の細孔を画定しそして隣接する要素がそれらの間に空隙を画定するものを含む結晶性ナノ構造を備える無機材料とを接触させ、ここで、該複数の要素のそれぞれの少なくとも一つの寸法が１００ｎｍ以下であるものとし、及び
該無機材料によって該水から汚染物を除去すること
を含む、水処理方法。
【請求項１２４】
除去される汚染物が染料を含む、請求項１２３に記載の方法。

【図１Ａ】

【図１Ｂ】

【図１Ｃ】

【図１Ｄ】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０Ａ】

【図２０Ｂ】

【図２０Ｃ】

【図２１】

【図２２】

【公表番号】特表２００７−５３４５８９（Ｐ２００７−５３４５８９Ａ）
【公表日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５０９７２７（Ｐ２００７−５０９７２７）
【出願日】平成１７年４月２２日（２００５．４．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０１４１２９
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０３８９１２
【国際公開日】平成１８年４月１３日（２００６．４．１３）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５０６３５６４９４）マサチューセッツ　インスティテュート　オブ　テクノロジー (1)
【Ｆターム（参考）】